JP2000124479A - 光半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Led Device Packages (AREA)
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディングワイヤが溝の最深部を横断しな
い構成にすることにより、薄形化した光半導体装置を得
る。 【解決手段】 発光素子３をアイランド２２上に固定
し、周囲を透明な樹脂でモールドして封止体２５とす
る。発光素子２の上部に溝２６を形成して反射面２７を
形成し、信号光６を反射面２７で反射して封止体２５の
一側面２５ｂから入出射するように構成する。リード端
子２３ａを樹脂内部で下方に屈曲させ、溝２６を横断さ
せてアイランド２２近傍まで長く延在させる。発光素子
３表面の電極パッド３０ａとリード端子２３ａの先端と
をボンディングワイヤ２４ａで接続する。これにより、
ボンディングワイヤ２４、２４ａは溝２６の最深部３１
を横断しない。
い構成にすることにより、薄形化した光半導体装置を得
る。 【解決手段】 発光素子３をアイランド２２上に固定
し、周囲を透明な樹脂でモールドして封止体２５とす
る。発光素子２の上部に溝２６を形成して反射面２７を
形成し、信号光６を反射面２７で反射して封止体２５の
一側面２５ｂから入出射するように構成する。リード端
子２３ａを樹脂内部で下方に屈曲させ、溝２６を横断さ
せてアイランド２２近傍まで長く延在させる。発光素子
３表面の電極パッド３０ａとリード端子２３ａの先端と
をボンディングワイヤ２４ａで接続する。これにより、
ボンディングワイヤ２４、２４ａは溝２６の最深部３１
を横断しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子と受光素
子とを、またはそれらを個別に樹脂封止した半導体装置
に関するものであり、特に装置の薄形化に関するもので
ある。
子とを、またはそれらを個別に樹脂封止した半導体装置
に関するものであり、特に装置の薄形化に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。これらの機器は、携帯性を求め
られることから外部とのデータ送受信にも簡便なものが
要求され、赤外線等の光信号を用いることによりコード
レスで外部機器と本体とを接続する装置を備えたものが
多い。その中でも光信号として波長が８７０ｎｍの赤外
線を用いるＩｒＤＡ(Infrared Data Association)規格
が最も普及している。
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。これらの機器は、携帯性を求め
られることから外部とのデータ送受信にも簡便なものが
要求され、赤外線等の光信号を用いることによりコード
レスで外部機器と本体とを接続する装置を備えたものが
多い。その中でも光信号として波長が８７０ｎｍの赤外
線を用いるＩｒＤＡ(Infrared Data Association)規格
が最も普及している。
【０００３】ＩｒＤＡ規格によるデータ通信を利用する
ためには、接続すべき両方の機器に、赤外線信号を発す
る発光素子と、赤外線信号を受ける受光素子とを備える
必要がある。発光素子と受光素子とは、それぞれ別個の
パッケージとして電子機器に組み込まれる場合もある
し、両者が１つのパッケージに収納されたモジュールと
して供給される場合もある。
ためには、接続すべき両方の機器に、赤外線信号を発す
る発光素子と、赤外線信号を受ける受光素子とを備える
必要がある。発光素子と受光素子とは、それぞれ別個の
パッケージとして電子機器に組み込まれる場合もある
し、両者が１つのパッケージに収納されたモジュールと
して供給される場合もある。
【０００４】図４に、発光素子と受光素子とを１つのパ
ッケージに収納した赤外線データ通信用の半導体装置の
例を示す（例えば、特開平１０−７０３０４号）。この
装置は、装置本体１内に、半導体チップの形態で提供さ
れた受光素子２と発光素子３とを収納したもので、少な
くとも赤外線に対して透明な樹脂で樹脂モールドしたも
のである。特に受光素子２においては、受光用のホトダ
イオードＰＤと、アンプ回路等の周辺回路とを同一チッ
プ内に集積化する場合もある。
ッケージに収納した赤外線データ通信用の半導体装置の
例を示す（例えば、特開平１０−７０３０４号）。この
装置は、装置本体１内に、半導体チップの形態で提供さ
れた受光素子２と発光素子３とを収納したもので、少な
くとも赤外線に対して透明な樹脂で樹脂モールドしたも
のである。特に受光素子２においては、受光用のホトダ
イオードＰＤと、アンプ回路等の周辺回路とを同一チッ
プ内に集積化する場合もある。
【０００５】半導体チップで提供された受光素子２のホ
トダイオードＰＤは、半導体チップの表面に対して垂直
方向に光を受ける構造になっている。そのため、受光素
子２、発光素子３共に、半導体チップに対して垂直に光
信号６を発光／受光する構造になっており、該光信号６
の集光のために各素子の上方に、半球体レンズ４、５を
樹脂で形成している。
トダイオードＰＤは、半導体チップの表面に対して垂直
方向に光を受ける構造になっている。そのため、受光素
子２、発光素子３共に、半導体チップに対して垂直に光
信号６を発光／受光する構造になっており、該光信号６
の集光のために各素子の上方に、半球体レンズ４、５を
樹脂で形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】電子機器における軽薄
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品自体の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図４の装置本体１を実装する
と、レンズ４、５の存在等により装置本体１の高さが高
く、全体の薄形化が困難である欠点があった。
短小化の要求に対応するためには、プリント基板上に固
着する電子部品自体の高さを制限することが不可欠であ
る。しかしながら、光信号６がプリント基板に対して垂
直方向に導入するように図４の装置本体１を実装する
と、レンズ４、５の存在等により装置本体１の高さが高
く、全体の薄形化が困難である欠点があった。
【０００７】一方、図５に示すようにリードを折り曲げ
てレンズ４、５を横にすることで、プリント基板７に対
して水平方向に光信号６を導入する様にする事も可能で
ある。しかし、受光素子２と発光素子３の半導体チップ
を垂直に立てるようにして実装することから、実装時の
高さを半導体チップの大きさ以下にすることが原理的に
不可能であり、やはり薄形化が困難である欠点があっ
た。
てレンズ４、５を横にすることで、プリント基板７に対
して水平方向に光信号６を導入する様にする事も可能で
ある。しかし、受光素子２と発光素子３の半導体チップ
を垂直に立てるようにして実装することから、実装時の
高さを半導体チップの大きさ以下にすることが原理的に
不可能であり、やはり薄形化が困難である欠点があっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、光信号を電気信号に変換する半導体素子を
樹脂層で被覆し、前記半導体素子の上方に反射面を作る
溝を形成し、前記反射面にて光信号を屈曲し、前記樹脂
層の一側面から前記光信号の送受信を行う光半導体装置
であって、前記樹脂層の他側面から外部に導出されるリ
ード端子が、前記樹脂層内において前記溝の最深部を横
断して前記半導体素子の近傍まで延在し、前記半導体素
子に形成した電極パッドと前記リード端子の先端部分と
をボンディングワイヤで接続したことを特徴とするもの
である。
みて成され、光信号を電気信号に変換する半導体素子を
樹脂層で被覆し、前記半導体素子の上方に反射面を作る
溝を形成し、前記反射面にて光信号を屈曲し、前記樹脂
層の一側面から前記光信号の送受信を行う光半導体装置
であって、前記樹脂層の他側面から外部に導出されるリ
ード端子が、前記樹脂層内において前記溝の最深部を横
断して前記半導体素子の近傍まで延在し、前記半導体素
子に形成した電極パッドと前記リード端子の先端部分と
をボンディングワイヤで接続したことを特徴とするもの
である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施の形態
は受光素子２と発光素子３とを１つのパッケージに収納
したもので、図１は本発明の構造を示す平面図、図２
（Ａ）は発光素子３部分の断面図を示す断面図、図２
（Ｂ）は受光素子２部分の断面図を各々示している。
を、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施の形態
は受光素子２と発光素子３とを１つのパッケージに収納
したもので、図１は本発明の構造を示す平面図、図２
（Ａ）は発光素子３部分の断面図を示す断面図、図２
（Ｂ）は受光素子２部分の断面図を各々示している。
【００１０】これらの図中、２１は受光素子２を搭載す
るアイランド、２２は発光素子３を搭載するアイラン
ド、２３は外部接続用のリード端子を各々示している。
これらは鉄または銅系の素材からなるリードフレームに
よって提供されており、各アイランド２１、２２の表面
に受光素子２と発光素子３が半田などの接着剤で固着さ
れている。
るアイランド、２２は発光素子３を搭載するアイラン
ド、２３は外部接続用のリード端子を各々示している。
これらは鉄または銅系の素材からなるリードフレームに
よって提供されており、各アイランド２１、２２の表面
に受光素子２と発光素子３が半田などの接着剤で固着さ
れている。
【００１１】受光素子２は、半導体チップとして提供さ
れたＰＩＮホトダイオード等であり、周辺の駆動回路等
を同一チップ上に集積化したものでもよい。図中の符号
ＰＤは受光素子２のホトダイオード部分（受光面）を示
している。半導体チップの表面にはアルミニウム電極パ
ッド３０が形成され、ボンディングワイヤ２４によって
電極パッド３０とリード端子２３とが接続されている。
れたＰＩＮホトダイオード等であり、周辺の駆動回路等
を同一チップ上に集積化したものでもよい。図中の符号
ＰＤは受光素子２のホトダイオード部分（受光面）を示
している。半導体チップの表面にはアルミニウム電極パ
ッド３０が形成され、ボンディングワイヤ２４によって
電極パッド３０とリード端子２３とが接続されている。
【００１２】発光素子３は、半導体チップとして提供さ
れた、例えば波長８７０ｎｍの赤外光を発光するＬＥＤ
チップである。ＬＥＤはチップの全体で発光し、全方位
に光が発散する素子である。そのため、チップを固着す
るアイランド２２を円錐形の「お椀」のような形状に加
工し、アイランド２２の中心部に固着した発光素子３か
らの光信号６を前記「お椀」の傾斜した側壁で反射させ
て、光を一方向に集めるような構造としている。前記ア
イランド２２は発光素子３のアノード（Ａ）またはカソ
ード（Ｂ）の一方の端子となり、チップ表面に形成した
電極パッド３０ａが他方の端子となる。電極パッド３０
ａは、ボンディングワイヤ２４ａによりリード端子２３
ａに接続されている。
れた、例えば波長８７０ｎｍの赤外光を発光するＬＥＤ
チップである。ＬＥＤはチップの全体で発光し、全方位
に光が発散する素子である。そのため、チップを固着す
るアイランド２２を円錐形の「お椀」のような形状に加
工し、アイランド２２の中心部に固着した発光素子３か
らの光信号６を前記「お椀」の傾斜した側壁で反射させ
て、光を一方向に集めるような構造としている。前記ア
イランド２２は発光素子３のアノード（Ａ）またはカソ
ード（Ｂ）の一方の端子となり、チップ表面に形成した
電極パッド３０ａが他方の端子となる。電極パッド３０
ａは、ボンディングワイヤ２４ａによりリード端子２３
ａに接続されている。
【００１３】各アイランド２１、２２に固着された発光
素子２と受光素子３は、リード２３の先端部を含めて少
なくとも赤外光に対して透明な樹脂でトランスファーモ
ールドされる。樹脂層は封止体２５を構成し、封止体２
５の一表面にはアイランド２１、２２の裏面が封止体２
５表面と同一平面を成して露出する。
素子２と受光素子３は、リード２３の先端部を含めて少
なくとも赤外光に対して透明な樹脂でトランスファーモ
ールドされる。樹脂層は封止体２５を構成し、封止体２
５の一表面にはアイランド２１、２２の裏面が封止体２
５表面と同一平面を成して露出する。
【００１４】リード端子２３は封止体２５の他側面２５
ａから外部に導出され、表面実装用途に適するように、
Ｚ字型に折り曲げられている。
ａから外部に導出され、表面実装用途に適するように、
Ｚ字型に折り曲げられている。
【００１５】発光素子３の上部には、封止体２５の樹脂
を所定の深さに凹ませて溝２６を形成し、溝２６の側壁
によって平坦な反射面２７を構成している。この反射面
２７は、封止体２５をトランスファーモールドする際
に、金型に溝２６に対応する雄型部分を形成しておくこ
とによって形成するか、あるいは完成後に封止体２５の
表面を削ることで形成される。そして、反射面２７は、
発光素子３から発光された信号光６を反射面２７で反射
し、封止体２５の一側面２５ｂから外部に出射する機能
を有する。尚、反射面２７はパラボラ状の湾曲面でも良
い封止体２５の一側面２５ｂには、発光された光信号６
を集光する為のレンズ２８が封止体２５と一体的に形成
されている。レンズ２８は例えば所定の半径で設計され
た半球体であり、その焦点は反射面２７での反射を考慮
した上で、発光素子３の表面近傍に位置する。
を所定の深さに凹ませて溝２６を形成し、溝２６の側壁
によって平坦な反射面２７を構成している。この反射面
２７は、封止体２５をトランスファーモールドする際
に、金型に溝２６に対応する雄型部分を形成しておくこ
とによって形成するか、あるいは完成後に封止体２５の
表面を削ることで形成される。そして、反射面２７は、
発光素子３から発光された信号光６を反射面２７で反射
し、封止体２５の一側面２５ｂから外部に出射する機能
を有する。尚、反射面２７はパラボラ状の湾曲面でも良
い封止体２５の一側面２５ｂには、発光された光信号６
を集光する為のレンズ２８が封止体２５と一体的に形成
されている。レンズ２８は例えば所定の半径で設計され
た半球体であり、その焦点は反射面２７での反射を考慮
した上で、発光素子３の表面近傍に位置する。
【００１６】一方、発光素子３と同様に、受光素子２側
にもその上方に溝２６と反射面２７を形成する。受光素
子３の上部に形成した反射面２７は、封止体２５の一側
面２５ｂから導入させた光信号６を、反射面２７で反射
させて受光素子２のホトダイオード部分ＰＤに到達させ
る機能を果たす。封止体２５の一側面２５ｂには同じく
樹脂層によってレンズ２８が形成され、外部から入射さ
れる光信号６を集光する。
にもその上方に溝２６と反射面２７を形成する。受光素
子３の上部に形成した反射面２７は、封止体２５の一側
面２５ｂから導入させた光信号６を、反射面２７で反射
させて受光素子２のホトダイオード部分ＰＤに到達させ
る機能を果たす。封止体２５の一側面２５ｂには同じく
樹脂層によってレンズ２８が形成され、外部から入射さ
れる光信号６を集光する。
【００１７】これらの反射面２７は、その境界における
材料の屈折率の違いにより反射面となる。そのために、
封止体２５の全体が梨地加工されているのに対して、反
射面２７とレンズ２８表面はそれより表面荒さが小さい
鏡面加工としている。反射率を向上するために反射面２
７の表面を遮光性の金属被膜などで覆っても良い。
材料の屈折率の違いにより反射面となる。そのために、
封止体２５の全体が梨地加工されているのに対して、反
射面２７とレンズ２８表面はそれより表面荒さが小さい
鏡面加工としている。反射率を向上するために反射面２
７の表面を遮光性の金属被膜などで覆っても良い。
【００１８】また、反射面２７は半導体チップ表面に対
して約４５度の傾斜角度を有し、平面視（図１（Ａ）の
様に観測して）でホトダイオード部ＰＤの全表面及び発
光素子３のチップ全表面を覆う様に形成されている。こ
の結果、溝２６の最深部３１は発光素子３と受光素子２
のホトダイオード部ＰＤに対して、他側面２５ａ側に位
置する。最深部３１より他側面２５ａ側を他方の側３
２、一側面２５ｂ側を一方の側３３とする。溝２６の最
深部３１は、発光素子３側と受光素子２側とで位置が概
ね一致している。
して約４５度の傾斜角度を有し、平面視（図１（Ａ）の
様に観測して）でホトダイオード部ＰＤの全表面及び発
光素子３のチップ全表面を覆う様に形成されている。こ
の結果、溝２６の最深部３１は発光素子３と受光素子２
のホトダイオード部ＰＤに対して、他側面２５ａ側に位
置する。最深部３１より他側面２５ａ側を他方の側３
２、一側面２５ｂ側を一方の側３３とする。溝２６の最
深部３１は、発光素子３側と受光素子２側とで位置が概
ね一致している。
【００１９】図３は、溝２６の最深部３１と各部品との
位置関係を示す図である。受光素子２には、ホトダイオ
ードＰＤの他に、ホトダイオードＰＤを駆動するための
周辺回路３５、発光素子３を駆動するための発光駆動回
路３６が集積化されている。そして、溝２６の最深部３
１は、受光素子２の半導体チップ上を横断する。
位置関係を示す図である。受光素子２には、ホトダイオ
ードＰＤの他に、ホトダイオードＰＤを駆動するための
周辺回路３５、発光素子３を駆動するための発光駆動回
路３６が集積化されている。そして、溝２６の最深部３
１は、受光素子２の半導体チップ上を横断する。
【００２０】最深部３１に対して、発光素子３と受光素
子２のホトダイオード部ＰＤが一方の側３３に位置し、
受光素子２の電極パッド３０の大部分とリード端子２
３、及びボンディングワイヤ２４の大部分が他方の側３
２に位置する。
子２のホトダイオード部ＰＤが一方の側３３に位置し、
受光素子２の電極パッド３０の大部分とリード端子２
３、及びボンディングワイヤ２４の大部分が他方の側３
２に位置する。
【００２１】発光素子３においては、２端子素子である
が故に、半導体チップの基板側を一方の端子（アノード
又はカソード）、チップ表面に形成した電極パッド３０
ａを他方の端子（カソード又はアノード）にすることが
できる。一方の端子は、アイランド２２表面に導電性の
接着剤で発光素子３を固着することで、溝３１を横断す
るアイランドリード２３ｂにより導出する。他方の端子
は、リード端子２３ａがアイランド２２近傍まで延在し
て、この先端にボンディングワイヤ２４ａを接続するこ
とにより導出する。リード端子２３ａ及びアイランドリ
ード２３ｂは、封止体２５の内部で下方に屈曲し、アイ
ランド２２の「お椀」の上部と同じ高さ（図２（Ａ）：
図示ｔ１）で溝２６の下部を横断する。この様に、発光
素子３の他方の端子を、特別に長く引き回したリード端
子２３ａに接続することにより、ボンディングワイヤ２
４ａが溝２６の最深部３１を横断しない構造にすること
ができる。
が故に、半導体チップの基板側を一方の端子（アノード
又はカソード）、チップ表面に形成した電極パッド３０
ａを他方の端子（カソード又はアノード）にすることが
できる。一方の端子は、アイランド２２表面に導電性の
接着剤で発光素子３を固着することで、溝３１を横断す
るアイランドリード２３ｂにより導出する。他方の端子
は、リード端子２３ａがアイランド２２近傍まで延在し
て、この先端にボンディングワイヤ２４ａを接続するこ
とにより導出する。リード端子２３ａ及びアイランドリ
ード２３ｂは、封止体２５の内部で下方に屈曲し、アイ
ランド２２の「お椀」の上部と同じ高さ（図２（Ａ）：
図示ｔ１）で溝２６の下部を横断する。この様に、発光
素子３の他方の端子を、特別に長く引き回したリード端
子２３ａに接続することにより、ボンディングワイヤ２
４ａが溝２６の最深部３１を横断しない構造にすること
ができる。
【００２２】従って、ボンディングワイヤ２４、２４ａ
が溝２６の最深部３１を横断しないので、ボンディング
ワイヤ２４、２４ａと溝２６との干渉を防止できる、各
ボンディングワイヤ２４、２４ａは、それぞれ他方の側
３２と一方の側３３で、最深部３１よりも高い位置を通
過するループを描いて封止体２５の内部に収納すること
ができる。そのため、最深部３１をチップ表面近傍まで
深く形成できるので、封止体２５の厚み（図２（Ｂ）：
図示ｔ２）を薄く形成することが可能となる。
が溝２６の最深部３１を横断しないので、ボンディング
ワイヤ２４、２４ａと溝２６との干渉を防止できる、各
ボンディングワイヤ２４、２４ａは、それぞれ他方の側
３２と一方の側３３で、最深部３１よりも高い位置を通
過するループを描いて封止体２５の内部に収納すること
ができる。そのため、最深部３１をチップ表面近傍まで
深く形成できるので、封止体２５の厚み（図２（Ｂ）：
図示ｔ２）を薄く形成することが可能となる。
【００２３】尚、干渉とは、ボンディングワイヤ２４の
ワイヤループが図２（Ａ）の符号３７で示したように、
溝２６の最深部３１より高い位置を通過して横断するこ
とを意味する。この干渉を防ぐには、溝２６の深さを浅
く設計しなければならないので、反射面２７の傾斜角を
維持した上でホトダイオード部ＰＤの全表面及び発光素
子３のチップ全表面を覆うには、封止体２５の厚みｔが
大きくなる。
ワイヤループが図２（Ａ）の符号３７で示したように、
溝２６の最深部３１より高い位置を通過して横断するこ
とを意味する。この干渉を防ぐには、溝２６の深さを浅
く設計しなければならないので、反射面２７の傾斜角を
維持した上でホトダイオード部ＰＤの全表面及び発光素
子３のチップ全表面を覆うには、封止体２５の厚みｔが
大きくなる。
【００２４】以上に説明したとおり、本発明の半導体装
置は、光信号６の伝達経路を折り曲げることによって、
封止体２５の厚みｔが薄い、半導体装置を得ることがで
きる。これによって、係る装置をプリント基板上に表面
実装した時にプリント基板全体の高さを低く抑えること
ができ、更には前記プリント基板に対して水平方向に光
信号６を出入射することができるので、電子機器の薄形
化を推進することができるものである。
置は、光信号６の伝達経路を折り曲げることによって、
封止体２５の厚みｔが薄い、半導体装置を得ることがで
きる。これによって、係る装置をプリント基板上に表面
実装した時にプリント基板全体の高さを低く抑えること
ができ、更には前記プリント基板に対して水平方向に光
信号６を出入射することができるので、電子機器の薄形
化を推進することができるものである。
【００２５】更に、発光素子３についてはその近傍まで
特別に長く引き回したリード端子２３ａにワイヤボンデ
ィングを行うので、ボンディングワイヤ２４ａと溝２６
との干渉を防止できる。
特別に長く引き回したリード端子２３ａにワイヤボンデ
ィングを行うので、ボンディングワイヤ２４ａと溝２６
との干渉を防止できる。
【００２６】
【発明の効果】以上、本発明によれば、溝２６で反射面
２７を設けることにより、樹脂の側面２５ｂから光信号
６の出入斜を行える光半導体装置を実現できる利点を有
する。この装置は、封止体２５の全体の厚みｔを低くで
きるので、プリント基板に実装したときに大幅な薄形化
を実現できるものである。
２７を設けることにより、樹脂の側面２５ｂから光信号
６の出入斜を行える光半導体装置を実現できる利点を有
する。この装置は、封止体２５の全体の厚みｔを低くで
きるので、プリント基板に実装したときに大幅な薄形化
を実現できるものである。
【００２７】更に、ボンディングワイヤ２４ａと溝２６
との干渉を防止することにより、装置全体の厚みｔを薄
形化できる利点を有する。
との干渉を防止することにより、装置全体の厚みｔを薄
形化できる利点を有する。
【図１】本発明を説明する平面図である。
【図２】本発明を説明する断面図である。
【図３】本発明を説明するための図である。
【図４】従来例を説明する斜視図である。
【図５】従来例を説明する斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 落合 公 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 井野口 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 石川 勉 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 関口 智 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小堀 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA04 DA07 DB02 EC11 GA01 5F041 AA47 DA07 DA17 DA21 DA26 DA43 EE23 FF14 5F088 AA02 AA03 BA15 BB01 EA09 JA02 JA06 JA10 LA01 5F089 AA01 AC02 AC11 AC13 AC21 CA20 EA04
Claims (4)
- 【請求項１】 光信号を電気信号に変換する半導体素子
を樹脂層で被覆し、 前記半導体素子の上方に反射面を作る溝を形成し、 前記反射面にて光信号を屈曲し、前記樹脂層の一側面か
ら前記光信号の送受信を行う光半導体装置であって、 前記樹脂層の他側面から外部に導出されるリード端子
が、前記樹脂層内において前記溝の最深部を横断して前
記半導体素子の近傍まで延在し、 前記半導体素子に形成した電極パッドと前記リード端子
の先端部分とをボンディングワイヤで接続したことを特
徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体素子が発光素子であることを
特徴とする請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】 前記リード端子の一つが前記発光素子を
固着するアイランドに連続しており、前記溝の最深部を
横断して外部に導出されていることを特徴とする請求項
１記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 前記ボンディングワイヤが前記溝の最深
部より高い位置を通過することを特徴とする請求項１記
載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29555098A JP2000124479A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29555098A JP2000124479A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124479A true JP2000124479A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17822103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29555098A Pending JP2000124479A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000124479A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004200704A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-07-15 | Yazaki Corp | Ｌｅｄ表示素子およびこれを用いたメータ |
| WO2005076372A1 (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Rohm Co., Ltd. | 光通信モジュール |
-
1998
- 1998-10-16 JP JP29555098A patent/JP2000124479A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004200704A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-07-15 | Yazaki Corp | Ｌｅｄ表示素子およびこれを用いたメータ |
| WO2005076372A1 (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Rohm Co., Ltd. | 光通信モジュール |
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