JP2006066725A - 放熱構造を備える半導体装置及びその組立方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 放熱特性と半田付け性との向上を図る。
【解決手段】 絶縁基板１３にＬＥＤ１を臨ませる開口部１８と、この開口部１８を囲んで端子ランド１６とを形成した配線基板１１に、実装面３ａに放熱パッド５を設けたＬＥＤ１を、相対する端子ランド１６と端子４とを半田付けしてＬＥＤ１を開口部１８に浮かせかつ放熱パッド５を臨ませた状態で配線基板１１に実装する。絶縁基板１３よりも高熱伝導特性で配線基板１１を組み合わす主面１２ａに開口部１８と対向して放熱凸部１９が一体に形成された放熱プレート１２とから構成される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体チップや大規模集積回路素子（LSI:Large-Scale Integrated Circuit）或いは発光ダイオード等（本明細書においては、個別に説明する場合を除いて半導体素子と総称する。）の比較的大きな熱を発生させる各種半導体素子を実装するとともに、発生した熱を放熱する放熱構造を備える半導体装置及びその組立方法に関する。

各種の電子機器等には、基板上に半導体素子を実装した半導体装置が備えられている。半導体素子は、小型で薄型化を確保しながら高機能化や多機能化が図られることによって集積度がますます高まるとともに、ハイパワー化が図られている。また、電子機器等には、光源部や表示部等に、小型で長寿命、低電力消費特性或いは高輝度特性を有する発光ダイオード（以下、ＬＥＤと称する。LED:Light Emitting Diode）が用いられている。

電子機器等においては、半導体素子が高集積化とハイパワー化或いは電源回路部等の適用箇所、特性等によって素子本体から大きな熱が発生し、この発生熱を効率的に放熱する放熱構造が極めて重要となっている。電子機器等においては、例えば基板に実装した半導体素子に対してヒートシンクを接合して、半導体素子から発生する熱を放熱するようにしている。電子機器等においては、比較的大型のヒートシンクが半導体素子に重ね合わされることによって全体の厚みが大きくなってしまうとともに、基板やヒートシンクを自由に組み付けることができないといった問題があった。

例えば、特許文献１には、実装用ボードに対して半導体素子を実装したパッケージ基板をＢＧＡ実装法により実装してなる半導体パッケージが開示されている。特許文献１においては、パッケージ基板に開口部を形成して半導体素子を収納し、この半導体素子が熱伝導率の高い材料からなる伝熱板を介して実装用ボードと熱的接続されて実装される。特許文献１においては、放熱フィンを用いることなく半導体素子に発生した熱が伝熱板を介して実装用ボードから放熱され、小型、薄型化が図られる。

特開平９−２６０５５４号公報

ところで、液晶表示装置においては、赤色、緑色、青色の多数個のＬＥＤを２次元配列して合成色の白色光を得るバックライト部が備えられて、液晶パネルに対して照明光を供給する。液晶表示装置においては、各ＬＥＤから発生した熱が内部に籠もって内部温度が上昇するために、液晶パネルに供給する照明光を適宜制御するために設けられた光学機能シートや導光プレート等の各部材に熱変化を生じさせて色むら等を発生させたり電子部品等の動作に影響を及ぼすといった問題が生じる。したがって、液晶表示装置においては、多数個のＬＥＤから発生する熱を効率よく放熱する放熱構造が備えられる。

液晶表示装置においては、例えば上述した特許文献１の技術を利用して図４に示すような放熱特性に優れたバックライト装置１００を構成することが可能である。バックライト装置１００は、アルミ材や銅材等の熱伝導率に優れた材料によって形成された基板１０１上に多数個のＬＥＤ１を実装し、図示しない液晶パネルの背面にアレイ配置される。バックライト装置１００は、基板１０１の主面１０１ａ上に全面に亘って第１絶縁層１０２を形成し、この第１絶縁層１０２上に所定の配線パターンを有する配線層１０３を形成し、さらに配線層１０３を被覆して第２絶縁層１０４を形成してなる。

基板１０１には、各ＬＥＤ１の実装領域に対応して、配線層１０３と第２絶縁層１０４とに開口部１０５が形成される。基板１０１は、開口部１０５の開口縁に沿って第２絶縁層１０４が適宜除去されることにより、配線層１０３に形成した端子ランド１０６ａ、１０６ｂが開口部１０５の開口縁に沿って露出されるようにする。なお、基板１０１は、第１絶縁層１０２がＬＥＤ１との電気的絶縁を保持するに足る厚みに形成され、ＬＥＤ１からの熱伝導にさほど影響を生じることは無い。

ＬＥＤ１は、発光バルブ２を樹脂ホルダ３によって保持するとともに、樹脂ホルダ３からクランク状に折曲された一対の端子４ａ、４ｂが突出されてなる。ＬＥＤ１には、樹脂ホルダ３の底面３ａに熱伝導特性が大きなアルミ片や銅片等の金属板からなる放熱パッド５が接合されている。ＬＥＤ１は、樹脂ホルダ３の底面３ａを実装面として図４（Ａ）矢印で示すように基板１０１の開口部１０６に組み合わされ、端子４ａ、４ｂが相対する端子ランド１０６ａ、１０６ｂ上に位置決めされる。ＬＥＤ１は、半田付け装置６により端子４ａ、４ｂが相対する端子ランド１０６ａ、１０６ｂに対して半田７によって接続固定されて基板１０１の主面１０１ａ上に実装される。

バックライト装置１００においては、基板１０１に実装された各ＬＥＤ１が、それぞれの放熱パッド５を第１絶縁層１０２を介して主面１０１ａと接触した状態とする。バックライト装置１００においては、各ＬＥＤ１から発生する熱が放熱パッド５を介して基板１０１に伝導されて放熱されるようにする。なお、バックライト装置１００は、基板１０１上に多数個のＬＥＤ１が実装され、また基板１０１が図示しないヒートシンク等の適宜の放熱手段と接続されて効率的な放熱が行われる。バックライト装置１００は、例えば第１絶縁層１０２にも開口部を設けて銀ペースト等を介して放熱パッド５と基板１０１とを接触させるようにしてもよい。

ところで、バックライト装置１００においては、半田付け装置６によってＬＥＤ１を基板１０１に半田付けする際に、端子４ａ、４ｂと端子ランド１０６ａ、１０６ｂとが半田７の融点以上に加熱されなければならない。バックライト装置１００においては、上述したように基板１０を熱伝導特性が大きな金属板によって形成することから、図４（Ｂ）で示すように半田付け装置６から加えられる熱が端子４ａ、４ｂ−放熱パッド５のルートを介して放熱されてしまう。バックライト装置１００においては、このために端子４ａ、４ｂや端子ランド１０６ａ、１０６ｂが充分な温度まで上昇せずに半田不良が発生してＬＥＤ１と基板１０１の配線層１０３とに接続不良が生じることがあった。

電子機器等においては、上述したバックライト装置１００のように、放熱特性を向上させるために熱伝導特性が大きな基板１０１を用いた場合に、半田付けされる半導体素子の半田不良が発生するといった問題があった。

したがって、本発明は、放熱特性と半田付け性との向上を図った放熱構造を備える半導体装置及びその組立方法を提供することを目的とする。

上述した目的を達成する本発明にかかる放熱構造を備える半導体装置は、半導体素子を実装した配線基板と放熱基板との積層構造体からなる。半導体装置は、半導体素子が、素子本体の外周部に複数の端子が突出されるとともに実装面を構成する底面に放熱パッドが設けられてなる。半導体装置は、配線基板が、例えばガラスエポキシ系基板等の従来一般に用いられている絶縁基板に半導体素子の素子本体を臨ませる開口部と、この開口部を囲んで実装主面上に各端子片とそれぞれ対向する複数の端子ランドとが形成され、これら端子ランドに対して相対する各端子をそれぞれ半田付けすることによって素子本体を開口部に浮かせかつ放熱パッドを臨ませた状態で半導体素子を絶縁基板に実装する。半導体装置は、放熱基板が例えばアルミ板や銅板等のように配線基板よりも高熱伝導性の金属材によって形成され、配線基板が組み合わされる組合せ主面にその開口部と対向して放熱凸部が一体に形成されてなる。

半導体装置においては、半導体素子が配線基板に対して、各端子ランドに対して相対する各端子をそれぞれ位置決めして組み合わせた状態でこれら各端子ランドと端子とに半田付けが施されることにより、素子本体を開口部に浮かせかつ放熱パッドを臨ませた状態で実装される。半導体装置においては、半導体素子を実装した配線基板を放熱基板に対して、開口部に放熱凸部を臨ませて組合せ主面上に組み合わせることにより、開口部を介して放熱パッドが放熱凸部と接合される。半導体装置においては、このように放熱基板に対して半導体素子を実装した配線基板を組み合わせることによって開口部を介して放熱パッドと放熱凸部と接合されることで、素子本体から発生する熱が放熱パッドと放熱凸部とを介して放熱基板へと効率よく伝導されて放熱が行われる。

また、上述した目的を達成する本発明にかかる放熱構造を備える半導体装置の組立方法は、素子本体の外周部に複数の端子が突出されるとともに実装面を構成する底面に放熱パッドが設けられた半導体素子と、絶縁基板に素子体を臨ませる開口部とこの開口部を囲んで実装主面上に各端子とそれぞれ対向する複数の端子ランドとが形成された配線基板と、この配線基板よりも高熱伝導性の金属材によって形成され配線基板が組み合わされる組合せ主面に開口部と対向して放熱凸部が一体に形成された放熱基板とから構成される放熱構造を備える半導体装置を組み立てる。

半導体装置の組立方法は、半導体素子実装工程と、配線基板組合せ工程とを有する。半導体素子実装工程は、相対する各端子ランドと各端子とをそれぞれ位置決めして組み合わせる工程と、各端子ランドと各端子とに半田付けを施す工程とを経て、半導体素子を配線基板に対して、素子本体を開口部に浮かせかつ放熱パッドを臨ませた状態で実装する。配線基板組合せ工程は、開口部に放熱凸部を臨ませて組合せ主面上に組み合わせることによって、半導体素子を実装した配線基板を放熱基板に対して、開口部を介して放熱パッドと放熱凸部と接合させる。半導体装置の組立方法は、開口部を介して放熱パッドが放熱凸部と接合されて、素子本体から発生する熱を放熱基板に伝導して放熱する放熱構造を備える半導体装置を組み立てる。

本発明によれば、相対する各端子ランドと各端子とに半田付けを施して半導体素子を配線基板に実装した後に、配線基板を放熱基板に組み合わせることにより半導体素子に設けた放熱パッドと放熱基板に形成した放熱凸部とが接合されてなる。本発明によれば、半田装置から加えられる熱が放熱基板に伝導されて放熱されることが無く、各端子ランドと各端子とが充分な温度にまで加熱されて半田が溶融して良好な半田付けが行われる。本発明によれば、半導体素子に発生した熱が接合された放熱パッドと放熱凸部とを介して放熱基板へと伝導され、効率的な放熱が行われるようになる。本発明によれば、半田付け性と放熱特性の向上が図られる。

以下、本発明の実施の形態として示した液晶表示装置に用いられるバックライト装置１０について、図面を参照して詳細に説明する。バックライト装置１０は、図１に示すようにそれぞれ適宜の個数の赤色ＬＥＤと緑色ＬＥＤと青色ＬＥＤとからなる所定個数のＬＥＤ１（図では１個のみを代表的に図示している。）と、これらＬＥＤ１を実装した配線基板１１と、この配線基板１１が組み合わされる放熱プレート１２とから構成される。バックライト装置１０は、図示しない液晶パネルの背面側に組み合わされてＬＥＤ１から出射した照明光を供給する。

液晶表示装置は、図示を省略するが所定の画面サイズを有する液晶パネルを備え、この液晶パネルにバックライト装置１０から大容量の照明光を供給して高輝度の表示が行われるテレビジョン受像機或いは表示モニタ装置等を構成する。液晶表示装置は、液晶パネルとバックライト装置１０との間に、各ＬＥＤ１から出射された照明光に対して所定の光学変換処理を施して液晶パネルに供給する光学機能シートブロックや照明光を液晶パネルに対して均一輝度化した状態で供給する拡散導光プレート或いは拡散プレート等が備えられている。液晶表示装置は、反射プレートによって各ＬＥＤ１から出射された照明光を拡散プレート側へと反射させることによって光効率が図られている。

液晶表示装置においては、多数個のＬＥＤ１から発生する熱が液晶パネルとバックライト装置１０との間に構成された周囲を密閉した導光空間部内に籠もって高温状態となってしまう。液晶表示装置においては、高温化によって上述した光学機能シートブロックの特性が変化したり、拡散導光プレートや拡散プレート或いは反射プレートに歪み等が生じて液晶パネルに色むら等を発生させ、また制御回路部等の動作を不安定とさせたりする。液晶表示装置においては、後述するように効率的な放熱が行われて安定した動作が行われるようにする。

各ＬＥＤ１は、上述したように発光バルブ２を樹脂ホルダ３によって保持するとともに、樹脂ホルダ３からクランク状に折曲された一対の端子４ａ、４ｂが突出されている。各ＬＥＤ１には、樹脂ホルダ３の底面３ａにアルミ薄板材や銅薄板材等の熱伝導率に優れた材料によって形成された放熱パッド５が接合されている。各ＬＥＤ１は、点灯動作によって照明光とともに熱も発生するが、後述するように放熱パッド５を介して放熱プレート１２からの放熱が行われる。

配線基板１１は、例えばガラスエポキシ系絶縁基板やフェノール樹脂系絶縁基板或いはポリイミド、セラミック等の従来電子機器に一般に用いられている絶縁基板１３と、この絶縁基板１３の主面１３ａに接合された銅箔に対して所定のパターニング処理を施して配線パターンを形成した配線層１４からなる。配線基板１１は、所定の長さと幅とを有する横長矩形を呈しており、長さ方向に並んで各ＬＥＤ１をそれぞれ実装するＬＥＤ実装領域１５を挟んで配線層１４にそれぞれ端子ランド１６ａ、１６ｂが形成されている。

配線基板１１には、詳細を省略するが、配線層１４に各ＬＥＤ１をシリーズで接続する配線パターンが形成されている。配線基板１１には、各ＬＥＤ実装領域１５と各端子ランド１６ａ、１６ｂを露出させて配線層１４を被覆する絶縁層１７が形成されている。配線基板１１には、各ＬＥＤ実装領域１５に対応して多数個の開口部１８が形成されている。なお、配線基板１１には、図示を省略するが長さ方向の両側に位置して配線パターンと適宜接続された入力用コネクタと出力用コネクタとが実装されている。配線基板１１は、これら入力用コネクタと出力用コネクタとが各ＬＥＤ１の点灯動作を制御する制御信号が入出力される。

各開口部１８は、配線基板１１に、長さ方向に対して同一軸線上に位置してそれぞれ等間隔に形成されている。各開口部１８は、図１に示すようにそれぞれ内径がＬＥＤ１の樹脂ホルダ３の外径よりもやや大径とされるとともに端子４ａ、４ｂの折曲部位よりも小径とされて形成されている。配線基板１１は、開口部１８の開口縁に位置して、直径方向に対向して端子ランド１６ａ、１６ｂを形成する。なお、配線基板１１は、各ＬＥＤ実装領域１５に対応して多数個の開口部１８を形成したが、これら開口部１８が長さ方向に連続されることによって矩形溝として構成されるようにしてもよい。

放熱プレート１２は、熱伝導率に優れ、加工性がよくかつ軽量で廉価なアルミ材が用いられて、上述した配線基板１１とほぼ同一の長さとやや大きな幅を有する矩形のブロック形状に形成される。放熱プレート１２は、後述するように各ＬＥＤ１から発生する熱を放熱するとともに配線基板１１の取付部材を兼ねることから機械的剛性を有する所定の厚みを以って形成される。なお、放熱プレート１２は、アルミ材に限定されず、同等以上の特性を有する、例えばアルミ合金材、マグネシウム合金材或いは銀合金材や銅材等によって形成するようにしてもよく、また例えばプレス加工や切出し加工或いは押出加工等の適宜の加工方法によって形成される。

放熱プレート１２は、その主面１２ａ上に配線基板１１が適宜の位置決め構造を介して位置決めされて組み合わされ、例えば複数の止めねじによって固定される。放熱プレート１２には、主面１２ａに、配線基板１１の各開口部１８に対応して長さ方向に対して同一軸線上に位置して多数個の放熱凸部１９が一体に形成されている。各放熱凸部１９は、それぞれ外径が相対する開口部１８の内径よりもやや小径とされるとともに、配線基板１１の厚みとほぼ同等の高さを以って形成されている。

なお、放熱プレート１２は、配線基板１１の各開口部１８に相対して主面１２ａに多数個の放熱凸部１９を形成するようにしたが、例えば配線基板１１に矩形溝の開口部１８を形成した場合にこの矩形溝内に臨ませられる矩形凸部として形成する用にしてもよい。また、放熱プレート１２は、矩形凸部を挟んで配線基板１１を架け渡すようにする長さ方向の全長に亘って肉盗み凹部を形成するようにしてもよい。

放熱プレート１２は、両端部が図示しないヒートシンク等の適宜の放熱手段と接続されており、このヒートシンクからの放熱によって後述するように各ＬＥＤ１に発生して伝導された熱を効率的に放熱する。放熱プレート１２は、例えば底面側に形成したヒートパイプ嵌合凹部にヒートパイプを組合せ、このヒートパイプによってヒートシンク等への熱伝導をさらに効率的に行うように構成してもよい。

バックライト装置１０においては、配線基板１１に対して各ＬＥＤ１を実装して中間体２０を製作し、この中間体２０が放熱プレート１２に取り付けられる。バックライト装置１０においては、樹脂ホルダ３の底面３ａを実装面として、図２（Ａ）矢印で示すように各ＬＥＤ１が配線基板１１の相対する各開口部１８にそれぞれ組み合わされる。バックライト装置１０においては、各ＬＥＤ１が、それぞれの端子４ａ、４ｂを配線基板１１側の相対する端子ランド１６ａ、１６ｂ上に位置するようにして組み合わされる。

バックライト装置１０においては、図２（Ｂ）に示すように半田付け装置６によって、それぞれの端子４ａ、４ｂが配線基板１１側の相対する端子ランド１６ａ、１６ｂ上に半田７によって固定される。バックライト装置１０においては、上述したように配線基板１１が熱伝導率が比較的小さな絶縁基板１３に配線層１４を形成した構造であることから、半田装置６から加えられる熱が端子ランド１６ａ、１６ｂを介して有機絶縁基板１３に伝導されて放熱されることが抑制される。

したがって、バックライト装置１０においては、半田付け装置６によって端子４ａ、４ｂと端子ランド１６ａ、１６ｂとが充分に加熱され、半田７を溶融させる。バックライト装置１０においては、溶融した半田７が端子４ａ、４ｂと端子ランド１６ａ、１６ｂとの間に回り込んで硬化することで、配線基板１１上に各ＬＥＤ１を強固に実装した中間体２０が製作される。バックライト装置１０においては、比較的短い時間で半田７の溶融が行われることで、半田付け工程が効率よく行われるようになる。

中間体２０は、図２（Ｂ）に示すように端子４ａ、４ｂが開口部１８を挟んで端子ランド１６ａ、１６ｂに固定されることにより、各ＬＥＤ１がそれぞれ発光バルブ２と樹脂ホルダ３とが開口部１８に浮いた状態で配線基板１１に実装される。中間体２０は、各ＬＥＤ１がそれぞれ樹脂ホルダ３の底面に接合された放熱パッド５を開口部１８に臨ませた状態となっている。

バックライト装置１０においては、図２（Ｃ）矢印で示すように配線基板１１に多数個のＬＥＤ１を実装した中間体２０が放熱プレート１２の主面１２ａに取り付けられる。バックライト装置１０においては、中間体２０が各開口部１８を相対する放熱凸部１９に嵌合させるようにして配線基板１１を放熱プレート１２に組み合わせて図示しない止めねじ或いは接着剤等により固定することによって取り付けられる。バックライト装置１０においては、各開口部１８に嵌合された各放熱凸部１９が、各開口部１８に臨ませられたＬＥＤ１の放熱パッド５に突き当てられて密着する。

なお、バックライト装置１０においては、放熱プレート１２に対する中間体２０の組合せ工程に際して、例えば各放熱凸部１９の表面に熱伝導グリスを塗布するようにしてもよい。バックライト装置１０においては、熱伝導グリスを介してＬＥＤ１の放熱パッド５と放熱凸部１９との間の熱伝導がより効率よく行われるようになる。

以上のように構成したバックライト装置１０は、液晶パネルの背面側に組み合わされ、制御部から駆動信号が出力されることによって各ＬＥＤ１が点灯し、大容量の照明光を液晶パネルに供給する。バックライト装置１０においては、各ＬＥＤ１が照明光を出射するとともに熱も発生させるが、この発生熱が放熱プレート１２を介して放熱される。バックライト装置１０においては、上述したように放熱プレート１２が熱伝導率に優れた金属材等によって形成されており、主面１２ａに一体に形成した放熱凸部１９が配線基板１１の開口部１８内で放熱パッド５と密着されている。したがって、バックライト装置１０においては、各ＬＥＤ１の発生熱が放熱パッド５と放熱凸部１９とを介して放熱パッド５へと効率よく伝達され、放熱が行われる。

図３は、半田装置６によって端子４を加熱した場合の温度上昇を測定した結果を示している。同図において、実線は、ＬＥＤ１の放熱パッド５と放熱プレート１２の放熱凸部１９とが接触された上述したバックライト装置１０を組み立てた状態で半田装置６によって端子４を加熱した場合、換言すれば従来装置と同様にして半田付け処理を施した場合の温度変化を示す。また、同図において、破線は、上述した中間体２０の状態で半田装置６によって端子４を加熱した場合の温度変化を示す。

端子４は、同図から明らかなようにバックライト装置１０の状態で加熱した場合に比べて中間体２０の状態で加熱した場合の温度上昇が極めて大きい。したがって、バックライト装置１０においては、上述したように中間体２０の状態で端子４と端子ランド１６との間の半田付けが行われることで、良好な半田処理が行われるようになる。

一方、端子４は、バックライト装置１０の状態で加熱した場合に、半田装置６から加えられた熱が放熱パッド５と放熱凸部１９とを介して放熱プレート１２に効率よく伝導されることで温度上昇が抑制される。したがって、バックライト装置１０においては、ＬＥＤ１に発生した熱が放熱プレート１２へと効率よく伝導されて放熱が行われるようになる。

なお、本発明は、上述した実施の形態として示した液晶表示装置のバックライト装置１０に限定されるものでは無く、例えば各種の半導体素子や電子部品を配線基板に実装した半導体装置に適用される。

実施の形態として示すバックライト装置の要部縦断面図である。 同バックライト装置の製作工程図であり、同図（Ａ）は配線基板に対するＬＥＤの実装工程図、同図（Ｂ）は端子と端子ランドとの半田付け工程図、同図（Ｃ）は配線基板にＬＥＤを実装した中間体の放熱プレートへの実装工程図である。 バックライト装置と中間体とに対して半田装置により端子を加熱した場合の温度変化の測定図である。 従来のバックライト装置の製作工程図であり、同図（Ａ）は放熱プレートに取り付けた配線基板に対するＬＥＤの実装工程図、同図（Ｂ）は端子と端子ランドとの半田付け工程図である。

符号の説明

１ ＬＥＤ、２ 発光バルブ、３ 樹脂ホルダ、４ 端子、５ 放熱パッド、６ 半田装置、７ 半田、１０ バックライト装置、１１ 配線基板、１２ 放熱プレート、１３ 絶縁基板、１４ 配線層、１５ ＬＥＤ実装領域、１６ 端子ランド、１７ 絶縁層、１８ 開口部、１９ 放熱凸部、２０ 中間体

Claims (2)

1. 素子本体の外周部に複数の端子が突出されるとともに、実装面を構成する底面に放熱パッドが設けられた半導体素子と、
   絶縁基板に上記半導体素子の上記素子本体を臨ませる開口部と、この開口部を囲んで実装主面上に上記各端子とそれぞれ対向する複数の端子ランドとが形成され、これら端子ランドに対して相対する上記各端子をそれぞれ半田付けすることによって上記素子本体を上記開口部に浮かせかつ上記放熱パッドを臨ませた状態で上記半導体素子を実装する配線基板と、
   上記絶縁基板よりも高熱伝導性の金属材によって形成され、上記配線基板が組み合わされる組合せ主面に上記開口部と対向して放熱凸部が一体に形成された放熱基板とから構成され、
   上記放熱基板に対して上記半導体素子を実装した上記配線基板を組み合わせることにより、上記開口部を介して上記放熱パッドが上記放熱凸部と接合して上記素子本体から発生する熱が上記放熱基板に伝導されて放熱されることを特徴とする放熱構造を備える半導体装置。
2. 素子本体の外周部に複数の端子が突出されるとともに実装面を構成する底面に放熱パッドが設けられた半導体素子と、絶縁基板に上記素子体を臨ませる開口部とこの開口部を囲んで実装主面上に上記各端子とそれぞれ対向する複数の端子ランドとが形成された配線基板と、上記絶縁基板よりも高熱伝導性の金属材によって形成され上記配線基板が組み合わされる組合せ主面に上記開口部と対向して放熱凸部が一体に形成された放熱基板とから構成される放熱構造を備える半導体装置の組立方法であり、
   上記半導体素子を上記配線基板に対して、上記各端子ランドに対して相対する上記各端子をそれぞれ位置決めして組み合わせた状態で半田付けを施すことにより、上記素子本体を上記開口部に浮かせかつ上記放熱パッドを臨ませた状態で実装する半導体素子実装工程と、
   上記半導体素子を実装した上記配線基板を上記放熱基板に対して、上記開口部に上記放熱凸部を臨ませて組合せ主面上に組み合わせることにより、上記開口部を介して上記放熱パッドと上記放熱凸部と接合させる配線基板組合せ工程とを有し、
   上記開口部を介して上記放熱パッドが上記放熱凸部と接合されて、上記素子本体から発生する熱を上記放熱基板に伝導して放熱する放熱構造を組み立てることを特徴とする放熱構造を備える半導体装置の組立方法。

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