JP2001345507A - 半導体レーザおよび光ピックアップ - Google Patents
半導体レーザおよび光ピックアップInfo
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 用途に応じてＬＤチップとＰＤとの接続構造
を、いわゆるＭタイプ、Ｐタイプ、Ｎタイプなどのいず
れの構造でも自由に製造し得ると共に、絶縁膜による容
量の問題を生じさせないで、高周波特性を劣化させず
に、さらに小形化し得る半導体レーザを提供する。 【解決手段】 金属製のヒートシンク１１上に、ＡｌＮ
やＳｉＣなどの熱伝導率が大きい絶縁体からなり、平面
形状がほぼ長方形状のサブマウント２が設けられてい
る。このサブマウント２の表面には、長方形の長辺方向
に半分より大きい部分と残部とに分離して、第１および
第２のメタル層２１、２２が設けられ、第１のメタル層
２１上にＬＤチップ３が設けられ、ＬＤチップ３の出射
面の後ろ側におけるヒートシンク１１上に、サブマウン
ト２と並置してＰＤ４が設けられ、そのＰＤ４の高さＨ
Pがサブマウント２の高さＨS以下に形成されている。
を、いわゆるＭタイプ、Ｐタイプ、Ｎタイプなどのいず
れの構造でも自由に製造し得ると共に、絶縁膜による容
量の問題を生じさせないで、高周波特性を劣化させず
に、さらに小形化し得る半導体レーザを提供する。 【解決手段】 金属製のヒートシンク１１上に、ＡｌＮ
やＳｉＣなどの熱伝導率が大きい絶縁体からなり、平面
形状がほぼ長方形状のサブマウント２が設けられてい
る。このサブマウント２の表面には、長方形の長辺方向
に半分より大きい部分と残部とに分離して、第１および
第２のメタル層２１、２２が設けられ、第１のメタル層
２１上にＬＤチップ３が設けられ、ＬＤチップ３の出射
面の後ろ側におけるヒートシンク１１上に、サブマウン
ト２と並置してＰＤ４が設けられ、そのＰＤ４の高さＨ
Pがサブマウント２の高さＨS以下に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ（コンパクト
ディスク）、ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）、ＬＢ
Ｐ（レーザビームプリンタ）、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのピ
ックアップ用光源に用いるのにとくに適した、半導体レ
ーザおよびそれを用いた光ピックアップに関する。さら
に詳しくは、用途に応じてレーザダイオードとモニター
用の受光素子との接続構造が変る場合でも対応できる構
造のサブマウントを有する半導体レーザおよびそれを用
いた光ピックアップに関する。
ディスク）、ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）、ＬＢ
Ｐ（レーザビームプリンタ）、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのピ
ックアップ用光源に用いるのにとくに適した、半導体レ
ーザおよびそれを用いた光ピックアップに関する。さら
に詳しくは、用途に応じてレーザダイオードとモニター
用の受光素子との接続構造が変る場合でも対応できる構
造のサブマウントを有する半導体レーザおよびそれを用
いた光ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ピックアップなどに装着する半
導体レーザは、たとえば図６（ａ）にキャンタイプの例
が示されるように、ステム１と一体のヒートシンク（金
属ステム）１１にレーザチップ３を直接ダイボンディン
グし、その後方にＬＤチップ３がダイボンディングされ
る面と異なる面（レーザチップ３側に対向する成分を有
する面）に受光素子（ＰＤ）４がマウントされるタイ
プ、図６（ｂ）に示されるように、Ｓｉサブマウント２
を使用し、ＰＤ４はＬＤチップ３後方にＬＤチップと異
なる面にマウントするタイプ、図６（ｃ）に示されるよ
うに、Ｓｉサブマウント２を使用してＰＤ４はサブマウ
ント２の表面側に作り込まれるタイプとがある。なお、
図６において、１２はＬＤチップ３とＰＤ４との、それ
ぞれの一方の電極が接続されるコモンリード、１３およ
び図には現れない１４はそれぞれＬＤチップ用およびＰ
Ｄ用のリード、５はキャップを示す仮想線である。
導体レーザは、たとえば図６（ａ）にキャンタイプの例
が示されるように、ステム１と一体のヒートシンク（金
属ステム）１１にレーザチップ３を直接ダイボンディン
グし、その後方にＬＤチップ３がダイボンディングされ
る面と異なる面（レーザチップ３側に対向する成分を有
する面）に受光素子（ＰＤ）４がマウントされるタイ
プ、図６（ｂ）に示されるように、Ｓｉサブマウント２
を使用し、ＰＤ４はＬＤチップ３後方にＬＤチップと異
なる面にマウントするタイプ、図６（ｃ）に示されるよ
うに、Ｓｉサブマウント２を使用してＰＤ４はサブマウ
ント２の表面側に作り込まれるタイプとがある。なお、
図６において、１２はＬＤチップ３とＰＤ４との、それ
ぞれの一方の電極が接続されるコモンリード、１３およ
び図には現れない１４はそれぞれＬＤチップ用およびＰ
Ｄ用のリード、５はキャップを示す仮想線である。
【０００３】図６（ａ）に示される例は、ステムと一体
のヒートシンク１１に直接ＬＤチップ３をマウントする
構造であり、ヒートシンク１１にパターンを形成してパ
ターン付けすることができないため、ダイボンディング
剤が這い上がりやすく、ＬＤチップ３をフェースダウン
でマウントすることができない（ＬＤチップ３の基板側
を下にしてマウントしなければならない）。しかし、Ｌ
Ｄチップ３の基板であるＧａＡｓなどは熱伝導率が小さ
く、温度特性が悪くなるという問題がある。また、ＰＤ
４がＬＤチップ３側を向くようにマウントされると、ヒ
ートシンクに傾斜面を形成しなければならないと共に、
スペースを多く必要として小形化を図ることができな
い。さらに、ワイヤボンディングする際に、ＬＤチップ
３の面とＰＤ４の面とが異なり、一度にワイヤボンディ
ングをすることができないという問題がある。
のヒートシンク１１に直接ＬＤチップ３をマウントする
構造であり、ヒートシンク１１にパターンを形成してパ
ターン付けすることができないため、ダイボンディング
剤が這い上がりやすく、ＬＤチップ３をフェースダウン
でマウントすることができない（ＬＤチップ３の基板側
を下にしてマウントしなければならない）。しかし、Ｌ
Ｄチップ３の基板であるＧａＡｓなどは熱伝導率が小さ
く、温度特性が悪くなるという問題がある。また、ＰＤ
４がＬＤチップ３側を向くようにマウントされると、ヒ
ートシンクに傾斜面を形成しなければならないと共に、
スペースを多く必要として小形化を図ることができな
い。さらに、ワイヤボンディングする際に、ＬＤチップ
３の面とＰＤ４の面とが異なり、一度にワイヤボンディ
ングをすることができないという問題がある。
【０００４】また、図６（ｂ）に示される構造では、サ
ブマウント２のシリコンが導電性であるため、極性反転
のためには、通常ＳｉＯ2などの絶縁膜がその表面に設
けられる。すなわち、たとえば光ディスク関係の半導体
レーザには、ＬＤとＰＤのカソード側を共通にして用い
る、いわゆる両電源タイプ（以下、Ｍタイプという）
が、ＬＢＰ、センサ、バーコード用などの半導体レーザ
には、ＬＤのカソードとＰＤのアノードを接続する、い
わゆる（＋）片電源タイプ（以下、Ｐタイプという）
か、ＬＤのアノードとＰＤのカソードを接続する、いわ
ゆる（−）片電源タイプ（以下、Ｎタイプという）が用
いられる。そのため、用途に応じて接続を変えるために
は、サブマウントが導電性であると所望の接続関係が得
られず、表面に絶縁膜を設ける必要がある。しかし、Ｓ
ｉＯ2は熱伝導率が悪くＬＤの温度特性が劣化すると共
に、絶縁膜の両面が電極パターンとＳｉで導電性である
ため、容量が形成され、とくに高周波特性が低下すると
いう問題がある。また、ＰＤ４をＬＤチップ３と異なる
面に設けることに関する問題は、図６（ａ）の構造と同
様である。
ブマウント２のシリコンが導電性であるため、極性反転
のためには、通常ＳｉＯ2などの絶縁膜がその表面に設
けられる。すなわち、たとえば光ディスク関係の半導体
レーザには、ＬＤとＰＤのカソード側を共通にして用い
る、いわゆる両電源タイプ（以下、Ｍタイプという）
が、ＬＢＰ、センサ、バーコード用などの半導体レーザ
には、ＬＤのカソードとＰＤのアノードを接続する、い
わゆる（＋）片電源タイプ（以下、Ｐタイプという）
か、ＬＤのアノードとＰＤのカソードを接続する、いわ
ゆる（−）片電源タイプ（以下、Ｎタイプという）が用
いられる。そのため、用途に応じて接続を変えるために
は、サブマウントが導電性であると所望の接続関係が得
られず、表面に絶縁膜を設ける必要がある。しかし、Ｓ
ｉＯ2は熱伝導率が悪くＬＤの温度特性が劣化すると共
に、絶縁膜の両面が電極パターンとＳｉで導電性である
ため、容量が形成され、とくに高周波特性が低下すると
いう問題がある。また、ＰＤ４をＬＤチップ３と異なる
面に設けることに関する問題は、図６（ａ）の構造と同
様である。
【０００５】さらに、図６（ｃ）に示される構造では、
ＬＤチップ３のボンディング面とＰＤ４のボンディング
面とが同一面であるため、ダイボンディングおよびワイ
ヤボンディングは容易であると共に、小形化はしやすい
が、図６（ｂ）の構造と同様に、絶縁膜による熱伝導の
低下、容量の発生に伴う高周波特性の低下などの問題が
ある。この構造では、サブマウント２にＬＤチップ３を
ダイボンディングした状態の平面説明図および側面説明
図が図７に示されるように、Ｓｉサブマウント２の表面
に設けられるＳｉＯ2などの絶縁膜２４を介してメタル
層２５が設けられ、その上に導電性接着剤２６によりＬ
Ｄチップ３がボンディングされ、メタル層２５はサブマ
ウント２の側部のワイヤボンディングパッド２５ａを経
て、ＰＤ４の後ろ側にプローブ用パッド２５ｂが形成さ
れている。なお、このサブマウント２の大きさは、縦Ｃ
×横Ｄが、たとえば０.６ｍｍ×０.５ｍｍ程度である。
ＬＤチップ３のボンディング面とＰＤ４のボンディング
面とが同一面であるため、ダイボンディングおよびワイ
ヤボンディングは容易であると共に、小形化はしやすい
が、図６（ｂ）の構造と同様に、絶縁膜による熱伝導の
低下、容量の発生に伴う高周波特性の低下などの問題が
ある。この構造では、サブマウント２にＬＤチップ３を
ダイボンディングした状態の平面説明図および側面説明
図が図７に示されるように、Ｓｉサブマウント２の表面
に設けられるＳｉＯ2などの絶縁膜２４を介してメタル
層２５が設けられ、その上に導電性接着剤２６によりＬ
Ｄチップ３がボンディングされ、メタル層２５はサブマ
ウント２の側部のワイヤボンディングパッド２５ａを経
て、ＰＤ４の後ろ側にプローブ用パッド２５ｂが形成さ
れている。なお、このサブマウント２の大きさは、縦Ｃ
×横Ｄが、たとえば０.６ｍｍ×０.５ｍｍ程度である。
【０００６】このプローブ用パッド２５ｂは、ＬＤチッ
プ３をダイボンディングした後に、ボンディングなどに
よる不良品を除外するため、ヒートシンクにマウントす
る前にその電気的特性を測定するため設けられている。
なお、図７において、２７はＰＤ４のワイヤボンディン
グパッド、２８は共通電極メタル層、６はワイヤをそれ
ぞれ示す。このサブマウントは図７（ｂ）に示されるよ
うに、導電性接着剤２９により金属性のヒートシンク１
１に接着され、共通電極メタル層２８は、図７（ｂ）に
直線と矢印で示されるように、Ｓｉサブマウント２を介
して、ヒートシンク１１に電気的に接続されている。
プ３をダイボンディングした後に、ボンディングなどに
よる不良品を除外するため、ヒートシンクにマウントす
る前にその電気的特性を測定するため設けられている。
なお、図７において、２７はＰＤ４のワイヤボンディン
グパッド、２８は共通電極メタル層、６はワイヤをそれ
ぞれ示す。このサブマウントは図７（ｂ）に示されるよ
うに、導電性接着剤２９により金属性のヒートシンク１
１に接着され、共通電極メタル層２８は、図７（ｂ）に
直線と矢印で示されるように、Ｓｉサブマウント２を介
して、ヒートシンク１１に電気的に接続されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、ＰＤを
ＬＤチップの後でＬＤチップ側を向くようにマウントす
る構造では、ＰＤをマウントする傾斜面を形成しなけれ
ばならないと共に、ワイヤボンディングを２つの面で行
わなければならないため、作業工数が増大すると共に、
小形化の妨げになるという問題がある。また、Ｓｉサブ
マウントを使用し、そのサブマウントにＰＤを作り込む
タイプでは、前述のように、その表面に絶縁膜を設ける
必要があるが、その絶縁膜の熱伝導率の低下や容量の形
成に伴う高周波特性の劣化などの問題がある。
ＬＤチップの後でＬＤチップ側を向くようにマウントす
る構造では、ＰＤをマウントする傾斜面を形成しなけれ
ばならないと共に、ワイヤボンディングを２つの面で行
わなければならないため、作業工数が増大すると共に、
小形化の妨げになるという問題がある。また、Ｓｉサブ
マウントを使用し、そのサブマウントにＰＤを作り込む
タイプでは、前述のように、その表面に絶縁膜を設ける
必要があるが、その絶縁膜の熱伝導率の低下や容量の形
成に伴う高周波特性の劣化などの問題がある。
【０００８】一方、サブマウントとＰＤとを別部品で形
成して、横に並べようとすると、前述の図７に示される
ように、通常サブマウント２表面のレーザチップ３の後
方には、ＬＤチップ３の電気的特性を測定するためのプ
ローブ用パッド２６が設けられている。そのため、従来
構造によるサブマウント２の後ろに、別部品のＰＤを設
けるためには、前述の図６（ａ）〜（ｂ）に示されるよ
うに、ある程度ＬＤチップ３の方にＰＤ４を対向させて
設けないと感度が充分に得られず、ＬＤチップ３の方に
向けると、ＬＤチップ３とＰＤ４のボンディング面が異
なり、ワイヤボンディングが煩雑になるという問題があ
る。
成して、横に並べようとすると、前述の図７に示される
ように、通常サブマウント２表面のレーザチップ３の後
方には、ＬＤチップ３の電気的特性を測定するためのプ
ローブ用パッド２６が設けられている。そのため、従来
構造によるサブマウント２の後ろに、別部品のＰＤを設
けるためには、前述の図６（ａ）〜（ｂ）に示されるよ
うに、ある程度ＬＤチップ３の方にＰＤ４を対向させて
設けないと感度が充分に得られず、ＬＤチップ３の方に
向けると、ＬＤチップ３とＰＤ４のボンディング面が異
なり、ワイヤボンディングが煩雑になるという問題があ
る。
【０００９】本発明はこのような問題を解決し、用途に
応じてＬＤチップとＰＤとの接続構造が、前述のいわゆ
るＭタイプ、Ｐタイプ、Ｎタイプのいずれの構造でも自
由に製造し得ると共に、絶縁膜による容量の問題を生じ
させないで、高周波特性を劣化させずに、さらに小形化
し得る半導体レーザを提供することを目的とする。
応じてＬＤチップとＰＤとの接続構造が、前述のいわゆ
るＭタイプ、Ｐタイプ、Ｎタイプのいずれの構造でも自
由に製造し得ると共に、絶縁膜による容量の問題を生じ
させないで、高周波特性を劣化させずに、さらに小形化
し得る半導体レーザを提供することを目的とする。
【００１０】本発明の他の目的は、光ディスクなどに用
いるこができる高性能な光ピックアップを提供すること
にある。
いるこができる高性能な光ピックアップを提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前述の問題
を解決するため、鋭意検討を重ねた結果、サブマウント
におけるプローブ用電極パッドとして、ワイヤボンディ
ング部分を用いても、プローブ電極にその先端が尖鋭な
ものを使用しない限り、ワイヤボンディング部に傷をつ
けてワイヤボンディングの信頼性を損なうことはないこ
とを見出し、プローブ用電極パッドとワイヤボンディン
部とを共用することにより、レーザチップ後方のサブマ
ウントを殆どなくすることができ、すぐ後ろにレーザチ
ップと同じ向きに受光素子を並べて配設しても、充分に
モニター用の受光感度が得られることを見出した。
を解決するため、鋭意検討を重ねた結果、サブマウント
におけるプローブ用電極パッドとして、ワイヤボンディ
ング部分を用いても、プローブ電極にその先端が尖鋭な
ものを使用しない限り、ワイヤボンディング部に傷をつ
けてワイヤボンディングの信頼性を損なうことはないこ
とを見出し、プローブ用電極パッドとワイヤボンディン
部とを共用することにより、レーザチップ後方のサブマ
ウントを殆どなくすることができ、すぐ後ろにレーザチ
ップと同じ向きに受光素子を並べて配設しても、充分に
モニター用の受光感度が得られることを見出した。
【００１２】本発明による半導体レーザは、金属製のヒ
ートシンクと、該ヒートシンク上に設けられ、絶縁体か
らなる平面形状がほぼ長方形のサブマウントと、該サブ
マウント表面に前記長方形の長辺方向に半分より大きい
部分と残部とに分離して設けられる第１および第２のメ
タル層と、前記第１のメタル層上で、前記サブマウント
の前記長辺の一辺側がレーザ光の出射面側となるよう
に、該長辺方向のほぼ中央部に設けられるレーザチップ
（ＬＤチップ）と、該ＬＤチップの両電極を前記第１お
よび第２のメタル層とそれぞれ電気的に接続する接続手
段と、前記ＬＤチップの出射面の後ろ側における前記ヒ
ートシンク上に前記サブマウントと並置して設けられる
受光素子（ＰＤ）とからなり、該ＰＤの高さが前記サブ
マウントの高さ以下に形成されている。
ートシンクと、該ヒートシンク上に設けられ、絶縁体か
らなる平面形状がほぼ長方形のサブマウントと、該サブ
マウント表面に前記長方形の長辺方向に半分より大きい
部分と残部とに分離して設けられる第１および第２のメ
タル層と、前記第１のメタル層上で、前記サブマウント
の前記長辺の一辺側がレーザ光の出射面側となるよう
に、該長辺方向のほぼ中央部に設けられるレーザチップ
（ＬＤチップ）と、該ＬＤチップの両電極を前記第１お
よび第２のメタル層とそれぞれ電気的に接続する接続手
段と、前記ＬＤチップの出射面の後ろ側における前記ヒ
ートシンク上に前記サブマウントと並置して設けられる
受光素子（ＰＤ）とからなり、該ＰＤの高さが前記サブ
マウントの高さ以下に形成されている。
【００１３】ここにほぼ長方形とは、主要部の形状が長
方形であることを意味し、一端部または両端部に突起部
が設けられたり、中央部に凹部が形成されることにより
両端部が長くされている場合には、その端部の長い部分
を除いた形状を意味する。
方形であることを意味し、一端部または両端部に突起部
が設けられたり、中央部に凹部が形成されることにより
両端部が長くされている場合には、その端部の長い部分
を除いた形状を意味する。
【００１４】この構造にすることにより、ＬＤチップ
と、ＰＤとが同一平面にボンディングされるため、ワイ
ヤボンディングは同時に行うことができ、非常に製造工
程が簡単になる。さらに、サブマウントが平面形状で長
方形で、ＬＤチップから出射する光ビームの軸方向が短
くなる構造になっているため、すなわち従来のサブマウ
ントのプローブ用電極パッド部分をなくした構造になっ
ているため、半導体レーザを非常に小さくすることがで
きる。さらに、サブマウントがＬＤチップのマウント部
とその両横のワイヤボンディング部しかない簡単な形状
であるため、サブマウントを１８０°回転させるだけ
で、同様のワイヤボンディングにより、前述のカソード
を共通にするＭタイプと、前述の（−）片電源のＮタイ
プとを製造することができ、また、ＰＤをカソードコモ
ンからアノードコモンに変更するだけで、Ｍタイプと同
様のワイヤボンディングにより、前述の（＋）片電源の
Ｐタイプを製造することができる。
と、ＰＤとが同一平面にボンディングされるため、ワイ
ヤボンディングは同時に行うことができ、非常に製造工
程が簡単になる。さらに、サブマウントが平面形状で長
方形で、ＬＤチップから出射する光ビームの軸方向が短
くなる構造になっているため、すなわち従来のサブマウ
ントのプローブ用電極パッド部分をなくした構造になっ
ているため、半導体レーザを非常に小さくすることがで
きる。さらに、サブマウントがＬＤチップのマウント部
とその両横のワイヤボンディング部しかない簡単な形状
であるため、サブマウントを１８０°回転させるだけ
で、同様のワイヤボンディングにより、前述のカソード
を共通にするＭタイプと、前述の（−）片電源のＮタイ
プとを製造することができ、また、ＰＤをカソードコモ
ンからアノードコモンに変更するだけで、Ｍタイプと同
様のワイヤボンディングにより、前述の（＋）片電源の
Ｐタイプを製造することができる。
【００１５】前記サブマウントの前記出射面と反対側の
前記長辺部の端部に、前記出射面と反対側に延びる突起
部が形成され、該突起部上に前記第１または第２のメタ
ル層が延出して設けられることにより、ワイヤボンディ
ングが２回行われる部分でも充分にワイヤボンディング
のスペースを確保しながら、受光素子をレーザチップに
充分に近づけることができる。なお、突起部は一端部側
だけでも、両端部側に設けられてもよく、長方形状の中
央部に凹部が形成されることにより、コ字型に形成され
てもよい。さらに、出射面側にも同様のコ字型の凹部が
形成される形状にすれば、サブマウントを１８０°回転
させて使用することもできる。
前記長辺部の端部に、前記出射面と反対側に延びる突起
部が形成され、該突起部上に前記第１または第２のメタ
ル層が延出して設けられることにより、ワイヤボンディ
ングが２回行われる部分でも充分にワイヤボンディング
のスペースを確保しながら、受光素子をレーザチップに
充分に近づけることができる。なお、突起部は一端部側
だけでも、両端部側に設けられてもよく、長方形状の中
央部に凹部が形成されることにより、コ字型に形成され
てもよい。さらに、出射面側にも同様のコ字型の凹部が
形成される形状にすれば、サブマウントを１８０°回転
させて使用することもできる。
【００１６】本発明による光ピックアップは、半導体レ
ーザと、該半導体レーザから出射する光と反射して戻る
光とを分離するビームスプリッタと、光ディスク上に前
記半導体レーザからのビームの焦点を結ばせる対物レン
ズと、前記光ディスクからの反射光を前記ビームスプリ
ッタにより分離して検出する光検出器とからなり、前記
半導体レーザが請求項１記載の半導体レーザにより形成
されている。
ーザと、該半導体レーザから出射する光と反射して戻る
光とを分離するビームスプリッタと、光ディスク上に前
記半導体レーザからのビームの焦点を結ばせる対物レン
ズと、前記光ディスクからの反射光を前記ビームスプリ
ッタにより分離して検出する光検出器とからなり、前記
半導体レーザが請求項１記載の半導体レーザにより形成
されている。
【００１７】本発明による光ディスク再生装置は、前記
光ピックアップにディスク回転装置および該光ピックア
ップを移動するスライダ機構がさらに設けられることに
より構成されている。
光ピックアップにディスク回転装置および該光ピックア
ップを移動するスライダ機構がさらに設けられることに
より構成されている。
【００１８】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の半導体レーザについて説明をする。本発明の半導体
レーザは、図１にその一実施形態によるサブマウントと
受光素子部分の平面および側面の説明図が示されるよう
に、金属製のヒートシンク１１上に、サブマウント２が
設けられている。このサブマウント２は、たとえばＡｌ
ＮやＳｉＣなどの熱伝導率が大きい絶縁体からなり、平
面形状がほぼ長方形状に形成されている。このサブマウ
ント２の表面には、長方形の長辺方向に半分より大きい
部分と残部とに分離して、第１および第２のメタル層２
１、２２が設けられている。
明の半導体レーザについて説明をする。本発明の半導体
レーザは、図１にその一実施形態によるサブマウントと
受光素子部分の平面および側面の説明図が示されるよう
に、金属製のヒートシンク１１上に、サブマウント２が
設けられている。このサブマウント２は、たとえばＡｌ
ＮやＳｉＣなどの熱伝導率が大きい絶縁体からなり、平
面形状がほぼ長方形状に形成されている。このサブマウ
ント２の表面には、長方形の長辺方向に半分より大きい
部分と残部とに分離して、第１および第２のメタル層２
１、２２が設けられている。
【００１９】この第１のメタル層２１上で、サブマウン
ト２の長辺の一辺側がレーザ光の出射面側となるように
（図１で、白抜きの矢印ＬＢがレーザビームの出射方向
を示す）、長辺方向のほぼ中央部の第１メタル層２１上
にレーザチップ（ＬＤチップ）３が設けられている。こ
のＬＤチップ３の両電極は、第１および第２のメタル層
２１、２２とそれぞれ導電性接着剤やワイヤボンディン
グなどの接続手段により電気的に接続されている。そし
て、ＬＤチップ３の出射面の後ろ側におけるヒートシン
ク１１上に、サブマウント２と並置して受光素子（Ｐ
Ｄ）４が設けられ、そのＰＤ４の高さＨPがサブマウン
ト２の高さＨS以下に形成されている。
ト２の長辺の一辺側がレーザ光の出射面側となるように
（図１で、白抜きの矢印ＬＢがレーザビームの出射方向
を示す）、長辺方向のほぼ中央部の第１メタル層２１上
にレーザチップ（ＬＤチップ）３が設けられている。こ
のＬＤチップ３の両電極は、第１および第２のメタル層
２１、２２とそれぞれ導電性接着剤やワイヤボンディン
グなどの接続手段により電気的に接続されている。そし
て、ＬＤチップ３の出射面の後ろ側におけるヒートシン
ク１１上に、サブマウント２と並置して受光素子（Ｐ
Ｄ）４が設けられ、そのＰＤ４の高さＨPがサブマウン
ト２の高さＨS以下に形成されている。
【００２０】サブマウント２は、図１に示されるよう
に、平面形状がほぼ長方形で、図２にキャンタイプの半
導体レーザの一部破断斜視図が示されるように、レーザ
ビームＬＢの出射方向と垂直方向にその長辺側が位置す
るようにステム１と一体またはステム１に固定されたヒ
ートシンク１１に図示しないボンディング剤によりボン
ディングされている。サブマウント２は、ＡｌＮやＳｉ
Ｃなどの熱伝導に優れた絶縁体が用いられている。この
サブマウント２の表面には、図１に示されるように、そ
の長辺方向に沿ってほぼ２／３の長さと、ほぼ１／３の
長さに分離して、Ａｕ、Ａｌなどからなる第１および第
２のメタル層２１、２２が設けられている。そして、長
い方の第１メタル層２１上の、サブマウント２の長辺方
向のほぼ中央部で、前述の光ビームＬＢ出射方向側端部
に出射面を有するようにＬＤチップ３がダイボンディン
グされている。
に、平面形状がほぼ長方形で、図２にキャンタイプの半
導体レーザの一部破断斜視図が示されるように、レーザ
ビームＬＢの出射方向と垂直方向にその長辺側が位置す
るようにステム１と一体またはステム１に固定されたヒ
ートシンク１１に図示しないボンディング剤によりボン
ディングされている。サブマウント２は、ＡｌＮやＳｉ
Ｃなどの熱伝導に優れた絶縁体が用いられている。この
サブマウント２の表面には、図１に示されるように、そ
の長辺方向に沿ってほぼ２／３の長さと、ほぼ１／３の
長さに分離して、Ａｕ、Ａｌなどからなる第１および第
２のメタル層２１、２２が設けられている。そして、長
い方の第１メタル層２１上の、サブマウント２の長辺方
向のほぼ中央部で、前述の光ビームＬＢ出射方向側端部
に出射面を有するようにＬＤチップ３がダイボンディン
グされている。
【００２１】このサブマウント２は、たとえば縦Ｃ×横
Ｄが０.３ｍｍ×０.８ｍｍ程度に形成され、従来のよう
な縦長ではなく、横長（幅広）に形成されていることに
特徴がある。この縦方向の長さＣは、ＬＤチップ３の長
さ（たとえば０.２５ｍｍ）程度でもよく、その２〜３
倍程度の長さでもよいが、後述するＰＤ４をできるだけ
ＬＤチップ３に近づけるためには、短い方が好ましい。
一方、図１に示される第２のメタル層２２のように、ワ
イヤボンディングが２回行われる部分では、ＬＤチップ
３長の２倍程度に長くした方がワイヤボンディングを行
いやすい。
Ｄが０.３ｍｍ×０.８ｍｍ程度に形成され、従来のよう
な縦長ではなく、横長（幅広）に形成されていることに
特徴がある。この縦方向の長さＣは、ＬＤチップ３の長
さ（たとえば０.２５ｍｍ）程度でもよく、その２〜３
倍程度の長さでもよいが、後述するＰＤ４をできるだけ
ＬＤチップ３に近づけるためには、短い方が好ましい。
一方、図１に示される第２のメタル層２２のように、ワ
イヤボンディングが２回行われる部分では、ＬＤチップ
３長の２倍程度に長くした方がワイヤボンディングを行
いやすい。
【００２２】この観点からは、サブマウント２の形状
は、完全な長方形状ではなく、図３（ａ）に示されるよ
うに、長辺の端部にレーザ出射面の後ろ側に延びるよう
な突起部を形成して、中央部を短くする形状でもよい。
すなわち、図３（ａ）に示される形状は、４角形の一辺
の中央部に凹部２ａが形成されることにより、両端部に
突起部２ｂが形成されている。この突起部２ｂの長さは
長すぎても構わず、本明細書で長方形状というのは、こ
の突起部２ｂを除いた主要部のことで、図３（ａ）のＡ
で示される範囲の形状を指している。なお、この突起部
２ｂは、両端部に設けられなくても、前述のワイヤボン
ディングが２回行われる側の端部のみに設けられてもよ
い。この突起部２ｂは、その内部にＰＤ４を挿入できる
ようにしてもよいし、ＰＤ４を内部に入れない場合で
も、ＬＤチップ３の後端面から下方に向う光がサブマウ
ントに当らないようにするのに好ましい。
は、完全な長方形状ではなく、図３（ａ）に示されるよ
うに、長辺の端部にレーザ出射面の後ろ側に延びるよう
な突起部を形成して、中央部を短くする形状でもよい。
すなわち、図３（ａ）に示される形状は、４角形の一辺
の中央部に凹部２ａが形成されることにより、両端部に
突起部２ｂが形成されている。この突起部２ｂの長さは
長すぎても構わず、本明細書で長方形状というのは、こ
の突起部２ｂを除いた主要部のことで、図３（ａ）のＡ
で示される範囲の形状を指している。なお、この突起部
２ｂは、両端部に設けられなくても、前述のワイヤボン
ディングが２回行われる側の端部のみに設けられてもよ
い。この突起部２ｂは、その内部にＰＤ４を挿入できる
ようにしてもよいし、ＰＤ４を内部に入れない場合で
も、ＬＤチップ３の後端面から下方に向う光がサブマウ
ントに当らないようにするのに好ましい。
【００２３】ＬＤチップ３は、従来と同様の構造で、た
とえばｎ形のＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｌＰ系化合物
半導体またはＡｌＧａＡｓ系化合物半導体のダブルヘテ
ロ構造からなっており、積層された半導体層の上面側の
電極（たとえばｐ側電極）が第１メタル層２１上に、図
示しない導電性ボンディング剤によりボンディングさ
れ、ＧａＡｓ基板の裏面に設けられる電極（たとえばｎ
側電極）が上部に露出している。図１に示される例で
は、この上部に露出しているｎ側電極が金線などのワイ
ヤ６により第２のメタル層２２と電気的に接続され、第
２のメタル層２２は、さらにワイヤ６により金属製のヒ
ートシンク１１と電気的に接続されている。
とえばｎ形のＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｌＰ系化合物
半導体またはＡｌＧａＡｓ系化合物半導体のダブルヘテ
ロ構造からなっており、積層された半導体層の上面側の
電極（たとえばｐ側電極）が第１メタル層２１上に、図
示しない導電性ボンディング剤によりボンディングさ
れ、ＧａＡｓ基板の裏面に設けられる電極（たとえばｎ
側電極）が上部に露出している。図１に示される例で
は、この上部に露出しているｎ側電極が金線などのワイ
ヤ６により第２のメタル層２２と電気的に接続され、第
２のメタル層２２は、さらにワイヤ６により金属製のヒ
ートシンク１１と電気的に接続されている。
【００２４】ＰＤ４は、たとえばｎ形シリコン基板にノ
ンドープ層とｐ形層とが成長されることにより形成され
るｐｉｎダイオードからなり、ＬＤチップ３で発光する
光を吸収して電気信号に変換し得るように形成されてい
る。このＰＤ４は、ｐｉｎダイオードでなくても、ｐｎ
接合型受光素子またはホトトランジスタでもよく、要は
ＬＤチップ３で発光する光を電気信号に変換できる素子
であればよい。このＰＤ４は、図示しない導電性ボンデ
ィング剤により金属製のヒートシンク１１に直接ボンデ
ィングされることにより、ＰＤのｎ側電極がヒートシン
ク１１を介して、ＬＤチップ３のｎ側電極と共にコモン
リード１２に接続されている。このＰＤ４のボンディン
グ位置は、できるだけサブマウント２に近づいた位置に
ボンディングされ、結果的にＬＤチップ３と近い位置に
ボンディングされている。
ンドープ層とｐ形層とが成長されることにより形成され
るｐｉｎダイオードからなり、ＬＤチップ３で発光する
光を吸収して電気信号に変換し得るように形成されてい
る。このＰＤ４は、ｐｉｎダイオードでなくても、ｐｎ
接合型受光素子またはホトトランジスタでもよく、要は
ＬＤチップ３で発光する光を電気信号に変換できる素子
であればよい。このＰＤ４は、図示しない導電性ボンデ
ィング剤により金属製のヒートシンク１１に直接ボンデ
ィングされることにより、ＰＤのｎ側電極がヒートシン
ク１１を介して、ＬＤチップ３のｎ側電極と共にコモン
リード１２に接続されている。このＰＤ４のボンディン
グ位置は、できるだけサブマウント２に近づいた位置に
ボンディングされ、結果的にＬＤチップ３と近い位置に
ボンディングされている。
【００２５】さらに、本発明では、ＰＤ４の高さＨPが
サブマウント２の高さＨSより高くならないように設定
されている。この理由は、ＬＤチップ３がフェースダウ
ン（半導体積層部側を下にしてボンディングされている
ため、光ビームの出射点は、サブマウント２の表面から
数μｍ程度のところにあり、ＰＤ４の高さがサブマウン
トの高さより高いとその表面での受光量が大幅に低下す
るからである。一方、ＬＤチップ３から後ろ側に出る光
は、前方から出射する光量よりは少なくなるように端面
の反射率が調整されているが、そのビームは出射面側と
同様に絞られたビームとなるものの、ある程度の広がり
を有しており、図１（ｂ）に示されるように、下方に向
う光を吸収することができる。
サブマウント２の高さＨSより高くならないように設定
されている。この理由は、ＬＤチップ３がフェースダウ
ン（半導体積層部側を下にしてボンディングされている
ため、光ビームの出射点は、サブマウント２の表面から
数μｍ程度のところにあり、ＰＤ４の高さがサブマウン
トの高さより高いとその表面での受光量が大幅に低下す
るからである。一方、ＬＤチップ３から後ろ側に出る光
は、前方から出射する光量よりは少なくなるように端面
の反射率が調整されているが、そのビームは出射面側と
同様に絞られたビームとなるものの、ある程度の広がり
を有しており、図１（ｂ）に示されるように、下方に向
う光を吸収することができる。
【００２６】第１のメタル層２１のＬＤチップ３がボン
ディングされていない部分には、ワイヤボンディングが
なされ、ＬＤリード１３との間で金線などのワイヤ６に
より電気的接続され、ＰＤ４の上面側のｐ側電極は、ワ
イヤ６により直接ＰＤリード１４と電気的に接続されて
いる。そして、図２に示されるように、その周囲にキャ
ップ５が被せられ、ステム１と固定されることにより、
キャンタイプの半導体レーザが得られる。
ディングされていない部分には、ワイヤボンディングが
なされ、ＬＤリード１３との間で金線などのワイヤ６に
より電気的接続され、ＰＤ４の上面側のｐ側電極は、ワ
イヤ６により直接ＰＤリード１４と電気的に接続されて
いる。そして、図２に示されるように、その周囲にキャ
ップ５が被せられ、ステム１と固定されることにより、
キャンタイプの半導体レーザが得られる。
【００２７】図１に示される半導体レーザは、前述のよ
うに、ＬＤチップ３のｎ側電極およびＰＤ４のｎ側電極
が共にコモンリード１２に接続され、ＬＤチップ３のｐ
側電極はＬＤリード１３に、ＰＤ４のｐ側電極はＰＤリ
ード１４にそれぞれ接続され、図１（ｄ）に等価回路が
示されるように、ＬＤとＰＤのカソードが共通であるＭ
タイプの半導体レーザが得られ、光ディスクのピックア
ップに用いられるのに適した半導体レーザとなる。
うに、ＬＤチップ３のｎ側電極およびＰＤ４のｎ側電極
が共にコモンリード１２に接続され、ＬＤチップ３のｐ
側電極はＬＤリード１３に、ＰＤ４のｐ側電極はＰＤリ
ード１４にそれぞれ接続され、図１（ｄ）に等価回路が
示されるように、ＬＤとＰＤのカソードが共通であるＭ
タイプの半導体レーザが得られ、光ディスクのピックア
ップに用いられるのに適した半導体レーザとなる。
【００２８】一方、ＬＢＰ、センサ、バーコードリーダ
などに用いられるＬＤチップのカソードとＰＤのアノー
ドとを直接接続する、Ｐタイプの半導体レーザを構成す
るには、ＰＤ４として、アノードコモン（Ｓｉ基板にｐ
形のものを使用してｐｉｎダイオードを形成する）の受
光素子を用いることにより、図１に示されるワイヤボン
ディングと同じボンディングをすることにより得られ
る。また、ＬＢＰ、センサ、バーコード用などに用いら
れるＬＤチップのアノードとＰＤのカソードとを直接接
続するＮタイプの半導体レーザを構成するには、図４に
図１と同様の平面説明図、側面図および等価回路図が示
されるように、サブマウント２の向きを１８０°回転し
てマウントし、ＬＤチップ３のｎ側電極を第２のメタル
層２２とワイヤボンディングし、第２のメタル層２２と
ＬＤリード１３との間でワイヤボンディングをし、第１
のメタル層２１とヒートシンク１１との間でワイヤボン
ディングすることにより、図４（ｃ）に示される等価回
路図の接続構造を有する半導体レーザが得られる。
などに用いられるＬＤチップのカソードとＰＤのアノー
ドとを直接接続する、Ｐタイプの半導体レーザを構成す
るには、ＰＤ４として、アノードコモン（Ｓｉ基板にｐ
形のものを使用してｐｉｎダイオードを形成する）の受
光素子を用いることにより、図１に示されるワイヤボン
ディングと同じボンディングをすることにより得られ
る。また、ＬＢＰ、センサ、バーコード用などに用いら
れるＬＤチップのアノードとＰＤのカソードとを直接接
続するＮタイプの半導体レーザを構成するには、図４に
図１と同様の平面説明図、側面図および等価回路図が示
されるように、サブマウント２の向きを１８０°回転し
てマウントし、ＬＤチップ３のｎ側電極を第２のメタル
層２２とワイヤボンディングし、第２のメタル層２２と
ＬＤリード１３との間でワイヤボンディングをし、第１
のメタル層２１とヒートシンク１１との間でワイヤボン
ディングすることにより、図４（ｃ）に示される等価回
路図の接続構造を有する半導体レーザが得られる。
【００２９】このように、本発明によれば、どのタイプ
でも同じサブマウントを使用して、サブマウントの向き
をひっくり返すか、または受光素子の極性が逆のものを
使用することにより、同じ作業工程で簡単に組み立てる
ことができる。なお、前述の図３（ａ）に示されるよう
な端部に突起部を有するサブマウントにする場合、図３
（ｂ）に示されるように、出射端面側にも凹部２ａを形
成することにより、突起部の形状は点対称となり、１８
０°回転させるだけで、異なる接続構造の半導体レーザ
を同様に組み立てることができる。
でも同じサブマウントを使用して、サブマウントの向き
をひっくり返すか、または受光素子の極性が逆のものを
使用することにより、同じ作業工程で簡単に組み立てる
ことができる。なお、前述の図３（ａ）に示されるよう
な端部に突起部を有するサブマウントにする場合、図３
（ｂ）に示されるように、出射端面側にも凹部２ａを形
成することにより、突起部の形状は点対称となり、１８
０°回転させるだけで、異なる接続構造の半導体レーザ
を同様に組み立てることができる。
【００３０】本発明の半導体レーザによれば、サブマウ
ントに、ＡｌＮなどのＳｉＯ2より遥かに熱伝導率の優
れた絶縁体を用いているため、容量の問題もなく、どの
用途（Ｍタイプ、Ｐタイプ、Ｎタイプ）に対しても、同
じサブマウントを用いて組み立てることができる。さら
に、サブマウントの長さを短くして、その後ろ側にＰＤ
をサブマウントの高さ以下にして設けているため、サブ
マウントと受光素子とを別部品で構成しながら、受光素
子をレーザチップ側に向けないで、同一平面上にボンデ
ィングすることができる。しかも、サブマウントの縦方
向の長さを短くして、そのすぐ後ろに受光素子を配置し
ているため、狭いスペースでも両素子を簡単に配置する
ことができる。その結果、電子機器の軽薄短小化に伴
い、より一層の小形化が求められる場合でも、非常にコ
ンパクトな半導体レーザを構成することができる。
ントに、ＡｌＮなどのＳｉＯ2より遥かに熱伝導率の優
れた絶縁体を用いているため、容量の問題もなく、どの
用途（Ｍタイプ、Ｐタイプ、Ｎタイプ）に対しても、同
じサブマウントを用いて組み立てることができる。さら
に、サブマウントの長さを短くして、その後ろ側にＰＤ
をサブマウントの高さ以下にして設けているため、サブ
マウントと受光素子とを別部品で構成しながら、受光素
子をレーザチップ側に向けないで、同一平面上にボンデ
ィングすることができる。しかも、サブマウントの縦方
向の長さを短くして、そのすぐ後ろに受光素子を配置し
ているため、狭いスペースでも両素子を簡単に配置する
ことができる。その結果、電子機器の軽薄短小化に伴
い、より一層の小形化が求められる場合でも、非常にコ
ンパクトな半導体レーザを構成することができる。
【００３１】図５に、図１に示される半導体レーザを用
いたピックアップの一例である３ビーム法の構成説明図
が示されている。すなわち、半導体レーザ５０が横向き
に配置され、半導体レーザ５０からの光を回折格子５１
により３分割し、出射光と反射光とを分離するビームス
プリッタ５２を介して、コリメータレンズ５３により平
行ビームとし、プリズムミラー（反射鏡）５４により９
０°ビームを曲げて（ｘ軸方向にして）対物レンズ５５
によりＤＶＤやＣＤなどの光ディスク５６の表面に焦点
を結ばせる。そして、光ディスク５６からの反射光を、
ビームスプリッタ５２を介して、凹レンズ５７などを経
て光検出器５８により検出する構成になっている。
いたピックアップの一例である３ビーム法の構成説明図
が示されている。すなわち、半導体レーザ５０が横向き
に配置され、半導体レーザ５０からの光を回折格子５１
により３分割し、出射光と反射光とを分離するビームス
プリッタ５２を介して、コリメータレンズ５３により平
行ビームとし、プリズムミラー（反射鏡）５４により９
０°ビームを曲げて（ｘ軸方向にして）対物レンズ５５
によりＤＶＤやＣＤなどの光ディスク５６の表面に焦点
を結ばせる。そして、光ディスク５６からの反射光を、
ビームスプリッタ５２を介して、凹レンズ５７などを経
て光検出器５８により検出する構成になっている。
【００３２】これらの組立体が、図示しないボディ内に
組み立てられ、そのボディに直接設けられたガイド溝に
よりスライドできるようにピックアップが保持され、図
示しない光ディスクの載置台や回転機構、光ピックアッ
プを移動するスライダ機構などが設けられることによ
り、光ディスク再生装置が構成され、光ピックアップを
スライドさせ、トラッキングサーボやフォーカスサーボ
を行いながら信号の検出を行える構造になっている。
組み立てられ、そのボディに直接設けられたガイド溝に
よりスライドできるようにピックアップが保持され、図
示しない光ディスクの載置台や回転機構、光ピックアッ
プを移動するスライダ機構などが設けられることによ
り、光ディスク再生装置が構成され、光ピックアップを
スライドさせ、トラッキングサーボやフォーカスサーボ
を行いながら信号の検出を行える構造になっている。
【００３３】前述の各例では、キャンタイプの半導体レ
ーザであったが、キャンタイプに限らず、樹脂モールド
タイプなどの半導体レーザでも、前述のサブマウントを
使用することができる。また、ＬＤチップは前述の例に
限らず、ＧａＮ系化合物半導体などを用いた青色系など
でも同様であることは言うまでもない。
ーザであったが、キャンタイプに限らず、樹脂モールド
タイプなどの半導体レーザでも、前述のサブマウントを
使用することができる。また、ＬＤチップは前述の例に
限らず、ＧａＮ系化合物半導体などを用いた青色系など
でも同様であることは言うまでもない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光ディスク関係や、ＬＢＰ、バーコード用などの用途に
より、そのレーザチップと受光素子との接続方法が異な
る要求に対しても、同じサブマウントを使用しながら、
どのタイプでも同じ方法で製造することができ、製造工
程の簡略化と共に部品コストの低減化を図ることができ
る。さらに、絶縁性のサブマウントを用いているため、
絶縁層部分の厚さが厚く、容量も発生しない。そのた
め、高周波重畳をする場合にも特性劣化は生じない。ま
た、サブマウントの縦方向の長さを短くして受光素子を
レーザチップと同一面上に配置しているため、ワイヤボ
ンディング工程が非常に簡単になると共に、レーザチッ
プの後方に受光素子を設ける場所を異なる面で形成しな
くてもよいため、安価で非常に小形化を達成することが
できる。
光ディスク関係や、ＬＢＰ、バーコード用などの用途に
より、そのレーザチップと受光素子との接続方法が異な
る要求に対しても、同じサブマウントを使用しながら、
どのタイプでも同じ方法で製造することができ、製造工
程の簡略化と共に部品コストの低減化を図ることができ
る。さらに、絶縁性のサブマウントを用いているため、
絶縁層部分の厚さが厚く、容量も発生しない。そのた
め、高周波重畳をする場合にも特性劣化は生じない。ま
た、サブマウントの縦方向の長さを短くして受光素子を
レーザチップと同一面上に配置しているため、ワイヤボ
ンディング工程が非常に簡単になると共に、レーザチッ
プの後方に受光素子を設ける場所を異なる面で形成しな
くてもよいため、安価で非常に小形化を達成することが
できる。
【図１】本発明による半導体レーザのサブマウント部を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】本発明による半導体レーザの一実施形態の構造
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】図１のサブマウント形状の変形例を示す説明図
である。
である。
【図４】図１のＬＤチップとＰＤの接続構造の変形例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図５】図２に示される半導体レーザを用いてピックア
ップを構成した例の説明図である。
ップを構成した例の説明図である。
【図６】従来のＬＤチップのボンディング構造を説明す
る図である。
る図である。
【図７】従来のシリコンサブマウントの一例を示す説明
図である。
図である。
２ サブマウント ３ ＬＤチップ ４ ＰＤ １１ ヒートシンク ２１ 第１のメタル層 ２２ 第２のメタル層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D119 AA01 AA03 BA01 FA05 FA28 MA06 5F073 AB21 AB25 AB27 AB29 BA05 CA05 CA14 EA14 FA02 FA15 FA16 FA21 FA28 FA29
Claims (4)
- 【請求項１】 金属製のヒートシンクと、該ヒートシン
ク上に設けられ、絶縁体からなる平面形状がほぼ長方形
のサブマウントと、該サブマウント表面に前記長方形の
長辺方向に半分より大きい部分と残部とに分離して設け
られる第１および第２のメタル層と、前記第１のメタル
層上で、前記サブマウントの前記長辺の一辺側がレーザ
光の出射面側となるように、該長辺方向のほぼ中央部に
設けられるレーザチップと、該レーザチップの両電極を
前記第１および第２のメタル層とそれぞれ電気的に接続
する接続手段と、前記レーザチップの出射面の後ろ側に
おける前記ヒートシンク上に前記サブマウントと並置し
て設けられる受光素子とからなり、該受光素子の高さが
前記サブマウントの高さ以下に形成されてなる半導体レ
ーザ。 - 【請求項２】 前記サブマウントの前記出射面と反対側
の前記長辺部の端部に、前記出射面と反対側に延びる突
起部が形成され、該突起部上に前記第１または第２のメ
タル層が延出して設けられてなる請求項１記載の半導体
レーザ。 - 【請求項３】 半導体レーザと、該半導体レーザから出
射する光と反射して戻る光とを分離するビームスプリッ
タと、光ディスク上に前記半導体レーザからのビームの
焦点を結ばせる対物レンズと、前記光ディスクからの反
射光を前記ビームスプリッタにより分離して検出する光
検出器とからなり、前記半導体レーザが請求項１記載の
半導体レーザである光ピックアップ。 - 【請求項４】 請求項３記載の光ピックアップにディス
ク回転装置および該光ピックアップを移動するスライダ
機構がさらに設けられてなる光ディスク再生装置。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146777A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
| KR100444233B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 서브마운트 일체형 포토다이오드 및 이를 이용한 레이져다이오드 패키지 |
| JP2005150692A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2005294808A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-10-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信アセンブリの製造方法 |
| JP2006202917A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Sony Corp | レーザカプラ及びサブマウントの製造方法、並びに光ディスク記録再生装置 |
| WO2009081470A1 (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Mitsubishi Electric Corporation | レーザ光源モジュール |
| US7729402B2 (en) | 2002-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser assembly |
| CN110459954A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-15 | 福州中科光芯科技有限公司 | 一种半导体激光器封装结构及封装方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234588A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用サブマウント |
| JPS62260384A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS63318193A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体用サブマウント |
| JPH01196885A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-08 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
2000
- 2000-06-01 JP JP2000164232A patent/JP4917704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234588A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用サブマウント |
| JPS62260384A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS63318193A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体用サブマウント |
| JPH01196885A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-08 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444233B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 서브마운트 일체형 포토다이오드 및 이를 이용한 레이져다이오드 패키지 |
| JP4586337B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2010-11-24 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
| JP2004146777A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
| US7729402B2 (en) | 2002-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser assembly |
| JP2005150692A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| US7217955B2 (en) * | 2003-10-21 | 2007-05-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| CN100401601C (zh) * | 2003-10-21 | 2008-07-09 | 夏普株式会社 | 半导体激光器件 |
| JP2005294808A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-10-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信アセンブリの製造方法 |
| JP4670384B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2011-04-13 | 住友電気工業株式会社 | 光送信アセンブリの製造方法 |
| JP2006202917A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Sony Corp | レーザカプラ及びサブマウントの製造方法、並びに光ディスク記録再生装置 |
| WO2009081470A1 (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Mitsubishi Electric Corporation | レーザ光源モジュール |
| KR101142561B1 (ko) | 2007-12-21 | 2012-05-08 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 레이저 광원 모듈 |
| US8233512B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-07-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser light source module |
| JP5430406B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2014-02-26 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源モジュール |
| CN110459954A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-15 | 福州中科光芯科技有限公司 | 一种半导体激光器封装结构及封装方法 |
| CN110459954B (zh) * | 2019-08-23 | 2024-06-07 | 福州中科光芯科技有限公司 | 一种半导体激光器封装结构及封装方法 |
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