JP2000174374A - レーザユニットおよび絶縁ブロック - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
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- H01S5/0231—Stems
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
Abstract
(57)【要約】
【構成】 レーザ素子４８が接合されたサブマウント４
６が絶縁ブロック３０の左側面にダイボンディングさ
れ、この絶縁ブロック３０の下面がパッケージ１６の基
準面１８に接合される。絶縁ブロック３０の左側面と下
面とは互いに直交するように形成されているため、下面
を基準面に接合すると左側面は基準面１８に対して垂直
に配置されることとなる。したがって、基準面１８に対
してレーザ光の光軸を垂直にするためには、レーザ素子
４８の光軸が絶縁ブロック３０の下面に対して垂直にな
るように調整するだけでよい。 【効果】 安価にして簡単かつ正確に組み立てることが
できる。
６が絶縁ブロック３０の左側面にダイボンディングさ
れ、この絶縁ブロック３０の下面がパッケージ１６の基
準面１８に接合される。絶縁ブロック３０の左側面と下
面とは互いに直交するように形成されているため、下面
を基準面に接合すると左側面は基準面１８に対して垂直
に配置されることとなる。したがって、基準面１８に対
してレーザ光の光軸を垂直にするためには、レーザ素子
４８の光軸が絶縁ブロック３０の下面に対して垂直にな
るように調整するだけでよい。 【効果】 安価にして簡単かつ正確に組み立てることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はレーザユニットおよび
絶縁ブロックに関し、特にたとえばＣＤやＤＶＤ等のよ
うな光ディスクから情報を読み取るのに用いられる、レ
ーザユニットおよびそのようなレーザユニットに用いら
れる絶縁ブロックに関する。
絶縁ブロックに関し、特にたとえばＣＤやＤＶＤ等のよ
うな光ディスクから情報を読み取るのに用いられる、レ
ーザユニットおよびそのようなレーザユニットに用いら
れる絶縁ブロックに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザユニットの一例が特開平６
−７６３４０号公報［Ｇ１１Ｂ ７／１３５］に開示さ
れている。この従来技術は、パッケージの基準面に取り
付けられた半導体レーザ素子から基準面に対して平行方
向にレーザ光を出射し、このレーザ光を光学素子（４５
度プリズム）によって直角に反射するようにしたもので
ある。
−７６３４０号公報［Ｇ１１Ｂ ７／１３５］に開示さ
れている。この従来技術は、パッケージの基準面に取り
付けられた半導体レーザ素子から基準面に対して平行方
向にレーザ光を出射し、このレーザ光を光学素子（４５
度プリズム）によって直角に反射するようにしたもので
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、高価な
光学素子を用いていたため、全体としてコスト高になる
という問題点があった。また、組立工程では、光学素子
の位置を調整する作業が必要となり、しかも、この調整
作業はレーザ光の入射角と反射角とを考慮しなければな
らないため技術的に困難であり、組立作業性および品質
の面で問題があった。
光学素子を用いていたため、全体としてコスト高になる
という問題点があった。また、組立工程では、光学素子
の位置を調整する作業が必要となり、しかも、この調整
作業はレーザ光の入射角と反射角とを考慮しなければな
らないため技術的に困難であり、組立作業性および品質
の面で問題があった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、安
価にして簡単かつ正確に組み立てることができるレーザ
ユニットおよびそのようなレーザユニットに用いられる
絶縁ブロックを提供することである。
価にして簡単かつ正確に組み立てることができるレーザ
ユニットおよびそのようなレーザユニットに用いられる
絶縁ブロックを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、基準面を
有するパッケージ、互いに直交する第１面と第２面とを
有し、第１面が基準面に接合される絶縁ブロック、第２
面に接合されるサブマウント、およびサブマウントに接
合されるレーザ素子を備える、レーザユニットである。
有するパッケージ、互いに直交する第１面と第２面とを
有し、第１面が基準面に接合される絶縁ブロック、第２
面に接合されるサブマウント、およびサブマウントに接
合されるレーザ素子を備える、レーザユニットである。
【０００６】第２の発明は、第１の発明のレーザユニッ
トに用いられる絶縁ブロックであって、互いに直交する
第１面と第２面とを有するかつ絶縁材料からなる本体、
第１面と第２面とにわたって本体に形成される溝、およ
び溝に埋め込まれる金属配線を備える、絶縁ブロックで
ある。
トに用いられる絶縁ブロックであって、互いに直交する
第１面と第２面とを有するかつ絶縁材料からなる本体、
第１面と第２面とにわたって本体に形成される溝、およ
び溝に埋め込まれる金属配線を備える、絶縁ブロックで
ある。
【０００７】
【作用】レーザユニットを組み立てる際には、レーザ素
子が接合されたサブマウントが絶縁ブロックの第２面に
接合され、この絶縁ブロックの第１面がパッケージの基
準面に接合される。絶縁ブロックの第１面と第２面とは
互いに直交するように形成されているため、第１面を基
準面に接合すると第２面は必然的に基準面に対して垂直
に配置されることとなる。したがって、基準面に対して
レーザ光の光軸を垂直にするためには、サブマウントを
絶縁ブロックの第２面に接合する際に、レーザ素子の光
軸が第１面に対して垂直になるように調整するだけでよ
く、従来のような光学素子の位置調整作業は不要であ
る。
子が接合されたサブマウントが絶縁ブロックの第２面に
接合され、この絶縁ブロックの第１面がパッケージの基
準面に接合される。絶縁ブロックの第１面と第２面とは
互いに直交するように形成されているため、第１面を基
準面に接合すると第２面は必然的に基準面に対して垂直
に配置されることとなる。したがって、基準面に対して
レーザ光の光軸を垂直にするためには、サブマウントを
絶縁ブロックの第２面に接合する際に、レーザ素子の光
軸が第１面に対して垂直になるように調整するだけでよ
く、従来のような光学素子の位置調整作業は不要であ
る。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、光学素子を用いる必
要がないので、全体として安価に製造できる。また、レ
ーザユニットを簡単な工程で正確に組み立てることがで
きるので、製造工程を簡素化できるとともに品質を安定
させることができる。この発明の上述の目的，その他の
目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実
施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
要がないので、全体として安価に製造できる。また、レ
ーザユニットを簡単な工程で正確に組み立てることがで
きるので、製造工程を簡素化できるとともに品質を安定
させることができる。この発明の上述の目的，その他の
目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実
施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【実施例】図１に示すこの実施例のレーザユニット１０
は、図２に示すような光ピックアップ装置１２内に組み
込まれて、ＣＤやＤＶＤ等のような光ディスク１４から
情報を読み取るためのものである。レーザユニット１０
は、樹脂やセラミック等からなるパッケージ１６を含
む。パッケージ１６は、基準面１８を有する板状の本体
２０を含み、本体２０の上面周縁部から立ち上がって壁
部２２が形成される。また、本体２０の長手方向両端部
には、複数のリード端子２４が設けられ、壁部２２の内
側における本体２０の上面にはリード端子２４と電気的
に導通された複数の端子２６が設けられる。そして、壁
部２２の内側における基準面１８には、光検出器２８お
よび絶縁ブロック３０がダイボンディングされる。
は、図２に示すような光ピックアップ装置１２内に組み
込まれて、ＣＤやＤＶＤ等のような光ディスク１４から
情報を読み取るためのものである。レーザユニット１０
は、樹脂やセラミック等からなるパッケージ１６を含
む。パッケージ１６は、基準面１８を有する板状の本体
２０を含み、本体２０の上面周縁部から立ち上がって壁
部２２が形成される。また、本体２０の長手方向両端部
には、複数のリード端子２４が設けられ、壁部２２の内
側における本体２０の上面にはリード端子２４と電気的
に導通された複数の端子２６が設けられる。そして、壁
部２２の内側における基準面１８には、光検出器２８お
よび絶縁ブロック３０がダイボンディングされる。
【００１０】光検出器２８は、図３からよくわかるよう
に、シリコン等のような半導体材料からなるブロック状
の本体３２を含む。本体３２の上面と下面とは互いに平
行に形成され、上面にはレーザ光を受光する複数の受光
素子３４ａ〜３４ｆを含む受光部３４，受光部３４から
の信号を取り出すための信号端子３６および受光部３４
に電圧を付与するための電圧端子３８が形成される。そ
して、本体３２の下面が基準面１８にダイボンディング
され、信号端子３６および電圧端子３８のそれぞれがパ
ッケージ１６に設けられた対応する端子２６にワイヤボ
ンディングされる。
に、シリコン等のような半導体材料からなるブロック状
の本体３２を含む。本体３２の上面と下面とは互いに平
行に形成され、上面にはレーザ光を受光する複数の受光
素子３４ａ〜３４ｆを含む受光部３４，受光部３４から
の信号を取り出すための信号端子３６および受光部３４
に電圧を付与するための電圧端子３８が形成される。そ
して、本体３２の下面が基準面１８にダイボンディング
され、信号端子３６および電圧端子３８のそれぞれがパ
ッケージ１６に設けられた対応する端子２６にワイヤボ
ンディングされる。
【００１１】絶縁ブロック３０は、図４に示すように、
セラミック等のような絶縁材料からなる直方体状の本体
４０を含み、本体４０の上面と下面とは互いに平行に形
成され、本体４０の下面と左側面とは互いに直交するよ
うに形成される。また、本体４０には、上面と左右両側
面とにわたって略Ｕ条の溝４２ａおよび４２ｂが形成さ
れ、下面と左右両側面とにわたって略Ｕ条の溝４２ｃお
よび４２ｄが形成され、それぞれの溝４２ａ〜４２ｄに
は、Ａｌ，Ｃｕまたは４２アロイ等のような金属配線４
４ａ〜４４ｄが埋め込まれる。また、金属配線４４ａ〜
４４ｄの表面にはＡｇまたはＡｕ等のようなメッキ層が
形成される。そして、図３に示すように、本体４０の下
面が基準面１８にダイボンディングされ、金属配線４４
ａおよび４４ｂと対応するリード端子２６とがワイヤボ
ンディングされる。金属配線４４ｃは絶縁ブロック３０
自身のＧＮＤ端子となる。
セラミック等のような絶縁材料からなる直方体状の本体
４０を含み、本体４０の上面と下面とは互いに平行に形
成され、本体４０の下面と左側面とは互いに直交するよ
うに形成される。また、本体４０には、上面と左右両側
面とにわたって略Ｕ条の溝４２ａおよび４２ｂが形成さ
れ、下面と左右両側面とにわたって略Ｕ条の溝４２ｃお
よび４２ｄが形成され、それぞれの溝４２ａ〜４２ｄに
は、Ａｌ，Ｃｕまたは４２アロイ等のような金属配線４
４ａ〜４４ｄが埋め込まれる。また、金属配線４４ａ〜
４４ｄの表面にはＡｇまたはＡｕ等のようなメッキ層が
形成される。そして、図３に示すように、本体４０の下
面が基準面１８にダイボンディングされ、金属配線４４
ａおよび４４ｂと対応するリード端子２６とがワイヤボ
ンディングされる。金属配線４４ｃは絶縁ブロック３０
自身のＧＮＤ端子となる。
【００１２】また、絶縁ブロック３０の左側面における
金属配線４４ａに対応する位置には、図５に示すような
サブマウント４６がダイボンディングされ、サブマウン
ト４６には、半導体レーザ素子（以下、単に「レーザ素
子」という。）４８がダイボンディングされる。サブマ
ウント４６は、シリコン等のような絶縁材料からなるブ
ロック状の本体５０を含み、本体５０の左側面と右側面
とは互いに平行に形成され、本体５０の内部にはレーザ
素子４８の出力をモニタするためのフォトダイオードが
内蔵される。また、本体５０の左側面には、右側面に形
成された端子と電気的に導通する端子５２，レーザ素子
４８の下部電極と導通する端子５４および本体５０の内
部に設けられたフォトダイオードと導通する端子５６が
形成される。一方、レーザ素子４８は、レーザ光の出射
端面４８ａを含み、レーザ素子４８の上部電極面と下部
電極面とはレーザ光の光軸に対して平行に形成される。
そして、レーザ素子４８の下部電極面がサブマウント４
６の左側面にダイボンディングされ、それによって、レ
ーザ素子４８の下部電極とサブマウント４６の端子５４
とが接続される。そして、レーザ素子４８の上部電極と
サブマウント４６の端子５２とがワイヤボンディング
（図５）され、サブマウント４６の端子５４および５６
と対応する金属配線４４とがそれぞれワイヤボンディン
グ（図１，図３）される。
金属配線４４ａに対応する位置には、図５に示すような
サブマウント４６がダイボンディングされ、サブマウン
ト４６には、半導体レーザ素子（以下、単に「レーザ素
子」という。）４８がダイボンディングされる。サブマ
ウント４６は、シリコン等のような絶縁材料からなるブ
ロック状の本体５０を含み、本体５０の左側面と右側面
とは互いに平行に形成され、本体５０の内部にはレーザ
素子４８の出力をモニタするためのフォトダイオードが
内蔵される。また、本体５０の左側面には、右側面に形
成された端子と電気的に導通する端子５２，レーザ素子
４８の下部電極と導通する端子５４および本体５０の内
部に設けられたフォトダイオードと導通する端子５６が
形成される。一方、レーザ素子４８は、レーザ光の出射
端面４８ａを含み、レーザ素子４８の上部電極面と下部
電極面とはレーザ光の光軸に対して平行に形成される。
そして、レーザ素子４８の下部電極面がサブマウント４
６の左側面にダイボンディングされ、それによって、レ
ーザ素子４８の下部電極とサブマウント４６の端子５４
とが接続される。そして、レーザ素子４８の上部電極と
サブマウント４６の端子５２とがワイヤボンディング
（図５）され、サブマウント４６の端子５４および５６
と対応する金属配線４４とがそれぞれワイヤボンディン
グ（図１，図３）される。
【００１３】そして、パッケージ１６の上部には、レー
ザ光を透過するための窓を有する図示しないカバーが装
着される。レーザユニット１０を組み立てる際には、パ
ッケージ１６，光検出器２８，絶縁ブロック３０，レー
ザ素子４６およびサブマウント４８等の各部品を個別に
形成して準備する。絶縁ブロック３０を形成する際に
は、まず、図６に示すように、セラミック等からなる板
体４０ａを準備し、この板体４０ａに複数の長孔４２ａ
を形成する。そして、長孔４２ａのそれぞれにＡｌ，Ｃ
ｕまたは４２アロイ等のような金属（金属配線）４４を
充填した後、図６中の二点鎖線で示した切断線に沿って
板体４０ａを切断する。このようにして本体４０を得た
後、金属配線４４の表面にＡｇまたはＡｕ等のようなメ
ッキ層を電解メッキ法等によって形成する。なお、板体
４０ａの厚さは０．８〜１．５mm程度、長孔４２ａの長
径は０．５〜０．８mm程度に設定される。
ザ光を透過するための窓を有する図示しないカバーが装
着される。レーザユニット１０を組み立てる際には、パ
ッケージ１６，光検出器２８，絶縁ブロック３０，レー
ザ素子４６およびサブマウント４８等の各部品を個別に
形成して準備する。絶縁ブロック３０を形成する際に
は、まず、図６に示すように、セラミック等からなる板
体４０ａを準備し、この板体４０ａに複数の長孔４２ａ
を形成する。そして、長孔４２ａのそれぞれにＡｌ，Ｃ
ｕまたは４２アロイ等のような金属（金属配線）４４を
充填した後、図６中の二点鎖線で示した切断線に沿って
板体４０ａを切断する。このようにして本体４０を得た
後、金属配線４４の表面にＡｇまたはＡｕ等のようなメ
ッキ層を電解メッキ法等によって形成する。なお、板体
４０ａの厚さは０．８〜１．５mm程度、長孔４２ａの長
径は０．５〜０．８mm程度に設定される。
【００１４】組み立て工程においては、まず、図７に示
すように、レーザ素子４８をサブマウント４６にダイボ
ンディングし、さらに、サブマウント４６を絶縁ブロッ
ク３０の金属配線４４ａに対応する位置にダイボンディ
ングしてこれらを一体化する。このとき、レーザ素子４
８の光軸が絶縁ブロック３０の下面に対して垂直となる
ように、絶縁ブロック３０に対するサブマウント４６の
位置を調整する。
すように、レーザ素子４８をサブマウント４６にダイボ
ンディングし、さらに、サブマウント４６を絶縁ブロッ
ク３０の金属配線４４ａに対応する位置にダイボンディ
ングしてこれらを一体化する。このとき、レーザ素子４
８の光軸が絶縁ブロック３０の下面に対して垂直となる
ように、絶縁ブロック３０に対するサブマウント４６の
位置を調整する。
【００１５】続いて、図８に示すように、パッケージ１
６の基準面１８に光検出器２８および絶縁ブロック３０
をＡｇペースト等の金属ペーストまたは導電性接着剤を
用いてダイボンディングする。絶縁ブロック３０の下面
と左側面とは互いに垂直に形成されているため、絶縁ブ
ロック３０の下面を基準面１８にダイボンディングする
と、左側面は基準面１８に対して必ず垂直となり、レー
ザ素子４８の光軸も基準面１８に対して必ず垂直とな
る。したがって、基準面１８に絶縁ブロック３０をダイ
ボンディングする際には、光軸方向を調整する必要はな
い。
６の基準面１８に光検出器２８および絶縁ブロック３０
をＡｇペースト等の金属ペーストまたは導電性接着剤を
用いてダイボンディングする。絶縁ブロック３０の下面
と左側面とは互いに垂直に形成されているため、絶縁ブ
ロック３０の下面を基準面１８にダイボンディングする
と、左側面は基準面１８に対して必ず垂直となり、レー
ザ素子４８の光軸も基準面１８に対して必ず垂直とな
る。したがって、基準面１８に絶縁ブロック３０をダイ
ボンディングする際には、光軸方向を調整する必要はな
い。
【００１６】そして、必要箇所をワイヤボンディングに
よって互いに接続し、最後にカバーを装着する。このよ
うなレーザユニット１０が、図２に示すように、ホログ
ラム素子５８および対物レンズ６０等と共に光ピックア
ップ装置１２内に組み込まれる。そして、レーザ素子４
８からのレーザ光がディスク１４で正確に反射され、か
つ、レーザユニット１０の受光部３４に正確に集光され
るように、受光部３４からの出力信号に基づいてホログ
ラム素子５８および対物レンズ６０の位置が調整され
る。
よって互いに接続し、最後にカバーを装着する。このよ
うなレーザユニット１０が、図２に示すように、ホログ
ラム素子５８および対物レンズ６０等と共に光ピックア
ップ装置１２内に組み込まれる。そして、レーザ素子４
８からのレーザ光がディスク１４で正確に反射され、か
つ、レーザユニット１０の受光部３４に正確に集光され
るように、受光部３４からの出力信号に基づいてホログ
ラム素子５８および対物レンズ６０の位置が調整され
る。
【００１７】この実施例によれば、絶縁ブロック３０の
左側面が基準面１８に対して垂直に配置されるので、左
側面に接合されたレーザ素子４８の光軸も基準面１８に
対して垂直になる。したがって、従来のような煩雑な光
軸調整作業は不要であり、簡単な工程で正確に組み立て
ることができる。また、高価な光学素子を必要としない
ので、製造コストを低減できる。
左側面が基準面１８に対して垂直に配置されるので、左
側面に接合されたレーザ素子４８の光軸も基準面１８に
対して垂直になる。したがって、従来のような煩雑な光
軸調整作業は不要であり、簡単な工程で正確に組み立て
ることができる。また、高価な光学素子を必要としない
ので、製造コストを低減できる。
【００１８】なお、上述の実施例では、絶縁ブロック３
０に略Ｕ条の溝４２ａ〜４２ｄを形成しているが、溝４
２ａ〜４２ｄの形状は適宜変更可能であり、たとえば図
９に示すように、略コ状に形成してもよい。また、図１
０に示すように、パッケージ１６の基準面１８に凹部６
４を形成し、この凹部６４に絶縁ブロック３０を嵌め込
むようにしてもよい。凹部６４を予め形成しておくと、
基準面１８に絶縁ブロック３０を位置決めする際の作業
性を向上できる。
０に略Ｕ条の溝４２ａ〜４２ｄを形成しているが、溝４
２ａ〜４２ｄの形状は適宜変更可能であり、たとえば図
９に示すように、略コ状に形成してもよい。また、図１
０に示すように、パッケージ１６の基準面１８に凹部６
４を形成し、この凹部６４に絶縁ブロック３０を嵌め込
むようにしてもよい。凹部６４を予め形成しておくと、
基準面１８に絶縁ブロック３０を位置決めする際の作業
性を向上できる。
【００１９】さらに、ホログラム素子５８とパッケージ
１６のカバーとを一体に形成し、受光部３４からの出力
信号に基づいてホログラム素子５６の位置を調整した
後、この一体物をパッケージ１６に接着するようにして
もよい。
１６のカバーとを一体に形成し、受光部３４からの出力
信号に基づいてホログラム素子５６の位置を調整した
後、この一体物をパッケージ１６に接着するようにして
もよい。
【図１】この発明の一実施例を示す図解図である。
【図２】図１実施例が適用される光ピックアップ装置を
示す図解図である。
示す図解図である。
【図３】光検出器および絶縁ブロックを示す斜視図であ
る。
る。
【図４】絶縁ブロックを示す斜視図である。
【図５】サブマウントおよびレーザ素子を示す斜視図で
ある。
ある。
【図６】絶縁ブロックの形成方法を示す図解図である。
【図７】絶縁ブロックおよびサブマウントを示す斜視図
である。
である。
【図８】図１実施例の組み立て方法を示す図解図であ
る。
る。
【図９】他の実施例を示す図解図である。
【図１０】他の実施例を示す図解図である。
１０ …レーザユニット １２ …光ピックアップ装置 １６ …パッケージ １８ …基準面 ２８ …光検出器 ３０ …絶縁ブロック ３４ …受光部 ４２ａ〜４２ｄ …溝 ４４ａ〜４４ｄ …金属配線 ４６ …サブマウント ４８ …レーザ素子
Claims (5)
- 【請求項１】基準面を有するパッケージ、 互いに直交する第１面と第２面とを有し、前記第１面が
前記基準面に接合される絶縁ブロック、 前記第２面に接合されるサブマウント、および前記サブ
マウントに接合されるレーザ素子を備える、レーザユニ
ット。 - 【請求項２】前記サブマウントは前記レーザ素子の光軸
に対して平行に形成された接合面を有し、前記接合面が
前記第２面に接合される、請求項１記載のレーザユニッ
ト。 - 【請求項３】前記基準面に凹部が形成され、前記凹部に
前記絶縁ブロックが嵌め込まれる、請求項１または２記
載のレーザユニット。 - 【請求項４】請求項１記載のレーザユニットに用いられ
る絶縁ブロックであって、 互いに直交する第１面と第２面とを有するかつ絶縁材料
からなる本体、 前記第１面と前記第２面とにわたって前記本体に形成さ
れる溝、および前記溝に埋め込まれる金属配線を備え
る、絶縁ブロック。 - 【請求項５】前記絶縁材料はセラミックを含む、請求項
４記載の絶縁ブロック。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34907198A JP3919367B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | レーザユニットおよび絶縁ブロック |
| TW088121278A TW457480B (en) | 1998-12-08 | 1999-12-06 | Laser unit and insulation block used for same |
| KR1019990055397A KR100590991B1 (ko) | 1998-12-08 | 1999-12-07 | 레이저 유니트 및 이에 사용되는 절연블록 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34907198A JP3919367B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | レーザユニットおよび絶縁ブロック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174374A true JP2000174374A (ja) | 2000-06-23 |
| JP3919367B2 JP3919367B2 (ja) | 2007-05-23 |
Family
ID=18401302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34907198A Expired - Fee Related JP3919367B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | レーザユニットおよび絶縁ブロック |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3919367B2 (ja) |
| KR (1) | KR100590991B1 (ja) |
| TW (1) | TW457480B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012256853A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-27 | Japan Oclaro Inc | アレイ型受光装置、光受信モジュール、及び光トランシーバ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3737769B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2006-01-25 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
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| JPH06164066A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-06-10 | Sony Corp | レーザ光発生装置 |
| JPH10150138A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-06-02 | Citizen Electron Co Ltd | 下面電極付き側面使用電子部品 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106425A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-06-11 | 有限会社三輪エンジニアリング | 窓拭装置 |
| KR900000838B1 (ko) * | 1987-09-30 | 1990-02-17 | 삼성전자 주식회사 | 각인형 서브마운트에 의한 반도체 레이저의 제조방법 |
| JP3243193B2 (ja) * | 1997-01-21 | 2002-01-07 | 株式会社秩父富士 | 半導体レーザユニット |
| JP3128206B2 (ja) * | 1997-03-13 | 2001-01-29 | 株式会社秩父富士 | 半導体レーザユニット |
| JP3128207B2 (ja) * | 1997-03-13 | 2001-01-29 | 株式会社秩父富士 | 半導体レーザユニット |
-
1998
- 1998-12-08 JP JP34907198A patent/JP3919367B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-06 TW TW088121278A patent/TW457480B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-07 KR KR1019990055397A patent/KR100590991B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100590991B1 (ko) | 2006-06-19 |
| JP3919367B2 (ja) | 2007-05-23 |
| KR20000047956A (ko) | 2000-07-25 |
| TW457480B (en) | 2001-10-01 |
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