WO2013038921A1 - 半導体レーザ装置および光装置 - Google Patents

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WO2013038921A1
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semiconductor laser
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lead terminal
electrode
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畑　雅幸
吉川　秀樹
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三洋電機株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor laser device and an optical device, and more particularly to a semiconductor laser device and an optical device provided with a plurality of semiconductor laser elements.
  • a semiconductor laser device including a plurality of semiconductor laser elements is known.
  • Such a semiconductor laser device is disclosed in, for example, WO2005 / 039001 (Republication).
  • WO 2005/039001 discloses a two-beam semiconductor laser device including a submount (base) and a two-wavelength semiconductor laser element fixed on the upper surface on the front side of the submount with the laser emission end face facing forward. Is disclosed.
  • a light receiving element for monitoring the laser light intensity is provided behind the two-wavelength semiconductor laser element of the submount.
  • the two-wavelength semiconductor laser element is connected to a lead terminal via a wire that is wire-bonded to a pad electrode disposed on a submount on the side of the two-wavelength semiconductor laser element.
  • the central semiconductor laser element is connected to the lead terminal via a wire that is wire-bonded to an electrode drawn behind the semiconductor laser element.
  • the light receiving element is provided behind the central semiconductor laser element, there is a possibility that the emitted laser light for monitoring related to the central semiconductor laser element may be blocked by this wire. For this reason, there is a problem that the light receiving element cannot accurately detect the laser light intensity of the central semiconductor laser element.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor laser device capable of accurately detecting the laser light intensity of a semiconductor laser element by a light receiving element. And providing an optical device.
  • a semiconductor laser device comprises a first electrode having a first wire bond portion, a second electrode having a second wire bond portion, and a third wire on the upper surface.
  • the first semiconductor laser element, the second semiconductor laser element, and the third semiconductor laser element are Both emit laser light in the first direction
  • the first lead terminal, the second lead terminal, the fifth lead terminal, the third lead terminal and the fourth lead terminal both extend in the first direction, Arranged in this order along a second direction orthogonal to one direction
  • the first end of the fifth lead terminal on the first direction side has a mounting portion for mounting the base
  • the third direction is the first direction.
  • the fourth direction is opposite to the second direction, and the first lead terminal, the second lead terminal, the third lead terminal, and the fourth lead terminal are all arranged on the third direction side from the mounting portion.
  • the second end portion of the first lead terminal on the first direction side has a fifth wire bond portion, and the fourth end portion of the second lead terminal on the first direction side is the sixth wire bond portion.
  • the fifth end portion of the third lead terminal on the first direction side has a seventh wire bond portion, and the third end portion of the fourth lead terminal on the first direction side is the second end portion.
  • the first electrode of the first semiconductor laser element and the upper surface of the light receiving element are respectively connected to the first electrode and the second electrode.
  • One electrode of the second semiconductor laser element is connected to either the third electrode or the fourth electrode, and one electrode of the third semiconductor laser element is connected to the third electrode or the fourth electrode.
  • the other electrode of the first semiconductor laser element, the second semiconductor laser element, the third semiconductor laser element, and the lower surface of the light receiving element are all connected to the fifth lead terminal and connected to the other one of the first wire.
  • the bond portion is disposed on the fourth direction side from the first semiconductor laser element and on the first direction side from the light receiving element
  • the second wire bond portion is disposed on the third direction side from the first semiconductor laser element
  • the 3-wire bond portion is disposed in the second direction side from the third semiconductor laser element and in the first direction side from the light receiving element
  • the fourth wire bond portion is disposed in the third direction side from the third semiconductor laser element.
  • the second wire bond part And at least one of the fourth wire bond portions is disposed on the third direction side from the light receiving element, and a line connecting the first wire bond portion and the fourth wire bond portion is the second wire bond portion and the third wire bond portion.
  • the light receiving element is disposed on the third direction side from the first semiconductor laser element, the second semiconductor laser element, and the third semiconductor laser element, and the first wire bond portion is interposed through the first wire.
  • the second wire bond portion is connected to the sixth wire bond portion via the second wire
  • the third wire bond portion is connected to the eighth wire bond portion via the third wire.
  • the fourth wire bond portion is connected to the seventh wire bond portion via the fourth wire.
  • the first wire bond portion is arranged on the fourth direction side from the first semiconductor laser element and on the first direction side from the light receiving element
  • the second wire bond portion is The third wire bond portion is disposed on the second direction side of the third semiconductor laser element and on the first direction side of the light receiving element.
  • the fourth wire bond is disposed on the third direction side of the first semiconductor laser element.
  • the part is arranged on the third direction side from the third semiconductor laser element.
  • at least one of the second wire bond portion and the fourth wire bond portion is disposed on the third direction side from the light receiving element, and a line connecting the first wire bond portion and the fourth wire bond portion is the second wire bond portion.
  • the light receiving element is disposed on the third direction side from the first semiconductor laser element, the second semiconductor laser element, and the third semiconductor laser element.
  • the first wire bond portion is connected to the fifth wire bond portion via the first wire
  • the second wire bond portion is connected to the sixth wire bond portion via the second wire.
  • the portion is connected to the eighth wire bond portion via the third wire
  • the fourth wire bond portion is connected to the seventh wire bond portion via the fourth wire.
  • At least one of the second wire bond portion and the fourth wire bond portion is between the edge in the second direction and the edge in the fourth direction of the light receiving element. And it is arrange
  • At least one of the second wire bond portion and the fourth wire bond portion is positioned more than the light receiving element between the central portion of the light receiving element and the edge in the fourth direction or the edge in the second direction. Arranged on the three direction side. If comprised in this way, a 2nd wire bond part will be arranged nearer to the 4th direction side rather than the center part of a light receiving element, and the 4th wire bond part will be a 2nd direction side rather than the center part of a light receiving element. Therefore, the second wire bond portion and the fourth wire bond portion can be spaced apart from each other. Thereby, wire bonding can be performed easily.
  • the second end portion is bent toward the second lead terminal, and the third end portion is bent toward the third lead terminal.
  • the second end and the third end can be brought closer to the adjacent second lead terminal and third lead terminal, respectively, so that the first to second arranged along the second direction are arranged.
  • the arrangement width of the 5-lead terminals can be further reduced.
  • the fifth wire bond portion is positioned closer to the first direction than the sixth wire bond portion, and the eighth wire bond portion is first from the seventh wire bond portion. Located on the direction side. If comprised in this way, since the 5th wire bond part and the 6th wire bond part are provided in the same position of the 1st direction unlike the case where the 5th wire bond part and the 1st wire bond part approach, The length of the first wire can be further shortened. In addition, unlike the case where the seventh wire bond portion and the eighth wire bond portion are provided at the same position in the first direction, the length of the third wire is increased because the eighth wire bond portion and the third wire bond portion approach each other. Can be made shorter. Further, since the length of the wire is short, wire bonding can be easily performed.
  • the semiconductor laser device preferably further includes a base portion that holds the first lead terminal, the second lead terminal, the third lead terminal, the fourth lead terminal, and the fifth lead terminal. According to this configuration, a plurality of first to fifth lead terminals arranged in the second direction can be reliably fixed by the base portion.
  • the base portion preferably includes a concave portion in which the mounting portion is disposed. If comprised in this way, a base can be easily fixed to the mounting part in a recessed part.
  • the second end portion is exposed in the recess and bent toward the second lead terminal
  • the third end portion is exposed in the recess and bent toward the third lead terminal.
  • the fifth lead terminal extends in the first direction and is mounted.
  • the terminal portion is further connected to the portion, and the fourth end portion and the fifth end portion are both bent toward the terminal portion. If comprised in this way, since the 4th end part and the 5th end part can be arranged near to the terminal part of the 5th lead terminal together, the joining position in the 6th wire bond part of the 2nd wire, The first wire can be easily shifted to the second direction side from the bonding position in the fifth wire bond portion. Further, the bonding position of the fourth wire at the seventh wire bond portion can be easily shifted to the fourth direction side with respect to the bonding position of the third wire at the eighth wire bond portion.
  • the maximum width in the second direction of the base portion is preferably smaller than the maximum width in the second direction from the first lead terminal to the fourth lead terminal. If comprised in this way, since the space
  • the fifth wire bond portion is positioned on the fourth direction side from the sixth wire bond portion, and the eighth wire bond portion is second from the seventh wire bond portion. Located on the direction side.
  • the fifth wire bond portion is positioned on the fourth direction side from the first wire bond portion, and the eighth wire bond portion is second from the third wire bond portion. Located on the direction side. If comprised in this way, while being able to arrange
  • the sixth wire bond portion is positioned on the fourth direction side from the second wire bond portion, and the seventh wire bond portion is second from the fourth wire bond portion. Located on the direction side.
  • the sixth wire bond portion and the second wire bond portion can be separated from each other along the second (fourth) direction, and the seventh wire bond portion and the fourth wire bond portion can be separated from each other. Can be spaced apart from each other along the second (fourth) direction. Thereby, it can suppress both that a 1st wire and a 2nd wire approach, and a 3rd wire and a 4th wire approach.
  • the second wire bond portion is positioned on the second direction side with respect to the first wire bond portion, and the fourth wire bond portion is more than the third wire bond portion. Located on the fourth direction side.
  • the positions of the first to fourth wire bond portions in the second (fourth) direction are different from each other (not arranged in a line along the first (third) direction). It is possible to easily suppress the first to fourth wires extending toward the first to fourth lead terminals from approaching each other on the base.
  • the fifth lead terminal further includes a heat radiating portion extending to the outside of the base portion. If comprised in this way, the heat
  • the first semiconductor laser element, the second semiconductor laser element, and the third semiconductor laser element are arranged in this order along the second direction.
  • One of the electrodes is connected to the fourth electrode. If comprised in this way, the 2nd semiconductor laser element arrange
  • the fourth electrode further includes a lead-out wiring portion routed in the first direction and the second direction along the edge of the light receiving element.
  • the width in the direction orthogonal to the first direction of the portion extending in the first direction in the wiring portion is substantially equal to the width in the direction orthogonal to the second direction of the portion extending in the second direction in the lead-out wiring portion.
  • the end portion of the second electrode in the fourth direction and the fourth direction of the light receiving element are aligned along the first direction. If comprised in this way, the position of a 2nd wire bond part can be reliably arrange
  • the semiconductor laser device preferably further includes an insulating film surrounding the light receiving element on the upper surface of the base, and the second electrode straddles the upper surface of the insulating film and the light receiving surface of the light receiving element. . If comprised in this way, the 2nd electrode connected to the light-receiving surface of a light receiving element can be easily pulled out outside a light receiving element, without making it contact an electrical connection part other than a light receiving element.
  • An optical device includes a first electrode having a first wire bond portion, a second electrode having a second wire bond portion, a third electrode having a third wire bond portion, and a first electrode on an upper surface.
  • a semiconductor laser device including a second lead terminal, a third lead terminal, a fourth lead terminal, and a fifth lead terminal; and an optical system that controls light emitted from the semiconductor laser device, the first semiconductor laser element; Both the semiconductor laser element and the third semiconductor laser element emit laser light in the first direction.
  • the first lead terminal, the second lead terminal, the fifth lead terminal, the third lead terminal, and the fourth lead terminal are:
  • the first end on the first direction side of the fifth lead terminal is disposed in this order along the second direction orthogonal to the first direction and extends in the first direction.
  • the third direction is opposite to the first direction
  • the fourth direction is opposite to the second direction
  • the first lead terminal, the second lead terminal, the third lead terminal, and the fourth lead terminal are both
  • the second end portion on the first direction side of the first lead terminal has a fifth wire bond portion
  • the second end portion on the first direction side of the second lead terminal is disposed on the third direction side from the mounting portion.
  • the fourth end has a sixth wire bond portion
  • the fifth end portion on the first direction side of the third lead terminal has a seventh wire bond portion
  • the first lead terminal of the fourth lead terminal has an eighth wire bond portion, and includes one electrode of the first semiconductor laser element and the upper surface of the light receiving element.
  • one electrode of the second semiconductor laser element is connected to either the third electrode or the fourth electrode
  • one electrode of the third semiconductor laser element is The other electrode of the first semiconductor laser element, the second semiconductor laser element, the third semiconductor laser element, and the lower surface of the light receiving element are all connected to the other one of the third electrode and the fourth electrode, Connected to the lead terminal, the first wire bond portion is disposed on the fourth direction side from the first semiconductor laser element and on the first direction side from the light receiving element, and the second wire bond portion is disposed on the first semiconductor laser element.
  • the third wire bond portion is disposed on the third direction side, the third wire bond portion is disposed on the second direction side with respect to the third semiconductor laser element, and on the first direction side with respect to the light receiving element, and the fourth wire bond portion is disposed on the third semiconductor laser.
  • At least one of the second wire bond portion and the fourth wire bond portion is disposed on the third direction side from the light receiving element, and a line connecting the first wire bond portion and the fourth wire bond portion is the second
  • the light receiving element intersects a line connecting the wire bond portion and the third wire bond portion, and the light receiving element is disposed on the third direction side from the first semiconductor laser element, the second semiconductor laser element, and the third semiconductor laser element, and the first wire
  • the bond portion is connected to the fifth wire bond portion via the first wire
  • the second wire bond portion is connected to the sixth wire bond portion via the second wire
  • the third wire bond portion is the third wire bond portion.
  • the eighth wire bond portion is connected to the eighth wire bond portion via a wire
  • the fourth wire bond portion is connected to the seventh wire bond portion via a fourth wire.
  • the first wire bond portion is arranged on the fourth direction side from the first semiconductor laser element and on the first direction side from the light receiving element
  • the second wire bond portion is The third wire bond portion is disposed on the third direction side from the first semiconductor laser element
  • the third wire bond portion is disposed on the second direction side from the third semiconductor laser element and on the first direction side from the light receiving element, and the fourth wire bond portion. Is arranged on the third direction side from the third semiconductor laser element.
  • at least one of the second wire bond portion and the fourth wire bond portion is disposed on the third direction side from the light receiving element, and a line connecting the first wire bond portion and the fourth wire bond portion is the second wire bond portion.
  • the light receiving element is disposed on the third direction side from the first semiconductor laser element, the second semiconductor laser element, and the third semiconductor laser element.
  • the first wire bond portion is connected to the fifth wire bond portion via the first wire
  • the second wire bond portion is connected to the sixth wire bond portion via the second wire.
  • the portion is connected to the eighth wire bond portion via the third wire
  • the fourth wire bond portion is connected to the seventh wire bond portion via the fourth wire.
  • 1 is a top view showing a structure of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention.
  • 1 is a top view showing a detailed structure of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention. It is a front view when the semiconductor laser apparatus by 1st Embodiment of this invention is seen from the emission direction of a laser beam. It is the top view which showed the detailed structure of the semiconductor laser apparatus by the modification of 1st Embodiment of this invention. It is the top view which showed the detailed structure of the semiconductor laser apparatus by 2nd Embodiment of this invention. It is the top view which showed the detailed structure of the semiconductor laser apparatus by 3rd Embodiment of this invention. It is the top view which showed the detailed structure of the semiconductor laser apparatus by 4th Embodiment of this invention. It is the schematic which showed the structure of the optical pick-up apparatus by 5th Embodiment of this invention.
  • the structure of the three-wavelength semiconductor laser device 100 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • the three-wavelength semiconductor laser device 100 is an example of the “semiconductor laser device” in the present invention.
  • the base unit 10 is made of a resin-molded insulator.
  • the base portion 10 has a thickness (C2 direction) of about 1.9 mm.
  • the base portion 10 has a width W6 in the width direction (B1 and B2 directions) on the front (A1 side) front surface 10e which is the emission side, and has a width W1 (W1> W6) on the rear side (A2 side).
  • the base part 10 has the recessed part 10b in the upper surface 10a, as shown in FIG. Further, the bottom surface of the recess 10b is disposed at a position about half the thickness of the base portion 10.
  • the recess 10b has an opening 10c having a width W2 that opens to the upper surface 10a side (C2 side) and an opening 10d having a width W3 (W3 ⁇ W2) that opens to the front surface 10e side (A1 side). is doing.
  • the openings 10c and 10d are connected from the upper surface 10a to the front surface 10e.
  • the recess 10b includes a pair of side walls 10f extending in the front-rear direction in the A direction at both ends in the B direction of the opening 10d, a rear wall 10g that connects the rear ends of the side walls 10f in the B direction, and the side walls 10f and the rear wall. 10g is comprised by the bottom face connected by the lower part (back side of a paper surface).
  • the A1 side of the outer side surface 10i of the base portion 10 has an outer shape that tapers so that the width decreases from the rear surface 10h toward the front surface 10e when viewed from the upper surface 10a side.
  • the front and rear of the base portion 10 are examples of the “first direction” and the “third direction” of the present invention, respectively.
  • the B1 direction and the B2 direction of the base portion 10 are examples of the “second direction” and the “fourth direction” in the present invention, respectively.
  • the base portion 10 is provided with lead terminals 11, 12, 13, 14 and 15 made of a metal lead frame and having a thickness of about 0.4 mm.
  • the lead terminals 11, 12, 13, 14 and 15 are respectively “first lead terminal”, “second lead terminal”, “third lead terminal”, “fourth lead terminal” and “first lead terminal” of the present invention. It is an example of “5-lead terminal”.
  • the lead terminal 15 is disposed substantially at the center of the base portion 10 in the B direction.
  • the lead terminal 11, the lead terminal 12, the lead terminal 15, the lead terminal 13, and the lead terminal 14 are arranged in this order from the B2 side toward the B1 side.
  • the lead terminals 11 to 15 are insulated from each other.
  • the front ends of the lead terminals 11 to 15, which are end portions on the A1 side, are arranged in a state of being exposed in the recess 10b.
  • the lead terminals 12, 13 and 15 extend backward from the rear wall 10g of the base portion 10 to the rear surface 10h.
  • the lead terminals 11 and 14 extend rearward from the side wall 10f of the base portion 10 through the rear surface 10h and the outer surface 10i. Wire bond portions 11a to 14a are arranged at the front ends of the lead terminals 11 to 14, respectively.
  • the lead terminal 15 has a terminal portion 15b extending linearly along the A direction. Further, the lead terminal 15 has a mounting portion 15a connected to an end portion on the A1 side of the terminal portion 15b.
  • the mounting portion 15a extends in the B direction on the bottom surface of the recess 10b in front of the wire bond portions 11a to 14a (A1 side).
  • the wire bond portions 11a, 12a, 13a and 14a are the “fifth wire bond portion”, “sixth wire bond portion”, “seventh wire bond portion” and “eighth wire bond portion” of the present invention, respectively. It is an example.
  • the end portions on the A1 side of the lead terminals 11 to 15 are respectively “second end portion”, “fourth end portion”, “fifth end portion”, “third end portion” and “third end portion” of the present invention. It is an example of “one end”.
  • the width W1 is smaller than the maximum width W4 from the lead terminal 11 to the lead terminal 14 (W1 ⁇ W4).
  • the front end of the end portion on the A1 side is bent toward the lead terminal 15 on the bottom surface of the recess 10b.
  • the wire bond portions 12a and 13a are closer to the lead terminal 15 in the recess 10b than the rear end of the end portion on the A2 side of each lead terminal.
  • the lead terminal 11 is bent from the outer side (B2 side) of the lead terminal 12 to the lead terminal 15 side (B1 side) on the bottom surface of the recess 10b, and the wire bond portion 11a approaches the lead terminal 15 from the rear end. ing.
  • the lead terminal 14 is bent from the outside (B1 side) of the lead terminal 13 to the lead terminal 15 side (B2 side) on the bottom surface of the recess 10b, and the wire bond portion 14a is connected to the lead terminal 15 from the rear end. It is approaching.
  • the wire bond portions 11a and 14a are located in front of the wire bond portions 12a and 13a, respectively. Further, the wire bond portion 11a is arranged at a position near the lead terminal 11 on the outer side (B2 side) than the wire bond portion 12a, and the wire bond portion 14a is on the outer side (B1 side) than the wire bond portion 13a. It is arranged at a position near the lead terminal 14.
  • a pair of heat radiation portions 15d are disposed substantially symmetrically on both sides in the B direction of the mounting portion 15a. Further, the heat radiating portion 15d is exposed to the outside of the base portion 10 through the side wall 10f to the outer side surface 10i in the B1 direction and the B2 direction.
  • the lead terminal 15, the mounting portion 15a, and the heat dissipation portion 15d are integrally formed with a thickness of about 0.4 mm.
  • the submount 50 has the lower surface side joined to the mounting portion 15a via a conductive adhesive layer (not shown) at the approximate center of the upper surface of the mounting portion 15a. Further, the submount 50 is arranged such that the front surface 50e having a width W5 (B direction) of about 1.5 mm is directed toward the A1 side of the mounting portion 15a, and the front surface 50e is arranged substantially parallel to the front surface 10e. .
  • the submount 50 has a substantially rectangular shape in plan view.
  • the submount 50 is an example of the “base” in the present invention.
  • a blue-violet semiconductor laser device 20 having an oscillation wavelength of about 405 nm, a red semiconductor laser device 30 having an oscillation wavelength of about 650 nm, and an infrared semiconductor laser device 35 having an oscillation wavelength of about 780 nm are integrally arranged in a horizontal direction.
  • the formed two-wavelength semiconductor laser element 40 is fixed on a submount 50 made of n-type Si.
  • the blue-violet semiconductor laser element 20, the red semiconductor laser element 30, and the infrared semiconductor laser element 35 are respectively "first semiconductor laser element", "second semiconductor laser element” and "third semiconductor laser element” of the present invention. Is an example.
  • the end face having the relatively large light intensity of the emitted laser light is the light emitting face.
  • the relatively smaller end surface is the light reflecting surface. Therefore, the laser light is emitted in the A1 direction.
  • the light emitting surface of each semiconductor laser element is aligned on the same surface as the front surface 50e.
  • a dielectric multilayer film (not shown) made of an AlN film, an Al 2 O 3 film, or the like is formed on the light emitting surface and the light reflecting surface of each semiconductor laser element by an end face coating process in the manufacturing process. Yes.
  • the blue-violet semiconductor laser device 20 and the two-wavelength semiconductor laser device 40 are adjacent to each other in the width direction with a predetermined interval therebetween.
  • a semiconductor device layer made of a nitride semiconductor including an active layer is formed on the surface (lower surface) of the n-type GaN substrate.
  • the two-wavelength semiconductor laser device 40 has a red semiconductor laser device 30 and a B1 side on the B2 side with a concave portion 45 (groove portion) reaching the n-type GaAs substrate on the surface (lower surface) of the common n-type GaAs substrate.
  • an infrared semiconductor laser element 35 are formed.
  • the red semiconductor laser element 30 is made of a GaAs-based semiconductor material
  • the infrared semiconductor laser element 35 is made of a GaInP-based semiconductor material.
  • a ridge 20a (convex portion) extending in the A direction in which the resonator extends is formed.
  • the light emitting point (optical waveguide) of the blue-violet semiconductor laser device 20 is formed in the active layer portion above the ridge 20a (on the C2 side).
  • ridges 30 a and 35 a are formed on the lower surface side of each semiconductor element layer of the red semiconductor laser element 30 and the infrared semiconductor laser element 35.
  • the light emitting point of the red semiconductor laser element 30 and the light emitting point of the infrared semiconductor laser element 35 are formed in the active layer portion above each ridge.
  • the resonator length (A direction) of the blue-violet semiconductor laser device 20 is about half of the resonator length of the two-wavelength semiconductor laser device 40.
  • the blue-violet semiconductor laser device 20 and the two-wavelength semiconductor laser device 40 are each attached to the submount 50 in a junction-down manner with the light exit surface facing the opening 10d. That is, as shown in FIG. 3, the side of each semiconductor laser element on which the semiconductor element layer is formed is fixed to face the upper surface 50a.
  • a photodiode (PD) 60 used for monitoring the laser light intensity is disposed behind the submount 50 on the light reflecting surface side of the blue-violet semiconductor laser device 20 and the two-wavelength semiconductor laser device 40. Yes.
  • the PD 60 is built in a state of being embedded in the surface of the submount 50, and a light receiving surface 60a that becomes a p-type region of the PD 60 is exposed at a part on the upper surface 50a.
  • the PD 60 is an example of the “light receiving element” in the present invention
  • the light receiving surface 60a is an example of the “upper surface of the light receiving element” in the present invention.
  • pad electrodes 51, 53, and 54 are provided in a state of being insulated from each other at positions where the blue-violet semiconductor laser device 20 and the two-wavelength semiconductor laser device 40 are joined. ing.
  • the pad electrode 51 having a substantially rectangular shape and extending from the lower side of the blue-violet semiconductor laser device 20 to the side (B2 side) is one on the front side and in the width direction on the upper surface 50a ( B2 side) corners.
  • the pad electrode 53 having a substantially rectangular shape and extending laterally (B1 side) from the lower part of the infrared semiconductor laser element 35 is provided on the front and on the other corner in the width direction (B1 side) on the upper surface 50a.
  • the pad electrodes 51 and 53 are arranged substantially in parallel with a predetermined interval in the width direction, and the pad electrode 54 is arranged between the pad electrodes 51 and 53.
  • the pad electrodes 51, 53 and 54 are examples of the “first electrode”, the “third electrode” and the “fourth electrode” in the present invention, respectively.
  • the pad electrode 54 is led out from the vicinity of the front surface 50e to the vicinity of the front end of the PD 60 at the approximate center in the width direction of the submount 50, and from the element bonding portion 54b to the vicinity of the rear corner of the submount 50.
  • a lead-out wiring portion 54c extends laterally (in the B1 direction) along the front edge portion 60e of the PD 60 from the rear end of the element bonding portion 54b to the rear of the pad electrode 53, and is adjacent to the side of the submount 50 (B1). Further, the vicinity of the side of the submount 50 extends rearward along the edge 60b of the PD 60 and terminates.
  • the pad electrode 54 is drawn out to the rear corner of the submount 50 along the edge of the PD 60 while avoiding the PD 60.
  • the width W8 (width in the B direction) of the lead-out wiring portion 54c is substantially equal.
  • the pad electrodes 51, 53 and 54 are all formed on an insulating film 55 made of SiO 2 formed on the upper surface 50a, and each pad electrode and the submount 50 are insulated.
  • the p-side electrode 21 formed on the lower surface is joined to the pad electrode 51 through the conductive adhesive layer 5. Further, in the red semiconductor laser element 30 and the infrared semiconductor laser element 35 of the two-wavelength semiconductor laser element 40, the p-side electrodes 31 and 36 formed on the lower surfaces of the pad electrode 54 via the conductive adhesive layer 5 are provided. And 53, respectively.
  • the p-side electrodes 21, 31 and 36 are examples of “one electrode” in the present invention.
  • a pad electrode 52 that is electrically connected to the p-type region of the PD 60 is provided at one (B2 side) corner of the PD 60.
  • the upper surface (light receiving surface 60a) of the PD 60 is exposed from an opening 55a provided in the insulating film 55 that surrounds the PD 60, and the PD 60 and the pad electrode 52 are connected to a part of the opening 55a.
  • the pad electrode 52 extends in the B2 direction and the A2 direction from a region near the rear edge 60f of the PD 60 over the upper surface 50a (see FIG. 3) of the submount 50 outside the PD 60.
  • the pad electrode 52 straddles the light receiving surface 60 a on the rear side of the PD 60 and the upper surface 55 b of the insulating film 55. Further, the pad electrode 52 outside the PD 60 is formed on the insulating film 55 (upper surface 55b), so that the pad electrode 52 and the submount 50 are insulated.
  • the pad electrode 52 is an example of the “second electrode” in the present invention.
  • the wire bond portion 51 a is a pad electrode 51 outside the blue-violet semiconductor laser device 20 opposite to the red semiconductor laser device 30 (on the B2 side) and in front of the PD 60. It is located in a part of.
  • the wire bond portion 52a is located on the lead terminal 11 side (B2 side) and at a part of the pad electrode 52 behind the wire bond portion 51a. More specifically, the wire bond portion 52a includes the pad electrode 52 between the edge portion 60b in the B1 direction of the PD 60 and the edge portion 60c in the B2 direction and from the PD 60 (light receiving surface 60a) to the rear (A2 direction). It is arranged in a part outside the drawn PD 60.
  • the wire bond portion 52a is preferably provided at a position close to the B2 side from the central portion in the B direction of the submount 50. Moreover, on the submount 50, the wire bond part 52a is arrange
  • the edges 60b and 60c are examples of the “edge in the second direction” and the “edge in the fourth direction” of the present invention, respectively.
  • the wire bond portion 53a is located outside the red semiconductor laser element 30 of the infrared semiconductor laser element 35 (on the B1 side) and at a part of the pad electrode 53 in front of the PD 60.
  • the wire bond portion 54a is located on the B1 side (lead terminal 14 side) with respect to the infrared semiconductor laser element 35 and at a part of the lead-out wiring portion 54c behind the wire bond portion 53a.
  • the wire bond part 54a is arrange
  • a line connecting the wire bond portion 51a and the wire bond portion 54a (two-dot chain line shown in FIG.
  • wire bond portion 52a is a line connecting the wire bond portion 52a and the wire bond portion 53a (two It is in a positional relationship such that it intersects with a dotted line. That is, the wire bond portions 51 a to 54 a are arranged in approximately four corner regions on the submount 50.
  • the wire bond portions 51a, 52a, 53a and 54a are the “first wire bond portion”, “second wire bond portion”, “third wire bond portion” and “fourth wire bond portion” of the present invention, respectively. It is an example.
  • the wire bond portion 11a of the lead terminal 11 is located on the B1 side with respect to the wire bond portion 53a.
  • the wire bond portion 12a of the lead terminal 12 is located on the B2 side with respect to the wire bond portion 52a, and the wire bond portion 13a of the lead terminal 13 is located on the B1 side with respect to the wire bond portion 54a.
  • the wire bond portion 51a is connected to the wire bond portion 11a via a metal wire 91 made of Au or the like. Further, the n-side electrode 22 formed on the upper surface of the substrate of the blue-violet semiconductor laser device 20 is connected to the mounting portion 15a on the side (B2 side) of the submount 50 through a metal wire 95 made of Au or the like. ing.
  • the wire bond portion 52a is connected to the wire bond portion 12a via a metal wire 92 made of Au or the like.
  • the wire bond portion 53a is connected to the wire bond portion 14a via a metal wire 93 made of Au or the like.
  • the wire bond portion 54a is connected to the wire bond portion 13a via a metal wire 94 made of Au or the like.
  • the metal wires 91, 92, 93 and 94 are examples of the “first wire”, “second wire”, “third wire” and “fourth wire” of the present invention, respectively.
  • the n-side electrode 22 is an example of the “other electrode” in the present invention.
  • the n-side electrode 42 (common electrode) formed on the upper surface of the substrate of the two-wavelength semiconductor laser element 40 is mounted on the side of the submount 50 (B1 side) via the metal wire 96 made of Au or the like. It is connected to the.
  • the lower surface of the submount 50 is electrically connected to the mounting portion 15a via a lower electrode 56 made of Al or the like. Thereby, it is possible to individually supply current to each semiconductor laser element from the positive lead terminal, and each of the semiconductor laser elements and the PD 60 has an n-side electrode connected to a common terminal (lead terminal 15).
  • the n-side electrode 42 is an example of the “other electrode” in the present invention.
  • the wire bond portions 51a, 52a, 53a, and 54a have the above-described positional relationship on the upper surface 50a, and in this state, the wire bond portions 51a to 51a- 54a and lead terminals 11-14 are connected by metal wires 91-94.
  • all of the wire bond portions 51a, 52a, 53a, and 54a can be disposed on the upper surface 50a other than the region between the blue-violet semiconductor laser device 20 and the two-wavelength semiconductor laser device 40 and the PD 60.
  • the metal lines 91 to 94 are not interposed between the respective semiconductor laser elements and the PD 60 and do not block the laser beam emitted for monitoring. Accordingly, the PD 60 can accurately detect the laser light intensities of the blue-violet semiconductor laser element 20 and the two-wavelength semiconductor laser element 40.
  • the wire bond part 52a is arrange
  • the wire bond part 52a can be reliably arrange
  • the wire bond part 52a is arrange
  • the wire bond portion 52a is disposed closer to the B2 side than the central portion of the PD 60, so that the wire bond portion 52a and the wire bond portion 54a can be disposed apart from each other in the B direction. Thereby, the wire bonding to each wire bond part can be performed easily.
  • the pad electrode 52 is disposed across the light receiving surface 60a and the submount 50, and the wire bond portion 52a is formed on the submount 50 along the A2 direction from the light receiving surface 60a.
  • the insulating film 55 is disposed in a portion that is drawn to the upper surface 55b. Thereby, the wire bond part 52a can be easily arrange
  • the width W7 and the width W8 of the lead-out wiring portion 54c are configured to be substantially equal. Thereby, the strength of the lead-out wiring portion 54c becomes substantially uniform along the direction in which the lead-out wiring portion 54c extends, so that it is easy for the lead-out wiring portion 54c to be peeled off from the insulating film 55 or to be disconnected. Can be suppressed.
  • the wire bond portions 51 a, 52 a, 53 a and 54 a are arranged at approximately four corners on the submount 50. As a result, since the wire bond portions are separated from each other, the metal wires 91 to 94 can be easily wire-bonded and the metal wires can be easily prevented from contacting each other.
  • the wire bond portions 11a and 14a are located in front of the wire bond portions 12a and 13a, respectively. Accordingly, unlike the case where the wire bond portion 11a and the wire bond portion 12a are provided at the same position in the front-rear direction, the length of the metal wire 91 is increased because the wire bond portion 11a and the wire bond portion 51a approach the front-rear direction. Can be made shorter. Similarly, since the wire bond part 14a and the wire bond part 53a approach the front-back direction, the length of the metal wire 93 can be made shorter. Further, since the length of the metal wire is short, wire bonding can be easily performed.
  • the front end (A1 side) of the lead terminal 11 exposed in the recess 10b is bent toward the lead terminal 12 on the bottom surface of the recess 10b, and the front end (A1 side) of the lead terminal 14 exposed in the recess 10b is , Bent toward the lead terminal 13 on the bottom surface of the recess 10b.
  • the wire bond portion 11a and the wire bond portion 14a can be secured more widely.
  • the joining position in the wire bond part 11a can be easily shifted to the B2 side from the joining position in the wire bond part 12a.
  • the joining position in the wire bond part 14a can be easily shifted to the B1 side from the joining position in the wire bond part 13a.
  • both the front end of the lead terminal 12 and the front end of the lead terminal 13 are bent toward the terminal portion 15 b of the lead terminal 15.
  • the bonding position in the wire bond portion 12a is set to the wire bond portion 11a. It can be easily shifted to the B1 side with respect to the joining position.
  • the joining position in the wire bond part 13a can be easily shifted to the B2 side from the joining position in the wire bond part 14a. Thereby, it can suppress easily that the metal wires 91 and 92 contact. Moreover, it can suppress easily that the metal wires 93 and 94 contact.
  • the metal wire 92 connects the wire bond portions 12a and 52a
  • the metal wire 94 connects the wire bond portions 13a and 54a.
  • the wire bond portions 52a and 54a located on the rear side of the wire bond portions of the submount 50 are connected to the wire bond portions 12a and 13a located on the rear side of the wire bond portions of the lead terminals, respectively. Therefore, the length of the metal wires 92 and 94 can be shortened. Further, since the length of the metal wire is short, wire bonding can be easily performed.
  • the width W1 is smaller than the width W4.
  • the interval between the lead terminals (in the B direction) in the lead terminals 11 to 15 can be increased without increasing the width of the base portion 10, so that the lead terminals can be easily formed. Further, it is possible to prevent the lead terminals 11 to 15 from contacting each other in the width direction (B direction). Furthermore, the wire bond portions 11a to 14a of the lead terminals 11 to 14 and the mounting portion 15a of the lead terminals 15 can be easily formed on the base portion 10.
  • the submount 50 can be easily fixed to the mounting portion 15a in the mounting portion 15a.
  • the base portion 10 has an outer shape that tapers along the A1 direction for emitting laser light
  • the semiconductor laser device 100 is mounted in an insertion hole of a housing such as an optical pickup device. Can be easily incorporated.
  • the wire bond portion 11a is arranged at a position near the lead terminal 11 on the outer side (B2 side) than the wire bond portion 12a, and the wire bond portion 14a is on the outer side (B1 side) than the wire bond portion 13a. It is arranged at a position near the lead terminal 14. Thereby, it can suppress easily that the metal wire 91 contacts with respect to the metal wire 92. FIG. Moreover, it can suppress easily that the metal wire 93 contacts with respect to the metal wire 94. FIG.
  • the wire bond portion 11a is located on the B2 side with respect to the wire bond portion 51a on the submount 50, and the wire bond portion 14a is located on the B1 direction side with respect to the wire bond portion 53a.
  • the metal wire 91 connecting the wire bond portion 51a and the wire bond portion 11a can be arranged without straddling the upper portion of the submount 50, and the metal wire connecting the wire bond portion 53a and the wire bond portion 14a.
  • 93 can be disposed without striding over the submount 50.
  • the wire bond portion 12a is located on the B2 side with respect to the wire bond portion 52a, and the wire bond portion 13a is located on the B1 side with respect to the wire bond portion 54a. Accordingly, the wire bond portion 12a and the wire bond portion 52a can be separated from each other along the B direction, and the wire bond portion 13a and the wire bond portion 54a can be separated from each other along the B direction. Thereby, it can suppress that the metal wire 91 and the metal wire 92 approach, and the metal wire 93 and the metal wire 94 approaching together.
  • the lead terminal 15 has a heat radiating portion 15d extending to the outside of the base portion 10 on the B1 side and the B2 side.
  • the heat generated by each of the blue-violet semiconductor laser element 20, the red semiconductor laser element 30, and the infrared semiconductor laser element 35 can be efficiently radiated through the submount 50 and the heat radiating portion 15d.
  • the heat radiating portion 15d is integrally connected to both sides of the mounting portion 15a of the lead terminal 15, heat generation of each semiconductor laser element is performed via a pair of heat radiating portions 15d connected to both sides of the mounting portion 15a. Heat can be easily dissipated.
  • a semiconductor element layer is formed on the submount 50 side. That is, since each semiconductor laser element is mounted on the submount 50 by a junction down method, heat can be efficiently radiated from the semiconductor element layer serving as a heat source toward the submount 50. As a result, the temperature characteristics and reliability of each of the blue-violet semiconductor laser element 20, the red semiconductor laser element 30, and the infrared semiconductor laser element 35 can be improved.
  • the lead terminal 15 includes a heat radiating portion 15d connected to both sides of the mounting portion 15a, and the heat radiating portion 15d extends outward from the base portion 10. Thereby, the heat generated by the blue-violet semiconductor laser device 20 and the two-wavelength semiconductor laser device 40 can be efficiently radiated through the submount 50 and the heat radiating portion 15d.
  • the red semiconductor laser element 30 is connected to the pad electrode 54.
  • the length of the wiring pattern can be shortened by connecting the wiring pattern (metal line 94) connected to the central red semiconductor laser element 30 to the wire bond portion 54a from the rear side of the red semiconductor laser element 30. it can.
  • the wiring pattern of the central red semiconductor laser element 30 is not formed on the light emitting surface side of the laser, three semiconductor laser elements (blue-violet semiconductor laser element 20, red semiconductor laser element 30 and infrared semiconductor laser element 35) are formed. ) Can be easily aligned on the same plane.
  • the PD 60 is built in the submount 50, and the light receiving surface 60a is disposed at the same height as the upper surface 55b of the insulating film 55 on the upper surface 50a. Thereby, the height position of the light receiving surface 60a and the height positions of the light emitting points of the respective semiconductor laser elements 20, 30 and 35 can be easily made substantially coincident. Therefore, the laser light intensity of each of the blue-violet semiconductor laser element 20, the red semiconductor laser element 30, and the infrared semiconductor laser element 35 can be easily detected.
  • the three-wavelength semiconductor laser device 105 is an example of the “semiconductor laser device” in the present invention.
  • the position of the wire bond portion 54a to which the metal wire 94 is wire-bonded is arranged in the vicinity of the terminal portion on the A2 side of the lead-out wiring portion 54c. That is, the wire bond part 54a is arrange
  • the other configurations of the three-wavelength semiconductor laser device 105 according to the modification of the first embodiment are substantially the same as those of the first embodiment, and are denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment. ing.
  • the wire bond portion 52a not only the wire bond portion 52a but also the wire bond portion 54a are arranged behind the PD 60. Therefore, a monitoring laser is provided between each semiconductor laser element and the PD 60.
  • the metal wire 94 can be securely bonded to the wire bond portion 54a so as not to block the emitted light.
  • the lead-out wiring portion 54 c is located on the side of the PD 60 and the submount 50 while changing the direction extending in the order of the B1 direction and the A2 direction along the edge of the PD 60 from the element joint portion 54 b. It is pulled out to the rear corner.
  • the wire bond part 54a is arrange
  • the remaining effects of the modification of the first embodiment are similar to those of the first embodiment.
  • the three-wavelength semiconductor laser device 200 is an example of the “semiconductor laser device” in the present invention.
  • the end portion 252c of the pad electrode 252 in the B2 direction is aligned with the edge portion 60c of the PD 60.
  • the lead-out wiring portion 254c extends in the B1 direction along the front edge portion 60e (A1 side) of the PD 60 from the rear end portion of the element bonding portion 54b. Then, the direction is changed in the A2 direction and extends to the rear corner of the submount 50 along the edge 60b. Further, it extends in the B2 direction along the rear edge portion 60f (A2 side) of the PD 60 and terminates. Thereby, the wire bond part 254a is arrange
  • the wire bond portion 254a is disposed between the edge portion 60b and the edge portion 60c and behind the PD 60.
  • the wire bond portion 254a is disposed on the inner side (B2 side) than the wire bond portion 53a.
  • the pad electrodes 252 and 254 are examples of the “second electrode” and the “fourth electrode” in the present invention, respectively.
  • the wire bond portion 254a is an example of the “fourth wire bond portion” in the present invention.
  • the wire bond part 254a is provided in the position brought close to the B1 side from the center part of the submount 50 in the B direction. Thereby, the wire bond portions 52a and 254a are reliably insulated by the insulating film 55 having a predetermined width in the B direction. In this state, the metal wire 94 is wire-bonded to the wire bond portion 254a.
  • the width W9 of the portion extending in the B2 direction along the rear edge portion 60f is substantially equal to each other.
  • the other configurations of the three-wavelength semiconductor laser device 200 are substantially the same as those in the first embodiment, and are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment.
  • the wire bond portion 52a not only the wire bond portion 52a but also the wire bond portion 254a are arranged behind the PD 60. Therefore, the laser emission light for monitoring is transmitted between each semiconductor laser element and the PD 60.
  • the metal wire 94 can be reliably bonded to the wire bond portion 254a so as not to be blocked.
  • the lead-out wiring portion 254c extends in the B1 direction along the front edge portion 60e (A1 side) of the PD 60 from the rear end portion of the element joint portion 54b, and then changes the direction in the A2 direction. It extends to the rear corner of the submount 50 along the edge 60b. Further, a terminal portion is formed extending in the B2 direction along the rear edge portion 60f (A2 side) of the PD 60, and a wire bond portion 254a is formed near the terminal portion (B2 side) of the lead-out wiring portion 254c. Has been placed.
  • the pad electrode 254 extending backward while avoiding the PD 60 can be formed without the lead-out wiring portion 254 c covering the light receiving surface 60 a of the PD 60, so that the wire bond portion 254 a can be formed from the edge portion 60 b to the edge portion 60 c. And can be easily arranged behind the PD 60.
  • the end portion 252c of the pad electrode 252 in the B2 direction is aligned with the edge portion 60c so that the length in the B direction is shorter than the pad electrode 52 in the three-wavelength semiconductor laser device 100. ing.
  • the position of the wire bond portion 52a can be reliably disposed between the center portion in the B direction of the PD 60 and the edge portion 60c, so that the wire bonding of the metal wire 92 to the pad electrode 252 is performed with higher accuracy. be able to.
  • the wire bond portion 52a is disposed on the inner side (B1 side) than the wire bond portion 51a, and the wire bond portion 254a is disposed on the inner side of the wire bond portion 53a. (B2 side).
  • the positions of the wire bond portions 51a, 52a, 53a and 254a in the B1 direction are different from each other (not aligned in a line along the A direction), so the metal wires 91 to 94 extending from the submount 50 toward the lead terminals.
  • it can suppress easily that it adjoins mutually within the recessed part 10b of the base part 10.
  • FIG. The remaining effects of the second embodiment are similar to those of the first embodiment.
  • the three-wavelength semiconductor laser device 300 is an example of the “semiconductor laser device” in the present invention.
  • the electrode 254 is used.
  • the wire bond portion 352a in the three-wavelength semiconductor laser device 300 is provided in a region closer to the B2 side than the edge portion 60c of the PD 60.
  • the wire bond part 352a is arrange
  • the other configurations of the three-wavelength semiconductor laser device 300 according to the third embodiment are substantially the same as those of the second embodiment, and are indicated by the same reference numerals as those of the second embodiment in the drawing.
  • the effects of the third embodiment are substantially the same as those of the second embodiment except that the pad electrode 52 is provided with a wire bond portion 352a.
  • the three-wavelength semiconductor laser device 400 is an example of the “semiconductor laser device” in the present invention.
  • the blue-violet semiconductor laser element 20 and the two-wavelength semiconductor laser element 40 are not shown in order to show the layout of the pad electrodes 453 and 454 on the submount 50.
  • pad electrodes 51, 453, and 454 are provided in this order from the B2 side to the B1 side of the submount 50.
  • the p-side electrode 31 (see FIG. 3) of the red semiconductor laser element 30 is bonded to the pad electrode 453, and the p-side electrode 36 (see FIG. 3) of the infrared semiconductor laser element 35 is bonded to the pad electrode 454.
  • the end portion on the A1 side of the pad electrode 453 intersects the B1 direction at the lower portion (back side of the paper surface) of the pad electrode 454, and between the pad electrode 454 and the side end portion on the B1 side of the submount 50. Extends to the area.
  • an insulating film 56 made of SiO 2 is formed between the pad electrode 453 and the pad electrode 454 in a region where the pad electrode 453 and the pad electrode 454 intersect.
  • the wire bond portion 453a is disposed in a region on the A1 side and the B1 side on the pad electrode 453.
  • the pad electrodes 453 and 454 are examples of the “third electrode” and the “fourth electrode” in the present invention, respectively.
  • the wire bond portion 453a is an example of the “third wire bond portion” in the present invention.
  • the pad electrode 454 extends from the rear end portion of the element bonding portion 54b along the edge of the PD 60 in the order of the B1 direction and the A2 direction and is drawn to the rear corner of the submount 50. However, it extends further along the rear edge 60f of the PD 60 in the B2 direction and terminates.
  • the wire bond portion 454a is disposed on the B2 side with respect to the edge portion 60b of the PD 60 in substantially the same manner as the pad electrode 252 of the second embodiment. Therefore, the red semiconductor laser element 30 is connected to the lead terminal 14 via the metal wire 93, and the infrared semiconductor laser element 35 is connected to the lead terminal 13 via the metal wire 94.
  • the wire bond portion 454a is an example of the “fourth wire bond portion” in the present invention.
  • optical pickup apparatus 500 Next, an optical pickup apparatus 500 according to a fifth embodiment of the present invention will be described.
  • the optical pickup device 500 is an example of the “optical device” in the present invention.
  • the optical pickup device 500 receives the laser light, the three-wavelength semiconductor laser device 100 of the first embodiment, an optical system 520 that adjusts the laser light emitted from the three-wavelength semiconductor laser device 100, and the laser light. And a light detection unit 530.
  • the optical system 520 includes a polarization beam splitter (PBS) 521, a collimator lens 522, a beam expander 523, a ⁇ / 4 plate 524, an objective lens 525, a cylindrical lens 526, and an optical axis correction element 527.
  • PBS polarization beam splitter
  • the PBS 521 totally transmits the laser light emitted from the three-wavelength semiconductor laser device 100 and totally reflects the laser light returning from the optical disk 535.
  • the collimator lens 522 converts the laser light from the three-wavelength semiconductor laser device 100 that has passed through the PBS 521 into parallel light.
  • the beam expander 523 includes a concave lens, a convex lens, and an actuator (not shown). The actuator has a function of correcting the wavefront state of the laser light emitted from the three-wavelength semiconductor laser device 100 by changing the distance between the concave lens and the convex lens in accordance with a servo signal from a servo circuit described later.
  • the ⁇ / 4 plate 524 converts the linearly polarized laser light converted into substantially parallel light by the collimator lens 522 into circularly polarized light.
  • the ⁇ / 4 plate 524 converts the circularly polarized laser beam returned from the optical disk 535 into linearly polarized light.
  • the polarization direction of the linearly polarized light is orthogonal to the direction of the linearly polarized light of the laser light emitted from the three-wavelength semiconductor laser device 100.
  • the laser beam returning from the optical disk 535 is substantially totally reflected by the PBS 521.
  • the objective lens 525 converges the laser light transmitted through the ⁇ / 4 plate 524 onto the surface (recording layer) of the optical disk 535.
  • the objective lens 525 is moved in the focus direction, tracking direction, and tilt direction by an objective lens actuator (not shown) in accordance with servo signals (tracking servo signal, focus servo signal, and tilt servo signal) from a servo circuit described later. It has been made movable.
  • a cylindrical lens 526, an optical axis correction element 527, and a light detection unit 530 are arranged along the optical axis of the laser light totally reflected by the PBS 521.
  • the cylindrical lens 526 imparts astigmatism to the incident laser light.
  • the optical axis correction element 527 is configured by a diffraction grating, and a spot of zero-order diffracted light of each of the blue-violet, red, and infrared laser beams transmitted through the cylindrical lens 526 is on a detection region of the light detection unit 530 described later. They are arranged to match.
  • the light detection unit 530 outputs a reproduction signal based on the intensity distribution of the received laser light.
  • the light detection unit 530 has a detection area of a predetermined pattern so that a focus error signal, a tracking error signal, and a tilt error signal can be obtained together with the reproduction signal.
  • the optical pickup device 500 including the three-wavelength semiconductor laser device 100 is configured.
  • the three-wavelength semiconductor laser device 100 is a blue-violet semiconductor by applying a voltage independently between the lead terminal 15 and the lead terminals 11 to 14, respectively. Blue-violet, red and infrared laser beams can be independently emitted from the laser element 20, the red semiconductor laser element 30, and the infrared semiconductor laser element 35.
  • the laser light emitted from the three-wavelength semiconductor laser device 100 is the PBS 521, the collimator lens 522, the beam expander 523, the ⁇ / 4 plate 524, the objective lens 525, the cylindrical lens 526, and the optical axis correction element. After adjustment by 527, the light is irradiated onto the detection region of the light detection unit 530.
  • the laser power emitted from the blue-violet semiconductor laser element 20, the red semiconductor laser element 30, and the infrared semiconductor laser element 35 is made constant. In this way, it is possible to irradiate the recording layer of the optical disk 535 with laser light and to obtain a reproduction signal output from the light detection unit 530. Further, feedback control of the actuator of the beam expander 523 and the objective lens actuator that drives the objective lens 525 can be performed by the focus error signal, the tracking error signal, and the tilt error signal that are output simultaneously.
  • the laser power emitted from the blue-violet semiconductor laser element 20 and the red semiconductor laser element 30 is controlled based on the information to be recorded.
  • the optical disk 535 is irradiated with laser light. Thereby, information can be recorded on the recording layer of the optical disk 535.
  • feedback control is performed on the actuator of the beam expander 523 and the objective lens actuator that drives the objective lens 525 by the focus error signal, tracking error signal, and tilt error signal output from the light detection unit 530, respectively. be able to.
  • recording and reproduction on the optical disk 535 can be performed using the optical pickup device 500 including the three-wavelength semiconductor laser device 100.
  • the optical pickup device 500 includes a three-wavelength semiconductor laser device 100. As a result, a highly reliable optical pickup device 500 capable of stably operating the three-wavelength semiconductor laser device 100 can be obtained.
  • the semiconductor laser device of the present invention may be configured by appropriately combining the points.
  • the wire bond portion 52a is shown between the edge portion 60b and the edge portion 60c of the PD 60 and behind the PD 60.
  • the present invention is not limited to this.
  • the wire bond portion 52a may be disposed in a region on the B2 side of the edge portion 60c of the PD 60 (for example, near the corner on the B2 side and the A2 side on the submount 50) as long as it is behind the PD 60. It may be arranged behind the edge 60c.
  • the example in which the width of the lead-out wiring portion of the “fourth electrode” of the present invention is formed to be substantially the same regardless of the extending direction is shown. It is not limited to this.
  • the width of the lead-out wiring portion is changed as appropriate, and the PD 60 is pulled out to the rear. May be.
  • the infrared semiconductor laser element 35 and the red semiconductor laser element 30 may be arranged in this order next to the blue-violet semiconductor laser element 20.
  • the present invention is not limited to this. Absent.
  • a junction-up system in which the n-side electrode side of each semiconductor laser element is bonded onto the submount 50 may be used.
  • one semiconductor laser element may be bonded by a junction down method, and the other semiconductor laser element may be bonded by a junction up method.
  • the two-wavelength semiconductor laser element 40 is monolithically formed.
  • the present invention is not limited to this.
  • the separately formed red semiconductor laser element 30 and infrared semiconductor laser element 35 may be bonded onto the submount 50, respectively. That is, in this case, three semiconductor laser elements including the blue-violet semiconductor laser element 20 are adjacently joined on the submount 50.
  • the blue-violet semiconductor laser element 20, the red semiconductor laser element 30, and the infrared semiconductor laser element 35 are arranged in this order from the B2 side to the B1 side of the submount 50.
  • the present invention is not limited to this.
  • the blue-violet semiconductor laser device 20 is disposed at the approximate center in the B direction (on the pad electrode 54) of the submount 50, and the two-wavelength semiconductor laser device 40 is straddling the blue-violet semiconductor laser device 20 in the B direction. Is arranged.
  • the red semiconductor laser element 30 and the infrared semiconductor laser element 35 constituting the two-wavelength semiconductor laser element 40 are arranged on the B2 side (on the pad electrode 51) and the B1 side (on the pad electrode 53) of the blue-violet semiconductor laser element 20. May be arranged respectively.
  • the blue-violet semiconductor laser element 20, the red semiconductor laser element 30, and the infrared semiconductor laser element 35 are used.
  • the present invention is not limited to this. That is, a semiconductor laser element that emits laser light having another oscillation wavelength can be used.
  • a semiconductor laser element that emits laser light having another oscillation wavelength can be used.
  • an RGB three-wavelength semiconductor laser device may be configured using a red semiconductor laser element, a green semiconductor laser element, and a blue semiconductor laser element.
  • Each semiconductor laser element may be made of a semiconductor material other than a GaN-based semiconductor, a GaAs-based semiconductor, and a GaInP-based semiconductor.
  • three semiconductor laser elements that emit laser light having the same wavelength may be adjacently joined.
  • three semiconductor laser elements are bonded onto the submount 50.
  • the present invention is not limited to this, and a semiconductor laser device using four or more semiconductor laser elements is used. May be configured. That is, six or more lead terminals held on the base portion may be provided.
  • the optical pickup device 500 including the three-wavelength semiconductor laser device 100 is shown.
  • the present invention is not limited to this, and the three-wavelength semiconductor laser device 200 or the fourth embodiment in the second embodiment is used.
  • the optical pickup device may be configured using the three-wavelength semiconductor laser device 400 in the embodiment.
  • the optical pickup device 500 has been described.
  • the semiconductor laser device of the present invention is used to record or reproduce an optical disc such as a CD, DVD, or BD. You may apply to.
  • an RGB three-wavelength semiconductor laser device may be configured using a red semiconductor laser element, a green semiconductor laser element, and a blue semiconductor laser element.
  • a projector device may be configured as the “optical device” of the present invention using the RGB three-wavelength semiconductor laser device.
  • Base part 11 Lead terminal (first lead terminal) 11a Wire bond part (5th wire bond part) 12 Lead terminal (second lead terminal) 12a Wire bond part (6th wire bond part) 13 Lead terminal (third lead terminal) 13a Wire bond part (seventh wire bond part) 14 Lead terminal (4th lead terminal) 14a Wire bond part (8th wire bond part) 15 Lead terminal (5th lead terminal) 15a Mounting portion 15b Terminal portion 20 Blue-violet semiconductor laser element (first semiconductor laser element) 21, 31, 36 p-side electrode (one electrode) 22, 42 n-side electrode (the other electrode) 30 Red semiconductor laser element (second semiconductor laser element) 35 Infrared semiconductor laser device (third semiconductor laser device) 50 Submount (base) 50a Upper surface (upper surface of base) 51 Pad electrode (first electrode) 51a Wire bond part (first wire bond part) 52, 252 Pad electrode (second electrode) 52a Wire bond part (second wire bond part) 53, 453 Pad electrode (third electrode) 53a, 453a Wire bond part (third wire bond part) 54, 254, 454

Abstract

　この半導体レーザ装置は、上面上に第１～第４ワイヤボンド部をそれぞれ有する第１～第４電極が配置された基台と、第１～第３半導体レーザ素子および受光素子とを備える。第１ワイヤボンド部は、前記第１半導体レーザ素子より前記第４方向側、かつ、前記受光素子より前記第１方向側に配置され、前記第２ワイヤボンド部は、前記第１半導体レーザ素子より前記第３方向側に配置される。前記第３ワイヤボンド部は、前記第３半導体レーザ素子より前記第２方向側、かつ、前記受光素子より前記第１方向側に配置され、前記第４ワイヤボンド部は、前記第３半導体レーザ素子より前記第３方向側に配置される。

Description

半導体レーザ装置および光装置
　本発明は、半導体レーザ装置および光装置に関し、特に、複数の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置および光装置に関する。
　従来、複数の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置が知られている。このような半導体レーザ装置は、たとえば、ＷＯ２００５／０３９００１号公報（再公表公報）に開示されている。
　ＷＯ２００５／０３９００１号公報には、サブマウント（基台）と、サブマウントの前方側の上面上にレーザ出射端面を前方に向けて固定される２波長半導体レーザ素子とを備えた２ビーム半導体レーザ装置が開示されている。この半導体レーザ装置では、サブマウントの２波長半導体レーザ素子の後方に、レーザ光強度をモニタする受光素子が設けられている。２波長半導体レーザ素子は、２波長半導体レーザ素子の側方のサブマウント上に配置されたパッド電極にワイヤボンディングされたワイヤを介して、リード端子と接続されている。
ＷＯ２００５／０３９００１号公報（再公表公報）
　ＷＯ２００５／０３９００１号公報に開示された２ビーム半導体レーザ装置において、発光点をさらに増やすために、たとえば、３つの半導体レーザ素子を横方向に並べた状態でサブマウント上に固定する場合が考えられる。この場合、中央の半導体レーザ素子は、半導体レーザ素子の後方に引き出された電極にワイヤボンディングされたワイヤを介して、リード端子に接続されると考えられる。しかしながら、中央の半導体レーザ素子の後方には受光素子が設けられているので、中央の半導体レーザ素子に関するモニタ用のレーザ出射光がこのワイヤによって遮られてしまう虞がある。このため、中央の半導体レーザ素子のレーザ光強度を受光素子が正確に検出することができないという問題点がある。
　この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、受光素子により半導体レーザ素子のレーザ光強度を正確に検出することが可能な半導体レーザ装置および光装置を提供することである。
課題を解決するための手段および発明の効果
　上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、上面上に、第１ワイヤボンド部を有する第１電極、第２ワイヤボンド部を有する第２電極、第３ワイヤボンド部を有する第３電極および第４ワイヤボンド部を有する第４電極が配置された基台と、上面上に配置された第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子および受光素子と、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子、第４リード端子および第５リード端子とを備え、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子は、共に、第１方向にレーザ光を出射し、第１リード端子、第２リード端子、第５リード端子、第３リード端子および第４リード端子は、共に、第１方向に延びるとともに、第１方向と直交する第２方向に沿ってこの順序で配置され、第５リード端子の第１方向側の第１端部は、基台を搭載する搭載部を有し、第３方向は第１方向と反対であり、第４方向は第２方向と反対であり、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子および第４リード端子は、共に、搭載部より第３方向側に配置され、第１リード端子の第１方向側の第２端部は、第５ワイヤボンド部を有しており、第２リード端子の第１方向側の第４端部は、第６ワイヤボンド部を有しており、第３リード端子の第１方向側の第５端部は、第７ワイヤボンド部を有しており、第４リード端子の第１方向側の第３端部は、第８ワイヤボンド部を有しており、第１半導体レーザ素子の一方の電極および受光素子の上面は、それぞれ、第１電極および第２電極に接続され、第２半導体レーザ素子の一方の電極は、第３電極または第４電極のいずれか一方に接続され、第３半導体レーザ素子の一方の電極は、第３電極または第４電極のいずれか他方に接続され、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子の他方の電極と、受光素子の下面とは、共に、第５リード端子に接続され、第１ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第４方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第２ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第３方向側に配置され、第３ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第２方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第４ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第３方向側に配置され、第２ワイヤボンド部および第４ワイヤボンド部の少なくとも一方は、受光素子より第３方向側に配置され、第１ワイヤボンド部と第４ワイヤボンド部とを結ぶ線は、第２ワイヤボンド部と第３ワイヤボンド部とを結ぶ線と交差し、受光素子は、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子より第３方向側に配置され、第１ワイヤボンド部は、第１ワイヤを介して第５ワイヤボンド部と接続され、第２ワイヤボンド部は、第２ワイヤを介して第６ワイヤボンド部と接続され、第３ワイヤボンド部は、第３ワイヤを介して第８ワイヤボンド部と接続され、第４ワイヤボンド部は、第４ワイヤを介して第７ワイヤボンド部と接続されている。
　この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、第１ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第４方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第２ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第３方向側に配置され、第３ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第２方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第４ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第３方向側に配置されている。また、第２ワイヤボンド部および第４ワイヤボンド部の少なくとも一方は、受光素子より第３方向側に配置され、第１ワイヤボンド部と第４ワイヤボンド部とを結ぶ線は、第２ワイヤボンド部と第３ワイヤボンド部とを結ぶ線と交差し、受光素子は、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子より第３方向側に配置されている。そして、第１ワイヤボンド部は、第１ワイヤを介して第５ワイヤボンド部と接続され、第２ワイヤボンド部は、第２ワイヤを介して第６ワイヤボンド部と接続され、第３ワイヤボンド部は、第３ワイヤを介して第８ワイヤボンド部と接続され、第４ワイヤボンド部は、第４ワイヤを介して第７ワイヤボンド部と接続されている。これにより、リード端子と基台上のワイヤボンド部とを接続する各々のワイヤが、各半導体レーザ素子と受光素子との間でモニタ用のレーザ出射光を遮ることがない。この結果、受光素子により各半導体レーザ素子のレーザ光強度を正確に検出することができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第２ワイヤボンド部および第４ワイヤボンド部の少なくとも一方は、受光素子の第２方向の縁部から第４方向の縁部までの間で、かつ、受光素子より第３方向側に配置されている。このように構成すれば、第２ワイヤボンド部および第４ワイヤボンド部の少なくとも一方を、基台上の受光素子が配置された位置の第３方向側に確実に配置することができる。したがって、第２ワイヤおよび第４ワイヤの少なくとも一方を、各半導体レーザ素子と受光素子との間でモニタ用のレーザ出射光を確実に遮らないようにしてワイヤボンディングすることができる。
　この場合、好ましくは、第２ワイヤボンド部および第４ワイヤボンド部の少なくとも一方は、受光素子の中央部と第４方向の縁部または第２方向の縁部との間において、受光素子より第３方向側に配置されている。このように構成すれば、第２ワイヤボンド部が受光素子の中央部よりも第４方向側に寄せられて配置され、かつ、第４ワイヤボンド部が受光素子の中央部よりも第２方向側に寄せられて配置されるので、第２ワイヤボンド部と第４ワイヤボンド部とを互いに離間して配置することができる。これにより、ワイヤボンディングを容易に行うことができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、前記第２端部は、第２リード端子に向かって屈曲し、前記第３端部は、第３リード端子に向かって屈曲する。このように構成すれば、第２端部および第３端部を各々が隣接する第２リード端子および第３リード端子により近付けることができるので、第２方向に沿って配置される第１～第５リード端子の配置幅をより小さくすることができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第５ワイヤボンド部は、第６ワイヤボンド部より第１方向側に位置し、第８ワイヤボンド部は、第７ワイヤボンド部より第１方向側に位置する。このように構成すれば、第５ワイヤボンド部と第６ワイヤボンド部とが第１方向の同じ位置に設けられている場合と異なり、第５ワイヤボンド部と第１ワイヤボンド部とが近づくので第１ワイヤの長さをより短くすることができる。また、第７ワイヤボンド部と第８ワイヤボンド部とが第１方向の同じ位置に設けられている場合と異なり、第８ワイヤボンド部と第３ワイヤボンド部とが近づくので第３ワイヤの長さをより短くすることができる。また、ワイヤの長さが短いので、ワイヤボンディングを容易に行うことができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子、第４リード端子および第５リード端子を保持するベース部をさらに備える。このように構成すれば、第２方向に沿って複数並べられた第１～第５リード端子をベース部により確実に固定することができる。
　上記ベース部をさらに備える構成において、好ましくは、ベース部は、搭載部が配置される凹部を含む。このように構成すれば、凹部内の搭載部に基台を容易に固定することができる。
　この場合、好ましくは、第２端部は、凹部内に露出するとともに第２リード端子に向かって屈曲し、第３端部は、凹部内に露出するとともに第３リード端子に向かって屈曲する。このように構成すれば、ベース部に設けられた凹部内において第２端部および第３端部が屈曲しているので、第１リード端子における第５ワイヤボンド部の領域、および、第４リード端子における第８ワイヤボンド部の領域をより広く確保することができる。これにより、第１ワイヤの第５ワイヤボンド部における接合位置を、第２ワイヤの第６ワイヤボンド部における接合位置よりも第４方向側に容易にずらすことができる。また、第３ワイヤの第８ワイヤボンド部における接合位置を、第４ワイヤの第７ワイヤボンド部における接合位置よりも第２方向側に容易にずらすことができる。
　上記第２端部が第２リード端子に向かって屈曲するとともに、第３端部が第３リード端子に向かって屈曲する構成において、好ましくは、第５リード端子は、第１方向に延びるとともに搭載部に接続される端子部をさらに有し、第４端部および第５端部は、共に端子部に向かって屈曲する。このように構成すれば、第４端部および第５端部を、共に第５リード端子の端子部に寄せて配置することができるので、第２ワイヤの第６ワイヤボンド部における接合位置を、第１ワイヤの第５ワイヤボンド部における接合位置よりも第２方向側に容易にずらすことができる。また、第４ワイヤの第７ワイヤボンド部における接合位置を、第３ワイヤの第８ワイヤボンド部における接合位置よりも第４方向側に容易にずらすことができる。
　上記ベース部をさらに備える構成において、好ましくは、ベース部の第２方向の最大幅は、第１リード端子から第４リード端子までの第２方向の最大幅よりも小さい。このように構成すれば、ベース部の幅を広げることなく各リード端子間の間隔を広げることができるので、リード端子の形成を容易に行うことができる。また、各リード端子が互いに接触することを抑制することができる。さらには、ベース部に、第１～第４リード端子のワイヤボンド部および第５リード端子の搭載部を容易に形成することができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第５ワイヤボンド部は、第６ワイヤボンド部より第４方向側に位置し、第８ワイヤボンド部は、第７ワイヤボンド部より第２方向側に位置する。このように構成すれば、第５ワイヤボンド部と第６ワイヤボンド部との間隔、および、第８ワイヤボンド部と第７ワイヤボンド部との間隔をそれぞれ確保することができるので、各々のリード端子のワイヤボンド部同士が互いに接触することを抑制することができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第５ワイヤボンド部は、第１ワイヤボンド部より第４方向側に位置し、第８ワイヤボンド部は、第３ワイヤボンド部より第２方向側に位置する。このように構成すれば、第１ワイヤボンド部および第５ワイヤボンド部を接続する第１ワイヤを、基台の上方（直上）を跨ぐことなく配置することができるとともに、第３ワイヤボンド部および第８ワイヤボンド部を接続する第３ワイヤを、基台の上方（直上）を跨ぐことなく配置することができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第６ワイヤボンド部は、第２ワイヤボンド部より第４方向側に位置し、第７ワイヤボンド部は、第４ワイヤボンド部より第２方向側に位置する。このように構成すれば、第６ワイヤボンド部と第２ワイヤボンド部とを第２（第４）方向に沿って互いに離間させることができるとともに、第７ワイヤボンド部と第４ワイヤボンド部とを第２（第４）方向に沿って互いに離間させることができる。これにより、第１ワイヤと第２ワイヤとが接近すること、および、第３ワイヤと第４ワイヤとが接近することを、共に抑制することができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第２ワイヤボンド部は、第１ワイヤボンド部よりも第２方向側に位置し、第４ワイヤボンド部は、第３ワイヤボンド部よりも第４方向側に位置する。このように構成すれば、第１～第４ワイヤボンド部の第２（第４）方向における位置が互いに異なる（第１（第３）方向に沿って一列に並ばない）ので、基台上から第１～第４リード端子の各々に向けて延びる第１～第４ワイヤが、基台上で互いに近接することを容易に抑制することができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第５リード端子は、ベース部の外部に延びる放熱部をさらに有する。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子の各々が発する熱を、基台および放熱部を介して効率よく放熱することができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子は、第２方向に沿ってこの順序で配置され、第２半導体レーザ素子の一方の電極は、第４電極に接続されている。このように構成すれば、第１半導体レーザ素子と第３半導体レーザ素子とに第２方向に挟まれて配置されている第２半導体レーザ素子を、後方（第３方向）の受光素子との光路上に配置されていない第４ワイヤボンド部（第４電極）を介して、容易に外部端子とワイヤ接続を行うことができる。また、第４電極の第４ワイヤボンド部は、第３ワイヤボンド部（第３電極）よりも後方に位置するので、長さがより短いワイヤを用いて第２半導体レーザ素子と外部端子とを接続することができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第４電極は、受光素子の縁部に沿って第１方向および第２方向に引き回された引き出し用配線部分をさらに有し、引き出し用配線部分における第１方向に延びる部分の第１方向と直交する方向の幅と、引き出し用配線部分における第２方向に延びる部分の第２方向と直交する方向の幅とは、略等しい。このように構成すれば、引き出し用配線部分の強度が延びる方向（第１方向および第２方向）に沿って略一様になるので、引き出し用配線部分が基台表面から剥離したり、引き出し用配線部分が断線したりすることを容易に抑制することができる。
　上記第２ワイヤボンド部が受光素子の中央部と第４方向の縁部との間に配置される構成において、好ましくは、第２電極の第４方向の端部と、受光素子の第４方向の縁部とは、第１方向に沿って揃えられている。このように構成すれば、第２ワイヤボンド部の位置を受光素子の中央部と第４方向の縁部との間に確実に配置することができる。これにより、第２ワイヤの第２電極へのワイヤボンディングを精度よく行うことができる。
　上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、基台の上面上において受光素子を取り囲む絶縁膜をさらに備え、第２電極は、絶縁膜の上面と受光素子の受光面とに跨っている。このように構成すれば、受光素子の受光面に接続された第２電極を、受光素子以外の電気的な接続部分に接触させることなく受光素子の外部に容易に引き出すことができる。
　この発明の第２の局面による光装置は、上面上に、第１ワイヤボンド部を有する第１電極、第２ワイヤボンド部を有する第２電極、第３ワイヤボンド部を有する第３電極および第４ワイヤボンド部を有する第４電極が配置された基台と、上面上に配置された第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子および受光素子と、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子、第４リード端子および第５リード端子とを含む半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子は、共に、第１方向にレーザ光を出射し、第１リード端子、第２リード端子、第５リード端子、第３リード端子および第４リード端子は、共に、第１方向に延びるとともに、第１方向と直交する第２方向に沿ってこの順序で配置され、第５リード端子の第１方向側の第１端部は、基台を搭載する搭載部を有し、第３方向は第１方向と反対であり、第４方向は第２方向と反対であり、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子および第４リード端子は、共に、搭載部より第３方向側に配置され、第１リード端子の第１方向側の第２端部は、第５ワイヤボンド部を有しており、第２リード端子の第１方向側の第４端部は、第６ワイヤボンド部を有しており、第３リード端子の第１方向側の第５端部は、第７ワイヤボンド部を有しており、第４リード端子の第１方向側の第３端部は、第８ワイヤボンド部を有しており、第１半導体レーザ素子の一方の電極および受光素子の上面は、それぞれ、第１電極および第２電極に接続され、第２半導体レーザ素子の一方の電極は、第３電極または第４電極のいずれか一方に接続され、第３半導体レーザ素子の一方の電極は、第３電極または第４電極のいずれか他方に接続され、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子の他方の電極と、受光素子の下面とは、共に、第５リード端子に接続され、第１ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第４方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第２ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第３方向側に配置され、第３ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第２方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第４ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第３方向側に配置され、第２ワイヤボンド部および第４ワイヤボンド部の少なくとも一方は、受光素子より第３方向側に配置され、第１ワイヤボンド部と第４ワイヤボンド部とを結ぶ線は、第２ワイヤボンド部と第３ワイヤボンド部とを結ぶ線と交差し、受光素子は、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子より第３方向側に配置され、第１ワイヤボンド部は、第１ワイヤを介して第５ワイヤボンド部と接続され、第２ワイヤボンド部は、第２ワイヤを介して第６ワイヤボンド部と接続され、第３ワイヤボンド部は、第３ワイヤを介して第８ワイヤボンド部と接続され、第４ワイヤボンド部は、第４ワイヤを介して第７ワイヤボンド部と接続されている。
　この発明の第２の局面による光装置では、第１ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第４方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第２ワイヤボンド部は、第１半導体レーザ素子より第３方向側に配置され、第３ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第２方向側、かつ、受光素子より第１方向側に配置され、第４ワイヤボンド部は、第３半導体レーザ素子より第３方向側に配置されている。また、第２ワイヤボンド部および第４ワイヤボンド部の少なくとも一方は、受光素子より第３方向側に配置され、第１ワイヤボンド部と第４ワイヤボンド部とを結ぶ線は、第２ワイヤボンド部と第３ワイヤボンド部とを結ぶ線と交差し、受光素子は、第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子および第３半導体レーザ素子より第３方向側に配置されている。そして、第１ワイヤボンド部は、第１ワイヤを介して第５ワイヤボンド部と接続され、第２ワイヤボンド部は、第２ワイヤを介して第６ワイヤボンド部と接続され、第３ワイヤボンド部は、第３ワイヤを介して第８ワイヤボンド部と接続され、第４ワイヤボンド部は、第４ワイヤを介して第７ワイヤボンド部と接続されている。これにより、リード端子と基台上のワイヤボンド部とを接続する各々のワイヤが、各半導体レーザ素子と受光素子との間でモニタ用のレーザ出射光を遮ることがない。したがって、受光素子が各半導体レーザ素子のレーザ光強度を正確に検出することができる。この結果、半導体レーザ装置を安定的に動作させることが可能な信頼性の高い光装置を得ることができる。
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した上面図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の詳細な構造を示した上面図である。 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置をレーザ光の出射方向から見たときの正面図である。 本発明の第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置の詳細な構造を示した上面図である。 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の詳細な構造を示した上面図である。 本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の詳細な構造を示した上面図である。 本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の詳細な構造を示した上面図である。 本発明の第５実施形態による光ピックアップ装置の構成を示した概略図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
　（第１実施形態）
　図１～図３を参照して、本発明の第１実施形態による３波長半導体レーザ装置１００の構造について説明する。なお、３波長半導体レーザ装置１００は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。
　ベース部１０は、樹脂モールド成型の絶縁体からなる。ベース部１０は、約１．９ｍｍの厚み（Ｃ２方向）を有する。ベース部１０は、出射側である前方（Ａ１側）の前面１０ｅにおいては幅方向（Ｂ１、Ｂ２方向）に幅Ｗ６を有し、後方（Ａ２側）においては幅Ｗ１（Ｗ１＞Ｗ６）を有する。また、ベース部１０は、図１に示すように、上面１０ａに凹部１０ｂを有している。また、凹部１０ｂは、ベース部１０の厚みの約半分の深さの位置に底面が配置されている。また、凹部１０ｂは、上面１０ａ側（Ｃ２側）に開口する幅Ｗ２を有する開口部１０ｃと、前面１０ｅ側（Ａ１側）に開口する幅Ｗ３（Ｗ３＜Ｗ２）を有する開口部１０ｄとを有している。また、開口部１０ｃおよび１０ｄは、上面１０ａから前面１０ｅにかけて繋がっている。また、凹部１０ｂは、開口部１０ｄのＢ方向の両端においてＡ方向の前後方向に延びる一対の側壁１０ｆと、側壁１０ｆの後方の端部をＢ方向に繋ぐ後壁１０ｇと、側壁１０ｆおよび後壁１０ｇが下部（紙面奥側）で繋がる底面とによって構成されている。また、ベース部１０の外側面１０ｉのＡ１側は、上面１０ａ側から見て、後面１０ｈから前面１０ｅに向かって幅が小さくなるように先細りする外形形状を有している。ここで、ベース部１０の前方および後方は、それぞれ、本発明の「第１方向」および「第３方向」の一例である。また、ベース部１０のＢ１方向およびＢ２方向は、それぞれ、本発明の「第２方向」および「第４方向」の一例である。
　また、ベース部１０には、金属製のリードフレームからなり約０．４ｍｍの厚みを有するリード端子１１、１２、１３、１４および１５が設けられている。なお、リード端子１１、１２、１３、１４および１５は、それぞれ、本発明の「第１リード端子」、「第２リード端子」、「第３リード端子」、「第４リード端子」および「第５リード端子」の一例である。ここで、リード端子１５がベース部１０のＢ方向の略中心に配置されている。そして、Ｂ２側からＢ１側に向かって、リード端子１１、リード端子１２、リード端子１５、リード端子１３およびリード端子１４がこの順に配置されている。
　リード端子１１～１５は、互いに絶縁されている。Ａ１側の端部であるリード端子１１～１５の前端は、凹部１０ｂ内に露出した状態で配置される。リード端子１２、１３および１５は、ベース部１０の後壁１０ｇから後面１０ｈまでを貫通して後方へ延びる。リード端子１１および１４は、ベース部１０の側壁１０ｆから後面１０ｈおよび外側面１０ｉまでを貫通して後方に延びる。リード端子１１～１４の前端に、ワイヤボンド部１１ａ～１４ａが配置される。リード端子１５は、Ａ方向に沿って直線的に延びる端子部１５ｂを有している。また、リード端子１５は、端子部１５ｂのＡ１側の端部に接続された搭載部１５ａを有している。また、搭載部１５ａは、ワイヤボンド部１１ａ～１４ａの前方（Ａ１側）において凹部１０ｂの底面上でＢ方向に広がっている。なお、ワイヤボンド部１１ａ、１２ａ、１３ａおよび１４ａは、それぞれ、本発明の「第５ワイヤボンド部」、「第６ワイヤボンド部」、「第７ワイヤボンド部」および「第８ワイヤボンド部」の一例である。また、リード端子１１～１５のＡ１側の端部は、それぞれ、本発明の「第２端部」、「第４端部」、「第５端部」、「第３端部」および「第１端部」の一例である。
　ここで、幅Ｗ１は、リード端子１１からリード端子１４までの最大幅Ｗ４よりも小さい（Ｗ１＜Ｗ４）。リード端子１２および１３は、凹部１０ｂの底面上においてＡ１側の端部の前端がリード端子１５側に屈曲している。これにより、ワイヤボンド部１２ａおよび１３ａは、各々のリード端子のＡ２側の端部の後端よりも凹部１０ｂ内においてリード端子１５に近づいている。また、リード端子１１は、凹部１０ｂの底面上においてリード端子１２の外側（Ｂ２側）からリード端子１５側（Ｂ１側）に屈曲しており、後端よりワイヤボンド部１１ａがリード端子１５に近づいている。同様に、リード端子１４は、凹部１０ｂの底面上においてリード端子１３の外側（Ｂ１側）からリード端子１５側（Ｂ２側）に屈曲しており、後端よりワイヤボンド部１４ａがリード端子１５に近づいている。
　また、図１に示すように、ワイヤボンド部１１ａおよび１４ａは、それぞれ、ワイヤボンド部１２ａおよび１３ａよりも前方に位置している。また、ワイヤボンド部１１ａは、ワイヤボンド部１２ａよりも外側（Ｂ２側）のリード端子１１寄りの位置に配置されるとともに、ワイヤボンド部１４ａは、ワイヤボンド部１３ａよりも外側（Ｂ１側）のリード端子１４寄りの位置に配置されている。
　また、搭載部１５ａのＢ方向の両側に、一対の放熱部１５ｄが略対称に配置されている。また、放熱部１５ｄは、側壁１０ｆから外側面１０ｉまでをＢ１方向およびＢ２方向に貫通してベース部１０の外部に露出している。ここで、リード端子１５と、搭載部１５ａと放熱部１５ｄとは、約０．４ｍｍの厚みを有して一体的に形成される。
　サブマウント５０は、搭載部１５ａの上面略中央において、下面側が導電性接着層（図示せず）を介して搭載部１５ａに接合されている。また、サブマウント５０は、約１．５ｍｍの幅Ｗ５（Ｂ方向）を有する前面５０ｅを搭載部１５ａのＡ１側に向けて配置されており、前面５０ｅが前面１０ｅと略平行に配置されている。また、サブマウント５０は、平面視において略矩形形状を有している。なお、サブマウント５０は、本発明の「基台」の一例である。
　約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子２０と、約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子３０および約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子３５が横方向に並んで一体的に形成された２波長半導体レーザ素子４０とが、ｎ型Ｓｉからなるサブマウント５０上に固定されている。なお、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５は、それぞれ、本発明の「第１半導体レーザ素子」、「第２半導体レーザ素子」および「第３半導体レーザ素子」の一例である。
　なお、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０の各々に形成されている一対の共振器端面のうち、出射されるレーザ光の光強度が相対的に大きい方の端面が光出射面であり、相対的に小さい方の端面が光反射面である。したがって、レーザ光は、Ａ１方向に出射される。また、各々の半導体レーザ素子の光出射面は、前面５０ｅと同一面上に揃えられている。また、各々の半導体レーザ素子の光出射面および光反射面には、製造プロセスにおける端面コート処理により、ＡｌＮ膜やＡｌ２Ｏ３膜などからなる誘電体多層膜（図示せず）が形成されている。
　また、図３に示すように、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０は、互いに所定の間隔を隔てて幅方向に隣接している。ここで、青紫色半導体レーザ素子２０では、ｎ型ＧａＮ基板の表面（下面）上に活性層を含む窒化物系半導体からなる半導体素子層が形成されている。また、２波長半導体レーザ素子４０は、共通のｎ型ＧａＡｓ基板の表面（下面）上に底面がｎ型ＧａＡｓ基板まで達する凹部４５（溝部）を隔ててＢ２側に赤色半導体レーザ素子３０とＢ１側に赤外半導体レーザ素子３５とが形成された構造を有している。また、赤色半導体レーザ素子３０は、ＧａＡｓ系の半導体材料からなり、赤外半導体レーザ素子３５は、ＧａＩｎＰ系の半導体材料からなる。
　また、青紫色半導体レーザ素子２０の半導体素子層の下面側（Ｃ１側）には、共振器の延びるＡ方向に延びるリッジ２０ａ（凸部）が形成されている。これにより、リッジ２０ａの上部（Ｃ２側）の活性層の部分に、青紫色半導体レーザ素子２０の発光点（光導波路）が構成されている。また、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５の各々の半導体素子層の下面側には、リッジ３０ａおよび３５ａが形成されている。これにより、各々のリッジ上部の活性層の部分に、赤色半導体レーザ素子３０の発光点と赤外半導体レーザ素子３５の発光点とがそれぞれ構成されている。また、図２に示すように、青紫色半導体レーザ素子２０の共振器長（Ａ方向）は、２波長半導体レーザ素子４０の共振器長の約半分である。ここで、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０は、それぞれ、光出射面を開口部１０ｄ側に向けてサブマウント５０に対してジャンクションダウン方式で取り付けられている。すなわち、図３に示すように、各々の半導体レーザ素子の半導体素子層が形成された側が、上面５０ａに対向して固定されている。
　また、サブマウント５０の後方の、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０の光反射面側には、レーザ光強度をモニタするために用いられるフォトダイオード（ＰＤ）６０が配置されている。ＰＤ６０は、サブマウント５０の表面に埋め込まれた状態で作り込まれており、上面５０ａ上の一部にＰＤ６０のｐ型領域となる受光面６０ａが露出している。なお、ＰＤ６０は、本発明の「受光素子」の一例であり、受光面６０ａは、本発明の「受光素子の上面」の一例である。
　また、サブマウント５０の上面５０ａ上には、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０の各々が接合される位置に、パッド電極５１、５３および５４が互いに絶縁された状態で設けられている。
　詳細には、図２に示すように、略矩形形状を有し青紫色半導体レーザ素子２０の下部から側方（Ｂ２側）に延びるパッド電極５１は、上面５０ａ上の前方かつ幅方向の一方（Ｂ２側）の隅部に設けられている。また、略矩形形状を有し赤外半導体レーザ素子３５の下部から側方（Ｂ１側）に延びるパッド電極５３は、上面５０ａ上の前方かつ幅方向の他方（Ｂ１側）の隅部に設けられている。また、パッド電極５１と５３とは、幅方向に所定の間隔を隔てて略平行に配置されており、パッド電極５１と５３との間にパッド電極５４が配置されている。なお、パッド電極５１、５３および５４は、それぞれ、本発明の「第１電極」、「第３電極」および「第４電極」の一例である。
　パッド電極５４は、サブマウント５０の幅方向の略中央において前面５０ｅ近傍からＰＤ６０の前端近傍まで後方に延びる素子接合部分５４ｂと、素子接合部分５４ｂからサブマウント５０の後方の隅部近傍まで引き出された引き出し用配線部分５４ｃとを有している。ここで、引き出し用配線部分５４ｃは、素子接合部分５４ｂの後端からパッド電極５３の後方までＰＤ６０の前縁部６０ｅに沿って横（Ｂ１方向）に延びてサブマウント５０の側方近傍（Ｂ１側）に達し、さらにサブマウント５０の側方近傍をＰＤ６０の縁部６０ｂに沿って後方に延びて終端している。このように、パッド電極５４は、ＰＤ６０を避けながらＰＤ６０の縁部に沿ってサブマウント５０の後方の隅部まで引き出されている。なお、素子接合部分５４ｂの後端からパッド電極５３の後方まで横に延びる部分の引き出し用配線部分５４ｃの幅Ｗ７（Ａ方向の幅）と、ＰＤ６０の縁部６０ｂに沿って後方に延びる部分の引き出し用配線部分５４ｃの幅Ｗ８（Ｂ方向の幅）とは、略等しい。また、パッド電極５１、５３および５４は、共に上面５０ａ上に形成されたＳｉＯ２からなる絶縁膜５５上に形成されており、各々のパッド電極とサブマウント５０とは、絶縁されている。
　この状態で、図３に示すように、青紫色半導体レーザ素子２０は、下面上に形成されたｐ側電極２１が、導電性接着層５を介してパッド電極５１に接合されている。また、２波長半導体レーザ素子４０の赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５は、各々の下面上に形成されたｐ側電極３１および３６が、導電性接着層５を介してパッド電極５４および５３にそれぞれ接合されている。なお、ｐ側電極２１、３１および３６は、本発明の「一方の電極」の一例である。
　また、図２に示すように、ＰＤ６０の一方（Ｂ２側）の隅には、ＰＤ６０のｐ型領域と導通するパッド電極５２が設けられている。なお、ＰＤ６０は、周囲を取り囲む絶縁膜５５に設けられた開口部５５ａから上面（受光面６０ａ）が露出しており、この開口部５５ａ内の一部においてＰＤ６０とパッド電極５２とが接続されている。また、パッド電極５２は、ＰＤ６０の後縁部６０ｆの近傍領域からＰＤ６０外のサブマウント５０の上面５０ａ（図３参照）上に亘ってＢ２方向およびＡ２方向に延びている。つまり、パッド電極５２は、ＰＤ６０の後方側の受光面６０ａと絶縁膜５５の上面５５ｂとに跨っている。また、ＰＤ６０外のパッド電極５２は、絶縁膜５５（上面５５ｂ）上に形成されることにより、パッド電極５２とサブマウント５０とは絶縁されている。なお、パッド電極５２は、本発明の「第２電極」の一例である。
　この状態で、図２に示すように、ワイヤボンド部５１ａは、青紫色半導体レーザ素子２０の赤色半導体レーザ素子３０とは反対（Ｂ２側）の外側で、かつ、ＰＤ６０よりも前方のパッド電極５１の一部分に位置している。また、ワイヤボンド部５２ａは、リード端子１１側（Ｂ２側）で、かつ、ワイヤボンド部５１ａよりも後方のパッド電極５２の一部分に位置している。より詳細には、ワイヤボンド部５２ａは、ＰＤ６０のＢ１方向の縁部６０ｂからＢ２方向の縁部６０ｃまでの間で、かつ、ＰＤ６０（受光面６０ａ）より後方（Ａ２方向）までパッド電極５２が引き出されたＰＤ６０外の部分に配置されている。なお、ワイヤボンド部５２ａは、サブマウント５０のＢ方向の中央部からＢ２側に寄せられた位置に設けられるのが好ましい。また、サブマウント５０上において、ワイヤボンド部５２ａは、ワイヤボンド部５１ａよりも内側（Ｂ１側）に配置されている。なお、縁部６０ｂおよび６０ｃは、それぞれ、本発明の「第２方向の縁部」および「第４方向の縁部」の一例である。
　また、ワイヤボンド部５３ａは、赤外半導体レーザ素子３５の赤色半導体レーザ素子３０とは反対（Ｂ１側）の外側で、かつ、ＰＤ６０よりも前方のパッド電極５３の一部分に位置している。また、ワイヤボンド部５４ａは、赤外半導体レーザ素子３５よりもＢ１側（リード端子１４側）で、かつ、ワイヤボンド部５３ａよりも後方の引き出し用配線部分５４ｃの一部分に位置している。この場合、ワイヤボンド部５４ａは、縁部６０ｂに対してＢ１側に隣接した位置に配置されている。また、ワイヤボンド部５１ａ～５４ａにおいては、ワイヤボンド部５１ａとワイヤボンド部５４ａとを結ぶ線（図２に示す二点鎖線）が、ワイヤボンド部５２ａとワイヤボンド部５３ａとを結ぶ線（二点鎖線）と交差するような位置関係にある。つまり、ワイヤボンド部５１ａ～５４ａは、サブマウント５０上のおおよそ４隅の領域に配置されている。なお、ワイヤボンド部５１ａ、５２ａ、５３ａおよび５４ａは、それぞれ、本発明の「第１ワイヤボンド部」、「第２ワイヤボンド部」、「第３ワイヤボンド部」および「第４ワイヤボンド部」の一例である。
　また、図１に示すように、ワイヤボンド部５１ａ、５２ａ、５３ａおよび５４ａ（図２参照）と、リード端子１１～１４との位置関係については、リード端子１１のワイヤボンド部１１ａは、ワイヤボンド部５１ａよりもＢ２側に位置し、リード端子１４のワイヤボンド部１４ａは、ワイヤボンド部５３ａよりＢ１側に位置している。また、リード端子１２のワイヤボンド部１２ａは、ワイヤボンド部５２ａよりもＢ２側に位置し、リード端子１３のワイヤボンド部１３ａは、ワイヤボンド部５４ａよりもＢ１側に位置している。
　ワイヤボンド部５１ａは、Ａｕなどからなる金属線９１を介してワイヤボンド部１１ａに接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の基板の上面に形成されているｎ側電極２２は、Ａｕなどからなる金属線９５を介してサブマウント５０の側方（Ｂ２側）において搭載部１５ａに接続されている。ワイヤボンド部５２ａは、Ａｕなどからなる金属線９２を介してワイヤボンド部１２ａに接続されている。また、ワイヤボンド部５３ａは、Ａｕなどからなる金属線９３を介してワイヤボンド部１４ａに接続されている。また、ワイヤボンド部５４ａは、Ａｕなどからなる金属線９４を介してワイヤボンド部１３ａに接続されている。なお、金属線９１、９２、９３および９４は、それぞれ、本発明の「第１ワイヤ」、「第２ワイヤ」、「第３ワイヤ」および「第４ワイヤ」の一例である。また、ｎ側電極２２は、本発明の「他方の電極」の一例である。
　２波長半導体レーザ素子４０の基板の上面上に形成されているｎ側電極４２（共通電極）は、Ａｕなどからなる金属線９６を介してサブマウント５０の側方（Ｂ１側）において搭載部１５ａに接続されている。また、サブマウント５０の下面は、Ａｌなどからなる下部電極５６を介して搭載部１５ａに電気的に接続されている。これにより、各半導体レーザ素子に対して正極のリード端子から個別に電流を供給することが可能であり、各半導体レーザ素子およびＰＤ６０は、ｎ側電極が共通の端子（リード端子１５）に接続される。なお、ｎ側電極４２は、本発明の「他方の電極」の一例である。
　第１実施形態では、上記のように、上面５０ａ上においてワイヤボンド部５１ａ、５２ａ、５３ａおよび５４ａが、上記のような位置関係を有しており、この状態で、各々のワイヤボンド部５１ａ～５４ａとリード端子１１～１４とが、金属線９１～９４により接続されている。これにより、ワイヤボンド部５１ａ、５２ａ、５３ａおよび５４ａの全てを、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０とＰＤ６０との間の領域以外の上面５０ａ上に配置することができる。これにより、金属線９１～９４が、各半導体レーザ素子とＰＤ６０との間に介在してモニタ用のレーザ出射光を遮ることがない。これにより、ＰＤ６０が青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０のレーザ光強度を正確に検出することができる。
　また、ワイヤボンド部５２ａは、ＰＤ６０の縁部６０ｂから縁部６０ｃまでの間で、かつ、ＰＤ６０より後方（Ａ２側）に配置されている。これにより、ワイヤボンド部５２ａを、ＰＤ６０が配置された位置の後方側に確実に配置することができる。したがって、各半導体レーザ素子とＰＤ６０との間でモニタ用のレーザ出射光を遮らないようにして、金属線９２をワイヤボンド部５２ａにワイヤボンディングすることができる。
　また、ワイヤボンド部５２ａは、ＰＤ６０のＢ方向の中央部と縁部６０ｃとの間において、ＰＤ６０より後方（Ａ２側）に配置されている。これにより、ワイヤボンド部５２ａがＰＤ６０の中央部よりもＢ２側に寄せられて配置されるので、ワイヤボンド部５２ａとワイヤボンド部５４ａとを互いにＢ方向に離間して配置することができる。これにより、各々のワイヤボンド部へのワイヤボンディングを容易に行うことができる。
　また、パッド電極５２は、受光面６０ａとサブマウント５０上とに跨って配置されており、ワイヤボンド部５２ａは、パッド電極５２が受光面６０ａからＡ２方向に沿ってサブマウント５０上に形成された絶縁膜５５の上面５５ｂまで引き出された部分に配置されている。これにより、ワイヤボンド部５２ａを、縁部６０ｂから縁部６０ｃまでの間で、かつ、ＰＤ６０より後方に容易に配置することができる。
　また、パッド電極５４においては、引き出し用配線部分５４ｃの幅Ｗ７と幅Ｗ８とを略等しく構成している。これにより、引き出し用配線部分５４ｃの強度が延びる方向に沿って略一様になるので、引き出し用配線部分５４ｃが絶縁膜５５から剥離したり、引き出し用配線部分５４ｃが断線したりすることを容易に抑制することができる。
　また、ワイヤボンド部５１ａ、５２ａ、５３ａおよび５４ａは、サブマウント５０上のおおよそ４隅に配置されている。これにより、各ワイヤボンド部が互いに離れた位置関係となるので、金属線９１～９４を容易にワイヤボンディングすることができるとともに、金属線同士が接触することを容易に抑制することができる。
　また、ワイヤボンド部１１ａおよび１４ａは、それぞれ、ワイヤボンド部１２ａおよび１３ａよりも前方に位置している。これにより、ワイヤボンド部１１ａとワイヤボンド部１２ａとが前後方向の同じ位置に設けられている場合と異なり、ワイヤボンド部１１ａとワイヤボンド部５１ａとが前後方向に近づくので金属線９１の長さをより短くすることができる。同様に、ワイヤボンド部１４ａとワイヤボンド部５３ａとが前後方向に近づくので金属線９３の長さをより短くすることができる。また、金属線の長さが短いので、ワイヤボンディングを容易に行うことができる。
　また、凹部１０ｂ内に露出するリード端子１１の前端（Ａ１側）は、凹部１０ｂの底面上においてリード端子１２に向かって屈曲し、凹部１０ｂ内に露出するリード端子１４の前端（Ａ１側）は、凹部１０ｂの底面上においてリード端子１３に向かって屈曲している。これにより、凹部１０ｂ内においてリード端子１１の前端およびリード端子１４の前端が屈曲しているので、ワイヤボンド部１１ａおよびワイヤボンド部１４ａをより広く確保することができる。これにより、ワイヤボンド部１１ａにおける接合位置を、ワイヤボンド部１２ａにおける接合位置よりもＢ２側に容易にずらすことができる。また、ワイヤボンド部１４ａにおける接合位置を、ワイヤボンド部１３ａにおける接合位置よりもＢ１側に容易にずらすことができる。
　また、リード端子１２の前端およびリード端子１３の前端は、共にリード端子１５の端子部１５ｂに向かって屈曲している。これにより、リード端子１２の前端およびリード端子１３の前端を、共にリード端子１５（Ｂ方向の中央部）に寄せて配置することができるので、ワイヤボンド部１２ａにおける接合位置を、ワイヤボンド部１１ａにおける接合位置よりもＢ１側に容易にずらすことができる。また、ワイヤボンド部１３ａにおける接合位置を、ワイヤボンド部１４ａにおける接合位置よりもＢ２側に容易にずらすことができる。これにより、金属線９１と９２とが接触することを容易に抑制することができる。また、金属線９３と９４とが接触することを容易に抑制することができる。
　また、金属線９２が、ワイヤボンド部１２ａと５２ａとを接続し、金属線９４が、ワイヤボンド部１３ａと５４ａとを接続している。これにより、サブマウント５０のワイヤボンド部のうち後方側に位置するワイヤボンド部５２ａおよび５４ａと、リード端子のワイヤボンド部のうち後方側に位置するワイヤボンド部１２ａおよび１３ａとがそれぞれ接続されるので、金属線９２および９４の長さを短くすることができる。また、金属線の長さが短いので、ワイヤボンディングを容易に行うことができる。
　また、幅Ｗ１は、幅Ｗ４よりも小さい。これにより、ベース部１０の幅を広げることなくリード端子１１～１５における各リード端子間の間隔（Ｂ方向）を広げることができるので、リード端子の形成を容易に行うことができる。また、各リード端子１１～１５が互いに幅方向（Ｂ方向）に接触することを抑制することができる。さらには、ベース部１０に、リード端子１１～１４のワイヤボンド部１１ａ～１４ａおよびリード端子１５の搭載部１５ａを容易に形成することができる。
　また、ベース部１０に、搭載部１５ａが配置される凹部１０ｂを形成することによって、搭載部１５ａ内の搭載部１５ａにサブマウント５０を容易に固定することができる。
　また、ベース部１０は、レーザ光を出射するＡ１方向に沿って先細りする外形形状を有しているので、この半導体レーザ装置１００を光ピックアップ装置などの筐体の挿入孔などに実装する際に、容易に組み込むことができる。
　また、ワイヤボンド部１１ａは、ワイヤボンド部１２ａよりも外側（Ｂ２側）のリード端子１１寄りの位置に配置されるとともに、ワイヤボンド部１４ａは、ワイヤボンド部１３ａよりも外側（Ｂ１側）のリード端子１４寄りの位置に配置されている。これにより、金属線９１が金属線９２に対して接触することを容易に抑制することができる。また、金属線９３が金属線９４に対して接触することを容易に抑制することができる。
　また、ワイヤボンド部１１ａは、サブマウント５０上のワイヤボンド部５１ａよりもＢ２側に位置し、ワイヤボンド部１４ａは、ワイヤボンド部５３ａよりもＢ１方向側に位置している。これにより、ワイヤボンド部５１ａおよびワイヤボンド部１１ａを接続する金属線９１を、サブマウント５０の上方を跨ぐことなく配置することができるとともに、ワイヤボンド部５３ａおよびワイヤボンド部１４ａを接続する金属線９３を、サブマウント５０の上方を跨ぐことなく配置することができる。
　また、ワイヤボンド部１２ａは、ワイヤボンド部５２ａよりもＢ２側に位置し、ワイヤボンド部１３ａは、ワイヤボンド部５４ａよりもＢ１側に位置している。これにより、ワイヤボンド部１２ａとワイヤボンド部５２ａとをＢ方向に沿って互いに離間させることができるとともに、ワイヤボンド部１３ａとワイヤボンド部５４ａとをＢ方向に沿って互いに離間させることができる。これにより、金属線９１と金属線９２とが接近すること、および、金属線９３と金属線９４とが接近することを、共に抑制することができる。
　また、リード端子１５は、ベース部１０のＢ１側およびＢ２側の外部に延びる放熱部１５ｄを有している。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５の各々が発する熱を、サブマウント５０および放熱部１５ｄを介して効率よく放熱することができる。また、放熱部１５ｄは、リード端子１５の搭載部１５ａの両側に一体的に接続されているので、搭載部１５ａの両側に接続された一対の放熱部１５ｄを介して各半導体レーザ素子の発熱を容易に放熱することができる。
　また、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０は、サブマウント５０側に半導体素子層が形成されている。すなわち、各半導体レーザ素子は、サブマウント５０に対してジャンクションダウン方式で実装されるので、発熱源となる半導体素子層からサブマウント５０に向かって効率よく放熱することができる。その結果、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５の各々の温度特性および信頼性を向上させることができる。
　なお、３波長半導体レーザ装置１００では、リード端子１５が搭載部１５ａの両側に接続される放熱部１５ｄを備えており、放熱部１５ｄは、ベース部１０よりも外側に延びている。これにより、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０が発する熱を、サブマウント５０および放熱部１５ｄを介して効率よく放熱することができる。
　また、赤色半導体レーザ素子３０は、パッド電極５４に接続されている。これにより、中央の赤色半導体レーザ素子３０に接続する配線パターン（金属線９４）を、赤色半導体レーザ素子３０の後方からワイヤボンド部５４ａに接続することで、配線パターンの長さを短くすることができる。また、中央の赤色半導体レーザ素子３０の配線パターンがレーザの光出射面側に形成されないことによって、３つの半導体レーザ素子（青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５）の光出射面（Ａ１側）の位置を同一平面に揃えやすくすることができる。
　また、ＰＤ６０は、サブマウント５０の内部に作り込まれているとともに、上面５０ａ上の絶縁膜５５の上面５５ｂと同じ高さ位置に受光面６０ａが配置されている。これにより、受光面６０ａの高さ位置と、各半導体レーザ素子２０、３０および３５の発光点の高さ位置とを容易に略一致させることができる。したがって、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５の各々のレーザ光強度を容易に検出することができる。
　（第１実施形態の変形例）
　次に、第１実施形態の変形例による３波長半導体レーザ装置１０５について説明する。なお、３波長半導体レーザ装置１０５は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。
　この３波長半導体レーザ装置１０５では、図４に示すように、金属線９４がワイヤボンディングされるワイヤボンド部５４ａの位置が、引き出し用配線部分５４ｃのＡ２側の終端部近傍に配置されている。つまり、ワイヤボンド部５４ａは、ワイヤボンド部５２ａと同様に、ＰＤ６０より後方（Ａ２側）に配置されている。
　なお、第１実施形態の変形例による３波長半導体レーザ装置１０５のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。
　第１実施形態の変形例では、上記のように、ワイヤボンド部５２ａのみならずワイヤボンド部５４ａもＰＤ６０より後方に配置されているので、各半導体レーザ素子とＰＤ６０との間でモニタ用のレーザ出射光を遮らないように、金属線９４をワイヤボンド部５４ａに確実にワイヤボンディングすることができる。
　また、第１実施形態の変形例では、引き出し用配線部分５４ｃは、素子接合部分５４ｂからＰＤ６０の縁部に沿ってＢ１方向およびＡ２方向の順に延びる方向を変えながらＰＤ６０の側方かつサブマウント５０の後方の隅部まで引き出されている。そして、引き出し用配線部分５４ｃのＡ２側の終端部近傍にワイヤボンド部５４ａが配置されている。これにより、ワイヤボンド部５４ａを容易にＰＤ６０より後方に配置することができる。なお、第１実施形態の変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
　（第２実施形態）
　次に、本発明の第２実施形態による３波長半導体レーザ装置２００について説明する。なお、３波長半導体レーザ装置２００は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。
　この３波長半導体レーザ装置２００では、図５に示すように、パッド電極２５２のＢ２方向の端部２５２ｃが、ＰＤ６０の縁部６０ｃに揃えられている。
　また、赤色半導体レーザ素子３０が接合されるパッド電極２５４については、引き出し用配線部分２５４ｃは、素子接合部分５４ｂの後端部からＰＤ６０の前縁部６０ｅ（Ａ１側）に沿ってＢ１方向に延びた後、Ａ２方向に向きを変えて縁部６０ｂに沿ってサブマウント５０の後方の隅部まで延びている。そして、さらに、ＰＤ６０の後縁部６０ｆ（Ａ２側）に沿ってＢ２方向に延びて終端している。これにより、ワイヤボンド部２５４ａは、ＰＤ６０の縁部６０ｂよりもＢ２側に配置されている。３波長半導体レーザ装置２００では、ワイヤボンド部５２ａのみならずワイヤボンド部２５４ａも、縁部６０ｂから縁部６０ｃまでの間で、かつ、ＰＤ６０より後方に配置されている。また、サブマウント５０上において、ワイヤボンド部２５４ａは、ワイヤボンド部５３ａよりも内側（Ｂ２側）に配置されている。なお、パッド電極２５２および２５４は、それぞれ、本発明の「第２電極」および「第４電極」の一例である。また、ワイヤボンド部２５４ａは、本発明の「第４ワイヤボンド部」の一例である。
　なお、ワイヤボンド部２５４ａは、サブマウント５０のＢ方向の中央部からＢ１側に寄せられた位置に設けられるのが好ましい。これにより、ワイヤボンド部５２ａと２５４ａとはＢ方向に所定の幅が確保された絶縁膜５５によって確実に絶縁されている。そして、この状態で、ワイヤボンド部２５４ａに、金属線９４がワイヤボンディングされている。
　また、パッド電極２５４においては、引き出し用配線部分２５４ｃの幅Ｗ７と幅Ｗ８とに加えて、後縁部６０ｆに沿ってＢ２方向に延びる部分の幅Ｗ９とは、互いに略等しい。なお、３波長半導体レーザ装置２００のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。
　第２実施形態では、上記のように、ワイヤボンド部５２ａのみならずワイヤボンド部２５４ａもＰＤ６０より後方に配置されているので、各半導体レーザ素子とＰＤ６０との間でモニタ用のレーザ出射光を遮らないように、金属線９４をワイヤボンド部２５４ａに確実にボンディングすることができる。
　また、第２実施形態では、引き出し用配線部分２５４ｃは、素子接合部分５４ｂの後端部からＰＤ６０の前縁部６０ｅ（Ａ１側）に沿ってＢ１方向に延びた後、Ａ２方向に向きを変えて縁部６０ｂに沿ってサブマウント５０の後方の隅部まで延びている。そして、さらに、ＰＤ６０の後縁部６０ｆ（Ａ２側）に沿ってＢ２方向に延びて終端部が形成されており、この引き出し用配線部分２５４ｃの終端部近傍（Ｂ２側）にワイヤボンド部２５４ａが配置されている。これにより、引き出し用配線部分２５４ｃがＰＤ６０の受光面６０ａを覆うことなくＰＤ６０を回避して後方に延びるパッド電極２５４を形成することができるので、ワイヤボンド部２５４ａを、縁部６０ｂから縁部６０ｃまでの間で、かつ、ＰＤ６０より後方に容易に配置することができる。
　また、第２実施形態では、パッド電極２５２のＢ２方向の端部２５２ｃが、縁部６０ｃに揃えられて、３波長半導体レーザ装置１００でのパッド電極５２よりもＢ方向の長さが短く構成されている。これにより、ワイヤボンド部５２ａの位置をＰＤ６０のＢ方向の中央部と縁部６０ｃとの間に確実に配置することができるので、金属線９２のパッド電極２５２へのワイヤボンディングをより精度よく行うことができる。
　また、第２実施形態では、サブマウント５０上において、ワイヤボンド部５２ａは、ワイヤボンド部５１ａよりも内側（Ｂ１側）に配置されるとともに、ワイヤボンド部２５４ａは、ワイヤボンド部５３ａよりも内側（Ｂ２側）に配置されている。これにより、ワイヤボンド部５１ａ、５２ａ、５３ａおよび２５４ａのＢ１方向における位置が互いに異なる（Ａ方向に沿って一列に並ばない）ので、サブマウント５０から各リード端子に向けて延びる金属線９１～９４が、ベース部１０の凹部１０ｂ内で互いに近接することを容易に抑制することができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
　（第３実施形態）
　次に、第３実施形態による３波長半導体レーザ装置３００について説明する。なお、３波長半導体レーザ装置３００は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。
　この３波長半導体レーザ装置３００では、図６に示すように、第１実施形態の３波長半導体レーザ装置１００に用いたパッド電極５２と、第２実施形態の３波長半導体レーザ装置２００に用いたパッド電極２５４とを用いている。なお、３波長半導体レーザ装置３００におけるワイヤボンド部３５２ａは、ＰＤ６０の縁部６０ｃよりもＢ２側の領域に設けられている。この場合、ワイヤボンド部３５２ａは、縁部６０ｃに対してＢ２側に隣接した位置に配置されている。したがって、金属線９２は、ＰＤ６０の側方（Ｂ２側）においてワイヤボンド部３５２ａにボンディングされている。
　なお、第３実施形態による３波長半導体レーザ装置３００のその他の構成は、第２実施形態と略同様であって、図中において、第２実施形態と同じ符号を付して図示している。また、第３実施形態の効果は、パッド電極５２にワイヤボンド部３５２ａが設けられている点を除いて第２実施形態と略同様である。
　（第４実施形態）
　次に、図７を参照して、第４実施形態による３波長半導体レーザ装置４００について説明する。なお、３波長半導体レーザ装置４００は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。なお、図７では、サブマウント５０上のパッド電極４５３および４５４のレイアウトを示すために、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０の図示を省略している。
　３波長半導体レーザ装置４００では、図７に示すように、サブマウント５０のＢ２側からＢ１側に向かってパッド電極５１、４５３および４５４がこの順に設けられている。この場合、パッド電極４５３に赤色半導体レーザ素子３０のｐ側電極３１（図３参照）が接合され、パッド電極４５４に赤外半導体レーザ素子３５のｐ側電極３６（図３参照）が接合される。また、パッド電極４５３のＡ１側の端部は、パッド電極４５４の下部（紙面奥側）でＢ１方向に交差しており、パッド電極４５４とサブマウント５０のＢ１側の側端部との間の領域にまで延びている。なお、パッド電極４５３とパッド電極４５４とが交差する領域には、パッド電極４５３とパッド電極４５４との間にＳｉＯ２からなる絶縁膜５６が形成されている。そして、ワイヤボンド部４５３ａは、パッド電極４５３上のＡ１側かつＢ１側の領域に配置されている。なお、パッド電極４５３および４５４は、それぞれ、本発明の「第３電極」および「第４電極」の一例である。また、ワイヤボンド部４５３ａは、本発明の「第３ワイヤボンド部」の一例である。
　また、パッド電極４５４については、素子接合部分５４ｂの後端部からＰＤ６０の縁部に沿ってＢ１方向およびＡ２方向の順に延びてサブマウント５０の後方の隅部まで引き出された引き出し用配線部分４５４ｃが、ＰＤ６０の後縁部６０ｆに沿ってさらにＢ２方向に延びて終端している。また、ワイヤボンド部４５４ａは、第２実施形態のパッド電極２５２と略同様に、ＰＤ６０の縁部６０ｂよりもＢ２側に配置されている。したがって、赤色半導体レーザ素子３０は、金属線９３を介してリード端子１４に接続されるとともに、赤外半導体レーザ素子３５は、金属線９４を介してリード端子１３に接続される。なお、ワイヤボンド部４５４ａは、本発明の「第４ワイヤボンド部」の一例である。
　なお、第４実施形態による３波長半導体レーザ装置４００のその他の構成は、第２実施形態と略同様であって、図中において、第２実施形態と同じ符号を付して図示している。また、第４実施形態の効果については、第２実施形態と略同様である。
　（第５実施形態）
　次に、本発明の第５実施形態による光ピックアップ装置５００について説明する。なお、光ピックアップ装置５００は、本発明の「光装置」の一例である。
　光ピックアップ装置５００は、図８に示すように、第１実施形態の３波長半導体レーザ装置１００と、３波長半導体レーザ装置１００から出射されたレーザ光を調整する光学系５２０と、レーザ光を受光する光検出部５３０とを備えている。
　光学系５２０は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）５２１、コリメータレンズ５２２、ビームエキスパンダ５２３、λ／４板５２４、対物レンズ５２５、シリンドリカルレンズ５２６および光軸補正素子５２７を有している。
　また、ＰＢＳ５２１は、３波長半導体レーザ装置１００から出射されるレーザ光を全透過するとともに、光ディスク５３５から帰還するレーザ光を全反射する。コリメータレンズ５２２は、ＰＢＳ５２１を透過した３波長半導体レーザ装置１００からのレーザ光を平行光に変換する。ビームエキスパンダ５２３は、凹レンズ、凸レンズおよびアクチュエータ（図示せず）から構成されている。アクチュエータは後述するサーボ回路からのサーボ信号に応じて、凹レンズおよび凸レンズの距離を変化させることにより、３波長半導体レーザ装置１００から出射されたレーザ光の波面状態を補正する機能を有している。
　また、λ／４板５２４は、コリメータレンズ５２２によって略平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ／４板５２４は光ディスク５３５から帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏光方向は、３波長半導体レーザ装置１００から出射されるレーザ光の直線偏光の方向に直交する。これにより、光ディスク５３５から帰還するレーザ光は、ＰＢＳ５２１によって略全反射される。対物レンズ５２５は、λ／４板５２４を透過したレーザ光を光ディスク５３５の表面（記録層）上に収束させる。なお、対物レンズ５２５は、対物レンズアクチュエータ（図示せず）により、後述するサーボ回路からのサーボ信号（トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号およびチルトサーボ信号）に応じて、フォーカス方向、トラッキング方向およびチルト方向に移動可能にされている。
　また、ＰＢＳ５２１により全反射されるレーザ光の光軸に沿うように、シリンドリカルレンズ５２６、光軸補正素子５２７および光検出部５３０が配置されている。シリンドリカルレンズ５２６は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子５２７は、回折格子により構成されており、シリンドリカルレンズ５２６を透過した青紫色、赤色および赤外の各レーザ光の０次回折光のスポットが後述する光検出部５３０の検出領域上で一致するように配置されている。
　また、光検出部５３０は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。ここで、光検出部５３０は再生信号とともに、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号が得られるように所定のパターンの検出領域を有する。このようにして、３波長半導体レーザ装置１００を備えた光ピックアップ装置５００が構成される。
　この光ピックアップ装置５００では、３波長半導体レーザ装置１００（図１参照）は、リード端子１５と、リード端子１１～１４との間に、それぞれ、独立して電圧を印加することによって、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５から、青紫色、赤色および赤外のレーザ光を独立的に出射することが可能である。また、３波長半導体レーザ装置１００から出射されたレーザ光は、上記のように、ＰＢＳ５２１、コリメータレンズ５２２、ビームエキスパンダ５２３、λ／４板５２４、対物レンズ５２５、シリンドリカルレンズ５２６および光軸補正素子５２７により調整された後、光検出部５３０の検出領域上に照射される。
　ここで、光ディスク５３５に記録されている情報を再生する場合には、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５から出射される各々のレーザパワーが一定になるように制御しながら、光ディスク５３５の記録層にレーザ光を照射するとともに、光検出部５３０から出力される再生信号を得ることができる。また、同時に出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ５２３のアクチュエータと対物レンズ５２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。
　また、光ディスク５３５に情報を記録する場合には、記録すべき情報に基づいて、青紫色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子３０（赤外半導体レーザ素子３５）から出射されるレーザパワーを制御しながら、光ディスク５３５にレーザ光を照射する。これにより、光ディスク５３５の記録層に情報を記録することができる。また、上記同様、光検出部５３０から出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ５２３のアクチュエータと対物レンズ５２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。
　このようにして、３波長半導体レーザ装置１００を備えた光ピックアップ装置５００を用いて、光ディスク５３５への記録および再生を行うことができる。
　光ピックアップ装置５００では、３波長半導体レーザ装置１００を備えている。これにより、３波長半導体レーザ装置１００を安定的に動作させることが可能な信頼性の高い光ピックアップ装置５００を得ることができる。
　なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
　たとえば、本発明の「第２ワイヤボンド部」および「第４ワイヤボンド部」の少なくとも一方が受光素子より後方に配置される点においては、上記第１～第４実施形態に例示された各特徴点を適宜組み合わせて本発明の半導体レーザ装置を構成してもよい。
　また、上記第１および第４実施形態では、ワイヤボンド部５２ａを、ＰＤ６０の縁部６０ｂから縁部６０ｃまでの間で、かつ、ＰＤ６０より後方に配置した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、ＰＤ６０より後方であるならば、ワイヤボンド部５２ａをＰＤ６０の縁部６０ｃよりもＢ２側の領域（たとえばサブマウント５０上のＢ２側かつＡ２側の隅部近傍）に配置してもよいし、縁部６０ｃの後方に配置してもよい。
　また、上記第１～第５実施形態では、本発明の「第４電極」が有する引き出し用配線部分の幅を延びる方向に関係なく略同じ大きさに形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、ＰＤ６０の周囲（外縁部の外側）に残されたサブマウント５０の平面的な面積形状などを考慮して、引き出し用配線部分の幅を適宜変更しながらＰＤ６０の後方まで引き出すようにしてもよい。
　また、上記第１～第５実施形態においては、青紫色半導体レーザ素子２０の隣に、赤外半導体レーザ素子３５および赤色半導体レーザ素子３０がこの順序で配置されていてもよい。
　また、上記第１～第５実施形態では、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子４０をジャンクションダウン方式でサブマウント５０上に接合した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、各半導体レーザ素子のｎ側電極側がサブマウント５０上に接合されるジャンクションアップ方式であってもよい。あるいは、一方の半導体レーザ素子がジャンクションダウン方式で接合され、他方の半導体レーザ素子がジャンクションアップ方式で接合されていてもよい。
　また、上記第１～第５実施形態では、２波長半導体レーザ素子４０はモノリシックに形成されていたが、本発明はこれに限られない。たとえば、別々に形成された赤色半導体レーザ素子３０と赤外半導体レーザ素子３５とがそれぞれサブマウント５０上に接合されてもよい。すなわち、この場合は、青紫色半導体レーザ素子２０を含めた３個の半導体レーザ素子がサブマウント５０上に隣接して接合される。
　また、上記第１～第５実施形態では、サブマウント５０のＢ２側からＢ１側に向かって青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５がこの順に配置された例について示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、サブマウント５０のＢ方向の略中央（パッド電極５４上）に青紫色半導体レーザ素子２０が配置されるとともに、青紫色半導体レーザ素子２０の上方をＢ方向に跨いで２波長半導体レーザ素子４０が配置されている。この場合、青紫色半導体レーザ素子２０のＢ２側（パッド電極５１上）およびＢ１側（パッド電極５３上）に、２波長半導体レーザ素子４０を構成する赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５がそれぞれ配置されるように構成されていてもよい。
　また、上記第１～第５実施形態では、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子３０および赤外半導体レーザ素子３５を用いていたが、本発明はこれに限られない。すなわち、他の発振波長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子を用いることができる。たとえば、本発明の「半導体レーザ装置」として、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を用いてＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を構成してもよい。また、個々の半導体レーザ素子が、ＧａＮ系半導体、ＧａＡｓ系半導体およびＧａＩｎＰ系半導体以外の半導体材料から構成されていてもよい。さらには、同じ波長のレーザ光を出射する３つの半導体レーザ素子が隣接して接合されていてもよい。
　また、上記第１～第５実施形態では、３つの半導体レーザ素子がサブマウント５０上に接合されていたが、本発明はこれに限らず、４つ以上の半導体レーザ素子を用いて半導体レーザ装置を構成してもよい。すなわち、ベース部に保持されるリード端子を６本以上備えていてもよい。
　また、上記第５実施形態では、３波長半導体レーザ装置１００を備えた光ピックアップ装置５００について示したが、本発明はこれに限らず、第２実施形態における３波長半導体レーザ装置２００または第４実施形態における３波長半導体レーザ装置４００を用いて光ピックアップ装置を構成してもよい。
　また、上記第５実施形態では、光ピックアップ装置５００について示したが、本発明はこれに限らず、本発明の半導体レーザ装置を、ＣＤ、ＤＶＤまたはＢＤなどの光ディスクの記録または再生を行う光ディスク装置に適用してもよい。さらには、本発明の「半導体レーザ装置」として、赤色半導体レーザ素子、緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子を用いてＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を構成してもよい。上記ＲＧＢ３波長半導体レーザ装置を用いて、本発明の「光装置」としてプロジェクタ装置を構成してもよい。
　１０　ベース部
　１１　リード端子（第１リード端子）
　１１ａ　ワイヤボンド部（第５ワイヤボンド部）
　１２　リード端子（第２リード端子）
　１２ａ　ワイヤボンド部（第６ワイヤボンド部）
　１３　リード端子（第３リード端子）
　１３ａ　ワイヤボンド部（第７ワイヤボンド部）
　１４　リード端子（第４リード端子）
　１４ａ　ワイヤボンド部（第８ワイヤボンド部）
　１５　リード端子（第５リード端子）
　１５ａ　搭載部
　１５ｂ　端子部
　２０　青紫色半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子）
　２１、３１、３６　ｐ側電極（一方の電極）
　２２、４２　ｎ側電極（他方の電極）
　３０　赤色半導体レーザ素子（第２半導体レーザ素子）
　３５　赤外半導体レーザ素子（第３半導体レーザ素子）
　５０　サブマウント（基台）
　５０ａ　上面（基台の上面）
　５１　パッド電極（第１電極）
　５１ａ　ワイヤボンド部（第１ワイヤボンド部）
　５２、２５２　パッド電極（第２電極）
　５２ａ　ワイヤボンド部（第２ワイヤボンド部）
　５３、４５３　パッド電極（第３電極）
　５３ａ、４５３ａ　ワイヤボンド部（第３ワイヤボンド部）
　５４、２５４、４５４　パッド電極（第４電極）
　５４ａ、２５４ａ、４５４ａ　ワイヤボンド部（第４ワイヤボンド部）
　５４ｃ、２５４ｃ　引き出し用配線部分
　６０　ＰＤ（受光素子）
　６０ａ　受光面６０ａ（受光素子の上面）
　６０ｂ　縁部（第２方向の縁部）
　６０ｃ　縁部（第４方向の縁部）
　９１　金属線（第１ワイヤ）
　９２　金属線（第２ワイヤ）
　９３　金属線（第３ワイヤ）
　９４　金属線（第４ワイヤ）
　１００、１０５、２００、３００、４００　３波長半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
　２５２ｃ　端部（第４方向の縁部）
　５００　光ピックアップ装置（光装置）
　５２０　光学系

Claims (20)

  1. 　上面上に、第１ワイヤボンド部を有する第１電極、第２ワイヤボンド部を有する第２電極、第３ワイヤボンド部を有する第３電極および第４ワイヤボンド部を有する第４電極が配置された基台と、
    　前記上面上に配置された第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子および受光素子と、
    　第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子、第４リード端子および第５リード端子とを備え、
    　前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子は、共に、第１方向にレーザ光を出射し、
    　前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第５リード端子、前記第３リード端子および前記第４リード端子は、共に、前記第１方向に延びるとともに、前記第１方向と直交する第２方向に沿ってこの順序で配置され、
    　前記第５リード端子の前記第１方向側の第１端部は、前記基台を搭載する搭載部を有し、
    　第３方向は前記第１方向と反対であり、
    　第４方向は前記第２方向と反対であり、
    　前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第３リード端子および前記第４リード端子は、共に、前記搭載部より前記第３方向側に配置され、
    　前記第１リード端子の前記第１方向側の第２端部は、第５ワイヤボンド部を有しており、
    　前記第２リード端子の前記第１方向側の第４端部は、第６ワイヤボンド部を有しており、
    　前記第３リード端子の前記第１方向側の第５端部は、第７ワイヤボンド部を有しており、
    　前記第４リード端子の前記第１方向側の第３端部は、第８ワイヤボンド部を有しており、
    　前記第１半導体レーザ素子の一方の電極および前記受光素子の上面は、それぞれ、前記第１電極および前記第２電極に接続され、
    　前記第２半導体レーザ素子の一方の電極は、前記第３電極または前記第４電極のいずれか一方に接続され、
    　前記第３半導体レーザ素子の一方の電極は、前記第３電極または前記第４電極のいずれか他方に接続され、
    　前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子、前記第３半導体レーザ素子の他方の電極と、前記受光素子の下面とは、共に、前記第５リード端子に接続され、
    　前記第１ワイヤボンド部は、前記第１半導体レーザ素子より前記第４方向側、かつ、前記受光素子より前記第１方向側に配置され、
    　前記第２ワイヤボンド部は、前記第１半導体レーザ素子より前記第３方向側に配置され、
    　前記第３ワイヤボンド部は、前記第３半導体レーザ素子より前記第２方向側、かつ、前記受光素子より前記第１方向側に配置され、
    　前記第４ワイヤボンド部は、前記第３半導体レーザ素子より前記第３方向側に配置され、
    　前記第２ワイヤボンド部および前記第４ワイヤボンド部の少なくとも一方は、前記受光素子より前記第３方向側に配置され、
    　前記第１ワイヤボンド部と前記第４ワイヤボンド部とを結ぶ線は、前記第２ワイヤボンド部と前記第３ワイヤボンド部とを結ぶ線と交差し、
    　前記受光素子は、前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子より前記第３方向側に配置され、
    　前記第１ワイヤボンド部は、第１ワイヤを介して前記第５ワイヤボンド部と接続され、
    　前記第２ワイヤボンド部は、第２ワイヤを介して前記第６ワイヤボンド部と接続され、
    　前記第３ワイヤボンド部は、第３ワイヤを介して前記第８ワイヤボンド部と接続され、
    　前記第４ワイヤボンド部は、第４ワイヤを介して前記第７ワイヤボンド部と接続されている、半導体レーザ装置。
  2. 　前記第２ワイヤボンド部および前記第４ワイヤボンド部の少なくとも一方は、前記受光素子の前記第２方向の縁部から前記第４方向の縁部までの間で、かつ、前記受光素子より前記第３方向側に配置されている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  3. 　前記第２ワイヤボンド部および前記第４ワイヤボンド部の少なくとも一方は、前記受光素子の中央部と前記第４方向の縁部または前記第２方向の縁部との間において、前記受光素子より前記第３方向側に配置されている、請求項２に記載の半導体レーザ装置。
  4. 　前記第２端部は、前記第２リード端子に向かって屈曲し、
    　前記第３端部は、前記第３リード端子に向かって屈曲する、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  5. 　前記第５ワイヤボンド部は、前記第６ワイヤボンド部より前記第１方向側に位置し、
    　前記第８ワイヤボンド部は、前記第７ワイヤボンド部より前記第１方向側に位置する、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  6. 　前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第３リード端子、前記第４リード端子および前記第５リード端子を保持するベース部をさらに備える、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  7. 　前記ベース部は、前記搭載部が配置される凹部を含む、請求項６に記載の半導体レーザ装置。
  8. 　前記第２端部は、前記凹部内に露出するとともに前記第２リード端子に向かって屈曲し、
    　前記第３端部は、前記凹部内に露出するとともに前記第３リード端子に向かって屈曲する、請求項７に記載の半導体レーザ装置。
  9. 　前記第５リード端子は、前記第１方向に延びるとともに前記搭載部に接続される端子部をさらに有し、
    　前記第４端部および前記第５端部は、共に前記端子部に向かって屈曲する、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
  10. 　前記ベース部の前記第２方向の最大幅は、前記第１リード端子から前記第４リード端子までの前記第２方向の最大幅よりも小さい、請求項６に記載の半導体レーザ装置。
  11. 　前記第５ワイヤボンド部は、前記第６ワイヤボンド部より前記第４方向側に位置し、
    　前記第８ワイヤボンド部は、前記第７ワイヤボンド部より前記第２方向側に位置する、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  12. 　前記第５ワイヤボンド部は、前記第１ワイヤボンド部より前記第４方向側に位置し、
    　前記第８ワイヤボンド部は、前記第３ワイヤボンド部より前記第２方向側に位置する、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  13. 　前記第６ワイヤボンド部は、前記第２ワイヤボンド部より前記第４方向側に位置し、
    　前記第７ワイヤボンド部は、前記第４ワイヤボンド部より前記第２方向側に位置する、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  14. 　前記第２ワイヤボンド部は、前記第１ワイヤボンド部よりも前記第２方向側に位置し、
    　前記第４ワイヤボンド部は、前記第３ワイヤボンド部よりも前記第４方向側に位置する、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  15. 　前記第５リード端子は、前記ベース部の外部に延びる放熱部をさらに有する、請求項６に記載の半導体レーザ装置。
  16. 　前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子は、前記第２方向に沿ってこの順序で配置され、
    　前記第２半導体レーザ素子の前記一方の電極は、前記第４電極に接続されている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  17. 　前記第４電極は、前記受光素子の縁部に沿って前記第１方向および前記第２方向に引き回された引き出し用配線部分をさらに有し、
    　前記引き出し用配線部分における前記第１方向に延びる部分の前記第１方向と直交する方向の幅と、前記引き出し用配線部分における前記第２方向に延びる部分の前記第２方向と直交する方向の幅とは、略等しい、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  18. 　前記第２電極の前記第４方向の端部と、前記受光素子の前記第４方向の縁部とは、前記第１方向に沿って揃えられている、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
  19. 　前記基台の上面上において前記受光素子を取り囲む絶縁膜をさらに備え、
    　前記第２電極は、前記絶縁膜の上面と前記受光素子の受光面とに跨っている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  20. 　上面上に、第１ワイヤボンド部を有する第１電極、第２ワイヤボンド部を有する第２電極、第３ワイヤボンド部を有する第３電極および第４ワイヤボンド部を有する第４電極が配置された基台と、前記上面上に配置された第１半導体レーザ素子、第２半導体レーザ素子、第３半導体レーザ素子および受光素子と、第１リード端子、第２リード端子、第３リード端子、第４リード端子および第５リード端子とを含む半導体レーザ装置と、
    　前記半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、
    　前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子は、共に、第１方向にレーザ光を出射し、
    　前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第５リード端子、前記第３リード端子および前記第４リード端子は、共に、前記第１方向に延びるとともに、前記第１方向と直交する第２方向に沿ってこの順序で配置され、
    　前記第５リード端子の前記第１方向側の第１端部は、前記基台を搭載する搭載部を有し、
    　第３方向は前記第１方向と反対であり、
    　第４方向は前記第２方向と反対であり、
    　前記第１リード端子、前記第２リード端子、前記第３リード端子および前記第４リード端子は、共に、前記搭載部より前記第３方向側に配置され、
    　前記第１リード端子の前記第１方向側の第２端部は、第５ワイヤボンド部を有しており、
    　前記第２リード端子の前記第１方向側の第４端部は、第６ワイヤボンド部を有しており、
    　前記第３リード端子の前記第１方向側の第５端部は、第７ワイヤボンド部を有しており、
    　前記第４リード端子の前記第１方向側の第３端部は、第８ワイヤボンド部を有しており、
    　前記第１半導体レーザ素子の一方の電極および前記受光素子の上面は、それぞれ、前記第１電極および前記第２電極に接続され、
    　前記第２半導体レーザ素子の一方の電極は、前記第３電極または前記第４電極のいずれか一方に接続され、
    　前記第３半導体レーザ素子の一方の電極は、前記第３電極または前記第４電極のいずれか他方に接続され、
    　前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子、前記第３半導体レーザ素子の他方の電極と、前記受光素子の下面とは、共に、前記第５リード端子に接続され、
    　前記第１ワイヤボンド部は、前記第１半導体レーザ素子より前記第４方向側、かつ、前記受光素子より前記第１方向側に配置され、
    　前記第２ワイヤボンド部は、前記第１半導体レーザ素子より前記第３方向側に配置され、
    　前記第３ワイヤボンド部は、前記第３半導体レーザ素子より前記第２方向側、かつ、前記受光素子より前記第１方向側に配置され、
    　前記第４ワイヤボンド部は、前記第３半導体レーザ素子より前記第３方向側に配置され、
    　前記第２ワイヤボンド部および前記第４ワイヤボンド部の少なくとも一方は、前記受光素子より前記第３方向側に配置され、
    　前記第１ワイヤボンド部と前記第４ワイヤボンド部とを結ぶ線は、前記第２ワイヤボンド部と前記第３ワイヤボンド部とを結ぶ線と交差し、
    　前記受光素子は、前記第１半導体レーザ素子、前記第２半導体レーザ素子および前記第３半導体レーザ素子より前記第３方向側に配置され、
    　前記第１ワイヤボンド部は、第１ワイヤを介して前記第５ワイヤボンド部と接続され、
    　前記第２ワイヤボンド部は、第２ワイヤを介して前記第６ワイヤボンド部と接続され、
    　前記第３ワイヤボンド部は、第３ワイヤを介して前記第８ワイヤボンド部と接続され、
    　前記第４ワイヤボンド部は、第４ワイヤを介して前記第７ワイヤボンド部と接続されている、光装置。
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WO2005039001A1 (ja) * 2003-10-15 2005-04-28 Sanyo Electric Co., Ltd ２ビーム半導体レーザ装置
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