CN100401601C - 半导体激光器件 - Google Patents

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Abstract

一种半导体激光器件，包括一体子安装件(3)，所述子安装件(3)由预定材料(例如SiC或AlN)组成并放置在安装表面(9)上。激光二极管(1)放置在子安装件(3)上表面的前部分。由晶体硅组成的监视光电二极管(4)堆叠在从激光二极管(1)向后的子安装件3上表面的一部分上。

Description

半导体激光器件
技术领域
本发明涉及一种半导体激光器件，更确切地说，涉及一种半导体激光器件，在所述半导体激光器件中用于监视激光二极管输出的激光二极管和光电二极管安装在诸如晶体管管座的安装表面上。例如，使用这种类型的半导体激光器件作为用于构造诸如CDs(高密度盘)、影碟、DVD(数字多用途盘)的记录/再生装置的元件。
背景技术
传统上，图6A和6B所示的监视器子安装件类型作为这种类型的半导体激光器件被熟知(例如，JP2001-267676A)。图6A是从垂直于安装表面的方向看的激光二极管的视图。图6B是沿图6A的线B-B切开的激光二极管的示意横截面(与下面的图7A和7B中的相同)。半导体激光器件如下构造。在热释放区段(散热片)115，安装一个矩形平行六面体Si(硅)基底110作为子安装件，在所述子安装件的一个表面内，形成光电二极管104。而且，激光二极管101安装在激光二极管安装电极109上，所述激光二极管安装电极109形成在硅基底110的表面上。参考数字105A、105B和105C分别表示连接至后表面电极的金属丝(为了简化，在图6B中省略了金属线)。激光二极管101向前(在图6A和6B向上)和向后(在图6A和6B向下)发射光。当向后发射的激光(向后发射光)通过光电二极管104光电转换成监视信号时，向前发射的激光(向前发射的光)应用于光盘以被记录/再生。监视信号用于通过未示出的控制电路控制激光二极管101的输出。
然而，这个半导体激光器件具有子安装件，所述子安装件由硅基底110组成，其中硅的导热性不是很高(84至147W/m·K)。因此，子安装件的热释放特性(即，释放在运行时激光二极管产生的热的性能)不是必要足够的。存在在温度特性上激光二极管101恶化或由于热的逃逸激光二极管101被损坏的可能性。
因此，如图7A和7B(JP2001-345507)所示，提出另一个传统的半导体激光器件。这种半导体激光器件构造如下。矩形平行六面体Si(硅)基底211安装在散热片215上，所述基底211的表面内，形成有光电二极管204。平行于基底211，安装一个单独的矩形平行六面体子安装件210，所述子安装件210由诸如AlN(氮化硅)和SiC(碳化硅)等绝缘体组成，所述绝缘体具有较大的导热系数。另外，激光二极管201安装在形成在子安装件210的表面上的激光二极管安装电极209A上。子安装件210的表面形成有与电极209A分离的另一个电极209B。参考数字205A、205B、205C、205D分别表示金属线(为了简化，图7B中省略了这些)。子安装件210在热释放特性(释放由激光二极管在操作过程中产生的热的性能)上被提高，因为子安装件210由具有较大导热系数的材料(例如AlN和SiC)组成。
然而，在这种半导体激光器件中，由于激光二极管201安装其上的子安装件210和形成有光电二极管204的硅基底211彼此分离，元件的数量增加，导致高的成本。
而且，为了稳定由光电二极管204所输出的监视信号，子安装件和硅基底必须被精确地在装配工序定位，因此制造是困难的。
另外，为了使激光二极管201的向后发射的光充分入射到光电二极管204上，需要子安装件210(Hs)的厚度和Si基底211的厚度(光电二极管204)(Hp)满足条件Hs＞Hp。因此，需要厚度是精确的。由于这样的原因，制造更困难了。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种半导体激光器件，所述半导体激光器件具有好的热释放特性并且以较低的成本容易地制造。
为了达到此目的，本发明提供一种半导体激光器件包括：一体的子安装件，所述一体的子安装件由预定材料构成并放置在安装表面上；激光二极管，所述激光二极管放置在子安装件上表面的前部上；和监视光电二极管，所述监视光电二极管由晶体硅膜构成并堆叠在子安装件的上表面的从激光二极管向后的一部分上，其中中继电极放置在子安装件的上表面上远离激光二极管；和激光二极管的上部电极通过金属线连接至中继电极。
此处的“安装表面”指用于封装元件(例如基底、框架和晶体管管座)的上位概念术语。安装表面优选地是平的。原因是安装表面的平面性使得容易在其上安装元件。
“一体”子安装件指子安装件是由空间上连续的材料组成的一个部件。例如，子安装件的外部构造优选地是矩形平行六面体形。原因是矩形平行六面体的外部构造能够容易地形成。
“激光二极管”这里表示芯片状态下的激光二极管。
子安装件的“前部分”是根据激光二极管的激光发射方向而确定。具体地，从激光二极管到被辐射目标(例如，待记录/再生的光盘)所发射的激光的方向被称为”向前“的方向。定位在其上表面的子安装件的向前区域被称为子安装件的“前部分”。
“晶体硅薄膜”指有硅组成的薄膜，所述硅具有一些如JP-7-161634所述的诸如连续的晶粒硅(称为CGS和CG硅)和多晶硅的结晶性。
在本发明的半导体激光器件中，从激光二极管向前发射的激光在运行过程中施加于诸如待记录/再生的光盘的目标上(这种激光被称为“向前发射的光”)。另一方面，从激光二极管向后所发射的激光施加于监视激光二极管(这种激光被称为“向后发射的光”)。被监视光电二极管所接收的光被光电转化成监视信号，所述监视信号被用于控制激光二极管的输出。
在本发明的半导体激光器件中，由于子安装件是一体元件，与图7A和7B所示的传统实施方案比较，元件的数量降低，导致制造成本降低。另外，监视光电二极管由晶体硅薄膜组成，所述晶体硅薄膜形成在子安装件的上表面的向后的部分。因此，不需要在安装工序中定位子安装件和监视光电二极管，所述定位进行是为了稳定化监视信号。原因是晶体硅薄膜预先堆叠在子安装件的表面上并在安装工序之前的晶片处理时精确地形成图案。因此，半导体激光器件的制造变得容易的，而且，获得稳定的监视信号。
在本发明的半导体器件中，形成监视光电二极管的晶体硅薄膜堆叠在子安装件上。这意味着在子安装件内形成监视光电二极管是不必要的，并且通常采用Si(硅)作为子安装件的材料也是不必要的。结果，除了Si的电绝缘材料能够用作子安装件材料，所述电绝缘材料具有大于硅的导热系数，例如SiC(碳化硅具有270W/m·K的导热系数)和AlN(氮化硅具有60-260W/m·K)。与图6A和6B所示的先前技术比较，这些材料提高了热释放特性，即，在运行中释放由激光二极管所产生的热的性能。
在运行中由激光二极管所产生的热通过子安装件辐射到安装表面。从热释放的观点来看，安装表面优选由诸如已知的散热片的金属材料制成。
本发明的半导体激光器件中，监视光电二极管由晶体硅组成，因此能够抑制监视光电二极管的无照电流，
在本发明的一个实施方案中，监视光电二极管的光接收表面相对安装表面的高度具有小于激光二极管的光发射点的高度的高度。
“监视光电二极管的光接收表面的高度”和“激光二极管的光发射点的高度”被确定为从安装表面(可包括子安装件的平的上表面)的相对距离。
激光二极管的“光发射点”指形成共鸣器的端面一个点，激光从所述点发射。
在本发明的一个实施方案中，监视光电二极管的光接收表面具有小于激光二极管的光发射点的高度的高度，因此，激光二极管的向后发射的光充分入射到监视光电二极管的光接收表面上。因此，获得更稳定的监视信号。
激光二极管的“上部电极”表示放置在上侧面上的电极，从而激光二极管安装在子安装件上，其中电极放置在激光二极管的两侧。
根据本实施方案的半导体激光器件，当在安装工序中对激光二极管的电极配线时，激光二极管的上部电极通过金属线连接至中继电极。另外，例如，在子安装件上的中继电极通过另一个金属线连接至引线电极，所述引线电极具有与安装表面相同的高度。子安装件的上表面在激光二极管上表面的高度和安装表面的高度之间的高度，因此，在金属线的第一焊接位置和第二焊接位置之间的高度差是小的。因此，金属线焊合操作容易并且半导体激光器件的制造容易。
在本发明的一个实施方案中，
中继电极放置在子安装件上表面的后部上；和
金属线沿激光二极管的光轴在前-后方向上放置。
根据本实施方案的半导体激光器件，激光二极管的部分向后发射的光由中继电极附近的部分金属线(即，在线的边缘形成的球的表面和线的弯曲部分的表面)所反射，所述激光二极管的部分向后发射的光不直接入射到监视光电二极管的光接收表面上，并且作为被反射光入射到监视光电二极管的光接收表面上。因此，入射光的数量增加，并且获得更稳定的监视信号。
在本发明的一个实施方案中，
子安装件由电绝缘材料形成，所述电绝缘材料具有大于晶体硅的导热性。
根据本实施方案的半导体激光器件，子安装件的材料具有大于晶体硅的导热性，因此，子安装件的热释放特性比传统的由晶体硅制造的提高更多。另外，当子安装件的材料是电绝缘体时，把激光二极管与监视光电二极管电绝缘是容易的。
子安装件的材料包括SiC(碳化硅具有270W/m·K导热系数)、AlN(氮化铝具有60-260W/m·K导热系数)等。
在本发明的一个实施方案中，
子安装件的前部设置有激光二极管安装电极，所述激光二极管安装电极沿前-后方向具有与激光二极管大体相同的尺寸；和
激光二极管的下部电极通过钎焊材料连接至激光二极管安装电极。
在前-后方向上激光二极管的尺寸相应于在激光二极管的激光发射方向上的激光二极管的尺寸，即，共振器的长度。
根据本实施方案的半导体激光器件，激光二极管安装电极沿前-后方向具有与激光二极管大体相同的尺寸。因此，向前发射的光和向后发射的光没有被激光二极管安装电极干扰的情况下被发射。因此，当向前发射的光被稳定地施加于目标(例如，待记录/再生的光盘)时，向后发射的光稳定地由监视光电二极管转化成监视信号。
在本发明的一个实施方案中，
激光二极管包括彼此分离的多个芯片。
在本发明的一个实施方案中，
激光二极管包括具有多个光发射点的一体芯片。
在本发明的一个实施方案中，
子安装件的前部设有激光二极管安装电极；和
激光二极管以向下连接的状态放置在激光二极管安装电极上。
这里的“向下连接”指在一个芯片内包括光发射层(也称活性层)的激光二极管沿发光层在上下方向上更接近安装表面(散热片)的方向安装。
根据本实施方案的半导体激光器件，在运行中由激光二极管的发光层产生的热从光发射层以较短的距离传递至子安装件上并辐射。因此，更大地提高半导体激光器件的热释放特性。
而且，当激光二极管是包括多个光发射点的一体芯片和当芯片的至少一个电极层相应于各自光发射点被分开时，向下连接的布置特别有效。在这种情况下，在运行过程中，由光发射点(光发射层包括光发射点)所产生的热以较短的距离被传递至子安装件，并被辐射。因此，更提高了激光二极管的热释放特性。
本发明提供一种半导体激光器件，包括：
第一子安装件，所述第一子安装件由预定材料构成并放置在安装表面的上表面的前部上；
放置在第一子安装件上的激光二极管；
第二子安装件，所述第二子安装件由预定材料构成并放置在安装表面的从第一子安装件向后的一部分上；
监视光电二极管，所述监视光电二极管由晶体薄膜组成，所述晶体薄膜堆叠在第二子安装件的上表面上；
放置在激光二极管的上表面上的上部电极；
放置在第二子安装件的上表面上的中继电极；和
将所述上部电极连接到所述中继电极的金属线，
其中所述中继电极和所述金属线沿所述激光二极管的光轴在前后方向上设置在所述监视光电二极管之上。
在本发明的半导体激光器件内，通过采用SiC、AlN等具有比Si更大的导热系数材料，获得与图6A、图6B所示的传统实施方案比较提高更多的热释放特性的效果。
在本发明的一个实施方案中，
监视光电二极管的光接收表面相对安装表面具有小于激光二极管的光发射点的高度的高度。
根据本实施方案的半导体激光二极管，激光二极管的向后发射的光充分入射到监视光电二极管的光接收表面上。因此，获得稳定的监视信号。
本发明提供一种半导体激光器件，包括：
放置在安装表面上的子安装件；
监视光电二极管，所述监视光电二极管嵌入子安装件中，从而监视二极管的光接收表面暴露在子安装件的一侧，所述子安装件的一侧与面向安装表面的子安装件的另一侧相对；
激光二极管，所述激光二极管放置在子安装件上，从而激光二极管的激光发射后端面位于监视光电二极管一侧；
中继电极，所述中继电极放置在子安装件的一部分上，该子安装件的一部分相对于监视光电二极管位于与激光二极管相对的一侧；和
金属线，所述金属线将激光二极管的电极连接至中继电极，金属线位于监视光电二极管的光接收表面上方，部分金属线大体平行于从激光二极管的激光发射后端面发射的激光的光轴。
根据本发明，金属线具有大体平行于光轴的部分，因此从激光发射后端面发射的激光能够有效地被反射至激光二极管的光接收表面。因此，由监视光电二极管所探测的光的数量能够增加。
在本发明的一个实施方案中，至少一个金属线和与其连接的中继电极的连接点具有球形。
根据上述实施方案的半导体，由于连接点具有球形，从激光二极管的光发射后端面所发射的部分光，穿过监视光电二极管并达到球形连接点，在光接收表面上被反射。因此，能够增加监视光电二极管所探测的光数量。
在本发明的一个实施方案中，
金属线与激光的光轴相交并且放置在与子安装件表面大体垂直的平面内。
根据上述实施方案，金属丝反射从激光二极管的光发射后端面所发射的光，从而能够进一步增加从光发射后端面所发射的光的数量和到监视光电二极管上的入射。
本发明提供一种半导体激光器件，包括：
放置在安装表面上的子安装件；
监视光电二极管，所述监视光电二极管嵌入子安装件中，从而监视二极管的光接收表面暴露在子安装件的一侧，所述子安装件的一侧与面向安装表面的子安装件的另一侧相对；
中继电极，所述中继电极放置在子安装件的一部分上，在该子安装件的一部分上没有放置监视光电二极管；
多个激光二极管，所述多个激光二极管放置在子安装件的一部分上，该子安装件的一部分相对于监视光电二极管位于与中继电极相对的一侧，从而激光发射后端面位于监视光电二极管一侧；和
多个金属线，所述多个金属线将多个激光二极管的各个电极连接至中继电极，其中
从激光二极管的各个激光发射后端面发射的激光的所有光轴呈现在同一个平面内，所述平面大体平行于子安装件的表面，并且这些光轴在所述同一平面内彼此平行；和
多个金属线中的每一个与激光的光轴相交，所述激光从连接至每一个金属线的每个激光二极管中发射出，每个金属线的一部分放置在与子安装件的表面大体垂直的平面内。
根据本发明，在具有多个激光二极管的半导体激光器件中，多个激光二极管不是垂直地堆叠，如混合的双波长激光和单双波长激光)，从每个激光二极管的光发射后端面所发射的光的数量和到监视光电二极管上的入射能够增加。因此，激光二极管发射光数量的控制能够精确地被进行。
本发明也提供一种半导体激光器件，包括：
放置在安装表面上的子安装件；
监视光电二极管，所述监视光电二极管嵌入子安装件中，从而监视光电二极管的光接收表面暴露在子安装件的一侧，所述子安装件的一侧与面向安装表面的子安装件的另一侧相对；
中继电极，所述中继电极放置在子安装件的一部分上，在所述子安装件的一部分上没有放置监视光电二极管；
多个激光二极管，所述多个激光二极管放置在子安装件的一部分上，所述子安装件的一部分相对于监视光电二极管位于与中继电极相对的一侧，从而激光二极管的激光发射后端面位于监视光电二极管一侧；和
多个金属线，所述多个金属线将多个激光二极管的各个电极连接至中继电极，其中
多个金属线中的至少一个与激光的光轴相交并且放置在与子安装件的表面大体垂直的平面内，所述激光从多个激光二极管的任一个发射出。
根据本发明，在半导体激光器件中，其中诸如三波长激光器的激光二极管例如被垂直地被放置，从至少一个激光二极管的光发射后端面所发射的光的数量和到监视光电二极管上的入射能够增加。因此，能够精确地对从所述至少一个激光二极管的所发射光的进行控制。
附图说明
从下面所给出的详细说明和仅作为说明给出的附图能更充分地理解本发明，因此它们不是对本发明进行限制，其中：
图1A、1B和1C是说明根据本发明一个实施方案的半导体激光器件的结构的视图；
图2A、2B和2C是说明半导体激光器件的修改的视图；
图3A和3B是说明根据本发明另一个实施方案的半导体激光器件的结构的视图；
图4A和4B是说明根据本发明的又一个实施方案的半导体激光器件的结构的视图；
图5A和5B是说明根据本发明的又一个实施方案的半导体激光器件的结构的视图；
图6A和6B是说明传统半导体激光器件的构造的视图；
图7A和7B是说明又一个传统半导体激光器件的构造的视图；
图8A和8B是说明根据本发明不同实施方案的半导体激光器件的构造的视图；
图9A和9B是说明根据本发明又一不同实施方案的半导体激光器件的构造的视图；
10A和10B是说明根据本发明又一不同实施方案的半导体激光器件的构造的视图。
具体实施方式
在下文中通过下面说明的实施方案详细说明本发明的半导体激光器件。
图1A、1B和1C说明安装在包括引线框架的封装内的半导体激光器件的构造。半导体激光器件是这样的一种类型，在所述类型中，一芯片激光二极管发射具有一个波长的激光。图1A是从垂直于岛部表面(安装表面)的方向上看安装在引线框架9的岛部90上的激光二极管1的视图。图1B是沿图1A的线B-B切开的示意横截面视图。图1C是激光二极管1的前视图。
下文中，根据激光二极管1的光发射方向16确定方向。即，激光从激光二极管1向目标发射的方向被定义为“向前”(图1A和1B中的向上方向)，其中激光辐照诸如待记录和复制的光盘的目标(未示出)。与“向前”方向相对的方向被定义为“向后”(在图1A和1B中的向下方向)。在图1A中的向左和向右方向被分别定义为“左和右”。在图1B中的左方向被定义为“向上”。在此方向，距岛部表面的高度(安装表面)被确定。
如图1A所示，此半导体激光器件的封装包括由金属材料组成的引线框架9和包围引线框架9的树脂部分15组成。从图1C所示，树脂部分15设有前开顶凹入部分15f，并且也设有顶开开口15i，所述顶开开口15i与凹入部分15f的后面连接，如图1A所示。
引线框架9包括岛部90，所述岛部90横跨凹入部分15f和开口15i放置；支撑杆电极91，所述支撑杆电极91与岛部90的后部中心连接并向后延伸；和引线电极19、20，所述引线电极19、20放置在与他们间隔开的支撑杆电极91的两侧。引线电极19、20每一个具有大体与岛部90相同的高度。这些支撑杆电极91和引线电极19、20向后延伸作为三个引线针，穿透树脂部分15并向封装的外部突出，虽然未出示。
由SiC(碳化硅具有270W/m·K的导热系数)组成的矩形平行六面体的一体子安装件3放置在引线框架9的岛部90上。形成子安装件3的SiC的特征在于它是比Si具有更大导热系数的绝缘体。作为子安装件3的材料，AlN(氮化铝具有60-260W/m·K的导热系数)也可以用于代替SiC。
子安装件3上表面的前部分设有激光二极管安装电极8，所述激光二极管安装电极8在前-后方向上具有与激光二极管1大体相同的尺寸。电极8的左-右尺寸设的比激光二极管1的尺寸稍微大些，从而进行配线。这种电极8能够通过在装备工序和使金属层形成图案之前在子安装件3的上表面沉积金属层而容易地形成。
激光二极管1的前-后尺寸相应于在激光发射方向上激光二极管的尺寸，即大体相应于共鸣器长度。
激光二极管1放置在激光二极管安装电极8上，所述激光二极管安装电极8位于子安装件3的前部。具体地，激光二极管1的下部电极(未出示)通过钎焊材料连接至激光二极管安装电极8上。
由晶体硅薄膜组成的监视光电二极管4堆叠在子安装件3的上表面的一个区域，激光二极管1从所述区域向后定位。
如上述，“晶体硅薄膜”指有硅组成的薄膜，所述硅具有一些如JP-7-161634A所述的诸如连续晶粒硅(指CGS和CG硅)和多晶硅的结晶性。JP-7-161634A披露在绝缘基底上形成连续晶粒硅的技术。
在安装工序之前，在晶片处理时构造监视光电二极管4的晶体硅薄膜预先沉积在子安装件3的一个表面上，并且为了获得稳定并精确的监视信号形成大体矩形平行六面体形。由PN连接组成的光接收表面4a通过把杂质引入晶体硅薄膜而形成。光电二极管的一个电极40设在光接收表面4a上。晶体硅薄膜的图形通常是平行六面体形。在这个例子中，然而，在更接近激光二极管安装电极8的侧面上消除其拐角部分。作为中继电极的光电二极管4的另一个电极30设在相应于上述状态的拐角部分的子安装件3表面
(上表面)的一部分上。
在组装半导体激光器件中，子安装件3放置在引线框架9的岛部90上，子安装件3提前形成有监视光电二极管4和激光二极管安装电极8。随后，激光二极管1通过钎焊材料放置在激光二极管安装电极8上。之后，进行金属线连接，从而监视光电二极管4的一个电极40通过金属线53连接至引线电极20上。同时，激光二极管1的上部电极(在安装之后上侧的电极)通过金属线51连接至监视光电二极管4的另一个电极30，并且电极30通过金属线54被连接至岛部90。
根据组装工序，半导体激光的制造比图7中所示的传统半导体的制造更容易，因为为了稳定化监视信号，把子安装件3与监视光电二极管4对齐是没必要的。而且，激光二极管1的上部电极通过金属线51、54经过中继电极30连接至岛部90上。因此，与直接被连接的情况比较，在各个金属线的第一连接位置和第二连接位置之间的高度差别被降低。因此线连接变得容易并且制造变得容易。
在半导体激光器件中，子安装件3是一体元件，因此与图7所示的传统实施方案比较，元件的数量减少，这导致成本降低。
在操作中，激光二极管1通过使用引线电极20和支撑杆电极91被电激发。由监视光电二极管4所输出的监视信号通过引线电极19和支撑杆电极91输出。因为子安装件3的材料是绝缘体(在本实施方案中为SiC)，在激光二极管1和监视光电二极管4之间获得良好的电绝缘。
在本半导体激光器件中，在激光二极管1的前端面上从光发射点13向前所发射的激光12F(称为“向前所发射的光”)被施加于目标(例如，待记录/再生的光盘)。另一方面，在激光二极管1的后端面上从光发射点14向后所发射的激光12R(称为“向后所发射的光”)被施加于监视光电二极管4。由监视光电二极管4所接收的光被光电地转化成监视信号，所述监视信号被用于通过未示出的控制电路控制激光二极管1的输出。
这里，激光二极管安装电极8具有几乎与激光二极管1在前-后方向上相同的尺寸。因此，激光二极管1的向前发射的光12F和向后发射的光12R在没有被激光二极管安装电极8干扰的情况下被发射。因此，由于监视光电二极管4，向后发射的光12R变为稳定的监视信号，并且向前发射的光12F被稳定地施加于目标。另外，从图1B看出，监视光电二极管4的光接收表面4a具有小于激光二极管1的光发射点14的高度。因此，激光二极管1的向后发射的光12R充分入射到监视光电二极管4的光接收表面4a上。因此，获得更稳定的监视信号。
在半导体激光器件中，监视光电二极管4由晶体硅组成，因此与无定形硅组成的比较，监视光电二极管4的无照电流能够被抑制。
在半导体激光器件中，在运行过程中由激光二极管1所产生的热通过子安装件3被释放至引线框架9。在本实施方案中，子安装件3的材料由SiC组成，所述SiC具有比Si更大的导热系数，所述Si用于图6A和6B所示的现有技术中。因此，热释放特性(在运行中释放由激光二极管1所产生的热的性能)被提高，因此，提高产品的可靠性。
即使树脂封装、树脂引线框架封装等被使用，在热释放特性上的上述状态的提高使得安装激光二极管成为可能，所述激光二极管具有较大的热值，所述树脂封装在热释放特性上低于金属封装。另外，如下述，安装多种激光二极管的组合成为可能，从而满足使用者的需要的产品能够容易地被制造。
图2A、2B和2C说明作为上述状态的一个修改的半导体激光器件。这种半导体激光器件是一种类型，在所述类型中，一个芯片激光二极管发射激光，所述激光具有一个在如图1A、1B和1C所示的半导体激光器件的情况下的波长。图2A是从垂直于半导体激光器件的岛部表面(安装表面)的方向看去安装在引线框架9的岛部90上的激光二极管1的视图。图2B示意地说明沿图2A的线B-B切开的横截面。如图1A、1B和1C的元件相同的元件由相同的数字表示(这也应用于其他附图)。
在本实例中，代替图1中的光电二极管4的电极30、作为中继电极的光电二极管4的电极31设在子安装件3后部的中心，所述子安装件3后部的中心不同于电极30的安装位置。金属线51沿激光二极管1的光轴16在前-后方向上放置，并把监视光电二极管4的电极31和激光二极管1的上部电极连接。另外，金属线54把电极31连接至支撑杆电极91。
操作中，激光二极管1通过使用引线电极20和支撑杆电极91以与图1A、1B和1C所示半导体激光器件相同的方式从封装的外部被电激发。监视信号由监视光电二极管4输出并由引线电极19和支撑杆电极91取出。
在这种情况下，激光二极管1的向后发射的光12R的一部分不直接入射到图2C所示的监视光电二极管4的光接收表面上。这部分向后发射的光12R在中继电极31的附近由部分金属线54所反射，具体地，通过形成在金属线54的边缘部分的球54a的表面和金属线54的弯曲部分的表面反射，并作为被反射光12R’入射到监视光电二极管4的光接收表面上。因此，入射光的数量增加以获得更稳定的监视信号。
图3A、3B和3C说明一种类型的半导体激光器件的构造，在所述类型中，一芯片激光二极管发射具有两种波长的激光。
图3A是子安装件3和激光二极管2的前视图，所述子安装件3和激光二极管2构造半导体激光器件。图3B是从垂直于岛部的一个表面(安装表面)的方向看去安装在引线框架9的岛部90上的激光二极管2的视图。
如图3A所示，构造半导体激光器件的激光二极管2是一体芯片，所述一体芯片在它的前端面上具有两个左和右光发射点13-1、13-2。光发射点14-1、14-2设在相应于那些光发射点的后表面上。激光二极管2的一体上部电极10在层方向内是持续的。另一方面，下部电极通过在前-后方向上延伸的凹槽6被分成左部分11-1和右部分11-2。因为凹槽6，两个左和右部分11-1、11-2不短路。在子安装件3上的激光二极管安装电极也根据下部电极11-1、11-2也被分成两个部分8-1、8-2。下部电极11-1、11-2分别被钎焊材料连接至激光二极管安装电极8-1、8-2上。
如图3B所示，引线框架9A包括岛部90；与岛部90后部连接并向后延伸的支撑杆电极91；和引线电极19，所述引线电极19与岛部90分离放置并且引线电极19与支撑杆电极91平行。引线框架9A也包括引线电极20-1、20-2，所述引线电极20-1、20-2放置在岛部90的两侧。引线电极19、20-1和20-2具有大体与岛部90相同的高度。虽然未示出，这些支撑杆电极91和引线电极19、20-1和20-2向后延伸，穿透树脂部分15并作为四个引线销突出在封装的外部。
在引线接合工序中，当激光二极管安装电极8-1、8-2通过金属线53-1、53-2分别连接至引线电极20-1、20-2时，监视光电二极管4的一个电极40通过金属线52被连接至引线电极19上。另外，激光二极管2(见图3A)的上部电极10通过金属线51被连接至监视光电二极管4的另一个电极30上，并且电极30通过金属线54被连接至岛部90上。
操作中，激光二极管2的半部分2-1通过使用引线电极20-1和支撑杆电极91从封装的外部被电激发，同时激光二极管2的剩余半部分2-2通过使用引线电极20-2和支撑杆电极91被电激发。因此，激光二极管的左和右部分2-1、2-2彼此独立地被电连接以运行。由监视光电二极管4所输出的监视信号由引线电极19和支撑杆电极91所取出。以“向下连接”的方式安装在激光二极管安装电极8-1、8-2上。即，激光二极管2安装在子安装件3上，从而距包括各个光发射点的光发射层的距离在上-下方向上更接近子安装件3。在这种布置中，由每个光发射点所产生的热以较短的距离传递至子安装件3并被释放。这提高了热释放特性。
图4A和4B说明另一种类型的半导体激光器件的构造，在所述类型中，两个芯片激光二极管发射具有两种波长的激光。
如图4A所示，半导体激光器包括独立的激光二极管1-1、1-2的两个芯片。激光二极管1-1是一体芯片且在它的前和后端面分别具有光发射点13-1、14-1。激光二极管1-2是在它的前和后端面上分别具有光发射点13-2、14-2的一体芯片。在子安装件3上的激光二极管安装电极以与图3的半导体激光器件相同的方式被分成两个部分8-1、8-2。
如图4B所示，引线框架9A是如图3B所示的相同的框架。作为中继电极的两个电极30-1和30-2设在激光二极管安装电极8-1、8-2附近的子安装件3上。
在引线接合过程中，监视光电二极管4的一个电极40通过金属线52被连接至引线电极19上，激光二极管安装电极8-1通过金属线53-1被连接至岛部90，并且激光二极管安装电极8-2通过金属线53-2被连接至引线电极20-2上。另外，激光二极管1-1、1-2(见图4A)的上部电极10-1、10-2通过金属线51-1、52-2分别连接至监视光电二极管4的另外的电极30-1、30-2。电极30-1通过金属线54-1被连接引线电极20-1上，同时电极30-2通过金属线54-2被连接至岛部90上。
操作中，激光二极管1-1通过使用引线电极20-1和支撑杆电极91从封装的外部被电激发，同时激光二极管1-2通过使用引线电极20-2和支撑杆电极91被电激发。因此，激光二极管1-1、1-2彼此独立地被电连接以运行。由监视光电二极管4所输出的监视信号被引线电极19和支撑杆电极91所取出。
图5A和5B说明一种类型的半导体激光器件的构造，在所述类型中，两个芯片激光二极管发射具有三种波长的激光。
如图5A所示，半导体激光器件包括独立的激光二极管1、2的两个芯片。激光二极管1是与图1所示相同的二极管。至于激光二极管2，芯片本身是与图1所示相同的，但上下颠倒安装。激光二极管安装电极根据各自激光二极管1、2被分成两部分8-1、8-2。
如图5B所示，引线框架9B包括岛部90；支撑杆电极91，所述支撑杆电极91与岛部90的后部中心连接并向后延伸；引线电极19、21，所述引线电极19、21放置在间隔开它们的支撑杆电极91的两侧，和引线电极20、22，所述引线电极20、22放置在岛部90的两侧。引线电极19、20、21和22具有大体与岛部90相同的高度。虽然未出示，这些支撑杆电极91、引线电极19、20、21和22向后延伸，穿透树脂部分15并向封装的外部突出作为5个引线销。作为中继电极的监视光电二极管4的两个电极30和33设在激光二极管安装电极8-1、8-2附近的子安装件3上。
在引线接合过程中，监视光电二极管4的一个电极40通过金属线52被连接至引线电极19上，激光二极管安装电极8-1、8-2通过金属线53、56分别被连接至岛部90上。激光二极管安装电极8-2通过金属线53-2被连接至引线电极20-2上。另外，激光二极管2(见图5A)的上部电极11-2通过金属线55-2连接至电极22上。另外，激光二极管1的电极10通过金属线51连接至监视光电二极管4的另一个电极30上，并且，激光二极管2的上部电极11-1金属线55-1连接至另一个电极33上。这些电极30、33分别通过金属线54、57连接至引线电极20、21上。
操作中，激光二极管1通过使用引线电极20和支撑杆电极91从封装的外部被电激发，同时激光二极管2的半部分2-1通过使用引线电极21和支撑杆电极91被电激发。并且激光二极管2的剩余的半部分2-2通过使用引线电极22和支撑杆电极91被电激发。因此，激光二极管1和激光二极管2的各自部分2-1、2-2彼此独立地电连接以运行。由监视光电二极管4所输出的监视信号被引线电极19和引线电极20或21取出。
在这种方式下，根据本发明提高了热释放特性。因此，即使引线框架被用于封装激光二极管的多种组合也能够被安装。因此，容易地制作具有不同波长和不同输出的激光二极管的组合是可能的，例如两种波长激光(DVD(低输出)+CD(高输出))和一种波长的激光(蓝激光)的组合。具体地，做成诸如DVD-R和蓝激光、CD-R和蓝激光的多种组合是可能的。即，在制造过程中，通过改变在子安装件上的激光二极管而不需要制造过程中复杂的变化而制造满足使用者需要的产品是可能的。结果，能够减少研发周期。
在本实施方案中，引线框架被用于封装。然而，诸如晶体管管座的其他封装材料也可以被使用。
另外，一体子安装件3用于本实施方案，但并不限于此。在本实施方案的另一个方面，子安装件可以被分成前和后部分，即，第一子安装件和第二子安装件，在所述第一子安装件上安装激光二极管，在所述第二子安装件上堆叠监视光电二极管。在这种情况下，SiC、AlN等也被采用作为第一子安装件的材料，所述材料具有大于Si的导热系数。与图6所示的传统实施方案比较，有获得热释放特性被提高的效果。在这种情况下，优选地，监视光电二极管的光接收表面的高度适宜设定为小于激光二极管的光发生点的高度。
图8A和8B是说明根据本发明的不同实施方案的半导体激光器件的构造的视图。更详细地，图8A和8B分别是半导体激光器件的侧视图和俯视平面图。
这种半导体激光器件包括散热片301、子安装件303、监视光电二极管305、激光二极管302、中继电极304和作为金属线的Au线306。
子安装件303连接在散热片301上。监视光电二极管305嵌在与散热片侧面相对的子安装件303的大体中心表面，从而监视光电二极管305的光接收表面被暴露。如图8B所示，监视光电二极管305的光接收表面具有大体正方形的形状。
激光二极管302沿监视激光二极管305的大体正方形的光接收表面的一侧放置，从而激光二极管302的光发射后端面与光接收表面的一侧邻接。中继电极304邻接与监视光电二极管305一侧相对的监视光电二极管305的另一侧。有大体对准的激光二极管302、监视光电二极管305和中继电极304。
Au线306把激光二极管302的电极与中继电极304连接。Au线306和中继电极304的连接点具有在厚度上轻微减小的形状。具有轻微减小形状的连接点连接至另一个Au线313的一个末端部分。Au线313和中继电极304的连接点具有球形的形状。
Au线306具有粗略与从激光二极管302的激光发射后端面所发射的激光的光轴310平行的部分306a。这个部分306a的一部分位于在监视光电二极管305的光接收表面的上面。
Au线306放置在大体与子安装件303的表面垂直的平面内，从而Au线306与激光的光轴310相交，如图8B所示。
在图8A和8B中，参考数字311表示从激光二极管302的光发射后端面所发射的扩展激光。参考数字312表示在从激光二极管302的子安装件303的侧面上的电极延伸的配线。
根据本实施方案，由于Au线306具有与光轴310大体平行的部分306a，从激光发生后端面所发射的激光的一部分307有效地通过Au线306被反射至监视光电二极管305的光接收表面。因此，增加了监视光电二极管所探测的光的数量。
根据本实施方案，Au线313和中继电极304的连接点309具有球形。因此，激光的一部分308能够入射在监视光电二极管305的光接收表面上，其中激光从激光二极管302的激光发射后端面发射，在监视光电二极管305上面穿过并到达球形连接点309。因此，能够增加由监视光电二极管305所探测的光的数量。
根据本实施方案，Au线306与从激光发射后端面发射的激光的光轴310相交并也放置在大体与子安装件303的表面垂直的平面内。因此，从激光发射后端面所发射并由Au线306反射至监视光电二极管305的光接收表面的的光的数量能够进一步增加。
在上述实施方案中，Au线313和中继电极304具有球形。可选择地，它的一个末端部分连接至激光二极管的金属线和中继电极的连接点可以具有球形。通过这种安排，由监视光电二极管的光接收表面所探测的光数量能够以与上面的实施方案相同的方式增加。
图9A和9B是说明根据另一个实施方案的半导体激光器件的构造的视图。更详细地，图9A是半导体激光器件的侧视图，图9B是半导体激光器件的俯视平面图。
这种半导体激光器件包括散热片401、子安装件403、监视光电二极管405、激光二极管芯片302、中继电极404和作为金属线的Au线406a、406b。
子安装件403连接在散热片401上。监视光电二极管405是处理红色激光和红外线激光两种波长的类型。监视光电二极管405嵌在与散热片的侧面相对的子安装件403表面的大体中心，从而光接收表面被暴露。如图9B所示，监视光电二极管405的光接收表面具有大体正方形的形状。
激光二极管芯片402包括红色激光二极管402a和红外激光二极管402b。如图9B所示，红色激光二极管402a和红外激光二极管402b每一个以它们各自光发生后端面指向一侧的状态下，相邻于监视光电二极管405的正方形光接收表面的一侧放置。
更详细地，红色激光二极管402a和红外激光二极管402b放置在子安装件上，从而从红色激光二极管402a的激光发射后端面所发射的激光的光轴411a和从红外激光二极管402b的激光发射后端面所发射的激光的光轴411b呈现在大体与子安装件403的表面平行的平面内，并且这些光轴在相同的平面内彼此平行。
中继电极404相邻于监视光电二极管405的另一侧放置，所述光电二极管405的另一侧与在激光二极管芯片的侧面上的其一个侧面相对。激光二极管芯片402、监视光电二极管405和中继电极404大体对齐。
Au线406a连接子安装件403的红激光二极管402a的电极和中继电极404。Au线406a与从红激光二极管402a的光发射后端面所发射的激光的光轴411a相交，并放置在与子安装件403的表面大体垂直的一个平面内。
Au线406b连接子安装件403的红激光二极管402b的电极和中继电极404。Au线406b与从红激光二极管402b的光发射后端面所发射的激光的光轴411b相交，并放置在与子安装件403的表面大体垂直的一个平面内。
如图9B所示，金属线413和中继电极404的连接点409具有球形，其中金属线413不同于Au线406a、406b，每一个Au线的末端连接至中继电极404。
在图9A和9B中，参考数字410表示在红激光二极管402a的光轴411a和红外激光二极管402b的光轴411b之间的中心线。参考数字407表示从红外激光二极管402b所发射，由Au线406b反射并在监视光电二极管405的光接收表面上入射的激光。参考数字408表示从激光二极管芯片402所发射，由Au线403的球形连接点409所反射并入射在监视光电二极管405的光接收表面上的激光。
根据上述实施方案的半导体激光器件能够增加从红激光二极管402a和红外激光二极管402b的各自光发射后端面所发射并入射在监视光电二极管405上光的数量。因此，精确地控制红激光二极管402a和红外激光二极管402b的发射光数量是可能的。
根据上述实施方案，因为Au线413和中继电极404的连接点409具有球形，从激光二极管402a、402b所发射，由Au线413的连接点所反射的一部分激光能够入射在监视光电二极管405的光接收表面上。因此，激光二极管402a、402b的光强度能够更精确地被调整。
在上述实施方案中，两个激光二极管402a、402b放置在子安装件403上，从而从两个激光二极管402a、402b的各自激光发射后端面发射的各自激光的光轴411a、411b存在于大体与子安装件403的表面平行的相同平面内，并且从而这些光轴大体在相同的平面内彼此平行。在这种状态下，两个各自金属线406a、406b的每一个放置在包括激光二极管402a、402b的光轴411a、411b的一个平面内并大体与子安装件403的表面垂直，各金属线406a、406b的每一个连接至所述光轴411a、411b。然而，根据本发明，多于两个的多个激光二极管可以放置在子安装件上，从而除了两个激光二极管外，从多个激光二极管的各自激光发射后端面所发射的激光的各自光轴存在于大体与子安装件的表面平行的相同平面内并且这些光轴在相同的平面内彼此大体平行。在这种状态下，多个金属线的每一个可以放置在一个平面内，所述平面包括每一个激光二极管的光轴，金属线连接至所述光轴，并且大体垂直于子安装件的表面。
在上述实施方案中，Au线413和中继电极404的连接点409具有球形，Au线413不同于Au线406a、406b，所述Au线406a、406b的一个末端连接至中继电极404。在至少金属线的连接点之一具有球形的情况下，所述金属线的一个末端连接至中继电极，有增加入射在监视光电二极管的光接收表面上的激光的光数量。
图10A和10B是说明根据另一个实施方按的半导体激光器件的构造的视图。更详细地，图10A是半导体激光器件的侧视图，图10B是半导体激光器件的俯视平面图。
这种半导体激光器件包括散热片501、在安装件503、监视光电二极管505、两种波长激光芯片502、蓝激光芯片511、中继电极504a、504b和504c，和作为金属线的实例的Au线506a、506b和506c。
子安装件503连接至散热片501上。监视光电二极管505是一种类型，所述类型处理红激光、红外激光和蓝激光三种波长。监视光电二极管505以一种方式放置从而被嵌在与散热片的侧面相对的子安装件503表面的大体中心，从而光接收表面被暴露。监视光电二极管505的光接收表面具有矩形的形状。
双波长激光芯片402包括红色激光二极管502a和红外激光二极管502b。如图10B所示，红色激光二极管502a和红外激光二极管502b每一个在它们各自光发生后端面指向一侧的状态下，相邻于监视光电二极管505的矩形光接收表面的纵向侧放置。
中继电极504a、504c相邻于监视光电二极管505的矩形光接收表面的一侧放置，所述监视光电二极管505的矩形光接收表面的一侧与其纵向侧面相对，从而分别面向红激光二极管502a和红外激光二极管502b。
蓝激光芯片511放置在双波长激光芯片502的表面上，与子安装件的侧面相对，在光发射后端面直接朝向一个纵向侧面的状态下，相邻于监视光电二极管505的矩形平行六边形的光接收表面。中继电极504b相邻与监视光电二极管505的矩形光接收表面的一个纵向侧面相对的一个侧面放置，从而面向蓝激光芯片511。
Au线506a连接与子安装件503的侧面相对的红激光二极管502a的电极和中继电极504a。Au线506a与从红激光二极管502a的光发射后端面发射的激光的光轴510a相交并放置在大体垂直于子安装件503的表面的一个平面内。
Au线506c连接与子安装件503的侧面相对的红外激光二极管502b的一个电极和中继电极504c。Au线506c与从红外激光二极管502b的光发射后端面发射的激光的光轴510c相交并放置在大体垂直于子安装件503表面的平面内。
Au线506b连接与子安装件503的侧面相对的蓝激光二极管511的电极和中继电极504b。Au线506b与从蓝激光二极管511的光发射后端面发射的激光的光轴510b相交并放置在大体垂直于子安装件503表面的一个平面内。
中继电极504a、监视光电二极管505和红激光二极管502a大体对齐。相似地，中继电极504c、监视光电二极管505和红外激光二极管502b大体对齐。而且，中继电极504b、监视光电二极管505和蓝激光二极管511大体对齐。
从红激光二极管502a和红外激光二极管502b的激光发射后端面所发射的各激光的光轴存在于大体与子安装件503的表面平行的同一个平面内，并且在同一个平面内彼此大体平行。
如图10B所示，参考数字507表示激光，所述激光从激光二极管502a、502b、511发射、由Au线506a、506b、506c反射，入射在监视光电二极管505的光接收表面。参考数字508表示从激光二极管502a、502b、511发射、由连接点509a、509b、509c反射并入射在监视光电二极管505的光接收表上的激光。
根据上述实施方案，可减少从激光二极管502a、502b、511所发射的并入射在监视光电二极管505的光接收表面声的激光的数量。因此，精确地控制激光二极管502a、502b、511的光的输出量是可能的。
在上述实施方案中，Au线506a、506b、506c的每一个放置在包括激光二极管502a、511、502b的光轴510a、510b、510c的每一个的平面内，并垂直于子安装件505，Au线506a、506b、506c连接至激光二极管502a、511、502b的光轴510a、510b、510c。可选择地，至少一个多金属线(不限于三个)可以放置在包括多激光二极管(不限于三个)中任何一个的光轴并且大体与子安装件的表面垂直的平面内。在这种情况下，调整至少一个激光的光轴是可能的。在上述实施方案中所述的所有情况下，都使用金线。然而，众所周知，当波长变短并且光的颜色从绿变成蓝时，金的发射性降低。因此，在蓝激光二极管的情况下，考虑到反射性，优选地使用Au线或Ag线。
上面描述了本发明，明显的是同一发明可以以多种方式变化。这种变化不脱离本发明的精神和范围，对本领域的普通技术人员而言，所有这种变化都包括于所附权利要求的范围内。

Claims (15)

1.一种半导体激光器件，包括：
一体的子安装件，所述一体的子安装件由预定材料构成并放置在安装表面上；
激光二极管，所述激光二极管放置在子安装件的上表面的前部上；和
监视光电二极管，所述监视光电二极管由晶体硅薄膜构成并堆叠在子安装件的上表面的从激光二极管向后的一部分上，
其中中继电极放置在子安装件的上表面上远离激光二极管；和
激光二极管的上部电极通过金属线连接至中继电极。
2.根据权利要求1的半导体激光器件，其中
监视光电二极管的光接收表面相对于安装表面的高度具有小于激光二极管的光发射点的高度的高度。
3.根据权利要求1的半导体激光器件，其中
中继电极放置在子安装件的上表面的后部上；和
所述金属线沿激光二极管的光轴在前后方向上放置。
4.根据权利要求1的半导体激光器件，其中
子安装件由电绝缘材料形成，所述电绝缘材料具有大于晶体硅的导热性的导热性。
5.根据权利要求1的半导体激光器件，其中
子安装件的前部设置有激光二极管安装电极，所述激光二极管安装电极沿前后方向具有与激光二极管大体相同的尺寸；和
激光二极管的下部电极通过钎焊材料连接至激光二极管安装电极。
6.根据权利要求1的半导体激光器件，其中
激光二极管包括彼此分离的多个芯片。
7.根据权利要求1的半导体激光器件，其中
激光二极管包括具有多个光发射点的一体芯片。
8.根据权利要求1的半导体激光器件，其中
子安装件的前部设有激光二极管安装电极；和
激光二极管以向下连接的状态放置在激光二极管安装电极上。
9.一种半导体激光器件，包括：
第一子安装件，所述第一子安装件由预定材料构成并放置在安装表面的上表面的前部上；
放置在第一子安装件上的激光二极管；
第二子安装件，所述第二子安装件由预定材料构成并放置在安装表面的从第一子安装件向后的一部分上；
监视光电二极管，所述监视光电二极管由晶体薄膜组成，所述晶体薄膜堆叠在第二子安装件的上表面上；
放置在激光二极管的上表面上的上部电极；
放置在第二子安装件的上表面上的中继电极；和
将所述上部电极连接到所述中继电极的金属线，
其中所述中继电极和所述金属线沿所述激光二极管的光轴在前后方向上设置在所述监视光电二极管之上。
10.根据权利要求9的半导体激光器件，其中
监视光电二极管的光接收表面相对安装表面具有小于激光二极管的光发射点的高度的高度。
11.一种半导体激光器件，包括：
放置在安装表面上的子安装件；
监视光电二极管，所述监视光电二极管嵌入子安装件中，从而监视二极管的光接收表面暴露在子安装件的一侧，所述子安装件的一侧与子安装件的面向安装表面的另一侧相对；
激光二极管，所述激光二极管放置在子安装件上，从而激光二极管的激光发射后端面位于监视光电二极管一侧；
中继电极，所述中继电极放置在子安装件的、相对于监视光电二极管位于与激光二极管相对的一侧的、一部分上；和
金属线，所述金属线将激光二极管的电极连接至中继电极，金属线位于监视光电二极管的光接收表面之上，部分金属线大体平行于从激光二极管的激光发射后端面发射的激光的光轴。
12.根据权利要求11的半导体激光器件，其中
至少一个金属线和与其连接的中继电极的连接点具有球形。
13.根据权利要求11的半导体激光器件，其中
金属线与激光的光轴相交并且放置在与子安装件表面大体垂直的平面内。
14.一种半导体激光器件，包括：
放置在安装表面上的子安装件；
监视光电二极管，所述监视光电二极管嵌入子安装件中，从而监视二极管的光接收表面暴露在子安装件的一侧，所述子安装件的一侧与子安装件的面向安装表面的另一侧相对；
中继电极，所述中继电极放置在子安装件的、其中没有放置监视光电二极管的、一部分上；
多个激光二极管，所述多个激光二极管放置在子安装件的、相对于监视光电二极管位于与中继电极相对的一侧的、一部分上，从而激光二极管的激光发射后端面位于监视光电二极管一侧；和
多个金属线，所述多个金属线将多个激光二极管的各个电极连接至中继电极，其中
从激光二极管的各个激光发射后端面发射的激光的所有光轴都呈现在大体平行于子安装件的表面的同一个平面内，并且这些光轴在所述同一平面内彼此平行；和
多个金属线中的每一个与激光的光轴相交，所述激光从连接至每一个金属线的每个激光二极管中发射出，每个金属线的一部分放置在与子安装件的表面大体垂直的平面内。
15.一种半导体激光器件，包括：
放置在安装表面上的子安装件；
监视光电二极管，所述监视光电二极管嵌入子安装件中，从而监视光电二极管的光接收表面暴露在子安装件的一侧，所述子安装件的一侧与子安装件的面向安装表面的另一侧相对；
中继电极，所述中继电极放置在子安装件的、其中没有放置监视光电二极管的、一部分上；
多个激光二极管，所述多个激光二极管放置在子安装件的、相对于监视光电二极管位于与中继电极相对的一侧的、一部分上，从而激光二极管的激光发射后端面位于监视光电二极管一侧；和
多个金属线，所述多个金属线将多个激光二极管的各个电极连接至中继电极，其中
多个金属线中的至少一个与从多个激光二极管的任一个发射出的激光的光轴相交并且放置在与子安装件的表面大体垂直的平面内。
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