JPH1022576A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH1022576A JPH1022576A JP17093296A JP17093296A JPH1022576A JP H1022576 A JPH1022576 A JP H1022576A JP 17093296 A JP17093296 A JP 17093296A JP 17093296 A JP17093296 A JP 17093296A JP H1022576 A JPH1022576 A JP H1022576A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ装置において、半導体レーザ載
置用金属ブロックを不要として、量産性の向上及び小型
化，低コスト化を図る。 【解決手段】 リードフレーム５の主面に対しレーザ光
９を垂直に曲げるために４５°に傾斜したミラー面２ａ
を有しているサブマウント２にレーザチップ１を、ま
た、上記レーザチップ１に対して上記ミラー面２ａと反
対側の位置に設けられた，上記サブマウント２上の段差
部２ｂにモニタフォトダイオード４を、それぞれ表面実
装によって載置できるようにし、上記レーザチップ１，
サブマウント２，及びモニタフォトダイオード４を透明
樹脂６によりモールドするように構成した。
置用金属ブロックを不要として、量産性の向上及び小型
化，低コスト化を図る。 【解決手段】 リードフレーム５の主面に対しレーザ光
９を垂直に曲げるために４５°に傾斜したミラー面２ａ
を有しているサブマウント２にレーザチップ１を、ま
た、上記レーザチップ１に対して上記ミラー面２ａと反
対側の位置に設けられた，上記サブマウント２上の段差
部２ｂにモニタフォトダイオード４を、それぞれ表面実
装によって載置できるようにし、上記レーザチップ１，
サブマウント２，及びモニタフォトダイオード４を透明
樹脂６によりモールドするように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は透明樹脂によりレ
ーザチップ等をモールドするように構成した半導体レー
ザ装置の構造、特にレーザ光の外部への出射，及びモニ
タフォトダイオードの組立を容易にするためのサブマウ
ント構造，及びパッケージ構造に関するものである。
ーザチップ等をモールドするように構成した半導体レー
ザ装置の構造、特にレーザ光の外部への出射，及びモニ
タフォトダイオードの組立を容易にするためのサブマウ
ント構造，及びパッケージ構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ装置の構造断面図を
図４に示す。レーザチップ１０１（以下、ＬＤと称す）
は、サブマウント１０２を介して金属ブロック１０３に
ダイボンドされている。モニタフォトダイオード１０４
は、戻り光の影響を防止するために、パッケージ１０５
のほぼ中央の，１３〜２０°近く傾斜した斜面にマウン
トされている。そして、上記金属ブロック１０３は、レ
ーザ光がパッケージ１０５の主面に対して垂直に出射さ
れるように、該パッケージ１０５の主面上にマウントさ
れている。また、上記ＬＤチップ１０１，モニタフォト
ダイオード１０４はそれぞれリード又はワイヤ１０６で
結線されている。
図４に示す。レーザチップ１０１（以下、ＬＤと称す）
は、サブマウント１０２を介して金属ブロック１０３に
ダイボンドされている。モニタフォトダイオード１０４
は、戻り光の影響を防止するために、パッケージ１０５
のほぼ中央の，１３〜２０°近く傾斜した斜面にマウン
トされている。そして、上記金属ブロック１０３は、レ
ーザ光がパッケージ１０５の主面に対して垂直に出射さ
れるように、該パッケージ１０５の主面上にマウントさ
れている。また、上記ＬＤチップ１０１，モニタフォト
ダイオード１０４はそれぞれリード又はワイヤ１０６で
結線されている。
【０００３】そして、ＬＤチップ１０１，モニタフォト
ダイオード１０４を外囲より保護するために、金属キャ
ップ１０７が上記パッケージ１０５の主面に溶接されて
いる。この金属キャップ１０７は、レーザチップ１０１
の前方より出射されるレーザ光を透過させる透明な窓ガ
ラス１０８を有している。また、上記モニタフォトダイ
オード１０４は上記レーザチップ１０１の後方より出射
されるレーザ光１１０を受光（モニタ）し、前方より出
射されるレーザ光１０９を制御する機能を有している。
ダイオード１０４を外囲より保護するために、金属キャ
ップ１０７が上記パッケージ１０５の主面に溶接されて
いる。この金属キャップ１０７は、レーザチップ１０１
の前方より出射されるレーザ光を透過させる透明な窓ガ
ラス１０８を有している。また、上記モニタフォトダイ
オード１０４は上記レーザチップ１０１の後方より出射
されるレーザ光１１０を受光（モニタ）し、前方より出
射されるレーザ光１０９を制御する機能を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置は以上のように構成されているため、レーザ光をパッ
ケージ主面に対して垂直に取り出すために、金属ブロッ
ク１０３のブロックボンド組立（ブロックをパッケージ
に取り付ける工程）を必要とし、このため生産工期が長
く、コスト高となっていた。
置は以上のように構成されているため、レーザ光をパッ
ケージ主面に対して垂直に取り出すために、金属ブロッ
ク１０３のブロックボンド組立（ブロックをパッケージ
に取り付ける工程）を必要とし、このため生産工期が長
く、コスト高となっていた。
【０００５】又、図４に示すように、この金属ブロック
１０３を覆うように、金属キャップ１０７を金属パッケ
ージ１０５に取り付ける必要があるために、全体として
寸法が大きくなってしまい、小型化，低コスト化を図る
ことができなかった。
１０３を覆うように、金属キャップ１０７を金属パッケ
ージ１０５に取り付ける必要があるために、全体として
寸法が大きくなってしまい、小型化，低コスト化を図る
ことができなかった。
【０００６】本発明は、かかる問題点を解決するために
なされたもので、従来必要であった金属ブロックを不要
とすることにより、量産性に優れ，かつ小型化，低コス
ト化を図ることができる半導体レーザ装置を提供するこ
とを目的とするものである。
なされたもので、従来必要であった金属ブロックを不要
とすることにより、量産性に優れ，かつ小型化，低コス
ト化を図ることができる半導体レーザ装置を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体レーザ装置は、発光用のレーザチップと、受光
用のモニタフォトダイオードとを有する半導体レーザ装
置において、リードフレームの主面上に設けられたサブ
マウントの主面には、その中央に平坦部が、該平坦部を
挟んで一方の側に該平坦部より下方に位置する段差部
が、他方の側にその表面にミラーが形成された所定傾斜
角の傾斜部が、それぞれ形成されており、上記レーザチ
ップは、その前方へ出射されるレーザ光が上記ミラーに
より上記リードフレームの主面に対して垂直方向に曲げ
られて外部に出射されるよう、上記サブマウントの平坦
部に載置され、上記モニタフォトダイオードは、上記レ
ーザチップの後方へ出射されるレーザ光をモニタできる
よう、上記サブマウントの段差部に、上記レーザチップ
に近接して載置され、かつ、上記レーザチップ，モニタ
フォトダイオード，及びサブマウントは、透明樹脂によ
りモールドされてなるものである。
る半導体レーザ装置は、発光用のレーザチップと、受光
用のモニタフォトダイオードとを有する半導体レーザ装
置において、リードフレームの主面上に設けられたサブ
マウントの主面には、その中央に平坦部が、該平坦部を
挟んで一方の側に該平坦部より下方に位置する段差部
が、他方の側にその表面にミラーが形成された所定傾斜
角の傾斜部が、それぞれ形成されており、上記レーザチ
ップは、その前方へ出射されるレーザ光が上記ミラーに
より上記リードフレームの主面に対して垂直方向に曲げ
られて外部に出射されるよう、上記サブマウントの平坦
部に載置され、上記モニタフォトダイオードは、上記レ
ーザチップの後方へ出射されるレーザ光をモニタできる
よう、上記サブマウントの段差部に、上記レーザチップ
に近接して載置され、かつ、上記レーザチップ，モニタ
フォトダイオード，及びサブマウントは、透明樹脂によ
りモールドされてなるものである。
【０００８】また、この発明の請求項２に係る半導体レ
ーザ装置は、発光用のレーザチップと、受光用のモニタ
フォトダイオードとを有する半導体レーザ装置におい
て、リードフレームには、その主面に、平坦部につづい
て所定傾斜角の傾斜部が形成されており、該リードフレ
ームの主面の上記平坦部上に載置されたサブマウントの
主面には、上記リードフレームの傾斜部に近い位置に、
平坦部が、遠い位置に、その表面にミラーが形成された
所定傾斜角の傾斜部が、それぞれ形成されており、上記
レーザチップは、その前方へ出射されるレーザ光が上記
ミラーにより上記リードフレームの主面に対して垂直方
向に曲げられて外部に出射されるよう、上記サブマウン
トの平坦部に載置され、上記モニタフォトダイオード
は、上記レーザチップの後方へ出射されるレーザ光をモ
ニタできるよう、上記リードフレームの傾斜部に載置さ
れ、かつ、上記レーザチップ，モニタフォトダイオー
ド，及びサブマウントは、透明樹脂によりモールドされ
てなるものである。
ーザ装置は、発光用のレーザチップと、受光用のモニタ
フォトダイオードとを有する半導体レーザ装置におい
て、リードフレームには、その主面に、平坦部につづい
て所定傾斜角の傾斜部が形成されており、該リードフレ
ームの主面の上記平坦部上に載置されたサブマウントの
主面には、上記リードフレームの傾斜部に近い位置に、
平坦部が、遠い位置に、その表面にミラーが形成された
所定傾斜角の傾斜部が、それぞれ形成されており、上記
レーザチップは、その前方へ出射されるレーザ光が上記
ミラーにより上記リードフレームの主面に対して垂直方
向に曲げられて外部に出射されるよう、上記サブマウン
トの平坦部に載置され、上記モニタフォトダイオード
は、上記レーザチップの後方へ出射されるレーザ光をモ
ニタできるよう、上記リードフレームの傾斜部に載置さ
れ、かつ、上記レーザチップ，モニタフォトダイオー
ド，及びサブマウントは、透明樹脂によりモールドされ
てなるものである。
【０００９】また、この発明の請求項３に係る半導体レ
ーザ装置は、上記請求項２に記載の半導体レーザ装置に
おいて、上記リードフレームに形成した傾斜面の傾斜角
を、当該リードフレームの主面に対して、５〜２０°と
したものである。
ーザ装置は、上記請求項２に記載の半導体レーザ装置に
おいて、上記リードフレームに形成した傾斜面の傾斜角
を、当該リードフレームの主面に対して、５〜２０°と
したものである。
【００１０】また、この発明の請求項４に係る半導体レ
ーザ装置は、発光用のレーザチップと、受光用のモニタ
フォトダイオードとを有する半導体レーザ装置におい
て、上記レーザチップ，及びサブマウントを載置するた
めの第１のリードフレームと、上記モニタフォトダイオ
ードを載置するための第２のリードフレームとを有し、
上記第２のリードフレームは、所定傾斜角の傾斜面を備
えるようにベントされており、上記第１のリードフレー
ムの主面上に設けられたサブマウントには、上記第２の
リードフレームの傾斜面に近い位置に、平坦部が、遠い
位置に、その表面にミラーが形成された所定傾斜角の傾
斜部が、それぞれ形成されており、上記レーザチップ
は、その前方へ出射されるレーザ光が上記ミラーにより
上記リードフレームの主面に対して垂直方向に曲げられ
て外部に出射されるよう、上記サブマウントの平坦部に
載置され、上記モニタフォトダイオードは、上記レーザ
チップの後方へ出射されるレーザ光をモニタできるよ
う、上記第２のリードフレームの傾斜面に載置され、か
つ、上記レーザチップ，モニタフォトダイオード，及び
サブマウントは、透明樹脂によりモールドされてなるも
のである。
ーザ装置は、発光用のレーザチップと、受光用のモニタ
フォトダイオードとを有する半導体レーザ装置におい
て、上記レーザチップ，及びサブマウントを載置するた
めの第１のリードフレームと、上記モニタフォトダイオ
ードを載置するための第２のリードフレームとを有し、
上記第２のリードフレームは、所定傾斜角の傾斜面を備
えるようにベントされており、上記第１のリードフレー
ムの主面上に設けられたサブマウントには、上記第２の
リードフレームの傾斜面に近い位置に、平坦部が、遠い
位置に、その表面にミラーが形成された所定傾斜角の傾
斜部が、それぞれ形成されており、上記レーザチップ
は、その前方へ出射されるレーザ光が上記ミラーにより
上記リードフレームの主面に対して垂直方向に曲げられ
て外部に出射されるよう、上記サブマウントの平坦部に
載置され、上記モニタフォトダイオードは、上記レーザ
チップの後方へ出射されるレーザ光をモニタできるよ
う、上記第２のリードフレームの傾斜面に載置され、か
つ、上記レーザチップ，モニタフォトダイオード，及び
サブマウントは、透明樹脂によりモールドされてなるも
のである。
【００１１】また、この発明の請求項５に係る半導体レ
ーザ装置は、上記請求項４に記載の半導体レーザ装置に
おいて、上記第２のリードフレームの傾斜面の傾斜角
を、当該リードフレームの主面に対して、５〜２０°と
したものである。
ーザ装置は、上記請求項４に記載の半導体レーザ装置に
おいて、上記第２のリードフレームの傾斜面の傾斜角
を、当該リードフレームの主面に対して、５〜２０°と
したものである。
【００１２】また、この発明の請求項６に係る半導体レ
ーザ装置は、上記請求項１ないし５のいずれかに記載の
半導体レーザ装置において、上記サブマウントに形成さ
れた傾斜部の傾斜角を４５°としたものである。
ーザ装置は、上記請求項１ないし５のいずれかに記載の
半導体レーザ装置において、上記サブマウントに形成さ
れた傾斜部の傾斜角を４５°としたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施の形態１ ．以下、この発明の実施の形態１による半
導体レーザ装置を図について説明する。図１は本実施の
形態１による半導体レーザ装置の断面構造図である。図
において、１はＬＤチップであり、２はこのＬＤチップ
１をその段部にマウントするサブマウントである。そし
て、サブマウント２の段部の前方にはエッチングプロセ
スにより精度良く形成された４５°の角度を有するミラ
ー面２ａが設けられており、上記ＬＤチップ１はこのミ
ラー面２ａの後方にダイボンドされる。このＬＤチップ
１の前方より出射されたレーザ光３ａは、ミラー面２ａ
により、リードフレーム５の主面に対して垂直上方へ曲
げられる。
導体レーザ装置を図について説明する。図１は本実施の
形態１による半導体レーザ装置の断面構造図である。図
において、１はＬＤチップであり、２はこのＬＤチップ
１をその段部にマウントするサブマウントである。そし
て、サブマウント２の段部の前方にはエッチングプロセ
スにより精度良く形成された４５°の角度を有するミラ
ー面２ａが設けられており、上記ＬＤチップ１はこのミ
ラー面２ａの後方にダイボンドされる。このＬＤチップ
１の前方より出射されたレーザ光３ａは、ミラー面２ａ
により、リードフレーム５の主面に対して垂直上方へ曲
げられる。
【００１４】上記サブマウント２には、上記ＬＤチップ
１がダイボンドされる位置の後方であって、ＬＤチップ
１にできるだけ近接した位置に、もう１つの段部２ｂが
設けられている。そして、この段部２ｂにモニタ用のフ
ォトダイオード４が高精度にダイボンドされ、上記ＬＤ
チップ１の後方より出射されるレーザ光３ｂを効率良く
受光し、モニタする。
１がダイボンドされる位置の後方であって、ＬＤチップ
１にできるだけ近接した位置に、もう１つの段部２ｂが
設けられている。そして、この段部２ｂにモニタ用のフ
ォトダイオード４が高精度にダイボンドされ、上記ＬＤ
チップ１の後方より出射されるレーザ光３ｂを効率良く
受光し、モニタする。
【００１５】さらに、上記サブマウント２は、リードフ
レーム５の主面上にマウントされており、図示していな
いが、ワイヤにより上記ＬＤチップ１，フォトダイオー
ド４はそれぞれこのリードフレーム５と電気的に結線さ
れる。
レーム５の主面上にマウントされており、図示していな
いが、ワイヤにより上記ＬＤチップ１，フォトダイオー
ド４はそれぞれこのリードフレーム５と電気的に結線さ
れる。
【００１６】そして、全体が、エポキシ樹脂等の透明樹
脂６で覆われていて、レーザ光９が透過する樹脂面はか
なり精度良く仕上げられている。そのため、光学特性の
劣化が損なわれることなく、レーザ光９は透明樹脂６よ
り外へ出射される。
脂６で覆われていて、レーザ光９が透過する樹脂面はか
なり精度良く仕上げられている。そのため、光学特性の
劣化が損なわれることなく、レーザ光９は透明樹脂６よ
り外へ出射される。
【００１７】このような本実施の形態１による半導体レ
ーザ装置においては、リードフレーム５の主面に対しレ
ーザ光９を垂直に曲げるために４５°に傾斜したミラー
面２ａを有しているサブマウント２の段差部にレーザチ
ップ１を、また、上記レーザチップ１に対して上記ミラ
ー面２ａと反対側の位置に設けられた段差部２ｂにモニ
タフォトダイオード４を、それぞれ表面実装によって載
置できるように構成したので、素子の組立の量産性を向
上させることができる。
ーザ装置においては、リードフレーム５の主面に対しレ
ーザ光９を垂直に曲げるために４５°に傾斜したミラー
面２ａを有しているサブマウント２の段差部にレーザチ
ップ１を、また、上記レーザチップ１に対して上記ミラ
ー面２ａと反対側の位置に設けられた段差部２ｂにモニ
タフォトダイオード４を、それぞれ表面実装によって載
置できるように構成したので、素子の組立の量産性を向
上させることができる。
【００１８】また、パッケージがリードフレーム構造を
なし、従来の金属キャンを透明樹脂で置き替えるように
構成しているので、従来１０mm〜２５mmの高さが必要で
あったものを５mm以下の高さにすることができ、素子の
小型化（薄型化），低コスト化を実現することができ
る。
なし、従来の金属キャンを透明樹脂で置き替えるように
構成しているので、従来１０mm〜２５mmの高さが必要で
あったものを５mm以下の高さにすることができ、素子の
小型化（薄型化），低コスト化を実現することができ
る。
【００１９】なお、本実施の形態１による半導体レーザ
装置においては、上述のように、レーザチップ１及びモ
ニタフォトダイオード４を並設するように構成したが、
モニタフォトダイオード４をレーザチップ１にできるだ
け近接して載置するように構成しているので、上記レー
ザチップ１及びモニタフォトダイオード４を並設したこ
とによる，モニタフォトダイオード４の受光性の損失が
生じることはない。
装置においては、上述のように、レーザチップ１及びモ
ニタフォトダイオード４を並設するように構成したが、
モニタフォトダイオード４をレーザチップ１にできるだ
け近接して載置するように構成しているので、上記レー
ザチップ１及びモニタフォトダイオード４を並設したこ
とによる，モニタフォトダイオード４の受光性の損失が
生じることはない。
【００２０】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２による半導体レーザ装置の断面構造図である。図に
おいて、ＬＤチップ１は、サブマウント７の，４５°の
斜面をもつミラー面７ａの後方にダイボンドされてお
り、前方へのレーザ光３ａは、このミラー面７ａでリー
ドフレーム８の主面に対して垂直に曲げられ、透明樹脂
６内を進行し、外部へ出射される。
態２による半導体レーザ装置の断面構造図である。図に
おいて、ＬＤチップ１は、サブマウント７の，４５°の
斜面をもつミラー面７ａの後方にダイボンドされてお
り、前方へのレーザ光３ａは、このミラー面７ａでリー
ドフレーム８の主面に対して垂直に曲げられ、透明樹脂
６内を進行し、外部へ出射される。
【００２１】そして、本実施の形態２による半導体レー
ザ装置では、モニタフォトダイオード４は、上記実施の
形態１による半導体レーザ装置と異なり、リードフレー
ム８に直接取り付けられている。このリードフレーム８
は、成形時の金型構造によって、その厚みがその位置に
よって異なるように成形されており、上記ＬＤチップ１
がダイボンドされる位置の後方に傾斜面８ａを有してい
て、この傾斜面８ａに上記モニタフォトダイオード４が
マウントされている。このリードフレーム８の傾斜面８
ａは、モニタフォトダイオード４が上記ＬＤチップ１の
後方より出射されるレーザ光３ｂを効率良く受光（モニ
タ）できるように、５°〜２０°近く傾斜している。
ザ装置では、モニタフォトダイオード４は、上記実施の
形態１による半導体レーザ装置と異なり、リードフレー
ム８に直接取り付けられている。このリードフレーム８
は、成形時の金型構造によって、その厚みがその位置に
よって異なるように成形されており、上記ＬＤチップ１
がダイボンドされる位置の後方に傾斜面８ａを有してい
て、この傾斜面８ａに上記モニタフォトダイオード４が
マウントされている。このリードフレーム８の傾斜面８
ａは、モニタフォトダイオード４が上記ＬＤチップ１の
後方より出射されるレーザ光３ｂを効率良く受光（モニ
タ）できるように、５°〜２０°近く傾斜している。
【００２２】このような本実施の形態２による半導体レ
ーザ装置においては、リードフレーム８の主面に対しレ
ーザ光３ａを垂直に曲げるために４５°に傾斜したミラ
ー面を有しているサブマウント７に、レーザチップ１
を、また、傾斜角が５°〜２０°と小さい，リードフレ
ーム８の傾斜面８ａに、モニタフォトダイオード４を、
それぞれ表面実装によって載置できるように構成したの
で、素子の組立の量産性を向上させることができる。
ーザ装置においては、リードフレーム８の主面に対しレ
ーザ光３ａを垂直に曲げるために４５°に傾斜したミラ
ー面を有しているサブマウント７に、レーザチップ１
を、また、傾斜角が５°〜２０°と小さい，リードフレ
ーム８の傾斜面８ａに、モニタフォトダイオード４を、
それぞれ表面実装によって載置できるように構成したの
で、素子の組立の量産性を向上させることができる。
【００２３】また、パッケージがリードフレーム構造を
なし、従来の金属キャンを透明樹脂で置き替えるように
構成しているので、従来１０mm〜２５mmの高さが必要で
あったものを５mm以下の高さにすることができ、素子の
小型化（薄型化），低コスト化を実現することができ
る。
なし、従来の金属キャンを透明樹脂で置き替えるように
構成しているので、従来１０mm〜２５mmの高さが必要で
あったものを５mm以下の高さにすることができ、素子の
小型化（薄型化），低コスト化を実現することができ
る。
【００２４】さらに、モニタフォトダイオード４を、上
記レーザチップ１の方向に５°〜２０°近く傾斜させた
リードフレーム８の傾斜面８ａに載置するように構成し
ているので、モニタフォトダイオード４の受光効率を向
上させることができる。
記レーザチップ１の方向に５°〜２０°近く傾斜させた
リードフレーム８の傾斜面８ａに載置するように構成し
ているので、モニタフォトダイオード４の受光効率を向
上させることができる。
【００２５】実施の形態３．図３はこの発明の実施の形
態３による半導体レーザ装置の断面構造図である。本実
施の形態３による半導体レーザ装置の構成は、上記実施
の形態２による半導体レーザ装置の構成と類似してお
り、モニタフォトダイオード４がマウントされるリード
フレームの構造のみが相違している。
態３による半導体レーザ装置の断面構造図である。本実
施の形態３による半導体レーザ装置の構成は、上記実施
の形態２による半導体レーザ装置の構成と類似してお
り、モニタフォトダイオード４がマウントされるリード
フレームの構造のみが相違している。
【００２６】即ち、上記実施の形態２による半導体レー
ザ装置では、リードフレーム８が一体的に成形されてい
るのに対し、本実施の形態３では、図３に示すように、
第１のリードフレーム９と第２のリードフレーム１０と
が分離された構造となっており、第２のリードフレーム
１０は、金型成形時にベントされたフレーム構造になっ
ている。そして、このベントされた部分の傾斜角は、上
記リードフレーム１０の主面に対して５°〜２０°とな
っており、上記フォトダイオード４はこのリードフレー
ム１０の傾斜面にマウントされる。
ザ装置では、リードフレーム８が一体的に成形されてい
るのに対し、本実施の形態３では、図３に示すように、
第１のリードフレーム９と第２のリードフレーム１０と
が分離された構造となっており、第２のリードフレーム
１０は、金型成形時にベントされたフレーム構造になっ
ている。そして、このベントされた部分の傾斜角は、上
記リードフレーム１０の主面に対して５°〜２０°とな
っており、上記フォトダイオード４はこのリードフレー
ム１０の傾斜面にマウントされる。
【００２７】このような本実施の形態３による半導体レ
ーザ装置においては、第１のリードフレーム９の主面に
対しレーザ光３ａを垂直に曲げるために４５°に傾斜し
たミラー面を有しているサブマウント７に、レーザチッ
プ１を、また、傾斜角が５°〜２０°となるようにベン
トされた第２のリードフレーム１０の傾斜面に、モニタ
フォトダイオード４を、それぞれ表面実装によって載置
できるように構成したので、素子の組立の量産性を向上
させることができる。
ーザ装置においては、第１のリードフレーム９の主面に
対しレーザ光３ａを垂直に曲げるために４５°に傾斜し
たミラー面を有しているサブマウント７に、レーザチッ
プ１を、また、傾斜角が５°〜２０°となるようにベン
トされた第２のリードフレーム１０の傾斜面に、モニタ
フォトダイオード４を、それぞれ表面実装によって載置
できるように構成したので、素子の組立の量産性を向上
させることができる。
【００２８】また、パッケージがリードフレーム構造を
なし、従来の金属キャンを透明樹脂で置き替えるように
構成しているので、従来１０mm〜２５mmの高さが必要で
あったものを５mm以下の高さにすることができ、素子の
小型化（薄型化），低コスト化を実現することができ
る。
なし、従来の金属キャンを透明樹脂で置き替えるように
構成しているので、従来１０mm〜２５mmの高さが必要で
あったものを５mm以下の高さにすることができ、素子の
小型化（薄型化），低コスト化を実現することができ
る。
【００２９】さらに、モニタフォトダイオード４を、上
記レーザチップ１の方向に５°〜２０°近くベントさせ
た第２のリードフレーム１０の傾斜面に載置するように
構成しているので、モニタフォトダイオード４の受光効
率を向上させることができる。
記レーザチップ１の方向に５°〜２０°近くベントさせ
た第２のリードフレーム１０の傾斜面に載置するように
構成しているので、モニタフォトダイオード４の受光効
率を向上させることができる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本願の請求項１に係る発
明によれば、発光用のレーザチップと、受光用のモニタ
フォトダイオードとを有する半導体レーザ装置におい
て、リードフレームの主面上に設けられたサブマウント
の主面には、その中央に平坦部が、該平坦部を挟んで一
方の側に該平坦部より下方に位置する段差部が、他方の
側にその表面にミラーが形成された所定傾斜角の傾斜部
が、それぞれ形成されており、上記レーザチップは、そ
の前方へ出射されるレーザ光が上記ミラーにより上記リ
ードフレームの主面に対して垂直方向に曲げられて外部
に出射されるよう、上記サブマウントの平坦部に載置さ
れ、上記モニタフォトダイオードは、上記レーザチップ
の後方へ出射されるレーザ光をモニタできるよう、上記
サブマウントの段差部に、上記レーザチップに近接して
載置され、かつ、上記レーザチップ，モニタフォトダイ
オード，及びサブマウントは、透明樹脂によりモールド
されてなるものとしたので、上記レーザチップ及びモニ
タフォトダイオードをそれぞれ表面実装できるため、素
子の組立の量産性を向上させることができる効果があ
る。また、パッケージがリードフレーム構造をなし、従
来の金属キャンを透明樹脂に置き変わるように構成して
いるので、素子の小型化（薄型化），低コスト化を実現
することができる効果がある。
明によれば、発光用のレーザチップと、受光用のモニタ
フォトダイオードとを有する半導体レーザ装置におい
て、リードフレームの主面上に設けられたサブマウント
の主面には、その中央に平坦部が、該平坦部を挟んで一
方の側に該平坦部より下方に位置する段差部が、他方の
側にその表面にミラーが形成された所定傾斜角の傾斜部
が、それぞれ形成されており、上記レーザチップは、そ
の前方へ出射されるレーザ光が上記ミラーにより上記リ
ードフレームの主面に対して垂直方向に曲げられて外部
に出射されるよう、上記サブマウントの平坦部に載置さ
れ、上記モニタフォトダイオードは、上記レーザチップ
の後方へ出射されるレーザ光をモニタできるよう、上記
サブマウントの段差部に、上記レーザチップに近接して
載置され、かつ、上記レーザチップ，モニタフォトダイ
オード，及びサブマウントは、透明樹脂によりモールド
されてなるものとしたので、上記レーザチップ及びモニ
タフォトダイオードをそれぞれ表面実装できるため、素
子の組立の量産性を向上させることができる効果があ
る。また、パッケージがリードフレーム構造をなし、従
来の金属キャンを透明樹脂に置き変わるように構成して
いるので、素子の小型化（薄型化），低コスト化を実現
することができる効果がある。
【００３１】また、本願の請求項２に係る発明によれ
ば、発光用のレーザチップと、受光用のモニタフォトダ
イオードとを有する半導体レーザ装置において、リード
フレームには、その主面に、平坦部につづいて所定傾斜
角の傾斜部が形成されており、該リードフレームの主面
の上記平坦部上に載置されたサブマウントの主面には、
上記リードフレームの傾斜部に近い位置に、平坦部が、
遠い位置に、その表面にミラーが形成された所定傾斜角
の傾斜部が、それぞれ形成されており、上記レーザチッ
プは、その前方へ出射されるレーザ光が上記ミラーによ
り上記リードフレームの主面に対して垂直方向に曲げら
れて外部に出射されるよう、上記サブマウントの平坦部
に載置され、上記モニタフォトダイオードは、上記レー
ザチップの後方へ出射されるレーザ光をモニタできるよ
う、上記リードフレームの傾斜部に載置され、かつ、上
記レーザチップ，モニタフォトダイオード，及びサブマ
ウントは、透明樹脂によりモールドされてなるものとし
たので、上記レーザチップ及びモニタフォトダイオード
をそれぞれ表面実装できるため、素子の組立の量産性を
向上させることができる効果がある。また、パッケージ
がリードフレーム構造をなし、従来の金属キャンを透明
樹脂に置き変わるように構成しているので、素子の小型
化（薄型化），低コスト化を実現することができる効果
がある。
ば、発光用のレーザチップと、受光用のモニタフォトダ
イオードとを有する半導体レーザ装置において、リード
フレームには、その主面に、平坦部につづいて所定傾斜
角の傾斜部が形成されており、該リードフレームの主面
の上記平坦部上に載置されたサブマウントの主面には、
上記リードフレームの傾斜部に近い位置に、平坦部が、
遠い位置に、その表面にミラーが形成された所定傾斜角
の傾斜部が、それぞれ形成されており、上記レーザチッ
プは、その前方へ出射されるレーザ光が上記ミラーによ
り上記リードフレームの主面に対して垂直方向に曲げら
れて外部に出射されるよう、上記サブマウントの平坦部
に載置され、上記モニタフォトダイオードは、上記レー
ザチップの後方へ出射されるレーザ光をモニタできるよ
う、上記リードフレームの傾斜部に載置され、かつ、上
記レーザチップ，モニタフォトダイオード，及びサブマ
ウントは、透明樹脂によりモールドされてなるものとし
たので、上記レーザチップ及びモニタフォトダイオード
をそれぞれ表面実装できるため、素子の組立の量産性を
向上させることができる効果がある。また、パッケージ
がリードフレーム構造をなし、従来の金属キャンを透明
樹脂に置き変わるように構成しているので、素子の小型
化（薄型化），低コスト化を実現することができる効果
がある。
【００３２】また、本願の請求項３に係る発明によれ
ば、上記請求項２に記載の半導体レーザ装置において、
上記リードフレームに形成した傾斜面の傾斜角を、当該
リードフレームの主面に対して、５〜２０°としたの
で、素子の組立の量産性の向上及び素子の小型化（薄型
化），低コスト化を実現することができる効果がある。
ば、上記請求項２に記載の半導体レーザ装置において、
上記リードフレームに形成した傾斜面の傾斜角を、当該
リードフレームの主面に対して、５〜２０°としたの
で、素子の組立の量産性の向上及び素子の小型化（薄型
化），低コスト化を実現することができる効果がある。
【００３３】また、本願の請求項４に係る発明によれ
ば、発光用のレーザチップと、受光用のモニタフォトダ
イオードとを有する半導体レーザ装置において、上記レ
ーザチップ，及びサブマウントを載置するための第１の
リードフレームと、上記モニタフォトダイオードを載置
するための第２のリードフレームとを有し、上記第２の
リードフレームは、所定傾斜角の傾斜面を備えるように
ベントされており、上記第１のリードフレームの主面上
に設けられたサブマウントには、上記第２のリードフレ
ームの傾斜面に近い位置に、平坦部が、遠い位置に、そ
の表面にミラーが形成された所定傾斜角の傾斜部が、そ
れぞれ形成されており、上記レーザチップは、その前方
へ出射されるレーザ光が上記ミラーにより上記リードフ
レームの主面に対して垂直方向に曲げられて外部に出射
されるよう、上記サブマウントの平坦部に載置され、上
記モニタフォトダイオードは、上記レーザチップの後方
へ出射されるレーザ光をモニタできるよう、上記第２の
リードフレームの傾斜面に載置され、かつ、上記レーザ
チップ，モニタフォトダイオード，及びサブマウント
は、透明樹脂によりモールドされてなるものとしたの
で、上記レーザチップ及びモニタフォトダイオードをそ
れぞれ表面実装できるため、素子の組立の量産性を向上
させることができる効果がある。また、パッケージがリ
ードフレーム構造をなし、従来の金属キャンを透明樹脂
に置き変わるように構成しているので、素子の小型化
（薄型化），低コスト化を実現することができる効果が
ある。
ば、発光用のレーザチップと、受光用のモニタフォトダ
イオードとを有する半導体レーザ装置において、上記レ
ーザチップ，及びサブマウントを載置するための第１の
リードフレームと、上記モニタフォトダイオードを載置
するための第２のリードフレームとを有し、上記第２の
リードフレームは、所定傾斜角の傾斜面を備えるように
ベントされており、上記第１のリードフレームの主面上
に設けられたサブマウントには、上記第２のリードフレ
ームの傾斜面に近い位置に、平坦部が、遠い位置に、そ
の表面にミラーが形成された所定傾斜角の傾斜部が、そ
れぞれ形成されており、上記レーザチップは、その前方
へ出射されるレーザ光が上記ミラーにより上記リードフ
レームの主面に対して垂直方向に曲げられて外部に出射
されるよう、上記サブマウントの平坦部に載置され、上
記モニタフォトダイオードは、上記レーザチップの後方
へ出射されるレーザ光をモニタできるよう、上記第２の
リードフレームの傾斜面に載置され、かつ、上記レーザ
チップ，モニタフォトダイオード，及びサブマウント
は、透明樹脂によりモールドされてなるものとしたの
で、上記レーザチップ及びモニタフォトダイオードをそ
れぞれ表面実装できるため、素子の組立の量産性を向上
させることができる効果がある。また、パッケージがリ
ードフレーム構造をなし、従来の金属キャンを透明樹脂
に置き変わるように構成しているので、素子の小型化
（薄型化），低コスト化を実現することができる効果が
ある。
【００３４】また、本願の請求項５に係る発明によれ
ば、上記請求項４に記載の半導体レーザ装置において、
上記第２のリードフレームの傾斜面の傾斜角を、当該リ
ードフレームの主面に対して、５〜２０°としたので、
素子の組立の量産性の向上及び素子の小型化（薄型
化），低コスト化を実現することができる効果がある。
ば、上記請求項４に記載の半導体レーザ装置において、
上記第２のリードフレームの傾斜面の傾斜角を、当該リ
ードフレームの主面に対して、５〜２０°としたので、
素子の組立の量産性の向上及び素子の小型化（薄型
化），低コスト化を実現することができる効果がある。
【００３５】また、本願の請求項６に係る発明によれ
ば、上記請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体レ
ーザ装置において、上記サブマウントに形成された傾斜
部の傾斜角を４５°としたので、レーザ光をパッケージ
主面に対して垂直に取り出すことができる効果がある。
ば、上記請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体レ
ーザ装置において、上記サブマウントに形成された傾斜
部の傾斜角を４５°としたので、レーザ光をパッケージ
主面に対して垂直に取り出すことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１による半導体レーザ装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態２による半導体レーザ装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態３による半導体レーザ装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図４】 従来の半導体レーザ装置の断面図である。
１ レーザチップ、２ サブマウント、２ａ ミラー
面、２ｂ サブマウントの段部、３ａ，３ｂ レーザ
光、４ フォトダイオード、５ リードフレーム、６
透明樹脂、７ サブマウント、７ａ ミラー面、８ リ
ードフレーム、８ａリードフレーム８の傾斜面、９ 第
１のリードフレーム、１０ 第２のリードフレーム、１
０ａ 第２のリードフレーム１０の傾斜面。
面、２ｂ サブマウントの段部、３ａ，３ｂ レーザ
光、４ フォトダイオード、５ リードフレーム、６
透明樹脂、７ サブマウント、７ａ ミラー面、８ リ
ードフレーム、８ａリードフレーム８の傾斜面、９ 第
１のリードフレーム、１０ 第２のリードフレーム、１
０ａ 第２のリードフレーム１０の傾斜面。
Claims (6)
- 【請求項１】 発光用のレーザチップと、受光用のモニ
タフォトダイオードとを有する半導体レーザ装置におい
て、 リードフレームの主面上に設けられたサブマウントの主
面には、その中央に平坦部が、該平坦部を挟んで一方の
側に該平坦部より下方に位置する段差部が、他方の側に
その表面にミラーが形成された所定傾斜角の傾斜部が、
それぞれ形成されており、 上記レーザチップは、その前方へ出射されるレーザ光が
上記ミラーにより上記リードフレームの主面に対して垂
直方向に曲げられて外部に出射されるよう、上記サブマ
ウントの平坦部に載置され、 上記モニタフォトダイオードは、上記レーザチップの後
方へ出射されるレーザ光をモニタできるよう、上記サブ
マウントの段差部に、上記レーザチップに近接して載置
され、かつ、 上記レーザチップ，モニタフォトダイオード，及びサブ
マウントは、透明樹脂によりモールドされてなることを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 発光用のレーザチップと、受光用のモニ
タフォトダイオードとを有する半導体レーザ装置におい
て、 リードフレームには、その主面に、平坦部につづいて所
定傾斜角の傾斜部が形成されており、 該リードフレームの主面の上記平坦部上に載置されたサ
ブマウントの主面には、上記リードフレームの傾斜部に
近い位置に、平坦部が、遠い位置に、その表面にミラー
が形成された所定傾斜角の傾斜部が、それぞれ形成され
ており、 上記レーザチップは、その前方へ出射されるレーザ光が
上記ミラーにより上記リードフレームの主面に対して垂
直方向に曲げられて外部に出射されるよう、上記サブマ
ウントの平坦部に載置され、 上記モニタフォトダイオードは、上記レーザチップの後
方へ出射されるレーザ光をモニタできるよう、上記リー
ドフレームの傾斜部に載置され、かつ、 上記レーザチップ，モニタフォトダイオード，及びサブ
マウントは、透明樹脂によりモールドされてなることを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記リードフレームに形成した傾斜面の傾斜角は、当該
リードフレームの主面に対して、５〜２０°であること
を特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 発光用のレーザチップと、受光用のモニ
タフォトダイオードとを有する半導体レーザ装置におい
て、 上記レーザチップ，及びサブマウントを載置するための
第１のリードフレームと、上記モニタフォトダイオード
を載置するための第２のリードフレームとを有し、 上記第２のリードフレームは、所定傾斜角の傾斜面を備
えるようにベントされており、 上記第１のリードフレームの主面上に設けられたサブマ
ウントには、上記第２のリードフレームの傾斜面に近い
位置に、平坦部が、遠い位置に、その表面にミラーが形
成された所定傾斜角の傾斜部が、それぞれ形成されてお
り、 上記レーザチップは、その前方へ出射されるレーザ光が
上記ミラーにより上記リードフレームの主面に対して垂
直方向に曲げられて外部に出射されるよう、上記サブマ
ウントの平坦部に載置され、 上記モニタフォトダイオードは、上記レーザチップの後
方へ出射されるレーザ光をモニタできるよう、上記第２
のリードフレームの傾斜面に載置され、かつ、 上記レーザチップ，モニタフォトダイオード，及びサブ
マウントは、透明樹脂によりモールドされてなることを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記第２のリードフレームの傾斜面の傾斜角は、当該リ
ードフレームの主面に対して、５〜２０°であることを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の半
導体レーザ装置において、 上記サブマウントに形成された傾斜部の傾斜角は４５°
であることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17093296A JPH1022576A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17093296A JPH1022576A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022576A true JPH1022576A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15914045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17093296A Pending JPH1022576A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022576A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063730A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmitter |
| WO2002089274A1 (fr) * | 2001-04-25 | 2002-11-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dispositif de communication optique |
| JP2004031708A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体レーザーパッケージ |
| EP1353421A3 (en) * | 2002-04-08 | 2004-06-30 | OpNext Japan, Inc. | Optical module with a monitor photo diode |
| WO2004107511A2 (de) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen eines laserdiodenbauelements, gehäuse für ein laserdiodenbauelement und laserdiodenbauelement |
| CN100401601C (zh) * | 2003-10-21 | 2008-07-09 | 夏普株式会社 | 半导体激光器件 |
| KR101053169B1 (ko) * | 2009-07-21 | 2011-08-01 | 주식회사 오이솔루션 | ＳｉＯＢ를 이용한 ＴＯ ＣＡＮ 평행광 패키지 |
-
1996
- 1996-07-01 JP JP17093296A patent/JPH1022576A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063730A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmitter |
| US6847053B2 (en) | 2001-02-05 | 2005-01-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmitter |
| WO2002089274A1 (fr) * | 2001-04-25 | 2002-11-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dispositif de communication optique |
| US6837627B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-01-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical communication module |
| EP1353421A3 (en) * | 2002-04-08 | 2004-06-30 | OpNext Japan, Inc. | Optical module with a monitor photo diode |
| JP2004031708A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体レーザーパッケージ |
| WO2004107511A2 (de) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen eines laserdiodenbauelements, gehäuse für ein laserdiodenbauelement und laserdiodenbauelement |
| WO2004107511A3 (de) * | 2003-05-26 | 2005-01-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen eines laserdiodenbauelements, gehäuse für ein laserdiodenbauelement und laserdiodenbauelement |
| CN100459328C (zh) * | 2003-05-26 | 2009-02-04 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 制造激光器二极管器件的方法,激光器二极管器件的外壳和激光器二极管器件 |
| US7564080B2 (en) | 2003-05-26 | 2009-07-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a laser diode component, housing for a laser diode component, and laser diode component itself |
| CN100401601C (zh) * | 2003-10-21 | 2008-07-09 | 夏普株式会社 | 半导体激光器件 |
| KR101053169B1 (ko) * | 2009-07-21 | 2011-08-01 | 주식회사 오이솔루션 | ＳｉＯＢ를 이용한 ＴＯ ＣＡＮ 평행광 패키지 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040916 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041102 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050329 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |