JPH11330539A - 光半導体装置 - Google Patents
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- JPH11330539A JPH11330539A JP13172798A JP13172798A JPH11330539A JP H11330539 A JPH11330539 A JP H11330539A JP 13172798 A JP13172798 A JP 13172798A JP 13172798 A JP13172798 A JP 13172798A JP H11330539 A JPH11330539 A JP H11330539A
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージ外形に曲面からなる反射面を設け
ることにより、発光素子と受光素子を組み込んだホトカ
プラ装置の、パッケージ外形を薄形化する。 【解決手段】 少なくとも受光素子２をアイランド２１
ａ状に固定し、周囲を透明な樹脂２４でモールドする。
受光素子２の上部に溝２５を設け、溝２５の側壁で反射
面２６を形成する。反射面２６は、受光素子２近傍に焦
点を持つような曲率で形成されている。信号光６が樹脂
の側面２４ｂから入射し、反射面２６で反射して受光素
子２の受光面２ａに到達するように構成する。
ることにより、発光素子と受光素子を組み込んだホトカ
プラ装置の、パッケージ外形を薄形化する。 【解決手段】 少なくとも受光素子２をアイランド２１
ａ状に固定し、周囲を透明な樹脂２４でモールドする。
受光素子２の上部に溝２５を設け、溝２５の側壁で反射
面２６を形成する。反射面２６は、受光素子２近傍に焦
点を持つような曲率で形成されている。信号光６が樹脂
の側面２４ｂから入射し、反射面２６で反射して受光素
子２の受光面２ａに到達するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受光素子を、また
は発光素子と受光素子とを樹脂封止した光半導体装置に
関するものであり、特に装置の薄形化に関するものであ
る。
は発光素子と受光素子とを樹脂封止した光半導体装置に
関するものであり、特に装置の薄形化に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
【０００３】しかも携帯機器は、年間７００万台も販売
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
【０００４】図５は、赤外線データ通信用のモジュール
１で、半導体チップの形態で形成した受光素子２と発光
素子３とを１つのパッケージに収納したものである。同
時にＬＥＤドライバやアンプ等が内蔵される場合もあ
る。受光素子２、発光素子３共に、半導体チップに対し
て垂直に光信号を発光／受光する構造になっている。そ
のため各素子の上方に半球体レンズ４、５を形成し、該
レンズ４、５を介して外部と光信号６の受発光を行って
いる。
１で、半導体チップの形態で形成した受光素子２と発光
素子３とを１つのパッケージに収納したものである。同
時にＬＥＤドライバやアンプ等が内蔵される場合もあ
る。受光素子２、発光素子３共に、半導体チップに対し
て垂直に光信号を発光／受光する構造になっている。そ
のため各素子の上方に半球体レンズ４、５を形成し、該
レンズ４、５を介して外部と光信号６の受発光を行って
いる。
【０００５】この様な受発光素子を組み合わせた素子と
して、他にはホトカプラ装置がある。ホトカプラ装置
は、発光素子と受光素子とを組み合わせ、電気信号を光
信号に置き換えて信号の伝達を行うものであり、その間
で電気的な回路網を遮断できることから、電源電位が大
きく異なる回路網間で信号伝達を行う場合などに多く利
用されている。
して、他にはホトカプラ装置がある。ホトカプラ装置
は、発光素子と受光素子とを組み合わせ、電気信号を光
信号に置き換えて信号の伝達を行うものであり、その間
で電気的な回路網を遮断できることから、電源電位が大
きく異なる回路網間で信号伝達を行う場合などに多く利
用されている。
【０００６】図６は、従来のホトカプラ装置を示す断面
図であり、リードフレームの各アイランド７、８に受光
素子２と発光素子３とを両者の表面が相対向するように
固着し、全体を透光性の樹脂９でモールドしたものであ
る。リード１０に印加された電気信号を発光素子３で光
信号６に変換し、受光素子２が光信号６を受けて再度電
気信号に変換するものである。この場合、光信号６が直
進性を有するので、発光素子３の発光面と受光素子２の
受光面とを相対向するように配置しなければならない。
図であり、リードフレームの各アイランド７、８に受光
素子２と発光素子３とを両者の表面が相対向するように
固着し、全体を透光性の樹脂９でモールドしたものであ
る。リード１０に印加された電気信号を発光素子３で光
信号６に変換し、受光素子２が光信号６を受けて再度電
気信号に変換するものである。この場合、光信号６が直
進性を有するので、発光素子３の発光面と受光素子２の
受光面とを相対向するように配置しなければならない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】電子機器における軽薄
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品事態の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図５のモジュール１を実装する
と、モジュール１の更に上方に光学レンズ等を配置する
事などから、全体の薄形化が困難である欠点があった。
一方、プリント基板に対して水平方向に光信号６を導入
する事も可能ではあるが、受光素子２と発光素子３の半
導体チップを垂直に立てるようにして実装することか
ら、やはり薄形化が困難である欠点があった。
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品事態の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図５のモジュール１を実装する
と、モジュール１の更に上方に光学レンズ等を配置する
事などから、全体の薄形化が困難である欠点があった。
一方、プリント基板に対して水平方向に光信号６を導入
する事も可能ではあるが、受光素子２と発光素子３の半
導体チップを垂直に立てるようにして実装することか
ら、やはり薄形化が困難である欠点があった。
【０００８】ホトカプラにおいても状況は似通ってお
り、発光面と受光面とを相対向させることは、各素子チ
ップの板厚の分やボンディングワイヤの領域を確保する
などの理由により、パッケージ全体の高さ（図６のｔ）
を薄くすることが困難である欠点があった。
り、発光面と受光面とを相対向させることは、各素子チ
ップの板厚の分やボンディングワイヤの領域を確保する
などの理由により、パッケージ全体の高さ（図６のｔ）
を薄くすることが困難である欠点があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、上面を受光面とする半導体チップと、前記
半導体チップの受光面を上にして封止する樹脂封止体
と、前記受光面の上方の前記樹脂封止体に形成した溝と
を具備し、前記溝の側壁が湾曲して反射面を構成し、前
記受光面に対して水平方向から導入される光信号を前記
反射面で反射して前記受光面に到達するように構成した
ことを特徴とするものである。
みて成され、上面を受光面とする半導体チップと、前記
半導体チップの受光面を上にして封止する樹脂封止体
と、前記受光面の上方の前記樹脂封止体に形成した溝と
を具備し、前記溝の側壁が湾曲して反射面を構成し、前
記受光面に対して水平方向から導入される光信号を前記
反射面で反射して前記受光面に到達するように構成した
ことを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
について、図１を参照しながら詳細に説明する。この装
置は受光素子と発光素子とを１パッケージ化した光通信
モジュールを構成したものである。尚、図１（Ａ）は図
１（Ｂ）のＡＡ線断面図を示している。
について、図１を参照しながら詳細に説明する。この装
置は受光素子と発光素子とを１パッケージ化した光通信
モジュールを構成したものである。尚、図１（Ａ）は図
１（Ｂ）のＡＡ線断面図を示している。
【００１１】図中、２１ａ、２１ｂはアイランド、２２
は外部接続用のリード端子を示している。これらは鉄ま
たは銅系の素材からなるリードフレームによって提供さ
れており、アイランド２１ａの表面に受光素子２が半田
などの接着剤で固着され、アイランド２１ｂの表面には
発光素子３が同じく半田などによって固着されている。
発光素子３は、半導体チップとして提供された、例えば
赤外ＬＥＤレーザ素子であり、駆動回路が一体になって
いても良い。また受光素子は２、同じく半導体チップと
して提供されたＰＩＮホトダイオード等であり、やはり
駆動回路等が一体化した半導体チップでもよい。受光素
子２のホトダイオード部分（受光面）を符号２ａで示し
た。これらの半導体チップの表面には電極としてボンデ
ィングパッドが形成され、ボンディングワイヤ２３によ
ってボンディングパッドとリード２２とが電気接続され
ている。リード２２の先端部および発光・受光素子２、
３を含めたアイランド２１ａ、２１ｂは、赤外光あるい
は紫外光に対して透明な樹脂２４でトランスファーモー
ルドされている。アイランド２１ａ、２１ｂはその裏面
が樹脂２４の表面と同一平面を成して露出する様に固定
されている。リード２２は樹脂２４の一側面２４ａから
外部に導出され、表面実装用途に適するように、Ｚ字型
に折り曲げられている。
は外部接続用のリード端子を示している。これらは鉄ま
たは銅系の素材からなるリードフレームによって提供さ
れており、アイランド２１ａの表面に受光素子２が半田
などの接着剤で固着され、アイランド２１ｂの表面には
発光素子３が同じく半田などによって固着されている。
発光素子３は、半導体チップとして提供された、例えば
赤外ＬＥＤレーザ素子であり、駆動回路が一体になって
いても良い。また受光素子は２、同じく半導体チップと
して提供されたＰＩＮホトダイオード等であり、やはり
駆動回路等が一体化した半導体チップでもよい。受光素
子２のホトダイオード部分（受光面）を符号２ａで示し
た。これらの半導体チップの表面には電極としてボンデ
ィングパッドが形成され、ボンディングワイヤ２３によ
ってボンディングパッドとリード２２とが電気接続され
ている。リード２２の先端部および発光・受光素子２、
３を含めたアイランド２１ａ、２１ｂは、赤外光あるい
は紫外光に対して透明な樹脂２４でトランスファーモー
ルドされている。アイランド２１ａ、２１ｂはその裏面
が樹脂２４の表面と同一平面を成して露出する様に固定
されている。リード２２は樹脂２４の一側面２４ａから
外部に導出され、表面実装用途に適するように、Ｚ字型
に折り曲げられている。
【００１２】而して、少なくとも受光素子２の上部に
は、樹脂２４を凹ませた溝２５を形成し、溝２５の側壁
によって反射面２６を構成している。反射面２６は、受
光素子２の受光面２ａか或いは受光面２ａよりもやや遠
方に焦点を持つ凹曲面となっており、円筒を４分の１に
した様な形状で加工されている。この凹曲面は、樹脂２
４をトランスファーモールドする際に、金型に溝２５に
対応する部分を形成しておくことによって形成するか、
あるいは完成後に樹脂２４表面を削ることで形成され
る。
は、樹脂２４を凹ませた溝２５を形成し、溝２５の側壁
によって反射面２６を構成している。反射面２６は、受
光素子２の受光面２ａか或いは受光面２ａよりもやや遠
方に焦点を持つ凹曲面となっており、円筒を４分の１に
した様な形状で加工されている。この凹曲面は、樹脂２
４をトランスファーモールドする際に、金型に溝２５に
対応する部分を形成しておくことによって形成するか、
あるいは完成後に樹脂２４表面を削ることで形成され
る。
【００１３】本発明の特徴は、凹曲面に形成した反射面
２６にある。この反射面２６は、樹脂２４の他側面２４
ｂから図示矢印のように導入させた光信号６を、屈曲さ
せて受光素子２の受光部２ａに到達させる役割を果た
し、更には反射面２６がパラボラ状になっていることか
ら、より多くの光信号６を前記受光面に集約させること
ができるものである。光信号６を集約させることによ
り、受光素子２の応答感度を増大することができる。
２６にある。この反射面２６は、樹脂２４の他側面２４
ｂから図示矢印のように導入させた光信号６を、屈曲さ
せて受光素子２の受光部２ａに到達させる役割を果た
し、更には反射面２６がパラボラ状になっていることか
ら、より多くの光信号６を前記受光面に集約させること
ができるものである。光信号６を集約させることによ
り、受光素子２の応答感度を増大することができる。
【００１４】反射面２６は、その境界における材料の屈
折率の違いにより反射面となる。反射率を向上するため
に、溝２５の表面を遮光性の金属被膜などで覆っても良
い。この被膜方法としては、半導体技術で使用される蒸
着、スパッタ成膜が考えられ、他にはメッキが考えられ
る。ここで注意を要する所は、前記金属皮膜によるリー
ド２２間の短絡である。前者の二つの被膜方法では、リ
ード２２間をマスキングする選択マスクを必要とする。
後者の様に、例えば無電解メッキを用い、溶液の中に樹
脂２４全体を浸してディップする場合は、リード２２の
導出部にマスキング用の樹脂を塗り、メッキした後で樹
脂を取り除けばよい。またディップ以外では、この溶液
を溝２５の部分のみに滴下してメッキさせても良い。金
属材料としては、金、Ａｌ、ニッケル等が考えられる。
折率の違いにより反射面となる。反射率を向上するため
に、溝２５の表面を遮光性の金属被膜などで覆っても良
い。この被膜方法としては、半導体技術で使用される蒸
着、スパッタ成膜が考えられ、他にはメッキが考えられ
る。ここで注意を要する所は、前記金属皮膜によるリー
ド２２間の短絡である。前者の二つの被膜方法では、リ
ード２２間をマスキングする選択マスクを必要とする。
後者の様に、例えば無電解メッキを用い、溶液の中に樹
脂２４全体を浸してディップする場合は、リード２２の
導出部にマスキング用の樹脂を塗り、メッキした後で樹
脂を取り除けばよい。またディップ以外では、この溶液
を溝２５の部分のみに滴下してメッキさせても良い。金
属材料としては、金、Ａｌ、ニッケル等が考えられる。
【００１５】この様に、光信号６の伝達経路を略直角に
折り曲げることによって、以下の構成が可能になる。即
ち、図２に示すように、プリント基板３０上に装置３１
を表面実装し、且つ、半導体チップの表面に対して水平
方向の位置に光信号６を導入するための光学窓３２やプ
リズム、あるいは光学レンズなどを配置することができ
る。しかも、実装したときにプリント基板３０と半導体
チップとを水平に配置できるので、部品としての高さｔ
を抑えることができる。従って、電子機器の薄形化を推
進することができる。
折り曲げることによって、以下の構成が可能になる。即
ち、図２に示すように、プリント基板３０上に装置３１
を表面実装し、且つ、半導体チップの表面に対して水平
方向の位置に光信号６を導入するための光学窓３２やプ
リズム、あるいは光学レンズなどを配置することができ
る。しかも、実装したときにプリント基板３０と半導体
チップとを水平に配置できるので、部品としての高さｔ
を抑えることができる。従って、電子機器の薄形化を推
進することができる。
【００１６】尚、光半導体装置としては、発光素子２ま
たは受光素子３の一方だけを封止した構造であっても良
い。両者を１パッケージに収納する場合は、発光素子３
から発せられた光信号６が反射面６で反射して、樹脂２
４の側面２４ｂから出射されるように、発光素子３と反
射面２６との位置関係を調整する。反射面２６の曲率や
位置関係を、発光素子３用の曲面と受光素子２用の曲面
とに分離しても良い。
たは受光素子３の一方だけを封止した構造であっても良
い。両者を１パッケージに収納する場合は、発光素子３
から発せられた光信号６が反射面６で反射して、樹脂２
４の側面２４ｂから出射されるように、発光素子３と反
射面２６との位置関係を調整する。反射面２６の曲率や
位置関係を、発光素子３用の曲面と受光素子２用の曲面
とに分離しても良い。
【００１７】以下に本発明の第２の実施の形態を説明す
る。本実施の形態は。発光素子３と受光素子２とを同一
パッケージ内に収納したホトカプラ装置に適用したもの
である。
る。本実施の形態は。発光素子３と受光素子２とを同一
パッケージ内に収納したホトカプラ装置に適用したもの
である。
【００１８】図３において、図１と同じ箇所には同じ符
号を伏して説明を省略する。発光素子３として半導体チ
ップの表面に対して水平方向に光信号６が出射する半導
体レーザ素子を封止している。また、樹脂２４の内部で
は受光素子２に対して発光素子３が段違いとなるような
位置関係で固定され、且つ受光素子２のチップ表面が上
を向くように封止するのに対して発光素子３はチップ表
面が下を向くように封止した。そして、パッケージ外形
を構成する樹脂２４の一部に、反射面２６を持つ溝２５
を形成し、該溝２５を受光素子２の上方に設置した。発
光素子３として用いた半導体レーザは、リード２２に印
加された電気信号に応じて光信号６を発光する素子であ
って、その光信号６は、大部分が半導体チップの側壁か
らチップの表面に対して水平方向に出射される素子であ
る。出射された光信号６は、樹脂２４内部を通過し、反
射面２６で反射され、且つ集光される。集光された光信
号６は受光素子２のホトダイオード部２ａに入射され、
入射された光信号６に応じた電気信号に再度変換され
る。
号を伏して説明を省略する。発光素子３として半導体チ
ップの表面に対して水平方向に光信号６が出射する半導
体レーザ素子を封止している。また、樹脂２４の内部で
は受光素子２に対して発光素子３が段違いとなるような
位置関係で固定され、且つ受光素子２のチップ表面が上
を向くように封止するのに対して発光素子３はチップ表
面が下を向くように封止した。そして、パッケージ外形
を構成する樹脂２４の一部に、反射面２６を持つ溝２５
を形成し、該溝２５を受光素子２の上方に設置した。発
光素子３として用いた半導体レーザは、リード２２に印
加された電気信号に応じて光信号６を発光する素子であ
って、その光信号６は、大部分が半導体チップの側壁か
らチップの表面に対して水平方向に出射される素子であ
る。出射された光信号６は、樹脂２４内部を通過し、反
射面２６で反射され、且つ集光される。集光された光信
号６は受光素子２のホトダイオード部２ａに入射され、
入射された光信号６に応じた電気信号に再度変換され
る。
【００１９】このように、光信号６の伝達経路を樹脂２
４の内部で屈折させたことにより、受光素子２と発光素
子３とを対面させる必要が無くなった。従って、パッケ
ージ外形寸法の高さｔを低く抑えることが可能になっ
た。
４の内部で屈折させたことにより、受光素子２と発光素
子３とを対面させる必要が無くなった。従って、パッケ
ージ外形寸法の高さｔを低く抑えることが可能になっ
た。
【００２０】図４に第３の実施の形態を示した。ホトカ
プラに適用し、且つ発光素子３としてＬＥＤ素子を用い
た例である。ＬＥＤ素子はチップ表面から大略垂直方向
に光信号６を出射する素子である。受光素子２と発光素
子３とを同じ向きに封止し、発光素子３の上方にも反射
面２６を持つ溝２５を形成したものである。チップの向
きが同じであるので樹脂２４の外形寸法の高さｔを更に
低く抑えることができる。
プラに適用し、且つ発光素子３としてＬＥＤ素子を用い
た例である。ＬＥＤ素子はチップ表面から大略垂直方向
に光信号６を出射する素子である。受光素子２と発光素
子３とを同じ向きに封止し、発光素子３の上方にも反射
面２６を持つ溝２５を形成したものである。チップの向
きが同じであるので樹脂２４の外形寸法の高さｔを更に
低く抑えることができる。
【００２１】ところで、上述の各実施の形態において、
ホトダイオード部２ａの形状が縦長の形状、つまり図１
（Ｂ）を参照して、幅Ｗより長さＬが長い形状である
と、これに対応させる為に相当に深い溝２５が必要にな
る。これに対して、ホトダイオード部２ａが、光信号６
の伝達経路に対して横長の形状、つまり幅Ｗに対して長
さＬが十分に短い形状であれば、これに対応する溝２５
の深さも浅くすることが可能になる。この様に溝２５の
深さを浅くできれば、樹脂２４の外形の高さｔを抑える
ことができる。
ホトダイオード部２ａの形状が縦長の形状、つまり図１
（Ｂ）を参照して、幅Ｗより長さＬが長い形状である
と、これに対応させる為に相当に深い溝２５が必要にな
る。これに対して、ホトダイオード部２ａが、光信号６
の伝達経路に対して横長の形状、つまり幅Ｗに対して長
さＬが十分に短い形状であれば、これに対応する溝２５
の深さも浅くすることが可能になる。この様に溝２５の
深さを浅くできれば、樹脂２４の外形の高さｔを抑える
ことができる。
【００２２】更に、上記の各実施の形態において、リー
ド２２先端部の曲げる方向は上下どちらでも可能であ
る。受光素子２用のアイランド２１ａが金属で遮光性を
持つことから、実装したときに受光素子２のチップが下
を向く（プリント基板側に向く）ように折り曲げておけ
ば、外部からの余計な光の入射による誤動作を防止する
ことができる。
ド２２先端部の曲げる方向は上下どちらでも可能であ
る。受光素子２用のアイランド２１ａが金属で遮光性を
持つことから、実装したときに受光素子２のチップが下
を向く（プリント基板側に向く）ように折り曲げておけ
ば、外部からの余計な光の入射による誤動作を防止する
ことができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、反射面２６を設けるこ
とにより光信号６を反射させて受光素子２に到達させる
構成としたので、樹脂の側面２４ｂから光信号６の出入
斜を行える光半導体モジュールを実現できる利点を有す
る。このモジュールは、プリント基板に実装したときに
全体的な薄形化を実現できるものである。
とにより光信号６を反射させて受光素子２に到達させる
構成としたので、樹脂の側面２４ｂから光信号６の出入
斜を行える光半導体モジュールを実現できる利点を有す
る。このモジュールは、プリント基板に実装したときに
全体的な薄形化を実現できるものである。
【００２４】しかも、反射面２６を曲面としたことによ
り、より多くの光信号６を受光素子２に到達させること
ができる利点を有する。
り、より多くの光信号６を受光素子２に到達させること
ができる利点を有する。
【００２５】また、ホトカプラに適用すれば、パッケー
ジ寸法の高さｔを低く抑えたホトカプラ装置を得ること
ができる利点を有する。従って、電子機器に組み込んだ
際の薄形化に寄与することができる利点を有する。
ジ寸法の高さｔを低く抑えたホトカプラ装置を得ること
ができる利点を有する。従って、電子機器に組み込んだ
際の薄形化に寄与することができる利点を有する。
【図１】本発明を説明する（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図
である。
である。
【図２】実装したときの状態を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す（Ａ）断面
図、（Ｂ）平面図である。
図、（Ｂ）平面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来の装置を示す斜視図である。
【図６】従来の装置を示す断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 勉 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 新井 政至 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 関口 智 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 瀬山 浩樹 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 上面を受光面とする半導体チップと、前
記半導体チップの受光面を上にして封止する樹脂封止体
と、前記受光面の上方の前記樹脂封止体に形成した溝と
を具備し、 前記溝の側壁が湾曲して反射面を構成し、前記受光面に
対して水平方向から導入される光信号を前記反射面で反
射して前記受光面に到達するように構成したことを特徴
とする光半導体装置。 - 【請求項２】 前記光信号が前記樹脂封止体の側面から
導入されることを特徴とする請求項１記載の光半導体装
置。 - 【請求項３】 前記樹脂封止体の内部に受光素子と発光
素子とを封止し、前記発光素子から発せられた光信号を
前記反射面で反射して前記受光素子に到達するように構
成したことを特徴とする請求項３記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 前記反射面を構成する溝の表面に遮光性
の薄膜を形成したこと特徴とする請求項１記載の光半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13172798A JPH11330539A (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13172798A JPH11330539A (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330539A true JPH11330539A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15064797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13172798A Pending JPH11330539A (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330539A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007021149A1 (en) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Lg Chem, Ltd. | Side emitting lens, light emitting device using the side emitting lens, mold assembly for preparing the side emitting lens and method for preparing the side emitting lens |
| JP2007258399A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Rohm Co Ltd | フォトカプラ |
| EP2224498A3 (en) * | 2009-02-27 | 2011-06-15 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Photo-coupler with high operating voltage |
| US11137340B2 (en) | 2018-11-30 | 2021-10-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Particle detection sensor and particle detection apparatus |
-
1998
- 1998-05-14 JP JP13172798A patent/JPH11330539A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007021149A1 (en) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Lg Chem, Ltd. | Side emitting lens, light emitting device using the side emitting lens, mold assembly for preparing the side emitting lens and method for preparing the side emitting lens |
| JP2007258399A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Rohm Co Ltd | フォトカプラ |
| EP2224498A3 (en) * | 2009-02-27 | 2011-06-15 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Photo-coupler with high operating voltage |
| US11137340B2 (en) | 2018-11-30 | 2021-10-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Particle detection sensor and particle detection apparatus |
| TWI754186B (zh) * | 2018-11-30 | 2022-02-01 | 日商夏普股份有限公司 | 微粒子檢測感測器以及微粒子檢測裝置 |
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