JP2007194437A - 半導体レーザ装置およびその製造方法ならびに光ピックアップ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
基部23およびキャップ24がともに合成樹脂によって形成されるので、超音波融着によって一体形成したときに強固に固定することができ、また短い時間で接合することができるので、生産性を向上させることができる。チップ搭載用リード22aは、この半導体レーザチップ21の周囲に放熱のための放熱領域42を有するチップ搭載用の電極リード22aの一表面41に搭載されるので、半導体レーザチップ21の熱をチップ搭載用リード22aに放熱し、また放熱領域42から放熱させて半導体レーザチップ21の温度の上昇を抑制して、半導体レーザチップ21の寿命の低下を抑制することができる。
【選択図】 図1
Description
導電性を有し、半導体レーザチップが搭載されるチップ搭載用の電極リードを含む複数の電極リードと、
前記半導体レーザチップが搭載される突出部を有し、前記各電極リードが埋め込まれた状態で保持され、前記突出部の基端部に半導体レーザチップから発振されるレーザ光の出射方向に臨む段差面が形成され、電気絶縁性を有する合成樹脂から成る基部と、
半導体レーザチップの出射端面に臨んで開口が形成され、前記段差面上で、突出部を覆った状態で基部に一体的に接合され、合成樹脂から成るキャップとを含み、
前記チップ搭載用の電極リードは、突出部から一表面が露出し、この一表面は半導体レーザチップの周囲に半導体レーザチップの搭載領域よりも広い放熱領域を有することを特徴とする半導体レーザ装置である。
また本発明は、前記キャップには、前記開口を塞ぎ、半導体レーザチップが発する波長の光を透過する光透過体が設けられることを特徴とする。
また本発明は、前記突出部に設けられる受光素子をさらに含み、
前記基部は、それぞれが電極リードを保持する2つの樹脂形成部を接合することによって形成され、2つの樹脂形成部のうち一方の樹脂形成部に、前記段差面と、チップ搭載用の電極リードと、受光素子が搭載される部位とが設けられることを特徴とすることを特徴とする。
前記ホログラムパターンは、その中央が、ホログラム素子の中央よりも前記受光素子から離反する方向の端部寄りに形成されることを特徴とする。
前記半導体レーザ装置の段差面と接触する接触面を有するシャーシ体と、
シャーシ体に接触面を基準にして設けられる光学系部材とを含むことを特徴とする光ピックアップ装置である。
チップ搭載用の電極リードに、半導体レーザチップを搭載する工程と、
前記半導体レーザチップと電極リードとをボンディングワイヤによって接続する工程と、
開口が形成される合成樹脂から成るキャップを、開口を半導体レーザチップの出射端面に臨ませて、かつ前記段差面の一部が外方に突出するように前記基準面上に配置する工程と、
前記基部と前記キャップとを超音波融着によって接合する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法である。
21 半導体レーザチップ
22 電極リード
23 基部
24 キャップ
28 受光素子
29 ホログラム素子
33 段差面
34 出射端面
35 開口
36 内表面
42 放熱領域
48 ホログラムパターン
Claims (13)
- 半導体レーザチップと、
導電性を有し、半導体レーザチップが搭載されるチップ搭載用の電極リードを含む複数の電極リードと、
前記半導体レーザチップが搭載される突出部を有し、前記各電極リードが埋め込まれた状態で保持され、前記突出部の基端部に半導体レーザチップから発振されるレーザ光の出射方向に臨む段差面が形成され、電気絶縁性を有する合成樹脂から成る基部と、
半導体レーザチップの出射端面に臨んで開口が形成され、前記段差面上で、突出部を覆った状態で基部に一体的に接合され、合成樹脂から成るキャップとを含み、
前記チップ搭載用の電極リードは、突出部から一表面が露出し、この一表面は半導体レーザチップの周囲に半導体レーザチップの搭載領域よりも広い放熱領域を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記キャップを形成する合成樹脂の色は、黒色であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
- 前記キャップの内表面は、粗面に形成されることを特徴とする請求項1または2記載の半導体レーザ装置。
- 前記キャップには、前記開口を塞ぎ、半導体レーザチップが発する波長の光を透過する光透過体が設けられることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置。
- 前記キャップの前記段差面に連なる壁部の厚みは、0.2mmを超えるように選ばれ、前記段差面は、キャップの外周から外方に向かって0.4mm以上突出することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置。
- 前記キャップの前記段差に連なる壁部の厚みは、0.4mmに選ばれることを特徴とする請求項5記載の半導体レーザ装置。
- 複数の電極リード間は、基部に埋められていることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
- 前記突出部に設けられる受光素子をさらに含み、
前記基部は、それぞれが電極リードを保持する2つの樹脂形成部を接合することによって形成され、2つの樹脂形成部のうち一方の樹脂形成部に、前記段差面と、チップ搭載用の電極リードと、受光素子が搭載される部位とが設けられることを特徴とすることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置。 - 前記キャップに設けられ、透光性の基材の前記半導体レーザチップから離反する方向の表面にホログラムパターンが形成されるホログラム素子を含み、
前記ホログラムパターンは、その中央が、ホログラム素子の中央よりも前記受光素子から離反する方向の端部寄りに形成されることを特徴とする請求項8記載の半導体レーザ装置。 - 前記基部と前記キャップとは、ポリフェニレンサルファイドによって形成されることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置。
- 請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザ装置の段差面と接触する接触面を有するシャーシ体と、
シャーシ体に接触面を基準にして設けられる光学系部材とを含むことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 導電性を有しチップ搭載用の電極リードを含む複数の電極リードを、前記半導体レーザチップが搭載される突出部を有し、前記突出部の基端部に半導体レーザチップから発振されるレーザ光の出射方向に臨む段差面が形成され、電気絶縁性を有する合成樹脂から成る基部に、埋め込んだ状態で保持させる工程と、
チップ搭載用の電極リードに、半導体レーザチップを搭載する工程と、
前記半導体レーザチップと電極リードとをボンディングワイヤによって接続する工程と、
開口が形成される合成樹脂から成るキャップを、開口を半導体レーザチップの出射端面に臨ませて、かつ前記段差面の一部が外方に突出するように前記基準面上に配置する工程と、
前記基部と前記キャップとを超音波融着によって接合する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 前記キャップは、キャップの内表面に臨む部分が粗面に形成された金型に樹脂を注入して形成することを特徴とする請求項12記載の半導体レーザ装置の製造方法。
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