JP3304825B2 - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3304825B2 JP3304825B2 JP15649197A JP15649197A JP3304825B2 JP 3304825 B2 JP3304825 B2 JP 3304825B2 JP 15649197 A JP15649197 A JP 15649197A JP 15649197 A JP15649197 A JP 15649197A JP 3304825 B2 JP3304825 B2 JP 3304825B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- laser
- insulating member
- laser chip
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体レーザ装置
およびその製造方法に関する。より詳しくは、ＤＶＤ
（デジタル・ビデオ・ディスク）とＣＤ（コンパクト・
ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ等を含む））とを互換性をもっ
て再生する光ピックアップを構成するのに好適な半導体
レーザ装置およびその製造方法に関する。
およびその製造方法に関する。より詳しくは、ＤＶＤ
（デジタル・ビデオ・ディスク）とＣＤ（コンパクト・
ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ等を含む））とを互換性をもっ
て再生する光ピックアップを構成するのに好適な半導体
レーザ装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＤＶＤに記録された信号を再生
するには波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの赤色半導体レ
ーザを用い、ＣＤに記録された信号を再生するには波長
７８０ｎｍの近赤外半導体レーザを用いる。
するには波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの赤色半導体レ
ーザを用い、ＣＤに記録された信号を再生するには波長
７８０ｎｍの近赤外半導体レーザを用いる。
【０００３】１台のプレーヤ（再生装置）でＤＶＤとＣ
Ｄとの両者を互換再生するために、波長６３５ｎｍ又は
６５０ｎｍの赤色半導体レーザを用いるＤＶＤ用光ピッ
クアップと波長７８０ｎｍの近赤外半導体レーザを用い
るＣＤ用光ピックアップとを別々に構成したのでは、機
構が複雑になってプレーヤが大型化してしまう。
Ｄとの両者を互換再生するために、波長６３５ｎｍ又は
６５０ｎｍの赤色半導体レーザを用いるＤＶＤ用光ピッ
クアップと波長７８０ｎｍの近赤外半導体レーザを用い
るＣＤ用光ピックアップとを別々に構成したのでは、機
構が複雑になってプレーヤが大型化してしまう。
【０００４】そこで、プレーヤを小型化するために、従
来、図６に示すように、１個のパッケージ部材１０１上
にＤＶＤ用レーザチップ（波長６５０ｎｍ又は６３５ｎ
ｍ）１０３とＣＤ用レーザチップ（波長７８０ｎｍ）１
１３との両方を搭載するとともに、図４に示すように、
いずれのディスクを再生するかに応じてレンズホルダ１
６８を支軸１６９を中心にして回転させて、ＤＶＤ用対
物レンズ１６６とＣＤ用対物レンズ１６７とをそれぞれ
各レーザチップ１０３，１１３のレーザ光出射経路に位
置させるようにした方式が提案されている（中村他、
「ＤＶＤ用ツインレンズ光ピックアップの開発」、ＴＶ
技報、Ｖol．１９、Ｎo.３９、pp５３−６０、Ａug．１
９９５）。
来、図６に示すように、１個のパッケージ部材１０１上
にＤＶＤ用レーザチップ（波長６５０ｎｍ又は６３５ｎ
ｍ）１０３とＣＤ用レーザチップ（波長７８０ｎｍ）１
１３との両方を搭載するとともに、図４に示すように、
いずれのディスクを再生するかに応じてレンズホルダ１
６８を支軸１６９を中心にして回転させて、ＤＶＤ用対
物レンズ１６６とＣＤ用対物レンズ１６７とをそれぞれ
各レーザチップ１０３，１１３のレーザ光出射経路に位
置させるようにした方式が提案されている（中村他、
「ＤＶＤ用ツインレンズ光ピックアップの開発」、ＴＶ
技報、Ｖol．１９、Ｎo.３９、pp５３−６０、Ａug．１
９９５）。
【０００５】上記パッケージ部材１０１は、金属製の円
板部１４０と、この円板部１４０に導通し前方へ突起し
た垂直面１４４および陥没した傾斜面１４５と、円板部
１４０に対して電気的に絶縁された状態でこの円板部１
４０を貫通するリードピン１４１，１４２，１４３を備
えている。パッケージ部材１０１の垂直面１４４には、
それぞれ表面１０２ａ，１１２ａに金属膜１０５，１１
５が形成された直方体状の絶縁性部材（サブマウント部
材）１０２，１１２が並んで取り付けられ、その金属膜
１０５，１１５上にそれぞれ直方体状のＤＶＤ用レーザ
チップ１０３，ＣＤ用レーザチップ１１３がダイボンデ
ィングされている。ＤＶＤ用レーザチップ１０３，ＣＤ
用レーザチップ１１３の表面電極１０３ａ，１１３ａ
は、それぞれＡｕワイヤ１０７，１１７によってリード
ピン１４１，１４２に電気的に接続されている。なお、
Ａｕワイヤ１０７，１１７はリードピン１４１，１４２
の軸に対して垂直な方向からワイヤボンディングされる
ことから、リードピン１４１，１４２には軸に沿った平
坦面１４１ａ，１４２ａが形成されている。一方、ＤＶ
Ｄ用レーザチップ１０３，ＣＤ用レーザチップ１１３の
裏面電極（図示せず）に接触する金属膜１０５，１１５
は、それぞれＡｕワイヤ１０７，１１７によって垂直面
１４４に電気的に接続されている。パッケージ部材１０
１の傾斜面１４５には、ＤＶＤ用レーザチップ１０３，
ＣＤ用レーザチップ１１３の出力を後方でモニタするた
めのフォトダイオード１５０がダイボンディングされて
いる。このフォトダイオード１５０の表面電極１５０ａ
はＡｕワイヤ１５１によってリードピン１４３に電気的
に接続されている。なお、実際には、このパッケージ部
材１０１に、レーザ光出射用窓を有するキャップが取り
付けられる。
板部１４０と、この円板部１４０に導通し前方へ突起し
た垂直面１４４および陥没した傾斜面１４５と、円板部
１４０に対して電気的に絶縁された状態でこの円板部１
４０を貫通するリードピン１４１，１４２，１４３を備
えている。パッケージ部材１０１の垂直面１４４には、
それぞれ表面１０２ａ，１１２ａに金属膜１０５，１１
５が形成された直方体状の絶縁性部材（サブマウント部
材）１０２，１１２が並んで取り付けられ、その金属膜
１０５，１１５上にそれぞれ直方体状のＤＶＤ用レーザ
チップ１０３，ＣＤ用レーザチップ１１３がダイボンデ
ィングされている。ＤＶＤ用レーザチップ１０３，ＣＤ
用レーザチップ１１３の表面電極１０３ａ，１１３ａ
は、それぞれＡｕワイヤ１０７，１１７によってリード
ピン１４１，１４２に電気的に接続されている。なお、
Ａｕワイヤ１０７，１１７はリードピン１４１，１４２
の軸に対して垂直な方向からワイヤボンディングされる
ことから、リードピン１４１，１４２には軸に沿った平
坦面１４１ａ，１４２ａが形成されている。一方、ＤＶ
Ｄ用レーザチップ１０３，ＣＤ用レーザチップ１１３の
裏面電極（図示せず）に接触する金属膜１０５，１１５
は、それぞれＡｕワイヤ１０７，１１７によって垂直面
１４４に電気的に接続されている。パッケージ部材１０
１の傾斜面１４５には、ＤＶＤ用レーザチップ１０３，
ＣＤ用レーザチップ１１３の出力を後方でモニタするた
めのフォトダイオード１５０がダイボンディングされて
いる。このフォトダイオード１５０の表面電極１５０ａ
はＡｕワイヤ１５１によってリードピン１４３に電気的
に接続されている。なお、実際には、このパッケージ部
材１０１に、レーザ光出射用窓を有するキャップが取り
付けられる。
【０００６】ここで図５に示すように、ＤＶＤ用レーザ
チップ１０３，ＣＤ用レーザチップ１１３の横幅Ｗ０，
Ｗ１はいずれも２３０〜２５０μｍ程度であり、サブマ
ウント部材１０２，１１２の横幅Ｘ０，Ｘ１は、取り扱
いの便宜のために通常１０００μｍ程度に設定される。
この結果、ＤＶＤ用レーザチップ１０３の発光点Ｐ０と
ＣＤ用レーザチップ１１３の発光点Ｐ１との間の間隔Ｄ
０が通常１０００μｍ以上になる。このため、図４の如
く、ＤＶＤとＣＤのいずれを再生するかに応じてレンズ
ホルダ１６８を回転させて、ＤＶＤ用対物レンズ１６６
とＣＤ用対物レンズ１６７を最適の位置に移動させてい
るのである（レンズ切り替え方式）。
チップ１０３，ＣＤ用レーザチップ１１３の横幅Ｗ０，
Ｗ１はいずれも２３０〜２５０μｍ程度であり、サブマ
ウント部材１０２，１１２の横幅Ｘ０，Ｘ１は、取り扱
いの便宜のために通常１０００μｍ程度に設定される。
この結果、ＤＶＤ用レーザチップ１０３の発光点Ｐ０と
ＣＤ用レーザチップ１１３の発光点Ｐ１との間の間隔Ｄ
０が通常１０００μｍ以上になる。このため、図４の如
く、ＤＶＤとＣＤのいずれを再生するかに応じてレンズ
ホルダ１６８を回転させて、ＤＶＤ用対物レンズ１６６
とＣＤ用対物レンズ１６７を最適の位置に移動させてい
るのである（レンズ切り替え方式）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
レンズ切り替え方式を採用する場合、２個の対物レンズ
１６６，１６７と、それらを切り替えるための機構や空
間が必要になるため、光ピックアップの小型化を図るに
は限界がある。
レンズ切り替え方式を採用する場合、２個の対物レンズ
１６６，１６７と、それらを切り替えるための機構や空
間が必要になるため、光ピックアップの小型化を図るに
は限界がある。
【０００８】そこで、この発明の目的は、ＤＶＤとＣＤ
との両者を互換性をもって再生する光ピックアップを構
成する場合に、対物レンズを含む光学系を１系統で済ま
せられるように、２個のレーザチップの発光点間の間隔
を狭くすることができる半導体レーザ装置を提供するこ
とにある。
との両者を互換性をもって再生する光ピックアップを構
成する場合に、対物レンズを含む光学系を１系統で済ま
せられるように、２個のレーザチップの発光点間の間隔
を狭くすることができる半導体レーザ装置を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の半導体レーザ装置は、導電性を持
つ基台部と、この基台部に対して電気的に絶縁された少
なくとも２本のリードピンを有するパッケージ部材と、
平坦な表面およびこの表面に垂直に連なる前端面、後端
面を有する一対の半導体結晶基板からなる絶縁性部材
と、直方体状の外形を持ち、表面電極と裏面電極との間
に発光層を有する一対のレーザチップを備え、上記各絶
縁性部材の上記表面の前部と上記前端面に第１導電膜が
連なって形成されるとともに、上記各絶縁性部材の上記
表面の後部と上記後端面に第２導電膜が連なって形成さ
れており、上記パッケージ部材の基台部上に、上記一対
の絶縁性部材が、上記表面を互いに対向させ、かつ上記
後端面の第２導電膜をそれぞれ上記基台部に接触させた
状態でマウントされ、上記各絶縁性部材の上記表面の第
１導電膜上に、上記レーザチップがその裏面電極を上記
第１導電膜に接触させた状態で１個ずつマウントされ、
上記各レーザチップの表面電極は、そのレーザチップ側
の絶縁性部材の上記表面の第２導電膜にワイヤによって
電気的に接続され、上記各絶縁性部材の上記前端面の第
１導電膜が、各１本の上記リードピンにワイヤによって
電気的に接続され、上記各絶縁性部材の上記表面の第１
導電膜と第２導電膜との間の領域に、レーザ光を検出で
きる受光素子が作り込まれ、上記各絶縁性部材の第２導
電膜は、上記受光素子上に延在して電気的に接続されて
いることを特徴とする半導体レーザ装置。
め、請求項１に記載の半導体レーザ装置は、導電性を持
つ基台部と、この基台部に対して電気的に絶縁された少
なくとも２本のリードピンを有するパッケージ部材と、
平坦な表面およびこの表面に垂直に連なる前端面、後端
面を有する一対の半導体結晶基板からなる絶縁性部材
と、直方体状の外形を持ち、表面電極と裏面電極との間
に発光層を有する一対のレーザチップを備え、上記各絶
縁性部材の上記表面の前部と上記前端面に第１導電膜が
連なって形成されるとともに、上記各絶縁性部材の上記
表面の後部と上記後端面に第２導電膜が連なって形成さ
れており、上記パッケージ部材の基台部上に、上記一対
の絶縁性部材が、上記表面を互いに対向させ、かつ上記
後端面の第２導電膜をそれぞれ上記基台部に接触させた
状態でマウントされ、上記各絶縁性部材の上記表面の第
１導電膜上に、上記レーザチップがその裏面電極を上記
第１導電膜に接触させた状態で１個ずつマウントされ、
上記各レーザチップの表面電極は、そのレーザチップ側
の絶縁性部材の上記表面の第２導電膜にワイヤによって
電気的に接続され、上記各絶縁性部材の上記前端面の第
１導電膜が、各１本の上記リードピンにワイヤによって
電気的に接続され、上記各絶縁性部材の上記表面の第１
導電膜と第２導電膜との間の領域に、レーザ光を検出で
きる受光素子が作り込まれ、上記各絶縁性部材の第２導
電膜は、上記受光素子上に延在して電気的に接続されて
いることを特徴とする半導体レーザ装置。
【００１０】なお、この明細書を通して、この半導体レ
ーザ装置が外部へ向けてレーザ光を出射する向きを
「前」、その反対の向きを「後」とする。
ーザ装置が外部へ向けてレーザ光を出射する向きを
「前」、その反対の向きを「後」とする。
【００１１】この請求項１の半導体レーザ装置は、使用
時に、上記パッケージ部材のリードピン、絶縁性部材の
前端面と表面に連なる第１導電膜、レーザチップ、ワイ
ヤ、絶縁性部材の表面と後端面に連なる第２導電膜、基
台部を通る経路で通電される。通電されたレーザチップ
はレーザ発振を行い、チップ前端面の発光点から前方へ
レーザ光を出射する。ここで、対をなすレーザチップは
それぞれ絶縁性部材にマウントされて、表面電極が互い
に対向する位置関係にある。したがって、各表面電極に
接続されたワイヤの無用な接触を防止するための若干の
隙間を残して、２個のレーザチップを互いに接近させる
ことができ、２個のレーザチップの発光点間の間隔を狭
くすることができる。この結果、上記一対のレーザチッ
プをそれぞれＤＶＤ用レーザチップ（波長６５０ｎｍ又
は６３５ｎｍ）とＣＤ用レーザチップ（波長７８０ｎ
ｍ）とし、ＤＶＤとＣＤとの両者を互換性をもって再生
する光ピックアップを構成する場合に、対物レンズを含
む光学系を１系統で済ませることができる。したがっ
て、プレーヤ（再生装置）を小型化することができる。
時に、上記パッケージ部材のリードピン、絶縁性部材の
前端面と表面に連なる第１導電膜、レーザチップ、ワイ
ヤ、絶縁性部材の表面と後端面に連なる第２導電膜、基
台部を通る経路で通電される。通電されたレーザチップ
はレーザ発振を行い、チップ前端面の発光点から前方へ
レーザ光を出射する。ここで、対をなすレーザチップは
それぞれ絶縁性部材にマウントされて、表面電極が互い
に対向する位置関係にある。したがって、各表面電極に
接続されたワイヤの無用な接触を防止するための若干の
隙間を残して、２個のレーザチップを互いに接近させる
ことができ、２個のレーザチップの発光点間の間隔を狭
くすることができる。この結果、上記一対のレーザチッ
プをそれぞれＤＶＤ用レーザチップ（波長６５０ｎｍ又
は６３５ｎｍ）とＣＤ用レーザチップ（波長７８０ｎ
ｍ）とし、ＤＶＤとＣＤとの両者を互換性をもって再生
する光ピックアップを構成する場合に、対物レンズを含
む光学系を１系統で済ませることができる。したがっ
て、プレーヤ（再生装置）を小型化することができる。
【００１２】また、この半導体レーザ装置を作製する場
合、パッケージ部材として、平坦な基台部と、この基台
部にリードピンが電気的に絶縁された状態で貫通するも
のを用意すれば足りる。すなわち、基台部にレーザチッ
プをマウントするための突起を設ける必要がない。ま
た、各絶縁性部材の前端面の第１導電膜とリードピンと
をワイヤによって接続する作業（ワイヤボンディング）
は前方から行われ、ワイヤはリードピンの前端面に接続
される。したがって、従来例のパッケージ部材と異な
り、リードピンに軸に沿った平坦面を形成する必要は無
く、リードピンは単に円柱状のものであれば良い。これ
らの結果、パッケージ部材として、簡単な構造のもの、
例えば市販の標準品を用いることができる。
合、パッケージ部材として、平坦な基台部と、この基台
部にリードピンが電気的に絶縁された状態で貫通するも
のを用意すれば足りる。すなわち、基台部にレーザチッ
プをマウントするための突起を設ける必要がない。ま
た、各絶縁性部材の前端面の第１導電膜とリードピンと
をワイヤによって接続する作業（ワイヤボンディング）
は前方から行われ、ワイヤはリードピンの前端面に接続
される。したがって、従来例のパッケージ部材と異な
り、リードピンに軸に沿った平坦面を形成する必要は無
く、リードピンは単に円柱状のものであれば良い。これ
らの結果、パッケージ部材として、簡単な構造のもの、
例えば市販の標準品を用いることができる。
【００１３】しかも、この半導体レーザ装置では、上記
各絶縁性部材の上記表面の第１導電膜と第２導電膜との
間の領域に、レーザ光を検出できる受光素子が作り込ま
れているので、上記受光素子によってレーザチップの出
力がモニタされる。したがって、上記レーザチップの出
力をモニタするためにパッケージ部材に別途受光素子を
取り付ける必要が無く、この半導体レーザ装置の構造が
簡素化される。
各絶縁性部材の上記表面の第１導電膜と第２導電膜との
間の領域に、レーザ光を検出できる受光素子が作り込ま
れているので、上記受光素子によってレーザチップの出
力がモニタされる。したがって、上記レーザチップの出
力をモニタするためにパッケージ部材に別途受光素子を
取り付ける必要が無く、この半導体レーザ装置の構造が
簡素化される。
【００１４】請求項２に記載の半導体レーザ装置の製造
方法は、請求項１記載の半導体レーザ装置を作製する半
導体レーザ装置の製造方法であって、半導体結晶基板か
らなる絶縁性部材に上記受光素子、第１導電膜および第
２導電膜を形成し、上記絶縁性部材の上記表面の第１導
電膜上に、上記レーザチップをその裏面電極を上記第１
導電膜に接触させた状態でマウントし、上記レーザチッ
プの表面電極を上記絶縁性部材の上記表面の第２導電膜
にワイヤによって電気的に接続した後、上記絶縁性部材
の第１導電膜と第２導電膜との間に通電して上記レーザ
チップの特性検査を行い、上記特性検査の結果が良であ
るレーザチップがマウントされた絶縁性部材のみを、上
記パッケージ部材にマウントすることを特徴とする。
方法は、請求項１記載の半導体レーザ装置を作製する半
導体レーザ装置の製造方法であって、半導体結晶基板か
らなる絶縁性部材に上記受光素子、第１導電膜および第
２導電膜を形成し、上記絶縁性部材の上記表面の第１導
電膜上に、上記レーザチップをその裏面電極を上記第１
導電膜に接触させた状態でマウントし、上記レーザチッ
プの表面電極を上記絶縁性部材の上記表面の第２導電膜
にワイヤによって電気的に接続した後、上記絶縁性部材
の第１導電膜と第２導電膜との間に通電して上記レーザ
チップの特性検査を行い、上記特性検査の結果が良であ
るレーザチップがマウントされた絶縁性部材のみを、上
記パッケージ部材にマウントすることを特徴とする。
【００１５】この請求項２の半導体レーザ装置の製造方
法では、特性検査の結果が良であるレーザチップがマウ
ントされた絶縁性部材のみを、上記パッケージ部材にマ
ウントしている。つまり、製造工程の途中でレーザチッ
プの特性検査を行って、不良のレーザチップがマウント
された絶縁性部材は生産ロットから取り除かれる。した
がって、この半導体レーザ装置の最終的な特性検査で歩
留が向上する。
法では、特性検査の結果が良であるレーザチップがマウ
ントされた絶縁性部材のみを、上記パッケージ部材にマ
ウントしている。つまり、製造工程の途中でレーザチッ
プの特性検査を行って、不良のレーザチップがマウント
された絶縁性部材は生産ロットから取り除かれる。した
がって、この半導体レーザ装置の最終的な特性検査で歩
留が向上する。
【００１６】請求項３に記載の半導体レーザ装置は、請
求項１に記載の半導体レーザ装置において、上記パッケ
ージ部材の基台部上に、レーザチップが１個ずつマウン
トされた上記絶縁性部材の対が、上記絶縁性部材の上記
表面の方向に沿った一方向に複数並んでいることを特徴
とする。
求項１に記載の半導体レーザ装置において、上記パッケ
ージ部材の基台部上に、レーザチップが１個ずつマウン
トされた上記絶縁性部材の対が、上記絶縁性部材の上記
表面の方向に沿った一方向に複数並んでいることを特徴
とする。
【００１７】この請求項３の半導体レーザ装置は、接近
して対向するレーザチップの対が一方向に複数並んでい
るので、半導体レーザアレイとして光通信やレーザプリ
ンタなどの分野に広く適用される。
して対向するレーザチップの対が一方向に複数並んでい
るので、半導体レーザアレイとして光通信やレーザプリ
ンタなどの分野に広く適用される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照しながら詳細に説明する。
面を参照しながら詳細に説明する。
【００１９】図１は一実施形態の半導体レーザ装置の全
体の構成を示している。この半導体レーザ装置は、パッ
ケージ部材１と、絶縁性部材としての一対の絶縁性シリ
コン単結晶基板（以下「シリコン基板」という。）２，
１２と、ＤＶＤ用レーザチップ（波長６５０ｎｍ又は６
３５ｎｍ）３と、ＣＤ用レーザチップ（波長７８０ｎ
ｍ）１３を備えている。図２は図１におけるレーザチッ
プ３，１３を通る縦断面を示している。
体の構成を示している。この半導体レーザ装置は、パッ
ケージ部材１と、絶縁性部材としての一対の絶縁性シリ
コン単結晶基板（以下「シリコン基板」という。）２，
１２と、ＤＶＤ用レーザチップ（波長６５０ｎｍ又は６
３５ｎｍ）３と、ＣＤ用レーザチップ（波長７８０ｎ
ｍ）１３を備えている。図２は図１におけるレーザチッ
プ３，１３を通る縦断面を示している。
【００２０】図１に示すように、パッケージ部材１は、
導電性を持つ基台部４０と、この基台部４０を電気的に
絶縁された状態で貫通する４本のリードピン４１，４
２，４３，４４と、基台部４０に導通するリードピン４
５を有している。このパッケージ部材１は単純な構造か
らなるので、市販の標準品を用いることができる。
導電性を持つ基台部４０と、この基台部４０を電気的に
絶縁された状態で貫通する４本のリードピン４１，４
２，４３，４４と、基台部４０に導通するリードピン４
５を有している。このパッケージ部材１は単純な構造か
らなるので、市販の標準品を用いることができる。
【００２１】図１および図２に示すように、シリコン基
板２は、平坦な表面２ａおよびこの表面２ａに垂直に連
なる前端面２ｆ、後端面２ｒを有している。シリコン基
板２の表面２ａの前部と前端面２ｆに第１導電膜４ａ，
４ｆ（両方を４で示す）が連なって形成されるととも
に、シリコン基板２の表面２ａの後部と後端面２ｒに第
２導電膜５ａ，５ｒ（両方を５で示す）が連なって形成
されている。また、シリコン基板２の表面２ａと前端面
２ｆに、第１導電膜４に沿って第３導電膜６ａ，６ｆ
（両方を６で示す）が形成されている。同様に、シリコ
ン基板１２は、平坦な表面１２ａおよびこの表面１２ａ
に垂直に連なる前端面１２ｆ、後端面１２ｒを有し、シ
リコン基板２と同じ配置で第１導電膜１４ａ，１４ｆ
（両方を１４で示す）、第２導電膜１５ａ，１５ｆ（両
方を１５で示す）および第３導電膜１６ａ，１６ｆ（両
方を１６で示す）を有している。この例では、導電膜
４，５，６，１４，１５，１６はいずれもＡｕＳｎ合金
からなっている。
板２は、平坦な表面２ａおよびこの表面２ａに垂直に連
なる前端面２ｆ、後端面２ｒを有している。シリコン基
板２の表面２ａの前部と前端面２ｆに第１導電膜４ａ，
４ｆ（両方を４で示す）が連なって形成されるととも
に、シリコン基板２の表面２ａの後部と後端面２ｒに第
２導電膜５ａ，５ｒ（両方を５で示す）が連なって形成
されている。また、シリコン基板２の表面２ａと前端面
２ｆに、第１導電膜４に沿って第３導電膜６ａ，６ｆ
（両方を６で示す）が形成されている。同様に、シリコ
ン基板１２は、平坦な表面１２ａおよびこの表面１２ａ
に垂直に連なる前端面１２ｆ、後端面１２ｒを有し、シ
リコン基板２と同じ配置で第１導電膜１４ａ，１４ｆ
（両方を１４で示す）、第２導電膜１５ａ，１５ｆ（両
方を１５で示す）および第３導電膜１６ａ，１６ｆ（両
方を１６で示す）を有している。この例では、導電膜
４，５，６，１４，１５，１６はいずれもＡｕＳｎ合金
からなっている。
【００２２】シリコン基板２の表面２ａの第１導電膜４
ａと第２導電膜５ａとの間の領域に、レーザ光を検出で
きる受光素子５０が作り込まれている。この受光素子５
０は、シリコン基板２にｎ型不純物を拡散して形成され
たｎ型領域５２と、このｎ型領域５２内にｐ型不純物を
拡散して形成されたｐ型領域５１を備えている。ｐ型領
域５１の電極５１ａはＡｕワイヤ１０によってシリコン
基板２の表面２ａの第３導電膜６ａに電気的に接続さ
れ、シリコン基板２の前端面２ｆの第３導電膜６ｆはＡ
ｕワイヤ９によってリードピン４２の端面４２ａに接続
されている。一方、ｎ型領域５２上に第２導電膜５ａが
延在して電気的に接触している。同様に、シリコン基板
１２の表面１２ａの第１導電膜１４ａと第２導電膜１５
ａとの間の領域に、レーザ光を検出できる受光素子６０
が作り込まれている。この受光素子６０は、シリコン基
板１２にｎ型不純物を拡散して形成されたｎ型領域６２
と、このｎ型領域６２内にｐ型不純物を拡散して形成さ
れたｐ型領域６１を備えている。ｐ型領域６１の電極は
Ａｕワイヤ（図示せず）によってシリコン基板１２の表
面１２ａの第３導電膜１６ａに電気的に接続され、シリ
コン基板１２の前端面１２ｆの第３導電膜１６ｆはＡｕ
ワイヤ１９によってリードピン４４の端面４４ａに接続
されている。一方、ｎ型領域６２上に第２導電膜１５ａ
が延在して接触している。このように各シリコン基板
２，１２に受光素子５０，６０を作り込んでいるので、
レーザチップ３，１３の出力をモニタするためにパッケ
ージ部材１に別途受光素子を取り付ける必要が無く、半
導体レーザ装置の組み立てが簡単になる。
ａと第２導電膜５ａとの間の領域に、レーザ光を検出で
きる受光素子５０が作り込まれている。この受光素子５
０は、シリコン基板２にｎ型不純物を拡散して形成され
たｎ型領域５２と、このｎ型領域５２内にｐ型不純物を
拡散して形成されたｐ型領域５１を備えている。ｐ型領
域５１の電極５１ａはＡｕワイヤ１０によってシリコン
基板２の表面２ａの第３導電膜６ａに電気的に接続さ
れ、シリコン基板２の前端面２ｆの第３導電膜６ｆはＡ
ｕワイヤ９によってリードピン４２の端面４２ａに接続
されている。一方、ｎ型領域５２上に第２導電膜５ａが
延在して電気的に接触している。同様に、シリコン基板
１２の表面１２ａの第１導電膜１４ａと第２導電膜１５
ａとの間の領域に、レーザ光を検出できる受光素子６０
が作り込まれている。この受光素子６０は、シリコン基
板１２にｎ型不純物を拡散して形成されたｎ型領域６２
と、このｎ型領域６２内にｐ型不純物を拡散して形成さ
れたｐ型領域６１を備えている。ｐ型領域６１の電極は
Ａｕワイヤ（図示せず）によってシリコン基板１２の表
面１２ａの第３導電膜１６ａに電気的に接続され、シリ
コン基板１２の前端面１２ｆの第３導電膜１６ｆはＡｕ
ワイヤ１９によってリードピン４４の端面４４ａに接続
されている。一方、ｎ型領域６２上に第２導電膜１５ａ
が延在して接触している。このように各シリコン基板
２，１２に受光素子５０，６０を作り込んでいるので、
レーザチップ３，１３の出力をモニタするためにパッケ
ージ部材１に別途受光素子を取り付ける必要が無く、半
導体レーザ装置の組み立てが簡単になる。
【００２３】これらのシリコン基板２，１２は、パッケ
ージ部材１の基台部４０上に、表面２ａ，１２ａを互い
に対向させ、かつ後端面２ｒ，１２ｒの第２導電膜５
ｒ，１５ｒをそれぞれ基台部４０に接触させた状態でマ
ウントされている。
ージ部材１の基台部４０上に、表面２ａ，１２ａを互い
に対向させ、かつ後端面２ｒ，１２ｒの第２導電膜５
ｒ，１５ｒをそれぞれ基台部４０に接触させた状態でマ
ウントされている。
【００２４】ＤＶＤ用レーザチップ３は、直方体状の外
形を持ち、表面電極３ａと裏面電極３ｂとの間（図２中
の点Ｐ０のレベル）に発光層を有している。レーザチッ
プ３はシリコン基板２の表面２ａの第１導電膜４ａ上に
マウントされてており、その裏面電極３ｂは第１導電膜
４ａに接触している。シリコン基板２の前端面２ｆの第
１導電膜４ｆは、リードピン４１の端面４１ａにＡｕワ
イヤ８によって電気的に接続されている。一方、レーザ
チップ３の表面電極３ａは、シリコン基板２の表面２ａ
の第２導電膜５ａにＡｕワイヤ７によって電気的に接続
されている。同様に、ＣＤ用レーザチップ１３は、直方
体状の外形を持ち、表面電極１３ａと裏面電極１３ｂと
の間（図２中の点Ｐ１のレベル）に発光層を有してい
る。レーザチップ１３はシリコン基板１２の表面１２ａ
の第１導電膜１４ａ上にマウントされてており、その裏
面電極１３ｂは第１導電膜１４ａに接触している。シリ
コン基板１２の前端面１２ｆの第１導電膜１４ｆは、リ
ードピン４３の端面４３ａにＡｕワイヤ１８によって電
気的に接続されている。一方、レーザチップ１３の表面
電極１３ａは、シリコン基板１２の表面１２ａの第２導
電膜１５ａにＡｕワイヤ（図示せず）によって電気的に
接続されている。
形を持ち、表面電極３ａと裏面電極３ｂとの間（図２中
の点Ｐ０のレベル）に発光層を有している。レーザチッ
プ３はシリコン基板２の表面２ａの第１導電膜４ａ上に
マウントされてており、その裏面電極３ｂは第１導電膜
４ａに接触している。シリコン基板２の前端面２ｆの第
１導電膜４ｆは、リードピン４１の端面４１ａにＡｕワ
イヤ８によって電気的に接続されている。一方、レーザ
チップ３の表面電極３ａは、シリコン基板２の表面２ａ
の第２導電膜５ａにＡｕワイヤ７によって電気的に接続
されている。同様に、ＣＤ用レーザチップ１３は、直方
体状の外形を持ち、表面電極１３ａと裏面電極１３ｂと
の間（図２中の点Ｐ１のレベル）に発光層を有してい
る。レーザチップ１３はシリコン基板１２の表面１２ａ
の第１導電膜１４ａ上にマウントされてており、その裏
面電極１３ｂは第１導電膜１４ａに接触している。シリ
コン基板１２の前端面１２ｆの第１導電膜１４ｆは、リ
ードピン４３の端面４３ａにＡｕワイヤ１８によって電
気的に接続されている。一方、レーザチップ１３の表面
電極１３ａは、シリコン基板１２の表面１２ａの第２導
電膜１５ａにＡｕワイヤ（図示せず）によって電気的に
接続されている。
【００２５】この半導体レーザ装置は次のような方法で
作製される。
作製される。
【００２６】 ウエハ状態のシリコン基板２，１２の
表面にそれぞれ受光素子５０，６０を形成するととも
に、蒸着を行って、第１導電膜の表面部分４ａ，１４
ａ、第２導電膜の表面部分５ａ，１５ａおよび第３導電
膜の表面部分６ａ，１６ａを形成する。
表面にそれぞれ受光素子５０，６０を形成するととも
に、蒸着を行って、第１導電膜の表面部分４ａ，１４
ａ、第２導電膜の表面部分５ａ，１５ａおよび第３導電
膜の表面部分６ａ，１６ａを形成する。
【００２７】 このウエハ状態のシリコン基板２，１
２を一方向にダイシングして、シリコン基板２，１２の
前端面２ａ，１２ａと後端面２ｒ，１２ｒを形成する。
続いて、蒸着を行って、第１導電膜の前端面部分４ｆ，
１４ｆ、第２導電膜の後端面部分５ｆ，１５ｆおよび第
３導電膜の前端面部分６ｆ，１６ｆを形成する。この
後、短冊状のシリコン基板２，１２を上記一方向に対し
て垂直方向にダイシングして、直方体状のシリコン基板
２，１２を得る。
２を一方向にダイシングして、シリコン基板２，１２の
前端面２ａ，１２ａと後端面２ｒ，１２ｒを形成する。
続いて、蒸着を行って、第１導電膜の前端面部分４ｆ，
１４ｆ、第２導電膜の後端面部分５ｆ，１５ｆおよび第
３導電膜の前端面部分６ｆ，１６ｆを形成する。この
後、短冊状のシリコン基板２，１２を上記一方向に対し
て垂直方向にダイシングして、直方体状のシリコン基板
２，１２を得る。
【００２８】なお、工程，はシリコン基板２，１２
について同一であるから、同一ウエハから直方体状のシ
リコン基板２，１２を得ることができる。
について同一であるから、同一ウエハから直方体状のシ
リコン基板２，１２を得ることができる。
【００２９】 シリコン基板２の表面２ａの第１導電
膜４ａ上にＤＶＤ用レーザチップ３をマウントするとと
もに、シリコン基板１２の表面１２ａの第１導電膜１４
ａ上にＣＤ用レーザチップ１３をマウント（ダイボンデ
ィング）する。
膜４ａ上にＤＶＤ用レーザチップ３をマウントするとと
もに、シリコン基板１２の表面１２ａの第１導電膜１４
ａ上にＣＤ用レーザチップ１３をマウント（ダイボンデ
ィング）する。
【００３０】 レーザチップ３の表面電極３ａをシリ
コン基板２の表面２ａの第２導電膜５ａにＡｕワイヤ７
によって接続（ワイヤボンディング）するとともに、レ
ーザチップ１３の表面電極１３ａをシリコン基板１２の
表面１２ａの第２導電膜１５ａにＡｕワイヤによって接
続する。また、受光素子５０，６０の電極５１ａ等を第
３導電膜６ａ等にＡｕワイヤ１０等によって接続する。
コン基板２の表面２ａの第２導電膜５ａにＡｕワイヤ７
によって接続（ワイヤボンディング）するとともに、レ
ーザチップ１３の表面電極１３ａをシリコン基板１２の
表面１２ａの第２導電膜１５ａにＡｕワイヤによって接
続する。また、受光素子５０，６０の電極５１ａ等を第
３導電膜６ａ等にＡｕワイヤ１０等によって接続する。
【００３１】 シリコン基板２の第１導電膜４と第２
導電膜５との間、シリコン基板１２の第１導電膜１４と
第２導電膜１５との間にそれぞれ通電して、レーザチッ
プ３，１３の特性検査を行う。不良のレーザチップがマ
ウントされたシリコン基板２，１２を生産ロットから取
り除き、良品レーザチップがマウントされたシリコン基
板２，１２のみを次工程へ送る。
導電膜５との間、シリコン基板１２の第１導電膜１４と
第２導電膜１５との間にそれぞれ通電して、レーザチッ
プ３，１３の特性検査を行う。不良のレーザチップがマ
ウントされたシリコン基板２，１２を生産ロットから取
り除き、良品レーザチップがマウントされたシリコン基
板２，１２のみを次工程へ送る。
【００３２】 パッケージ部材１を鉛直方向に立てた
状態で、良品レーザチップがマウントされたシリコン基
板２，１２を、表面２ａ，１２ａを互いに対向させた状
態でパッケージ部材１の基台面４０上にマウントする。
状態で、良品レーザチップがマウントされたシリコン基
板２，１２を、表面２ａ，１２ａを互いに対向させた状
態でパッケージ部材１の基台面４０上にマウントする。
【００３３】 パッケージ部材１を鉛直方向に立てた
状態で、上方から、すなわちこの半導体レーザ装置の前
方からワイヤボンディングを行って、Ａｕワイヤ８，
９，１８，１９をそれぞれ必要箇所に接続する。
状態で、上方から、すなわちこの半導体レーザ装置の前
方からワイヤボンディングを行って、Ａｕワイヤ８，
９，１８，１９をそれぞれ必要箇所に接続する。
【００３４】 パッケージ部材１に、レーザ光出射用
窓を有するキャップ（図示せず）を取り付ける。
窓を有するキャップ（図示せず）を取り付ける。
【００３５】 最後にこの半導体レーザ装置の電気的
・光学的特性検査を行う。上記工程で良品レーザチッ
プがマウントされたシリコン基板２，１２のみを次工程
へ送っているので、この最終的な特性検査の歩留を高め
ることができる。
・光学的特性検査を行う。上記工程で良品レーザチッ
プがマウントされたシリコン基板２，１２のみを次工程
へ送っているので、この最終的な特性検査の歩留を高め
ることができる。
【００３６】この半導体レーザ装置では、ＤＶＤ用レー
ザチップ３を通電する場合は、パッケージ部材１のリー
ドピン４１、第１導電膜４ｆ，４ａ、レーザチップ３、
Ａｕワイヤ７、第２導電膜５ａ，５ｒ、基台部４０、こ
の基台部４０に導通するリードピン４５を通る経路で電
流が流される。レーザチップ３はチップ前端面３ｆの発
光点Ｐ０から前方へレーザ光を出射するとともに、チッ
プ後端面３ｒから後方へレーザ光を出射する。この後方
へ出射されたレーザ光は受光素子５０によってモニタさ
れる。受光素子５０の出力は、リードピン４２、第３導
電膜６ｆ，６ａ、Ａｕワイヤ１０を通りｐ型領域５１に
つながる経路と、リードピン４５、基台部４０、第２導
電膜５ｒ，５ａを通りｎ型領域５２につながる経路とを
通して、外部に取り出される。
ザチップ３を通電する場合は、パッケージ部材１のリー
ドピン４１、第１導電膜４ｆ，４ａ、レーザチップ３、
Ａｕワイヤ７、第２導電膜５ａ，５ｒ、基台部４０、こ
の基台部４０に導通するリードピン４５を通る経路で電
流が流される。レーザチップ３はチップ前端面３ｆの発
光点Ｐ０から前方へレーザ光を出射するとともに、チッ
プ後端面３ｒから後方へレーザ光を出射する。この後方
へ出射されたレーザ光は受光素子５０によってモニタさ
れる。受光素子５０の出力は、リードピン４２、第３導
電膜６ｆ，６ａ、Ａｕワイヤ１０を通りｐ型領域５１に
つながる経路と、リードピン４５、基台部４０、第２導
電膜５ｒ，５ａを通りｎ型領域５２につながる経路とを
通して、外部に取り出される。
【００３７】同様に、ＣＤ用レーザチップ１３を通電す
る場合は、パッケージ部材１のリードピン４３、第１導
電膜１４ｆ，１４ａ、レーザチップ１３、このレーザチ
ップ１３の表面電極１３ａと第２導電膜１５ａとをつな
ぐ図示しないＡｕワイヤ、第２導電膜１５ａ，１５ｆ、
基台部４０、この基台部４０に導通するリードピン４５
を通る経路で電流が流される。レーザチップ１３はチッ
プ前端面１３ｆの発光点Ｐ１から前方へレーザ光を出射
するとともに、チップ後端面１３ｒから後方へレーザ光
を出射する。この後方へ出射されたレーザ光は受光素子
６０によってモニタされる。受光素子６０の出力は、リ
ードピン４４、第３導電膜１６ｆ，１６ａ、図示しない
Ａｕワイヤを通りｐ型領域６１につながる経路と、リー
ドピン４５、基台部４０、第２導電膜１５ｒ，１５ａを
通りｎ型領域６２につながる経路とを通して、外部に取
り出される。
る場合は、パッケージ部材１のリードピン４３、第１導
電膜１４ｆ，１４ａ、レーザチップ１３、このレーザチ
ップ１３の表面電極１３ａと第２導電膜１５ａとをつな
ぐ図示しないＡｕワイヤ、第２導電膜１５ａ，１５ｆ、
基台部４０、この基台部４０に導通するリードピン４５
を通る経路で電流が流される。レーザチップ１３はチッ
プ前端面１３ｆの発光点Ｐ１から前方へレーザ光を出射
するとともに、チップ後端面１３ｒから後方へレーザ光
を出射する。この後方へ出射されたレーザ光は受光素子
６０によってモニタされる。受光素子６０の出力は、リ
ードピン４４、第３導電膜１６ｆ，１６ａ、図示しない
Ａｕワイヤを通りｐ型領域６１につながる経路と、リー
ドピン４５、基台部４０、第２導電膜１５ｒ，１５ａを
通りｎ型領域６２につながる経路とを通して、外部に取
り出される。
【００３８】ここで、図２に示すように、対をなすレー
ザチップ３，１３はそれぞれシリコン基板２，１２にマ
ウントされて、表面電極３ａ，１３ａが互いに対向する
位置関係にある。したがって、各表面電極３ａ，１３ａ
に接続されたＡｕワイヤ７等の無用な接触を防止するた
めの若干の隙間を残して、レーザチップ３，１３を互い
に接近させることができ、レーザチップ３，１３の発光
点Ｐ０，Ｐ１間の間隔Ｄを狭くすることができる。
ザチップ３，１３はそれぞれシリコン基板２，１２にマ
ウントされて、表面電極３ａ，１３ａが互いに対向する
位置関係にある。したがって、各表面電極３ａ，１３ａ
に接続されたＡｕワイヤ７等の無用な接触を防止するた
めの若干の隙間を残して、レーザチップ３，１３を互い
に接近させることができ、レーザチップ３，１３の発光
点Ｐ０，Ｐ１間の間隔Ｄを狭くすることができる。
【００３９】具体的には、シリコン基板２，１２はいず
れも、表面２ａ，１２ａの寸法が０．７〜０．８ｍｍ
□、厚さが０．３ｍｍ程度に設定される。また、レーザ
チップ３，１３は、表面３ａ，１３ａの寸法が２３０〜
２５０μｍ□（前後方向にはより長く設定され得る）、
厚さが８０〜１００μｍ程度に設定される。レーザチッ
プ３の表面電極３ａから発光点Ｐ０までの距離、レーザ
チップ１３ａの表面電極１３ａから発光点Ｐ１までの距
離は通常１０〜２０μｍ程度である。Ａｕワイヤ７等の
無用な接触を防止するための隙間を数十μｍ設けるもの
とすると、レーザチップ３，１３の発光点Ｐ０，Ｐ１間
の間隔Ｄを１００μｍ程度またはそれ以下に狭くするこ
とができる。
れも、表面２ａ，１２ａの寸法が０．７〜０．８ｍｍ
□、厚さが０．３ｍｍ程度に設定される。また、レーザ
チップ３，１３は、表面３ａ，１３ａの寸法が２３０〜
２５０μｍ□（前後方向にはより長く設定され得る）、
厚さが８０〜１００μｍ程度に設定される。レーザチッ
プ３の表面電極３ａから発光点Ｐ０までの距離、レーザ
チップ１３ａの表面電極１３ａから発光点Ｐ１までの距
離は通常１０〜２０μｍ程度である。Ａｕワイヤ７等の
無用な接触を防止するための隙間を数十μｍ設けるもの
とすると、レーザチップ３，１３の発光点Ｐ０，Ｐ１間
の間隔Ｄを１００μｍ程度またはそれ以下に狭くするこ
とができる。
【００４０】したがって、ＤＶＤとＣＤとの両者を互換
性をもって再生する光ピックアップを構成する場合に、
対物レンズを含む光学系を１系統で済ませることができ
る。したがって、ＤＶＤとＣＤとの両者を互換性をもっ
て再生するプレーヤ（再生装置）を小型化することがで
きる。
性をもって再生する光ピックアップを構成する場合に、
対物レンズを含む光学系を１系統で済ませることができ
る。したがって、ＤＶＤとＣＤとの両者を互換性をもっ
て再生するプレーヤ（再生装置）を小型化することがで
きる。
【００４１】図３は、この発明の別の実施形態の半導体
レーザ装置を示している。
レーザ装置を示している。
【００４２】この半導体レーザ装置は、パッケージ部材
の基台部４０Ａ上に、レーザチップ３がマウントされた
シリコン基板２とレーザチップ１３がマウントされたシ
リコン基板１２との対を、基板表面２ａ，１２ａの方向
に沿った一方向に複数並べて構成されている。なお、図
１と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。この半導体レーザ装置は、接近して対向するレーザ
チップ３，１３の対が一方向に複数並んでいるので、半
導体レーザアレイとして光通信やレーザプリンタなどの
分野に広く適用される。なお、レーザチップ３，１３の
発振波長は異なっていてもよいし、同一であっても良
い。
の基台部４０Ａ上に、レーザチップ３がマウントされた
シリコン基板２とレーザチップ１３がマウントされたシ
リコン基板１２との対を、基板表面２ａ，１２ａの方向
に沿った一方向に複数並べて構成されている。なお、図
１と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。この半導体レーザ装置は、接近して対向するレーザ
チップ３，１３の対が一方向に複数並んでいるので、半
導体レーザアレイとして光通信やレーザプリンタなどの
分野に広く適用される。なお、レーザチップ３，１３の
発振波長は異なっていてもよいし、同一であっても良
い。
【００４３】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の半
導体レーザ装置では、対をなすレーザチップはそれぞれ
絶縁性部材にマウントされて、表面電極が互いに対向す
る位置関係にある。したがって、各表面電極に接続され
たワイヤの無用な接触を防止するための若干の隙間を残
して、２個のレーザチップを互いに接近させることがで
き、２個のレーザチップの発光点間の間隔を狭くするこ
とができる。この結果、この半導体レーザ装置の２個の
レーザチップをＤＶＤ用レーザチップ（波長６５０ｎｍ
又は６３５ｎｍ）とＣＤ用レーザチップ（波長７８０ｎ
ｍ）とし、ＤＶＤとＣＤとの両者を互換性をもって再生
する光ピックアップを構成する場合に、対物レンズを含
む光学系を１系統で済ませることができる。したがっ
て、プレーヤ（再生装置）を小型化することができる。
導体レーザ装置では、対をなすレーザチップはそれぞれ
絶縁性部材にマウントされて、表面電極が互いに対向す
る位置関係にある。したがって、各表面電極に接続され
たワイヤの無用な接触を防止するための若干の隙間を残
して、２個のレーザチップを互いに接近させることがで
き、２個のレーザチップの発光点間の間隔を狭くするこ
とができる。この結果、この半導体レーザ装置の２個の
レーザチップをＤＶＤ用レーザチップ（波長６５０ｎｍ
又は６３５ｎｍ）とＣＤ用レーザチップ（波長７８０ｎ
ｍ）とし、ＤＶＤとＣＤとの両者を互換性をもって再生
する光ピックアップを構成する場合に、対物レンズを含
む光学系を１系統で済ませることができる。したがっ
て、プレーヤ（再生装置）を小型化することができる。
【００４４】また、この半導体レーザ装置を作製する場
合、パッケージ部材として、平坦な基台部と、この基台
部にリードピンが電気的に絶縁された状態で貫通するも
のを用意すれば足りる。すなわち、基台部にレーザチッ
プをマウントするための突起を設ける必要がない。ま
た、各絶縁性部材の前端面の第１導電膜とリードピンと
をワイヤによって接続する作業（ワイヤボンディング）
は前方から行われ、ワイヤはリードピンの前端面に接続
される。したがって、従来例のパッケージ部材と異な
り、リードピンに軸に沿った平坦面を形成する必要は無
く、リードピンは単に円柱状のものであれば良い。これ
らの結果、パッケージ部材として、簡単な構造のもの、
例えば市販の標準品を用いることができる。
合、パッケージ部材として、平坦な基台部と、この基台
部にリードピンが電気的に絶縁された状態で貫通するも
のを用意すれば足りる。すなわち、基台部にレーザチッ
プをマウントするための突起を設ける必要がない。ま
た、各絶縁性部材の前端面の第１導電膜とリードピンと
をワイヤによって接続する作業（ワイヤボンディング）
は前方から行われ、ワイヤはリードピンの前端面に接続
される。したがって、従来例のパッケージ部材と異な
り、リードピンに軸に沿った平坦面を形成する必要は無
く、リードピンは単に円柱状のものであれば良い。これ
らの結果、パッケージ部材として、簡単な構造のもの、
例えば市販の標準品を用いることができる。
【００４５】しかも、この半導体レーザ装置では、上記
各絶縁性部材の上記表面の第１導電膜と第２導電膜との
間の領域に、レーザ光を検出できる受光素子が作り込ま
れているので、上記受光素子によってレーザチップの出
力がモニタされる。したがって、上記レーザチップの出
力をモニタするためにパッケージ部材に別途受光素子を
取り付ける必要が無く、この半導体レーザ装置の構造が
簡素化される。
各絶縁性部材の上記表面の第１導電膜と第２導電膜との
間の領域に、レーザ光を検出できる受光素子が作り込ま
れているので、上記受光素子によってレーザチップの出
力がモニタされる。したがって、上記レーザチップの出
力をモニタするためにパッケージ部材に別途受光素子を
取り付ける必要が無く、この半導体レーザ装置の構造が
簡素化される。
【００４６】請求項２に記載の半導体レーザ装置の製造
方法では、製造途中の工程でレーザチップの特性検査を
行い、特性検査の結果が良であるレーザチップがマウン
トされた絶縁性部材のみを、上記パッケージ部材にマウ
ントしている。つまり、製造工程の途中でレーザチップ
の特性検査を行って、不良のレーザチップがマウントさ
れた絶縁性部材を取り除いている。したがって、この半
導体レーザ装置の最終的な特性検査で歩留を高めること
ができる。
方法では、製造途中の工程でレーザチップの特性検査を
行い、特性検査の結果が良であるレーザチップがマウン
トされた絶縁性部材のみを、上記パッケージ部材にマウ
ントしている。つまり、製造工程の途中でレーザチップ
の特性検査を行って、不良のレーザチップがマウントさ
れた絶縁性部材を取り除いている。したがって、この半
導体レーザ装置の最終的な特性検査で歩留を高めること
ができる。
【００４７】請求項３に記載の半導体レーザ装置では、
上記パッケージ部材の基台部上に、レーザチップが１個
ずつマウントされた上記絶縁性部材の対が、上記絶縁性
部材の上記表面の方向に沿った一方向に複数並んでいる
ので、接近して対向するレーザチップの対が一方向に複
数並ぶ構成になっている。したがって、半導体レーザア
レイとして光通信やレーザプリンタなどの分野に広く適
用される。
上記パッケージ部材の基台部上に、レーザチップが１個
ずつマウントされた上記絶縁性部材の対が、上記絶縁性
部材の上記表面の方向に沿った一方向に複数並んでいる
ので、接近して対向するレーザチップの対が一方向に複
数並ぶ構成になっている。したがって、半導体レーザア
レイとして光通信やレーザプリンタなどの分野に広く適
用される。
【図１】 この発明の一実施形態の半導体レーザ装置の
全体構成を示す斜視図である。
全体構成を示す斜視図である。
【図２】 図１の半導体レーザ装置のレーザチップの箇
所を通る縦断面図である。
所を通る縦断面図である。
【図３】 この発明の別の実施形態の半導体レーザ装置
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４】 レンズ切り替え方式を説明する図である。
【図５】 従来の半導体レーザ装置の問題点を説明する
図である。
図である。
【図６】 従来の半導体レーザ装置の構成を例示する斜
視図である。
視図である。
１ パッケージ部材 ２，１２ 絶縁性シリコン基板 ３，１３ レーザチップ ４，１４ 第１導電膜 ５，１５ 第２導電膜 ６，１６ 第３導電膜 ４０，４０Ａ 基台部 ４１，４２，４３，４４，４５ リードピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−17383（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−52494（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−136529（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−156784（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−85673（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−8656（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−195762（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 G11B 7/125 H01L 25/16 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性を持つ基台部と、この基台部に対
して電気的に絶縁された少なくとも２本のリードピンを
有するパッケージ部材と、 平坦な表面およびこの表面に垂直に連なる前端面、後端
面を有する一対の半導体結晶基板からなる絶縁性部材
と、 直方体状の外形を持ち、表面電極と裏面電極との間に発
光層を有する一対のレーザチップを備え、 上記各絶縁性部材の上記表面の前部と上記前端面に第１
導電膜が連なって形成されるとともに、上記各絶縁性部
材の上記表面の後部と上記後端面に第２導電膜が連なっ
て形成されており、 上記パッケージ部材の基台部上に、上記一対の絶縁性部
材が、上記表面を互いに対向させ、かつ上記後端面の第
２導電膜をそれぞれ上記基台部に接触させた状態でマウ
ントされ、 上記各絶縁性部材の上記表面の第１導電膜上に、上記レ
ーザチップがその裏面電極を上記第１導電膜に接触させ
た状態で１個ずつマウントされ、 上記各レーザチップの表面電極は、そのレーザチップ側
の絶縁性部材の上記表面の第２導電膜にワイヤによって
電気的に接続され、 上記各絶縁性部材の上記前端面の第１導電膜が、各１本
の上記リードピンにワイヤによって電気的に接続され、 上記各絶縁性部材の上記表面の第１導電膜と第２導電膜
との間の領域に、レーザ光を検出できる受光素子が作り
込まれ、 上記各絶縁性部材の第２導電膜は、上記受光素子上に延
在して電気的に接続されている ことを特徴とする半導体
レーザ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ装置を作製
する半導体レーザ装置の製造方法であって、半導体結晶基板からなる絶縁性部材に上記受光素子、第
１導電膜および第２導電膜を形成し、 上記絶縁性部材の上記表面の第１導電膜上に、上記レー
ザチップをその裏面電極を上記第１導電膜に接触させた
状態でマウントし、 上記レーザチップの表面電極を上記絶縁性部材の上記表
面の第２導電膜にワイヤによって電気的に接続した後、 上記絶縁性部材の第１導電膜と第２導電膜との間に通電
して上記レーザチップの特性検査を行い、 上記特性検査の結果が良であるレーザチップがマウント
された絶縁性部材のみを、上記パッケージ部材にマウン
トすることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記パッケージ部材の基台部上に、レーザチップが１個
ずつマウントされた上記絶縁性部材の対が、上記絶縁性
部材の上記表面の方向に沿った一方向に複数並んでいる
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15649197A JP3304825B2 (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15649197A JP3304825B2 (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH114047A JPH114047A (ja) | 1999-01-06 |
| JP3304825B2 true JP3304825B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=15628925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15649197A Expired - Fee Related JP3304825B2 (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3304825B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1033793B1 (en) | 1998-07-14 | 2004-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP2001236675A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
| JP2001291267A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| EP1267459A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-18 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Heatsinks for laser electronic packages |
| JP4121285B2 (ja) * | 2002-02-18 | 2008-07-23 | 株式会社リコー | 光源モジュール、光源装置、光走査装置および画像形成装置 |
| JP2005150692A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2007184627A (ja) * | 2007-02-22 | 2007-07-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
| JP2008226988A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光電変換モジュール |
| JP2015213109A (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-26 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源モジュール |
| US10297975B2 (en) | 2015-10-27 | 2019-05-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser light source module |
| JP6805750B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2020-12-23 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| JP7343842B2 (ja) * | 2019-02-06 | 2023-09-13 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ光源装置 |
| WO2021210348A1 (ja) | 2020-04-15 | 2021-10-21 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195762U (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-26 | 三洋電機株式会社 | ヒ−トシンク |
| JPS61156784A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ用サブマウント |
| JPS628656U (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-19 | ||
| JPS6352494A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Ltd | 光電子装置の製造方法およびモジユ−ル |
| JPH0385673U (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-29 | ||
| JPH0417383A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置およびその組立方法 |
| JPH05136529A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Nec Corp | 光半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-13 JP JP15649197A patent/JP3304825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH114047A (ja) | 1999-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3304825B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP3419930B2 (ja) | 半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置 | |
| US6790692B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| US7217955B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| KR100333027B1 (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
| US20120027040A1 (en) | Semiconductor laser apparatus and optical apparatus | |
| US7133431B2 (en) | Semiconductor laser device and method for fabricating the same | |
| JP4583128B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH11112091A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2001244570A (ja) | 半導体レーザ、レーザカプラおよびデータ再生装置、データ記録装置ならびに半導体レーザの製造方法 | |
| JP4917704B2 (ja) | 半導体レーザの製法 | |
| JP2002109774A (ja) | 光ピックアップ | |
| JP4755199B2 (ja) | 多波長集積半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH0810496B2 (ja) | 光学ヘツドの製造方法 | |
| JP5799727B2 (ja) | 多波長半導体レーザ装置及び多波長半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2007115724A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3216396B2 (ja) | 発光素子用ステム及び発光装置 | |
| JP2000252592A (ja) | 光ディスク装置 | |
| JP2005142347A (ja) | 半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| JP3375850B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP5216807B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3674266B2 (ja) | レーザ装置 | |
| JP2002232063A (ja) | 半導体レーザ装置及び光ピックアップ装置 | |
| JP2002043676A (ja) | サブマウント及びその製造方法並びに半導体レーザ装置 | |
| US20110051773A1 (en) | Semiconductor laser device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |