JPS6269693A - 半導体レ−ザ−装置 - Google Patents
半導体レ−ザ−装置Info
- Publication number
- JPS6269693A JPS6269693A JP60210679A JP21067985A JPS6269693A JP S6269693 A JPS6269693 A JP S6269693A JP 60210679 A JP60210679 A JP 60210679A JP 21067985 A JP21067985 A JP 21067985A JP S6269693 A JPS6269693 A JP S6269693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- photodiode
- semiconductor substrate
- conductivity type
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は半導体レーザー装置に係わり、詳しくは、レ
ーザーダイオードと該レーザーダイオードの発光の強度
を監視するホトダイオードとを組み合わせた半導体レー
ザー装置に関する。
ーザーダイオードと該レーザーダイオードの発光の強度
を監視するホトダイオードとを組み合わせた半導体レー
ザー装置に関する。
〈従来の技術〉
第２図は従来の半導体レーザー装置を示す斜視図であり
、まず、構成を説明すると、１は鋼製の基台であり、こ
の基台１には銅製のヒートシンク２が固定されている。
、まず、構成を説明すると、１は鋼製の基台であり、こ
の基台１には銅製のヒートシンク２が固定されている。
このヒートシンク２にはシリコンで形成されたサブマウ
ント３が貼着されており、このサブマウント３にはレー
ザーダイオード４がロウ付けされている。このレーザー
ダイオード４はシリコンのサブマウント３を一方の電極
としており、レーザーダイオード４の他方の電極はボン
ディングワイヤを介して外部リード５に接続されている
。前述の基台１にはモニター用のホトダイオード６がサ
ブマウント３から離隔して固定されており、ホトダイオ
ードの一方の電極はボンディングワイヤを介して外部リ
ード７に接続されている。レーザーダイオード４の他方
の電極とホトダイオード６の他方の電極は外部リード８
に接続されており、これら外部リード５，７．８は図示
していないプリントボードの配線に接続されている。基
台１は、レーザーダイオード４とホトダイオード６とが
内部空間に封止されるごとくキャップ９に嵌合しており
、キャップ９の頂面には透明なガラス部１０が設けられ
ている。したがって、レーザーダイオード４から放出さ
れるコヒーレント光はガラス部１０を通り外部に放光さ
れると共に、ガラス部１０を通過するコヒーレント光と
は対称の方向にも放光され、その光路上に位置するホト
ダイオード６に光起電力を生じさせる。
ント３が貼着されており、このサブマウント３にはレー
ザーダイオード４がロウ付けされている。このレーザー
ダイオード４はシリコンのサブマウント３を一方の電極
としており、レーザーダイオード４の他方の電極はボン
ディングワイヤを介して外部リード５に接続されている
。前述の基台１にはモニター用のホトダイオード６がサ
ブマウント３から離隔して固定されており、ホトダイオ
ードの一方の電極はボンディングワイヤを介して外部リ
ード７に接続されている。レーザーダイオード４の他方
の電極とホトダイオード６の他方の電極は外部リード８
に接続されており、これら外部リード５，７．８は図示
していないプリントボードの配線に接続されている。基
台１は、レーザーダイオード４とホトダイオード６とが
内部空間に封止されるごとくキャップ９に嵌合しており
、キャップ９の頂面には透明なガラス部１０が設けられ
ている。したがって、レーザーダイオード４から放出さ
れるコヒーレント光はガラス部１０を通り外部に放光さ
れると共に、ガラス部１０を通過するコヒーレント光と
は対称の方向にも放光され、その光路上に位置するホト
ダイオード６に光起電力を生じさせる。
第３図はホトダイオード６を用いたレーザーダイオード
４の出力補償回路の一例を示している。
４の出力補償回路の一例を示している。
レーザーダイオード４は電圧源と接地との間にトランジ
スタ１１と共に配設されており、レーザーダイオード４
とトランジスタ１１とは直列に接続されている。一方、
ホトダイオード６は抵抗１２と直列に配設され、電圧源
と接地端子との間に接続されている。ホトダイオード６
と抵抗１２との接続ノード１３は差動増幅器１４の逆相
入力端子に接続されており、差動増幅器１４の正相入力
端子は固定正電圧源に接続されている。差動増幅器１４
の出力端子は前述のトランジスタ１１のゲート端子に接
続されており、レーザーダイオード４とホトダイオード
６とを除く他の素子はプリントボード」二に配置されて
しする。
スタ１１と共に配設されており、レーザーダイオード４
とトランジスタ１１とは直列に接続されている。一方、
ホトダイオード６は抵抗１２と直列に配設され、電圧源
と接地端子との間に接続されている。ホトダイオード６
と抵抗１２との接続ノード１３は差動増幅器１４の逆相
入力端子に接続されており、差動増幅器１４の正相入力
端子は固定正電圧源に接続されている。差動増幅器１４
の出力端子は前述のトランジスタ１１のゲート端子に接
続されており、レーザーダイオード４とホトダイオード
６とを除く他の素子はプリントボード」二に配置されて
しする。
」二記従来例にあっては、レーザーダイオード４に電圧
が印加され、レーザーダイオード４からコヒーレント光
が放光されると、コヒーレント光はキャップ９のガラス
部１０を通り外部に放射され、例えばレーザーディスク
装置の光源として利用される。これに対し、外部に放光
されるコヒーレント光と対称の方向に放光されるコヒー
レント光はホトダイオード６のｐｎ接合近傍に達し光電
流を発生させる。ここで、電源電圧や温度が安定してい
るとレーザーダイオード４から放光されるコヒーレント
光の強度も一定しているので、ホトダイオード６の光起
電力も一定し、したがって、差動増幅器１４の逆相入力
端子に印加される電圧も変化しない。その結果、トラン
ジスタ１１のベース電圧は一定し、レーザーダイオード
４に印加される電圧も一定することから、レーザーダイ
オード４は引き続き一定の強度でコヒーレント光を放光
する。ところが、電源電圧や温度の変動はレーザ一光出
力に影響を与える。例えば電圧がわずかに上昇すると、
コヒーレント光の強度が増し、ホトダイオード６の光起
電力が増加する。そのため、接続ノード１３の電圧が上
昇し、差動増幅器１４の出力電圧は低下する。したがっ
て、トランジスタ１１のコレクタ電流が減少し、レーザ
ーダイオード４に印加される電圧も減少する。このよう
にホトダイオード６はレーザー出力の変動を検知し、レ
ーザーダイオード４に印加される電圧を制御してレーザ
ー出力を一定に維持するよう機能する。
が印加され、レーザーダイオード４からコヒーレント光
が放光されると、コヒーレント光はキャップ９のガラス
部１０を通り外部に放射され、例えばレーザーディスク
装置の光源として利用される。これに対し、外部に放光
されるコヒーレント光と対称の方向に放光されるコヒー
レント光はホトダイオード６のｐｎ接合近傍に達し光電
流を発生させる。ここで、電源電圧や温度が安定してい
るとレーザーダイオード４から放光されるコヒーレント
光の強度も一定しているので、ホトダイオード６の光起
電力も一定し、したがって、差動増幅器１４の逆相入力
端子に印加される電圧も変化しない。その結果、トラン
ジスタ１１のベース電圧は一定し、レーザーダイオード
４に印加される電圧も一定することから、レーザーダイ
オード４は引き続き一定の強度でコヒーレント光を放光
する。ところが、電源電圧や温度の変動はレーザ一光出
力に影響を与える。例えば電圧がわずかに上昇すると、
コヒーレント光の強度が増し、ホトダイオード６の光起
電力が増加する。そのため、接続ノード１３の電圧が上
昇し、差動増幅器１４の出力電圧は低下する。したがっ
て、トランジスタ１１のコレクタ電流が減少し、レーザ
ーダイオード４に印加される電圧も減少する。このよう
にホトダイオード６はレーザー出力の変動を検知し、レ
ーザーダイオード４に印加される電圧を制御してレーザ
ー出力を一定に維持するよう機能する。
〈発明の解決しようとする問題点〉
したがって、レーザーダイオード４の光出力を厳密に一
定に維持しなければならない回路においては、レーザー
ダイオード４をホトダイオード６と組み合わせて使用す
ることが欠かせず、ホトダイオード６をレーザーダイオ
ード４と正確な相対位置関係を保持して基台１に固定し
なければならない。ところが、ホトダイオード６とレー
ザーダイオード４とを正確な相対位置関係を保持して基
４一 台１に固定するには、高価な装置を必要とするうえ、そ
のための工程も必要なので、製造原価が上昇するという
問題点があった。
定に維持しなければならない回路においては、レーザー
ダイオード４をホトダイオード６と組み合わせて使用す
ることが欠かせず、ホトダイオード６をレーザーダイオ
ード４と正確な相対位置関係を保持して基台１に固定し
なければならない。ところが、ホトダイオード６とレー
ザーダイオード４とを正確な相対位置関係を保持して基
４一 台１に固定するには、高価な装置を必要とするうえ、そ
のための工程も必要なので、製造原価が上昇するという
問題点があった。
加えて、基台１とキャップ９とで画成される空間にレー
ザーダイオード４とホトダイオード６とを別個に取り付
けると、取付位置の微妙な変化に伴い、ホトダイオード
６への直接光量とサブマウント３で反射される反射光量
とが変化し、半導体レーザー装置ごとに抵抗１２、また
は差動増幅器１４の固定電圧を調整しなければならない
という問題点もあった。
ザーダイオード４とホトダイオード６とを別個に取り付
けると、取付位置の微妙な変化に伴い、ホトダイオード
６への直接光量とサブマウント３で反射される反射光量
とが変化し、半導体レーザー装置ごとに抵抗１２、また
は差動増幅器１４の固定電圧を調整しなければならない
という問題点もあった。
〈問題点を解決するための手段〉
この発明は上記従来例の問題点に鑑み、ホトダイオード
を第１導電型の半導体基板に第２導電型の不純物を導入
して形成すると共に、前記第１導電型の半導体基板を前
記レーザーダイオードの電流通路とすることにより、レ
ーザーダイオードとホトダイオードとの相対位置関係を
半導体製造工程を通して一様に固定するようにしたこと
を要旨とする。
を第１導電型の半導体基板に第２導電型の不純物を導入
して形成すると共に、前記第１導電型の半導体基板を前
記レーザーダイオードの電流通路とすることにより、レ
ーザーダイオードとホトダイオードとの相対位置関係を
半導体製造工程を通して一様に固定するようにしたこと
を要旨とする。
〈実施例〉
第１図は本発明の一実施例の平面図であり、２１はｎ型
の半導体基板を示している。この半導体基板２１にはｐ
型の不純物が拡散されてｐ型の不純物領域２２．２３が
形成されている。不純物領域２２は半導体基板２１と共
にホトダイオード２４を形成しており、不純物領域２３
は半導体基板２１と共に保護ダイオード２５を形成して
いる。
の半導体基板を示している。この半導体基板２１にはｐ
型の不純物が拡散されてｐ型の不純物領域２２．２３が
形成されている。不純物領域２２は半導体基板２１と共
にホトダイオード２４を形成しており、不純物領域２３
は半導体基板２１と共に保護ダイオード２５を形成して
いる。
半導体基板２１０表面は正確にパターン形成された二酸
化シリコン膜２６で被われており、不純物領域２２．２
３は二酸化シリコン膜２６に穿設されたコンタクトホー
ル２７，２８を介して二酸化シリコン膜２６」二にパタ
ーン形成された電極２９゜３０に接続されている。二酸
化シリコン膜２６に被われていない半導体基板２】の表
面にはレーザーダイオード３１がロウ付けされている。
化シリコン膜２６で被われており、不純物領域２２．２
３は二酸化シリコン膜２６に穿設されたコンタクトホー
ル２７，２８を介して二酸化シリコン膜２６」二にパタ
ーン形成された電極２９゜３０に接続されている。二酸
化シリコン膜２６に被われていない半導体基板２】の表
面にはレーザーダイオード３１がロウ付けされている。
レーザーダイオード３１と電極３０とはボンディングワ
イヤ３２で接続されており、電極２９．３０は、ボンデ
ィングワイヤ３３ａ、３３ｂにより図示していない外部
リードに接続されている。半導体基板２］は、ヒートシ
ンクに貼着されており、このヒートシンクは基台に固定
されている。基台は、１１４導体基板２１が内部空間に
封止されるごとくキャップに嵌合しており、キャップの
頂面には透明なガラス部が設けられている。したがって
、レーザーダイオード３１から放出されるコヒーレント
光はガラス部を通り外部に放光される。
イヤ３２で接続されており、電極２９．３０は、ボンデ
ィングワイヤ３３ａ、３３ｂにより図示していない外部
リードに接続されている。半導体基板２］は、ヒートシ
ンクに貼着されており、このヒートシンクは基台に固定
されている。基台は、１１４導体基板２１が内部空間に
封止されるごとくキャップに嵌合しており、キャップの
頂面には透明なガラス部が設けられている。したがって
、レーザーダイオード３１から放出されるコヒーレント
光はガラス部を通り外部に放光される。
次に、半導体レーザー装置の製造工程を第６図を参照し
つつ説明すれば以下の通りである。まず、ｎ型の半導体
基板２１の表面を熱酸化して二酸化シリコン膜４１を成
長させ（第６図（ａ））、この二酸化シリコン膜４１を
リソグラフィー技術でパターン形成し、ｐ型の不純物を
拡散し不純物領域２３を形成する（第６図（ｂ））。次
に、再び二酸化シリコン膜４］−をリソグラフィー技術
でパターン形成し、ｐ型の不純物を拡散し不純物領域２
２を形成する（第６図（Ｃ））。次に、二酸化シリコン
膜４１で再び基板２１の表面を被い、コンタクトホール
を穿設しく第６図（ｄ））、アルミニウムを被着した後
これをパターン形成して電極２９．３０を形成する。次
に、リソグラフィー技術により二酸化シリコン膜４１を
パターン形成してレーザーダイオード３１の取付位置を
決定しく第６図（ｅ））、ロウ付は用金属をリソグラフ
ィー技術でパターン付けした後、レーザーダイオード３
１を半導体基板２１にロウ付けする（第６図（ｆ））。
つつ説明すれば以下の通りである。まず、ｎ型の半導体
基板２１の表面を熱酸化して二酸化シリコン膜４１を成
長させ（第６図（ａ））、この二酸化シリコン膜４１を
リソグラフィー技術でパターン形成し、ｐ型の不純物を
拡散し不純物領域２３を形成する（第６図（ｂ））。次
に、再び二酸化シリコン膜４］−をリソグラフィー技術
でパターン形成し、ｐ型の不純物を拡散し不純物領域２
２を形成する（第６図（Ｃ））。次に、二酸化シリコン
膜４１で再び基板２１の表面を被い、コンタクトホール
を穿設しく第６図（ｄ））、アルミニウムを被着した後
これをパターン形成して電極２９．３０を形成する。次
に、リソグラフィー技術により二酸化シリコン膜４１を
パターン形成してレーザーダイオード３１の取付位置を
決定しく第６図（ｅ））、ロウ付は用金属をリソグラフ
ィー技術でパターン付けした後、レーザーダイオード３
１を半導体基板２１にロウ付けする（第６図（ｆ））。
上記実施例に係る半導体レーザー装置は、第３ 。
図に示されている回路の構成要素として使用され、定出
力レーザーダイオード３１として機能する。
力レーザーダイオード３１として機能する。
ここで、レーザーダイオード３１はコヒーレント光をレ
ーザーディスク装置に供給すると共に、ホトダイオード
２４にも供給し、従来例に関し説明したようにレーザー
ダイオード３１の定出力化に寄与する。ホトダイオード
２４は半導体基板２１の所定位置に形成されおり、レー
ザーダイオード３１も半導体基板２１上の所定位置に固
定されているので、レーザーダイオード３１とホトダイ
オ一ド２４との相対位置を正確に定めることができ、ホ
トダイオード２４をレーザーダイオード３１から放光さ
れるコヒーレント光の光路上に設置することにより、ホ
トダイオード２４の光起電力を厳密に一定にすることが
できる。
ーザーディスク装置に供給すると共に、ホトダイオード
２４にも供給し、従来例に関し説明したようにレーザー
ダイオード３１の定出力化に寄与する。ホトダイオード
２４は半導体基板２１の所定位置に形成されおり、レー
ザーダイオード３１も半導体基板２１上の所定位置に固
定されているので、レーザーダイオード３１とホトダイ
オ一ド２４との相対位置を正確に定めることができ、ホ
トダイオード２４をレーザーダイオード３１から放光さ
れるコヒーレント光の光路上に設置することにより、ホ
トダイオード２４の光起電力を厳密に一定にすることが
できる。
また、上記実施例ではレーザーダイオード３１と並列に
保護ダイオード２５が配設されているので、半導体基板
２１が人体に触れ、レーザーダイオード３１に静電気が
印加されても、静電気は保護ダイオード２５を通って流
れるので、レーザーダイオード３１を破壊から守ること
ができる。
保護ダイオード２５が配設されているので、半導体基板
２１が人体に触れ、レーザーダイオード３１に静電気が
印加されても、静電気は保護ダイオード２５を通って流
れるので、レーザーダイオード３１を破壊から守ること
ができる。
さらに、上記実施例では半導体基板２１にダイオードを
形成したが、半導体基板２１には第３図に示したトラン
ジスタ１１も形成することもでき、さらに、抵抗１２を
形成してもよい。抵抗１２は半導体基板２１に拡散抵抗
層として形成してもよいが、電極２９をポリシリコンで
形成し、ポリシリコンに導入する不純物量を調整して所
定の抵抗値を得るようにしてもよい。
形成したが、半導体基板２１には第３図に示したトラン
ジスタ１１も形成することもでき、さらに、抵抗１２を
形成してもよい。抵抗１２は半導体基板２１に拡散抵抗
層として形成してもよいが、電極２９をポリシリコンで
形成し、ポリシリコンに導入する不純物量を調整して所
定の抵抗値を得るようにしてもよい。
〈効果〉
以上説明してきたように、この発明によれば、ホトダイ
オードを第１導電型の半導体基板に第２導電型の不純物
を導入して形成すると共に、前記第１導電型の半導体基
板を前記レーザーダイオードの一方の電極とすることに
より、レーザーダイオードとホトダイオードとの相対位
置関係を半導体製造工程を通して一様に固定するように
したので、半導体レーザー装置の組み立てを簡略化する
ことができ、製造原価の低下を図ることができるうえ、
反射光の影響が少なく、かつ、一定な半導体レーザー装
置を構成できるという効果が得られる。
オードを第１導電型の半導体基板に第２導電型の不純物
を導入して形成すると共に、前記第１導電型の半導体基
板を前記レーザーダイオードの一方の電極とすることに
より、レーザーダイオードとホトダイオードとの相対位
置関係を半導体製造工程を通して一様に固定するように
したので、半導体レーザー装置の組み立てを簡略化する
ことができ、製造原価の低下を図ることができるうえ、
反射光の影響が少なく、かつ、一定な半導体レーザー装
置を構成できるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は従来例の
斜視図、第３図は半導体レーザー装置の電気回路図、第
４図（ａ）乃至（ｆ）は一実施例の製造工程を示す第１
図のＶｌ−ｖ＋矢視断面図である。 ２１・・・・・・・半導体基板、 ２２・・・・・・・不純物領域 ２４・・・・・・・ホトダイオード、 ３１・・・・・・・レーザーダイオード。 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁
理士 桑 井 清 −第２図 第３図 第４図 （Ｃ） （ｄ） 第４図 （ｆ） 第４図
斜視図、第３図は半導体レーザー装置の電気回路図、第
４図（ａ）乃至（ｆ）は一実施例の製造工程を示す第１
図のＶｌ−ｖ＋矢視断面図である。 ２１・・・・・・・半導体基板、 ２２・・・・・・・不純物領域 ２４・・・・・・・ホトダイオード、 ３１・・・・・・・レーザーダイオード。 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁
理士 桑 井 清 −第２図 第３図 第４図 （Ｃ） （ｄ） 第４図 （ｆ） 第４図
Claims (1)
- レーザーダイオードと該レーザーダイオードの発光の強
度を監視するホトダイオードとを有するレーザーダイオ
ード装置において、前記ホトダイオードを第１導電型の
半導体基板に第２導電型の不純物を導入して形成すると
共に、前記第１導電型の半導体基板を前記レーザーダイ
オードの電流通路としたことを特徴とする半導体レーザ
ー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21067985A JP2592235B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21067985A JP2592235B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体レーザー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269693A true JPS6269693A (ja) | 1987-03-30 |
| JP2592235B2 JP2592235B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=16593312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21067985A Expired - Lifetime JP2592235B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2592235B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006228904A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Sanken Electric Co Ltd | 複合半導体装置 |
| WO2013038921A1 (ja) * | 2011-09-14 | 2013-03-21 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置および光装置 |
| US8660162B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-02-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and optical apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5147665U (ja) * | 1974-10-05 | 1976-04-08 | ||
| JPS55145386A (en) * | 1979-04-30 | 1980-11-12 | Xerox Corp | Hybrid semiconductor laser*detector |
| JPS61182291A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Toshiba Corp | 集積化半導体レ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP21067985A patent/JP2592235B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5147665U (ja) * | 1974-10-05 | 1976-04-08 | ||
| JPS55145386A (en) * | 1979-04-30 | 1980-11-12 | Xerox Corp | Hybrid semiconductor laser*detector |
| JPS61182291A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Toshiba Corp | 集積化半導体レ−ザ装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006228904A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Sanken Electric Co Ltd | 複合半導体装置 |
| JP4697397B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2011-06-08 | サンケン電気株式会社 | 複合半導体装置 |
| US8660162B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-02-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and optical apparatus |
| WO2013038921A1 (ja) * | 2011-09-14 | 2013-03-21 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置および光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2592235B2 (ja) | 1997-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR19990076727A (ko) | 광전자 센서 부품 | |
| US20110031509A1 (en) | Led module and lighting device using the same | |
| GB2131607A (en) | Semiconductor laser device | |
| GB1483849A (en) | Semiconductor laser device equipped with a silicon heat sink | |
| EP0762567B1 (en) | Temperature-controlled semiconductor laser apparatus and temperature control method therefor | |
| JP2592235B2 (ja) | 半導体レーザー装置 | |
| US5920106A (en) | Semiconductor device and method for producing the same | |
| US5150189A (en) | Semiconductor apparatus | |
| US20030173569A1 (en) | Receiving optics and photosemiconductor device having the same | |
| US5172207A (en) | Semiconductor wafer to be etched electrochemically | |
| JPH01117375A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002185069A (ja) | 受光素子及びそれを備える光半導体装置 | |
| JPS58199573A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06163981A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5821889A (ja) | 半導体組立構造 | |
| JP3831631B2 (ja) | 受光素子及びそれを備える光半導体装置 | |
| JPH01115170A (ja) | 入射位置検出用半導体装置 | |
| JP3877561B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2005064483A (ja) | 発光モジュール | |
| JPH0677604A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6015987A (ja) | 発光素子 | |
| KR950000960B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| JPS6321875B2 (ja) | ||
| JPH06103780B2 (ja) | レーザダイオードユニットの製造方法 | |
| JPS5858785A (ja) | 半導体レ−ザ−装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |