JP2002043676A - サブマウント及びその製造方法並びに半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 実装自由度が高く且つ製造コストの低いサブ
マウント及びその製造方法を提供すると共に、そのサブ
マウントを用いて例えばＤＶＤとＣＤの互換再生可能な
小型光ピックアップを実現することが可能な半導体レー
ザ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 絶縁性ヒートシンク基板１２の表面に、
半導体レーザチップ搭載領域としての第１の凸部１６ａ
とワイヤボンディング領域としての第２の凸部１６ｂと
が第２の溝２０により分離して形成されている。一方の
第１の凸部１６ａの表面及び側面（第２の溝２０の内壁
部を除く）が第１の導電膜１８ａにより一体的に被覆さ
れ、他方の第２の凸部１６ｂの表面及び側面（第２の溝
２０の内壁部を除く）も第２の導電膜１８ｂにより一体
的に被覆されている。このため、第１及び第２の凸部１
６ａ、１６ｂの側面、即ちサブマウント１０の側面にワ
イヤーボンディングしたりすることが容易に可能にな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はサブマウント及びそ
の製造方法並びに半導体レーザ装置に係り、更に詳しく
は、半導体レーザチップをダイボンディングするサブマ
ウント及びその製造方法、並びにこのサブマウントを用
いて単数又は複数の半導体レーザチップを１つのパッケ
ージに収めた半導体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体レーザ装置は、図１１に示
されるように、パッケージ部材５０、このパッケージ部
材５０の表面に電気的に絶縁して配置されているリード
ピン５２、同じくパッケージ部材５０の表面に配置され
ているＡｕ（金）メッキされたＣｕ（銅）製の直方体形
状の導電性基台部５４、この導電性基台部５４の側面上
に載置されているサブマウント５６、このサブマウント
５６表面上にダイボンディングされている半導体レーザ
チップ５８等から構成される。

【０００３】ここで、半導体レーザチップ５８がダイボ
ンディングされるサブマウント５６は、その半導体レー
ザチップ５８と導電性基台部５４との間の熱膨張の差を
緩和し、電気的に絶縁するためのものである。そして、
このサブマウント５６の主材料としては絶縁性部材が使
用されており、その半導体レーザチップ５８がダイボン
ディングされる表面側は、例えばＴｉ（チタン）／Ｐｔ
（白金）／Ａｕの順で積層された導電膜６０が形成され
ている。

【０００４】また、サブマウント５６表面上にダイボン
ディングされている半導体レーザチップ５８は、その発
光部において発生する熱の放熱性を考慮して、ジャンク
ション・ダウンに搭載されている。即ち、半導体レーザ
チップ５８のアノード側電極（ｐ側電極）が裏面電極と
なってサブマウント５６表面の導電膜６０に接合し、例
えばＡｕ−Ｓｎ（錫）共晶半田によって電気的に接続し
ている。

【０００５】また、この半導体レーザチップ５８のカソ
ード側電極（ｎ側電極）が表面電極となり、ボンディン
グワイヤ６２によって導電性基台部５４側面に電気的に
接続している。また、半導体レーザチップ５８のアノー
ド側電極が電気的に接続しているサブマウント５６表面
の導電膜６０とリードピン５２との間も、ボンディング
ワイヤ６４によって電気的に接続している。なお、説明
を簡略化するため、半導体レーザチップ５８のパワーを
モニターするホトダイオードはその図示を省略した。

【０００６】このように従来の半導体レーザ装置に使用
されるサブマウント５６においては、その一表面のみし
か導電膜６０によって被覆されていなかったため、ボン
ディングワイヤ６４によるリードピン５２との電気的な
接続は、サブマウント５６の導電膜６０が形成されてい
る表面上でのみ行われた。従って、リートピン５２の形
状は、図１１に示されるようにつぶしピンと呼ばれる特
殊な形状にして、このリートピン５２のワイヤボンディ
ングを行う平坦な面がサブマウント５６の導電膜６０が
形成されている表面と略平行なるようにしなければなら
なかった。つまり、従来のサブマウント５６は、実装の
自由度が低い欠点があった。

【０００７】この欠点を解決する手段として、例えば特
開平１−１８１４９０号公報が開示されている。この公
報においては、サブマウントの表面から側面にまで連続
してなる導電膜による電極パターンを形成することによ
り、サブマウントの側面へのワイヤボンディングを可能
にして、実装の自由度を向上させる方法が提案されてい
る。

【０００８】また、近年、次世代の記録メディアとして
ＤＶＤ（Digital Video Disk）が注目されている。そし
て一般に、１台のＤＶＤプレーヤにおいては、ＤＶＤと
ＣＤ（Compact Disk）の両者を互換再生できることが望
まれている。そのためには、ＤＶＤ再生用の波長の短い
６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの赤色半導体レーザとＣＤ再
生用の７８０ｎｍの波長の近赤外半導体レーザを搭載す
る光ピックアップが必要とされている。

【０００９】更に、半導体レーザ装置の小型化のために
は、２種類の半導体レーザを１つのパッケージの中に組
み込んだ集積型光ピックアップの実現が期待されてい
る。しかし、２つの光源を１つのパッケージに組み込ん
で光学系を共通化するためには、２つ半導体レーザの発
光点間隔をできるだけ狭くする必要があり、その間隔と
しては例えば３００μｍ以下であることが望まれてい
る。

【００１０】このように１つのパッケージ内に２つの半
導体レーザを接近させて実装する光ピックアップに関し
て、特開平１１−４０４７号公報に係る「半導体レーザ
装置及びその製造方法」が提案されている。この提案に
おいては、発光点を接近させる手段として、２つの半導
体レーザを背中合わせに配置する手法を採用し、近接す
るサブマウント上でのワイヤーボンディングの接触を避
けるために、サブマウント側面にも半導体レーザ駆動用
電極を形成していることを特徴とする。以下、この提案
に係る半導体レーザ装置について図１２を用いて説明す
る。

【００１１】この提案に係る半導体レーザ装置において
は、パッケージ部材７０の導電性基台部７２上に、例え
ば絶縁性シリコン基板からなる２つのサブマウント７４
ａ、７４ｂが取り付けられている。また、これらのサブ
マウント７４ａ、７４ｂにおいては、その表面の前方部
から連続的に前方側面まで延びる第１導電膜領域７６
ａ、７６ｂと、その表面の後方部から連続的に後方側面
まで延びる第２導電膜領域７８ａ、…が形成されてい
る。そして、これらサブマウント７４ａ、７４ｂの後方
側面まで伸びている第２導電膜領域７８ａ、…は、それ
ぞれ導電性部材を用いて導電性基台部７２に電気的、機
械的に接続されている。なお、ここで、サブマウント７
４ａ、７４ｂの前方及び後方とは、それぞれサブマウン
ト７４ａ、７４ｂ上にダイボンディングされる半導体レ
ーザチップの主光ビーム出射方向及びその反対方向をい
う。

【００１２】また、サブマウント７４ａ、７４ｂの表面
前方部の第１導電膜領域７６ａ、７６ｂ上に、それぞれ
半導体レーザチップ８０ａ、８０ｂがダイボンディング
されている。そして、これらの半導体レーザチップ８０
ａ、８０ｂの表面電極は、それぞれボンディングワイヤ
８２ａ、…によってサブマウント７４ａ、７４ｂの表面
後方部の第２導電膜領域７８ａ、…に接続されている。
また、サブマウント７４ａ、７４ｂの前方側面の第１導
電膜領域７６ａ、７６ｂは、それぞれボンディングワイ
ヤ８４ａ、８４ｂによって、導電性基台部７２に電気的
に絶縁して取り付けられているリードピン８６ａ、８６
ｂに電気的に接続されている。

【００１３】このようにして、２つのサブマウント７４
ａ、７４ｂ上に互いの表面電極を向かい合わせにダイボ
ンディングされた２つの半導体レーザチップ８０ａ、８
０ｂに関して、その表面電極に接続するレーザ駆動用の
ボンディングワイヤ８２ａ、…はサブマウント７４ａ、
７４ｂ表面には１本ずつ、計２本に軽減されるため、ボ
ンディングワイヤ間の無用な接触が低減され、２つの半
導体レーザチップ８０ａ、８０ｂの発光点間隔を十分に
接近させることが可能になるとされている。

【００１４】即ち、半導体レーザチップ８０ａ、８０ｂ
をダイボンディングするサブマウント７４ａ、７４ｂに
おいては、これらの半導体レーザチップ８０ａ、８０ｂ
をダイボンディングする表面前方部から前方側面に至る
第１導電膜領域７６ａ、７６ｂと、導電性基台部７２に
電気的、機械的に接続する後方側面から表面後方部に至
る第２導電膜領域７８ａ、…とが、２つの領域に絶縁分
離して形成されていることにより、実装の自由度が広が
り、２つの半導体レーザチップ８０ａ、８０ｂの発光点
間隔を接近させて実装することが可能になることが予想
される。

【００１５】また、この提案に係る半導体レーザ装置を
作製する際の、そのサブマウント７４ａ、７４ｂの表面
及び側面への第１導電膜領域７６ａ、７６ｂ及び第２導
電膜領域７８ａ、…の形成は次のようにして行う。即
ち、サブマウントとなるウェーハ状の絶縁性シリコン基
板の表面に蒸着を行って、表面前方部の第１導電膜領域
及び表面後方部の第２導電膜領域を分離して形成する。
続いて、このウェーハ状の絶縁性シリコン基板を一方向
にダイシングして短冊状にし、絶縁性シリコン基板の側
面を露呈させる。続いて、この短冊状の絶縁性シリコン
基板の２つの側面にそれぞれ蒸着を行って、前方側面の
第１導電膜領域及び後方側面の第２導電膜領域を形成す
る。その後、この短冊状の絶縁性シリコン基板を上記一
方向に対して垂直方向にダイジングする。こうして、そ
の表面及び側面に第１導電膜領域７６ａ、７６ｂ及び第
２導電膜領域７８ａ、…が形成されている直方体状の絶
縁性シリコン基板からなるサブマウント７４ａ、７４ｂ
を形成する。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た２つの従来技術において、サブマウントの側面に電極
パターンを形成したり、第１導電膜領域や第２導電膜領
域を形成したりすることは極めて困難であり、実現性に
乏しい。即ち、半導体レーザ装置に使用されるサブマウ
ントは放熱性の観点から薄い方が望ましく、厚みが０．
２ｍｍ〜０．３ｍｍ程度の薄いものを使用するのが一般
的である。このため、このように厚みの薄いサブマウン
トの側面に電極パターンや導電膜領域を精度よく形成す
ることはきわめて困難であり、たとえ実現することがで
きてもコスト高になるという欠点があった。

【００１７】そこで本発明は、従来技術の欠点に鑑みて
なされたものであり、実装自由度が高く且つ製造コスト
の低いサブマウント及びその製造方法を提供すると共
に、そのサブマウントを用いて例えばＤＶＤとＣＤの互
換再生可能な小型光ピックアップを実現することが可能
な半導体レーザ装置を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明に係るサブマウント及びその製造方法並びに半導体レ
ーザ装置により達成される。

【００１９】即ち、請求項１に係るサブマウントは、直
方体状の絶縁性部材と、この絶縁性部材の表面に形成さ
れた溝によって分離されている半導体レーザチップ搭載
領域としての第１の凸部及びワイヤボンディング領域と
しての第２の凸部と、第１の凸部の表面及び側面（溝の
内壁部を除く）を一体的に被覆する第１の導電膜と、第
２の凸部の表面及び側面（溝の内壁部を除く）を一体的
に被覆する第２の導電膜と、を有することを特徴とす
る。

【００２０】このように請求項１に係るサブマウントに
おいては、サブマウントの表面部側における半導体レー
ザチップ搭載領域としての第１の凸部の表面及び側面
（溝の内壁部を除く）が第１の導電膜によって一体的に
被覆され、この第１の凸部と溝によって分離されている
ワイヤボンディング領域としての第２の凸部の表面及び
側面（溝の内壁部を除く）が第２の導電膜によって一体
的に被覆されていることにより、これら第１及び第２の
凸部の側面、即ちサブマウントの側面にワイヤボンディ
ングしたり、サブマウントの側面を導電性のパッケージ
部材に直接に接合したりすることが容易に可能になるた
め、実装の自由度が増大し、高密度実装が実現される。

【００２１】また、このようなサブマウンを使用して例
えば半導体レーザチップを実装した半導体レーザ装置を
作製する場合、その製造プロセスにおいて、サブマウン
トの第１の凸部の表面上に半導体レーザチップを搭載し
て第１の凸部の表面を被覆する第１の導電膜に半導体レ
ーザチップの裏面電極を電気的に接続させ、半導体レー
ザチップの表面電極とサブマウントの第２の凸部の表面
を被覆する第２の導電膜とワイヤボンディングした時点
で動作チェックを行うことが可能となるため、半導体レ
ーザ装置の製造プロセス終了を待たなくとも良品の選別
が行える。

【００２２】また、サブマウントの第１の凸部の表面上
に搭載した半導体レーザチップの表面電極とサブマウン
トの第２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜とをワイ
ヤボンディングする際に、両者の段差は半導体レーザチ
ップの厚みとなるため、従来のサブマウント上に搭載し
た半導体レーザチップの表面電極とサブマウントを載置
している導電性基台側面とをワイヤボンディングする際
の段差が半導体レーザチップの厚みとサブマウントの厚
みと加えたものになる場合と比較すると、ワイヤボンデ
ィングが容易になるという利点もある。

【００２３】また、請求項２に係るサブマウントの製造
方法は、板状の絶縁性部材の表面に、互いに直交する方
向にそれぞれ複数本の第１の溝を形成して、これら第１
の溝によって囲まれた直方体状の凸部を形成する工程
と、基体全面に導電膜と形成して、凸部の表面及び側面
を導電膜によって一体的に被覆する工程と、凸部の表面
に、第１の溝よりも深い第２の溝を形成して、凸部を、
半導体レーザチップ搭載領域としての第１の凸部とワイ
ヤボンディング領域としての第２の凸部とに分離すると
共に、凸部の表面及び側面を一体的に被覆する導電膜
を、第１の凸部の表面及び側面（第２の溝の内壁部を除
く）を一体的に被覆する第１の導電膜と第２の凸部の表
面及び側面（第２の溝の内壁部を除く）を一体的に被覆
する第２の導電膜とに分離する工程と、第１の溝部の導
電膜及び絶縁性部材を切断して、第１及び第２の凸部が
表面に形成され、これら第１及び第２の凸部の表面及び
側面（第２の溝の内壁部を除く）がそれぞれ第１及び第
２の導電膜によって一体的に被覆されている略直方体状
のサブマウントを切り出す工程と、を有することを特徴
とする。

【００２４】このように請求項２に係るサブマウントの
製造方法においては、板状の絶縁性部材の表面に互いに
直交する方向にそれぞれ複数本の第１の溝を形成して、
これら第１の溝によって囲まれた直方体状の凸部を形成
した後、基体全面に導電膜と形成して、凸部の表面及び
側面を導電膜によって一体的に被覆することにより、容
易にサブマウントの表面部側の凸部の側面がその表面と
一体的にメタライズされる。また、この凸部の表面に第
２の溝を形成して、半導体レーザチップ搭載領域として
の第１の凸部とワイヤボンディング領域としての第２の
凸部とに分離すると共に、第１の凸部の表面及び側面
（第２の溝の内壁部を除く）を一体的に被覆する第１の
導電膜と第２の凸部の表面及び側面（第２の溝の内壁部
を除く）を一体的に被覆する第２の導電膜とに分離する
ことにより、サブマウントの側面にワイヤボンディング
したり、サブマウントの側面を導電性のパッケージ部材
に直接に接合したりするのに必要な第１及び第２の凸部
の側面が選択的にメタライズされる。つまり、第１及び
第２の凸部の表面及び必要な側面のみを選択的にメタラ
イズするための導電膜の選択的な形成やパターニング等
の複雑なプロセスを用いることなく、サブマウントの表
面部側の側面のメタライズ及びパターニングが可能にな
る。このため、上記請求光１に係るサブマウント、即ち
実装の自由度を増大し、高密度実装を実現することが可
能なサブマウントが容易に作製される。

【００２５】また、請求項３に係る半導体レーザ装置
は、導電性のパッケージ部材と、このパッケージ部材の
表面に設けられている導電性の基台部と、パッケージ部
材に電気的に絶縁して設けられているリードピンと、基
台の側面上に載置されている請求項１記載のサブマウン
トと、このサブマウントの第１の凸部の表面上に搭載さ
れ、第１の凸部の表面を被覆する第１の導電膜に裏面電
極が電気的に接続されている半導体レーザチップと、を
有し、この半導体レーザチップの表面電極とサブマウン
トの第２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜とが、第
１のボンディングワイヤによって電気的に接続され、第
１の凸部の側面をその表面と共に一体的に被覆する第１
の導電膜とリードピンとが、第２のボンディングワイヤ
によって電気的に接続され、第２の凸部の側面をその表
面と共に一体的に被覆する第２の導電膜と基台部とが第
３のボンディングワイヤによって電気的に接続されてい
ることを特徴とする。

【００２６】このように請求項３に係る半導体レーザ装
置においては、サブマウントの第１の凸部の表面上に搭
載されている半導体レーザチップの表面電極とサブマウ
ントの第２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜とが第
１のボンディングワイヤによって電気的に接続されてい
る構造であることにより、この状態において、即ち半導
体レーザ装置の製造プロセス途中において、動作チェッ
クを行うことが可能となるため、半導体レーザ装置の製
造プロセス終了を待たなくとも良品の選別が容易に行わ
れる。

【００２７】また、サブマウントの第１の凸部の表面上
に搭載した半導体レーザチップの表面電極とサブマウン
トの第２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜とをワイ
ヤボンディングする際に、両者の段差は半導体レーザチ
ップの厚みとなり、従来のサブマウント上に搭載した半
導体レーザチップの表面電極とサブマウントを載置して
いる基台側面とをワイヤボンディングする際の段差が半
導体レーザチップの厚みとサブマウントの厚みと加えた
ものになる場合と比較すると、段差が大幅に低減される
ことになるため、ワイヤボンディングが容易になる。

【００２８】また、第１の凸部の側面をその表面と共に
一体的に被覆する第１の導電膜とリードピンとが第２の
ボンディングワイヤによって電気的に接続され、第２の
凸部の側面をその表面と共に一体的に被覆する第２の導
電膜と基台部とが第３のボンディングワイヤによって電
気的に接続されている構造であることにより、第１及び
第２の凸部の側面、即ちサブマウントの側面からリード
ピンの端面や基台部の表面へのワイヤボンディングはパ
ッケージ部材の表面に平行な状態で行うことが可能にな
るため、ワイヤボンディングが容易になり、半導体レー
ザ実装の自由度が増大する。また、例えば基台部の表面
上にホトダイオードが搭載されていれば、半導体レーザ
チップ及びホトダイオードのワイヤボンディングを連続
して行うことが可能になり、半導体レーザ装置の製造プ
ロセスが簡素化される。

【００２９】また、請求項４に係る半導体レーザ装置
は、導電性のパッケージ部材と、このパッケージ部材の
表面に設けられている導電性の基台部と、パッケージ部
材に電気的に絶縁して設けられているリードピンと、基
台側面上に載置されている請求項１記載のサブマウント
と、このサブマウントの第１の凸部の表面上に搭載さ
れ、第１の凸部の表面を被覆する第１の導電膜に裏面電
極が電気的に接続されている半導体レーザチップと、を
有し、半導体レーザチップの表面電極とサブマウントの
第２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜とが、第１の
ボンディングワイヤによって電気的に接続され、第１の
凸部の側面をその表面と共に一体的に被覆する第１の導
電膜と前記リードピンとが、第２のボンディングワイヤ
によって電気的に接続され、第２の凸部の側面をその表
面と共に一体的に被覆する第１の導電膜とパッケージ部
材の表面とが、接合して電気的に接続されていることを
特徴とする。

【００３０】このように請求項４に係る半導体レーザ装
置においては、上記請求項３に係る半導体レーザ装置と
略同様の構造をなしているため、その共通性から前述し
た作用と同様の作用を奏する。更に、そのような共通の
作用に加えて、第２の凸部の側面をその表面と共に一体
的に被覆する第１の導電膜とパッケージ部材の表面とが
接合して電気的に接続されていることにより、上記請求
項３の場合における第２の凸部の側面をその表面と共に
一体的に被覆する第２の導電膜と基台部とを電気的に接
続する第３のボンディングワイヤが不要となるため、半
導体レーザ装置の製造プロセスにおけるワイヤボンディ
ングの本数が低減される。また、第２の凸部の側面、即
ちサブマウントの側面がパッケージ部材の表面に直に当
接して固定されることになるため、実装精度が向上する
と共に、半導体レーザ出射角のアライメントが容易にな
る。

【００３１】また、請求項５に係る半導体レーザ装置
は、導電性のパッケージ部材と、このパッケージ部材の
表面に、第１及び第２の凸部の表面を互いに対向させつ
つ所定の間隔をおいて当接されている２つの請求項１に
係るサブマウント（以下、「第１及び第２のサブマウン
ト」という）と、これら第１及び第２のサブマウントの
それぞれの第１の凸部の表面上に、互いの表面電極を対
向させつつ搭載され、それぞれの第１の凸部の表面を被
覆する第１の導電膜にそれぞれの裏面電極が電気的に接
続されている第１及び第２の半導体レーザチップと、を
有し、第１及び第２の半導体レーザチップのそれぞれの
表面電極と第１及び第２のサブマウントのそれぞれの第
２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜とが、それぞれ
の第１のボンディングワイヤによって電気的に接続さ
れ、第１及び第２のサブマウントのそれぞれの第１の凸
部の側面をその表面と共に一体的に被覆する第１の導電
膜と第１及び第２のリードピンの端面とが、それぞれの
第２のボンディングワイヤによって電気的に接続され、
第１及び第２のサブマウントのそれぞれの第２の凸部の
側面をその表面と共に一体的に被覆する第１の導電膜と
パッケージ部材の表面とが、接合して電気的に接続され
ていることを特徴とする。

【００３２】このように請求項５に係る半導体レーザ装
置においては、上記請求項４に係る半導体レーザ装置の
構造と共通する構造をなしているため、その共通性から
前述した作用と同様の作用を奏する。更に、そのような
共通の作用に加えて、第１及び第２のサブマウントが互
いの第１及び第２の凸部の表面を互いに対向させつつ所
定の間隔をおいてパッケージ部材の表面に当接され、第
２の凸部の表面と共にその側面を被覆する第２の導電膜
がパッケージ部材の表面に接合して電気的に接続されて
いる構造であることにより、これら第１及び第２の半導
体レーザチップを近接して実装することが可能になるた
め、精度の高い高密度実装が実現される。なお、ここ
で、第１及び第２の半導体レーザチップの発光点をそれ
ぞれ表面電極側に移動すれば更に両発光点が接近する。
そして、このように第１及び第２の半導体レーザチップ
の間隔が接近し、その発光点間隔が狭くなると、例えば
ＤＶＤ装置などの光学系を一つにすることが可能にな
り、小型で低コストのＤＶＤプレーヤが実現される。

【００３３】また、請求項６に係る半導体レーザ装置
は、上記請求項５に係る半導体レーザ装置において、第
１のボンディングワイヤはＡｕワイヤからなり、第１及
び第２のサブマウントのそれぞれの第２の凸部の表面を
被覆する第２の導電膜に、Ａｕボールを形成するファー
ストボンディングを行い、第１及び第２の半導体レーザ
チップのそれぞれの表面電極に、セカンドボンディング
を行ったものであることを特徴とする。

【００３４】このように請求項６に係る半導体レーザ装
置においては、第１及び第２のサブマウントのそれぞれ
の第２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜にＡｕボー
ルを形成するファーストボンディングが行われ、第１及
び第２の半導体レーザチップのそれぞれの表面電極にセ
カンドボンディングが行われていることにより、このボ
ンディングワイヤのループ高さが低く押さえられるた
め、第１及び第２の半導体レーザチップを更に近接して
実装することが可能になり、更なる高密度実装化が達成
される。従って、例えばＤＶＤ装置等の光学設計の負担
が低減され、かつジッターの低減が可能になり、高性能
な光ピックアップが実現される。

【００３５】また、請求項７に係る半導体レーザ装置
は、上記請求項５又は６に係る半導体レーザ装置におい
て、第１及び第２の半導体レーザチップが、互いに波長
の異なる光を出射する半導体レーザチップであることを
特徴とする。

【００３６】このように請求項７に係る半導体レーザ装
置においては、第１及び第２の半導体レーザチップとし
て、互いに波長の異なる光を出射する半導体レーザチッ
プを使用することにより、例えば一方をＤＶＤ再生用に
必要な波長の短い赤色光を出射する半導体レーザチップ
とし、他方をＣＤ再生用に必要な波長の近赤外光を出射
する半導体レーザチップすることが可能になるため、Ｄ
ＶＤとＣＤを同じ光学系を用いて再生することが可能な
光ピックアップ、即ちＣＤ／ＤＶＤ再生可能な光ピック
アップが実現される。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）本実施形態は、請求項１及び２に係
るサブマウントに対応するものである。ここで、図１は
本発明の第１の実施形態に係るサブマウントを示す概略
斜視図、図２〜図５はそれぞれ図１のサブマウントの製
造方法を説明するための工程図である。

【００３８】図１に示されるように、本実施形態に係る
サブマウント１０においては、例えばＳｉＣ、ＡｌＮ等
からなる直方体状の絶縁性ヒートシンク基板１２の表面
に、半導体レーザチップ搭載領域としての第１の凸部１
６ａとワイヤボンディング領域としての第２の凸部１６
ｂとが形成され、両者は第２の溝２０によって分離され
ている。

【００３９】また、この半導体レーザチップ搭載領域と
しての第１の凸部１６ａの表面及び側面（第２の溝２０
の内壁部を除く）は、例えば厚さ０．１μｍのＴｉ膜及
び厚さ０．１μｍのＡｕ膜が順に積層されたＴｉ／Ａｕ
積層膜からなる第１の導電膜１８ａによって一体的に被
覆されている。また、同様に、ワイヤボンディング領域
としての第２の凸部１６ｂの表面及び側面（第２の溝２
０の内壁部を除く）も、例えば厚さ０．１μｍのＴｉ膜
及び厚さ０．１μｍのＡｕ膜が順に積層されたＴｉ／Ａ
ｕ積層膜からなる第２の導電膜１８ｂによって一体的に
被覆されている。

【００４０】そして、これらの第１の凸部１６ａの表面
及び側面を一体的に被覆している第１の導電膜１８ａと
第２の凸部１６ｂの表面及び側面を一体的に被覆してい
る第２の導電膜１８ｂとは、第２の溝２０によって分離
されている。また、第１の凸部１６ａ及び第２の凸部１
６ｂの側面を被覆している第１及び第２の導電膜１８
ａ、１６ｂの上下方向の幅は、これらの側面に例えばＡ
ｕのボールボンディングを行うことが可能な０．１ｍｍ
の幅を有している。

【００４１】次に、図１に示されるサブマウント１０の
製造方法を、図２〜図５を用いて説明する。先ず、図２
（ａ）、（ｂ）の工程斜視図及びそのＡ−Ａ線断面図に
示されるように、ＳｉＣ、ＡｌＮ等からなる絶縁性ヒー
トシンク基板１２の表面に、例えばダイシングソーを用
いて、互いに直交する方向にそれぞれ複数本の第１の溝
１４ａ、１４ｂを形成し、これら第１の溝１４ａ、１４
ｂによって囲まれた直方体状の凸部１６を形成する。

【００４２】なお、このときの第１の溝１４ａ、１４ｂ
の深さは、当然に絶縁性ヒートシンク基板１２の厚みよ
り浅く、且つボールボンディングが可能な深さとする。
ここで、ボールボンディングが可能な深さとは、第１の
溝１４ａ、１４ｂの深さに規定される直方体状の凸部１
６の側面の深さ方向の幅が、その側面にボールボンディ
ングが可能になる幅を有していることを意味する。例え
ば絶縁性ヒートシンク基板１２が０．３ｍｍの厚みであ
れば、第１の溝１４ａ、１４ｂはＡｕのボールボンディ
ングが可能な０．１ｍｍの深さで、その幅は０．２ｍｍ
程度とする。

【００４３】次いで、図２（ｂ）に対応する図３の工程
断面図に示されるように、基体全面に、例えばスパッタ
法等により厚さ０．１μｍのＴｉ膜及び厚さ０．１μｍ
のＡｕ膜を順次成膜して、これらＴｉ／Ａｕ積層膜から
なる導電膜１８を形成する。このとき、この導電膜１８
は、直方体状の凸部１６の表面及び側面並びに第１の溝
１４ａ、１４ｂの側壁及び底面を完全に被覆する。

【００４４】次いで、同じく図２（ｂ）に対応する図４
の工程断面図に示されるように、直方体状の凸部１６が
形成されている絶縁性ヒートシンク基板１２の表面に、
直交する第１の溝１４ａ、１４ｂの一方と平行方向に、
第１の溝１４ａ、１４ｂよりも深い第２の溝２０を形成
する。そして、この第２の溝２０を形成することによ
り、直方体状の凸部１６を２つの領域に、即ち半導体レ
ーザチップ搭載領域としての第１の凸部１６ａとワイヤ
ボンディング領域としての第２の凸部１６ｂとに分離す
る。

【００４５】次いで、同じく図２（ｂ）に対応する図５
の工程断面図に示されるように、例えばダイシングソー
を用い、全ての第１の溝１４ａ、１４ｂにおいて、その
底面の導電膜１８及びその下の絶縁性ヒートシンク基板
１２を、第１の溝１４ａ、１４ｂの幅より狭い幅で切断
する。

【００４６】このとき、直方体状の凸部１６の表面及び
側面（第２の溝２０による切り込み部を除く）を被覆し
ている導電膜１８は、半導体レーザチップ搭載領域とし
ての第１の凸部１６ａの表面及び側面（第２の溝２０の
内壁部を除く）を一体的に被覆している第１の導電膜１
８ａと、ワイヤボンディング領域としての第２の凸部１
６ｂの表面及び側面（第２の溝２０の内壁部を除く）を
一体的に被覆している第２の導電膜１８ｂとに分離され
る。このようにして、図１に示されるサブマウント１０
を形成する。

【００４７】以上のように本実施形態によれば、絶縁性
ヒートシンク基板１２の表面に、半導体レーザチップ搭
載領域としての第１の凸部１６ａとワイヤボンディング
領域としての第２の凸部１６ｂとが第２の溝２０によっ
て分離して形成されており、一方の第１の凸部１６ａの
表面及び側面（第２の溝２０の内壁部を除く）が第１の
導電膜１８ａによって一体的に被覆され、他方の第２の
凸部１６ｂの表面及び側面（第２の溝２０の内壁部を除
く）も第２の導電膜１８ｂによって一体的に被覆されて
いることにより、これら第１及び第２の凸部１６ａ、１
６ｂの側面、即ちサブマウント１０の側面にワイヤボン
ディングしたり、サブマウント１０の側面を導電性のパ
ッケージ部材に直接に接合したりすることが容易に可能
になるため、実装の自由度を増大させ、高密度実装が実
現することができる。

【００４８】また、このようなサブマウン１０を使用し
て例えば半導体レーザチップを実装した半導体レーザ装
置を作製する場合、その製造プロセスにおいて、サブマ
ウント１０の第１の凸部１６ａ表面の第１の導電膜１８
ａ上に半導体レーザチップをダイボンディングし、この
半導体レーザチップの表面電極とサブマウント１０の第
２の凸部１６ｂ表面の第２の導電膜１８ｂとをワイヤボ
ンディングした時点で動作チェックを行うことが可能と
なるため、半導体レーザ装置の製造プロセス終了を待た
なくとも良品の選別を行うことが可能になり、無駄なプ
ロセスを無くしてコストを低減することができる。

【００４９】また、サブマウント１０の第１の凸部１６
ａ表面の第１の導電膜１８ａ上にダイボンディングした
半導体レーザチップの表面電極とサブマウント１０の第
２の凸部１６ｂ表面の第２の導電膜１８ｂとをワイヤボ
ンディングする際に、両者の段差は半導体レーザチップ
の厚み（通常、１００μｍ程度）となるため、従来のサ
ブマウント上にダイボンディングした半導体レーザチッ
プの表面電極とサブマウントを載置している基台側面と
をワイヤボンディングする際の段差が半導体レーザチッ
プの厚みとサブマウントの厚みと加えたもの（通常、４
００μｍ程度）になる場合と比較すると、段差が大幅に
低減されることになるため、ワイヤボンディングが容易
になり、製造歩留りや信頼性を向上させることができ
る。

【００５０】また、サブマウント１０を作製する際、絶
縁性ヒートシンク基板１２の表面に互いに直交する方向
にそれぞれ複数本の第１の溝１４ａ、１４ｂを形成して
直方体状の凸部１６を形成し、基体全面に導電膜１８を
形成して直方体状の凸部１６の表面及び側面を一体的に
被覆し、更に直方体状の凸部１６表面に第２の溝２０を
形成して半導体レーザチップ搭載領域としての第１の凸
部１６ａとワイヤボンディング領域としての第２の凸部
１６ｂとに分離すると共に、第１の凸部１６ａの表面及
び側面（第２の溝２０の内壁部を除く）を一体的に被覆
する第１の導電膜１８ａと第２の凸部１６ｂの表面及び
側面（第２の溝２０の内壁部を除く）を一体的に被覆す
る第２の導電膜１８ｂとに分離した後、全ての第１の溝
１４ａ、１４ｂ底面の導電膜１８及びその下の絶縁性ヒ
ートシンク基板１２を切断することにより、比較的簡単
なプロセスを用いて、サブマウント１０の側面にワイヤ
ボンディングしたり、サブマウント１０の側面を導電性
のパッケージ部材に直接に接合したりするのに必要な第
１及び第２の凸部１６ａ、１６ｂの側面が選択的にメタ
ライズすることができる。

【００５１】特に、第１及び第２の溝１４ａ、１４ｂ、
２０を形成や第１の溝１４ａ、１４ｂ底面の導電膜１８
及び絶縁性ヒートシンク基板１２の切断にダイシングソ
ーを用いることにより、第１及び第２の凸部１６ａ、１
６ｂの表面及び必要な側面のみを選択的にメタライズす
るための導電膜の選択的な形成やパターニング等の複雑
なプロセスを用いることなく、サブマウントの表面部側
の側面の必要なメタライズが容易に可能になる。このた
め、実装の自由度を増大し、高密度実装を実現すること
が可能なサブマウント１０を容易に作製することができ
る。

【００５２】（第２の実施形態）本実施形態は、請求項
３に係る半導体レーザ装置に対応するものである。ここ
で、図６は上記第１の実施形態の図１のサブマウントを
用いている半導体レーザ装置を示す概略斜視図、図７は
図６の半導体レーザ装置の製造プロセスにおいてサブマ
ウントに半導体レーザチップをダイボンディングした状
態を示す概略斜視図である。なお、上記第１の実施形態
の図１のサブマウントと同一の構成要素には同一の符号
を付して説明を省略する。

【００５３】図６に示されるように、本実施形態に係る
半導体レーザ装置においては、例えばＡｕメッキされた
Ｆｅ（鉄）等からなる円形状の導電性パッケージ部材２
２の表面に、例えばＡｕメッキされたＣｕ製の直方体形
状の導電性基台部２４がロウ付けされている。ここで、
導電性パッケージ部材２２の材料にＦｅを使用するの
は、機械的強度を考慮したためであり、導電性基台部２
４の材料に熱伝導性の高いＣｕを使用するのは、半導体
レーザチップで発生する熱を逃すヒートシンク効果を考
慮したためである。

【００５４】また、この導電性パッケージ部材２２に
は、導電性基台部２４に隣接してリードピン２６が配置
されている。そして、これら導電性パッケージ部材２２
とリードピン２６との接続部には絶縁性部材（図示せ
ず）が介在し、両者は電気的に絶縁されている。

【００５５】また、導電性基台部２４の側面上には、上
記図１に示されるサブマウント１０が載置され、例えば
導電性接着材や半田材などによって固定されている。こ
のときのサブマウント１０の向きは、サブマウント１０
に形成された第２の溝２０の方向が導電性パッケージ部
材２２の表面に垂直に、即ち導電性基台部２４の表面に
垂直になるように設定されている。

【００５６】また、このサブマウント１０における半導
体レーザチップ搭載領域としての第１の凸部１６ａの表
面上には、半導体レーザチップ２８がダイボンディング
されており、その半導体レーザチップ２８の裏面電極
（アノード側電極）と第１の凸部１６ａの表面を被覆し
ている第１の導電膜１８ａとが例えばＡｕ−Ｓｎ（錫）
共晶半田を用いて電気的に接続されている。このときの
半導体レーザチップ２８の向きは、その光出射方向が導
電性パッケージ部材２２の表面に垂直に、即ち導電性基
台部２４の表面に垂直になるように設定されている。

【００５７】また、このサブマウント１０の第１の凸部
１６ａ表面の第１の導電膜１８ａ上に搭載された半導体
レーザチップ２８の表面電極（カソード側電極）とワイ
ヤボンディング領域としての第２の凸部１６ｂの表面を
被覆している第２の導電膜１８ｂとが、例えば第１のＡ
ｕワイヤ３０によって電気的に接続されている。

【００５８】また、第１の凸部１６ａにおける半導体レ
ーザチップ２８の光出射方向側の側面（以下、「第１の
凸部１６ａの前方側の側面」という）をその表面と共に
一体的にを被覆している第１の導電膜１８ａとリードピ
ン２６の先端面とが、第２のＡｕワイヤ３２によって電
気的に接続されている。

【００５９】更に、第２の凸部１６ｂにおける半導体レ
ーザチップ２８の光出射方向側の側面（以下、「第２の
凸部１６ｂの前方側の側面」という）をその表面と共に
一体的にを被覆している第２の導電膜１８ｂと導電性基
台部２４の表面とが、例えば第３のＡｕワイヤ３４によ
って電気的に接続されている。

【００６０】次に、図６に示される半導体レーザ装置の
製造方法を、図６及び図７を用いて説明する。先ず、図
７の工程斜視図に示されるように、上記図１に示される
サブマウント１０の半導体レーザチップ搭載領域として
の第１の凸部１６ａの表面上に、半導体レーザチップ２
８をダイボンディングして、その半導体レーザチップ２
８の裏面電極と第１の凸部１６ａの表面を被覆している
第１の導電膜１８ａとをＡｕ−Ｓｎ共晶半田を用いて電
気的に接続する。

【００６１】なお、第１の凸部１６ａの表面上に半導体
レーザチップ２８をダイボンディングする際には、半導
体レーザチップ２８の光出射方向がサブマウント１０に
形成された第２の溝２０の方向と平行になるように、半
導体レーザチップ２８の配置方向を調整する。

【００６２】続いて、ワイヤボンディング法により、こ
のサブマウント１０の第１の凸部１６ａの表面上に搭載
された半導体レーザチップ２８の表面電極とワイヤボン
ディング領域としての第２の凸部１６ｂの表面を被覆し
ている第２の導電膜１８ｂとを、第１のＡｕワイヤ３０
によって電気的に接続する。

【００６３】なお、半導体レーザチップ２８の表面電極
と第２の凸部１６ｂ表面の第２の導電膜１８ｂとのワイ
ヤボンディングを行う際には、先ず第２の凸部１６ｂ表
面の第２の導電膜１８ｂ上にファーストボンディングを
行い、その第２の導電膜１８ｂ上にＡｕボールを形成し
た後、半導体レーザチップ２８の表面電極上にセカンド
ボンディングを行う。このようにして、半導体レーザチ
ップ２８の表面電極とサブマウント１０の第２の凸部１
６ｂ表面の第２の導電膜１８ｂとを電気的に接続する第
１のＡｕワイヤ３０のループ高さを低く押さえる。

【００６４】次いで、この実装途中の段階において、即
ちサブマウント１０の第１の凸部１６ａ表面の第１の導
電膜１８ａ上にダイボンディングした半導体レーザチッ
プ２８の表面電極と第２の凸部１６ｂ表面の第２の導電
膜１８ｂとを第１のＡｕワイヤ３０によって電気的に接
続した段階において、半導体レーザチップ２８の動作チ
ェックを行う。

【００６５】次いで、導電性パッケージ部材２２の表面
にロウ付けされている直方体形状の導電性基台部２４の
側面上に、上記図７に示される半導体レーザチップ２８
をダイボンディングしたサブマウント１０を載置し、導
電性接着材や半田材などによって固定する。なお、半導
体レーザチップ２８をダイボンディングしたサブマウン
ト１０を導電性基台部２４の側面上に載置する際には、
半導体レーザチップ２８の光出射方向が導電性パッケー
ジ部材２２の表面に垂直に、即ち導電性基台部２４の表
面に垂直になるように、サブマウント１０の配置方向を
調整する。

【００６６】続いて、ワイヤボンディング法により、第
１の凸部１６ａの前方側の側面をその表面と共に一体的
にを被覆している第１の導電膜１８ａとリードピン２６
の先端面とを、第２のＡｕワイヤ３２によって電気的に
接続する。また、同じくワイヤボンディング法により、
第２の凸部１６ｂの前方側の側面をその表面と共に一体
的にを被覆している第２の導電膜１８ｂと導電性基台部
２４の表面とを、例えば第３のＡｕワイヤ３４によって
電気的に接続する。このようにして、図６に示される半
導体レーザ装置を完成させる。

【００６７】以上のように本実施形態によれば、サブマ
ウント１０の第１の凸部１６ａ表面の第１の導電膜１８
ａ上にダイボンディングされた半導体レーザチップ２８
の表面電極と第２の凸部１６ｂ表面の第２の導電膜１８
ｂとが第１のＡｕワイヤ３０によってワイヤボンディン
グされている構造であることにより、このような半導体
レーザ装置の製造プロセス途中の状態において動作チェ
ックを行うことが可能となるため、半導体レーザ装置の
製造プロセス終了を待たなくとも良品の選別を容易に行
うことができ、無駄なプロセスを無くしてコストを低減
することができる。

【００６８】また、サブマウント１０の第１の凸部１６
ａ表面の第１の導電膜１８ａ上にダイボンディングした
半導体レーザチップ２８の表面電極とサブマウント１０
の第２の凸部１６ｂ表面の第２の導電膜１８ｂとをワイ
ヤボンディングする際に、両者の段差は半導体レーザチ
ップ２８の厚み（例えば１００μｍ程度）となるため、
従来のサブマウント上にダイボンディングした半導体レ
ーザチップの表面電極とサブマウントを載置している基
台側面とをワイヤボンディングする際の段差が半導体レ
ーザチップの厚みとサブマウントの厚み（例えば３００
μｍ程度）と加えたもの（例えば４００μｍ程度）にな
る場合と比較すると、段差が大幅に低減されることにな
るため、ワイヤボンディングが容易になり、製造歩留り
や信頼性を向上させることができる。

【００６９】また、第１の凸部１６ａの前方側の側面を
被覆している第１の導電膜１８ａとリードピン２６の先
端面とを第２のＡｕワイヤ３２によってワイヤボンディ
ングし、第２の凸部１６ｂの前方側の側面を被覆してい
る第２の導電膜１８ｂと導電性基台部２４の表面とを第
３のＡｕワイヤ３４によってワイヤボンディングする際
に、第１及び第２の凸部１６ａ、１６ｂの前方側の側
面、即ちサブマウント１０の前方側の側面からリードピ
ン２６の先端面や導電性基台部２４の表面へのワイヤボ
ンディングは導電性パッケージ部材２２の表面に平行な
状態で行うことが可能になるため、ワイヤボンディング
が容易になり、半導体レーザ実装の自由度を増大させる
ことができる。また、例えば導電性基台部２４の表面上
にホトダイオードがダイボンディングされていれば、半
導体レーザチップ２８及びホトダイオードのワイヤボン
ディングを連続して行うことが可能になり、半導体レー
ザ装置の製造プロセスを簡素化することができる。

【００７０】（第３の実施形態）本実施形態は、請求項
４に係る半導体レーザ装置に対応するものである。ここ
で、図８は上記第１の実施形態の図１のサブマウントを
用いている半導体レーザ装置を示す概略斜視図、図９は
図８の半導体レーザ装置の製造プロセスにおいてサブマ
ウントに半導体レーザチップをダイボンディングした状
態を示す概略斜視図である。なお、上記第２の実施形態
の図６及び図７の半導体レーザ装置と同一の構成要素に
は同一の符号を付して説明を省略する。

【００７１】図８に示されるように、本実施形態に係る
半導体レーザ装置においては、上記第２の実施形態の図
６に示される場合と同様に、ＡｕメッキされたＦｅ等か
らなる円形状の導電性パッケージ部材２２の表面に、Ａ
ｕメッキされたＣｕ等かたなる直方体形状の導電性基台
部２４がロウ付けされていると共に、リードピン２６が
導電性パッケージ部材２２と電気的に絶縁されて設けら
れている。

【００７２】また、導電性基台部２４の側面上には、上
記図１に示されるサブマウント１０が載置され、例えば
導電性接着材や半田材などによって固定されている。こ
のときのサブマウント１０の向きは、上記第２の実施形
態の図６に示される場合と異なり、サブマウント１０に
形成された第２の溝２０の方向が導電性パッケージ部材
２２の表面に平行に、即ち導電性基台部２４の表面に平
行になるように設定されている。

【００７３】そして、このサブマウント１０の第２の凸
部１６ｂにおける第２の溝２０の方向と平行な側面をそ
の表面と共に一体的に被覆する第２の導電膜１８ｂは、
導電性パッケージ部材２２の表面に導電性接着剤や半田
などを介して接合しており、両者は電気的に接続されて
いる。

【００７４】また、このサブマウント１０における半導
体レーザチップ搭載領域としての第１の凸部１６ａの表
面上には、半導体レーザチップ２８がダイボンディング
されており、その半導体レーザチップ２８の裏面電極と
第１の凸部１６ａの表面を被覆している第１の導電膜１
８ａとがＡｕ−Ｓｎ共晶半田を用いて電気的に接続され
ている。このときの半導体レーザチップ２８の向きは、
その光出射方向が導電性パッケージ部材２２の表面に垂
直に、即ち導電性基台部２４の表面に垂直になるように
設定されている。

【００７５】また、このサブマウント１０の第１の凸部
１６ａ表面の第１の導電膜１８ａ上に搭載された半導体
レーザチップ２８の表面電極と第２の凸部１６ｂ表面の
第２の導電膜１８ｂとが、例えば第１のＡｕワイヤ３０
によって電気的に接続されている。また、第１の凸部１
６ａの前方側の側面をその表面と共に一体的にを被覆し
ている第１の導電膜１８ａとリードピン２６の先端面と
が、第２のＡｕワイヤ３２によって電気的に接続されて
いる。但し、上記第２の実施形態の図６に示される場合
と異なり、第２の凸部１６ｂの前方側の側面を被覆して
いる第２の導電膜１８ｂと導電性基台部２４の表面とを
電気的に接続する第３のＡｕワイヤは不要となってい
る。

【００７６】次に、図８に示される半導体レーザ装置の
製造方法を、図８及び図９を用いて説明する。先ず、図
９の工程斜視図に示されるように、上記図１に示される
サブマウント１０の半導体レーザチップ搭載領域として
の第１の凸部１６ａの表面上に、半導体レーザチップ２
８をダイボンディングして、その半導体レーザチップ２
８の裏面電極と第１の凸部１６ａの表面を被覆している
第１の導電膜１８ａとをＡｕ−Ｓｎ共晶半田を用いて電
気的に接続する。

【００７７】なお、第１の凸部１６ａの表面上に半導体
レーザチップ２８をダイボンディングする際には、上記
第２の実施形態の図６に示される場合と異なり、半導体
レーザチップ２８の光出射方向がサブマウント１０に形
成された第２の溝２０の方向と垂直になるように、半導
体レーザチップ２８の配置方向を調整する。

【００７８】続いて、ワイヤボンディング法により、こ
のサブマウント１０の第１の凸部１６ａの表面上に搭載
された半導体レーザチップ２８の表面電極とワイヤボン
ディング領域としての第２の凸部１６ｂの表面を被覆し
ている第２の導電膜１８ｂとを、第１のＡｕワイヤ３０
によって電気的に接続する。

【００７９】なお、上記第２の実施形態の場合と同様、
半導体レーザチップ２８の表面電極と第２の凸部１６ｂ
表面の第２の導電膜１８ｂとのワイヤボンディングを行
う際には、先ず第２の凸部１６ｂ表面の第２の導電膜１
８ｂ上にファーストボンディングを行い、その第２の導
電膜１８ｂ上にＡｕボールを形成した後、半導体レーザ
チップ２８の表面電極上にセカンドボンディングを行
う。このようにして、半導体レーザチップ２８の表面電
極とサブマウント１０の第２の凸部１６ｂ表面の第２の
導電膜１８ｂとを電気的に接続する第１のＡｕワイヤ３
０のループ高さを低く押さえる。

【００８０】次いで、この実装途中の段階において、即
ちサブマウント１０の第１の凸部１６ａ表面の第１の導
電膜１８ａ上にダイボンディングした半導体レーザチッ
プ２８の表面電極と第２の凸部１６ｂ表面の第２の導電
膜１８ｂとを第１のＡｕワイヤ３０によって電気的に接
続した段階において、半導体レーザチップ２８の動作チ
ェックを行う。

【００８１】次いで、導電性パッケージ部材２２の表面
にロウ付けされている直方体形状の導電性基台部２４の
側面上に、上記図７に示される半導体レーザチップ２８
をダイボンディングしたサブマウント１０を載置し、導
電性接着材や半田材などによって固定する。なお、半導
体レーザチップ２８をダイボンディングしたサブマウン
ト１０を導電性基台部２４の側面上に載置する際には、
半導体レーザチップ２８の光出射方向が導電性パッケー
ジ部材２２の表面に垂直に、即ち導電性基台部２４の表
面に垂直になるように、サブマウント１０の配置方向を
調整する。

【００８２】続いて、ワイヤボンディング法により、第
１の凸部１６ａの前方側の側面をその表面と共に一体的
にを被覆している第１の導電膜１８ａとリードピン２６
の先端面とを、第２のＡｕワイヤ３２によって電気的に
接続する。但し、上記第２の実施形態の図６に示される
場合と異なり、第２の凸部１６ｂの前方側の側面を被覆
している第２の導電膜１８ｂと導電性基台部２４の表面
とを第３のＡｕワイヤによって電気的に接続するワイヤ
ボンディング工程は不要である。このようにして、図８
に示される半導体レーザ装置を完成させる。

【００８３】以上のように本実施形態によれば、上記第
２の実施形態に係る半導体レーザ装置と略同様の構造を
なしている共通性から前述した効果と同様の効果を奏す
ることができることに加えて、次のような効果も奏する
ことができる。即ち、第２の凸部１６ｂにおける第２の
溝２０の方向と平行な側面をその表面と共に一体的に被
覆する第２の導電膜１８ｂと導電性パッケージ部材２２
の表面とが導電性接着剤や半田などを介して接合し電気
的に接続されていることにより、上記第２の実施形態に
おける第２の凸部１６ｂの側面を被覆する第２の導電膜
１８ｂと導電性パッケージ部材２２の表面とを電気的に
接続する第３のボンディングワイヤ３４が不要となるた
め、半導体レーザ装置の製造プロセスにおけるワイヤボ
ンディングの本数を低減することができる。また、第２
の凸部１６ｂの側面、即ちサブマウント１０の側面がパ
ッケージ部材２２の表面に直に当接して固定されること
になるため、実装精度を向上することができると共に、
半導体レーザ出射角のアライメントを容易にすることが
できる。

【００８４】（第４の実施形態）本実施形態は、請求項
５〜７に係る半導体レーザ装置に対応するものである。
ここで、図１０は上記第１の実施形態の図１のサブマウ
ントを２つ用いている半導体レーザ装置を示す概略斜視
図である。なお、上記第３の実施形態の図８及び図９の
半導体レーザ装置と同一の構成要素には同一の符号を付
して説明を省略する。

【００８５】図１０に示されるように、本実施形態に係
る半導体レーザ装置においては、ＡｕメッキされたＦｅ
等からなる円形状の導電性パッケージ部材２２の表面
に、複数本、例えば２本のリードピン２６ａ、２６ｂが
電気的に絶縁されて設けられている。但し、上記第３の
実施形態の図８に示される場合と異なり、導電性基台部
は設置されていない。

【００８６】また、上記図１に示されるサブマウント１
０が２つ（以下、「サブマウント１０ａ、１０ｂ」とい
う）、互いに所定の間隔をおいて、それぞれ導電性パッ
ケージ部材２２に直接に取り付けられている。即ち、こ
れら２つのサブマウント１０ａ、１０ｂにおけるそれぞ
れのワイヤボンディング領域としての第２の凸部１６ｂ
の第２の溝２０の方向と平行な側面を被覆している第２
の導電膜１８ｂが、導電性パッケージ部材２２の表面に
導電性接着剤や半田などを介して接合しており、両者は
電気的に接続されている。そして、その際に、これら２
つのサブマウント１０ａ、１０ｂは、それぞれの第１及
び第２の凸部１６ａ、１６ｂの表面が互いに対向するよ
うに配置されている。

【００８７】また、これら２つのサブマウント１０ａ、
１０ｂにおけるそれぞれの半導体レーザチップ搭載領域
としての第１の凸部１６ａの表面上には、互いに波長の
異なる光を出射する半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂ
がそれぞれダイボンディングされており、その半導体レ
ーザチップ２８ａ、２８ｂの裏面電極と第１の凸部１６
ａの表面を被覆している第１の導電膜１８ａとがＡｕ−
Ｓｎ共晶半田を用いて電気的に接続されている。また、
これらの半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂの向きは、
その光出射方向が導電性パッケージ部材２２の表面に垂
直になるように設定されている。

【００８８】ここで、互いに波長の異なる光を出射する
半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂとしては、例えばＤ
ＶＤ再生用に必要な６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの波長の
短い赤色光を出射する半導体レーザチップ２８ａと、Ｃ
Ｄ再生用に必要な７８０ｎｍの波長の近赤外光を出射す
る半導体レーザチップ２８ｂを使用する。

【００８９】また、上記第３の実施形態の図８に示され
る場合と同様に、これら２つのサブマウント１０ａ、１
０ｂのそれぞれの第１の凸部１６ａ表面の第１の導電膜
１８ａ上に搭載された半導体レーザチップ２８ａ、２８
ｂの表面電極と第２の凸部１６ｂの表面を被覆している
第２の導電膜１８ｂとは、それぞれ第１のＡｕワイヤ３
０によって電気的に接続されている。また、２つのサブ
マウント１０ａ、１０ｂのそれぞれの第１の凸部１６ａ
の前方側の側面をその表面と共に一体的にを被覆してい
る第１の導電膜１８ａとリードピン２６ａ、２６ｂの先
端面とも、それぞれ第２のＡｕワイヤ３２によって電気
的に接続されている。

【００９０】次に、図１０に示される半導体レーザ装置
の製造方法を説明する。先ず、上記第３の実施形態の図
９に示される場合と同様に、２つのサブマウント１０
ａ、１０ｂのそれぞれの半導体レーザチップ搭載領域と
しての第１の凸部１６ａの表面上に、ＤＶＤ再生用に必
要な６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの波長の短い赤色光を出
射する半導体レーザチップ２８ａ及びＣＤ再生用にに必
要な７８０ｎｍの波長の近赤外光を出射する半導体レー
ザチップ２８ｂをそれぞれダイボンディングして、これ
ら半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂの裏面電極と第１
の凸部１６ａの表面を被覆している第１の導電膜１８ａ
とをＡｕ−Ｓｎ共晶半田を用いて電気的に接続する。

【００９１】なお、２つのサブマウント１０ａ、１０ｂ
のそれぞれの第１の凸部１６ａの表面上に半導体レーザ
チップ２８ａ、２８ｂをダイボンディングする際には、
半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂの光出射方向がサブ
マウント１０ａ、１０ｂに形成された第２の溝２０の方
向と垂直になるように、半導体レーザチップ２８ａ、２
８ｂの配置方向を調整する。

【００９２】続いて、ワイヤボンディング法により、こ
れら２つのサブマウント１０ａ、１０ｂの第１の凸部１
６ａの表面上に搭載された半導体レーザチップ２８ａ、
２８ｂの表面電極とワイヤボンディング領域としての第
２の凸部１６ｂの表面を被覆している第２の導電膜１８
ｂとを、第１のＡｕワイヤ３０によって電気的に接続す
る。

【００９３】なお、上記第３の実施形態の場合と同様
に、半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂの表面電極と第
２の凸部１６ｂ表面の第２の導電膜１８ｂとのワイヤボ
ンディングを行う際には、先ず第２の凸部１６ｂ表面の
第２の導電膜１８ｂ上にファーストボンディングを行
い、その第２の導電膜１８ｂ上にＡｕボールを形成した
後、半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂの表面電極上に
セカンドボンディングを行う。

【００９４】このようにして、半導体レーザチップ２８
ａ、２８ｂの表面電極とサブマウント１０ａ、１０ｂの
第２の凸部１６ｂ表面の第２の導電膜１８ｂとを電気的
に接続する第１のＡｕワイヤ３０のループ高さを低く押
さえる。例えば１００μｍ厚の半導体レーザチップ２８
ａ、２８ｂの場合、第１のＡｕワイヤ３０として直径２
５μｍφのＡｕワイヤを使用すると、第１のＡｕワイヤ
３０のループ高さは半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂ
表面から５０μｍ以内に押さえることが可能であった。

【００９５】次いで、この実装途中の段階において、即
ち２つのサブマウント１０ａ、１０ｂのそれぞれの第１
の凸部１６ａ表面の第１の導電膜１８ａ上にダイボンデ
ィングした半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂの表面電
極とサブマウント１０ａ、１０ｂのそれぞれの第２の凸
部１６ｂ表面の第２の導電膜１８ｂとをそれぞれ第１の
Ａｕワイヤ３０によって電気的に接続した段階におい
て、半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂの動作チェック
を行う。

【００９６】次いで、導電性パッケージ部材２２の表面
に、半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂをそれぞれダイ
ボンディングしたサブマウント１０ａ、１０ｂを互いに
所定の間隔をおいて取り付ける。具体的には、２つのサ
ブマウント１０ａ、１０ｂにおけるそれぞれの第２の凸
部１６ｂの第２の溝２０の方向と平行な側面を被覆して
いる第２の導電膜１８ｂを、導電性パッケージ部材２２
の表面に導電性接着剤や半田などを介して接合し、固定
する。こうして、両者を電気的に接続する。

【００９７】なお、この際に、２つのサブマウント１０
ａ、１０ｂのそれぞれの第１の凸部１６ａの表面上にダ
イボンディングした半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂ
の表面電極が互いに対向するように配置する。そして、
半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂの光出射方向が導電
性パッケージ部材２２の表面に垂直になるように、２つ
のサブマウント１０ａ、１０ｂの配置方向を調整する。

【００９８】また、このとき、半導体レーザチップ２８
ａ、２８ｂの表面電極とサブマウント１０ａ、１０ｂの
第２の凸部１６ｂ表面の第２の導電膜１８ｂとを電気的
に接続する第１のＡｕワイヤ３０のループ高さは半導体
レーザチップ２８ａ、２８ｂ表面から５０μｍ以内に押
さえられているため、互いに対向する半導体レーザチッ
プ２８ａ、２８ｂの発光点間の間隔を２５０μｍ以内に
接近させることが容易に可能である。

【００９９】続いて、ワイヤボンディング法により、２
つのサブマウント１０ａ、１０ｂのそれぞれの第１の凸
部１６ａの前方側の側面をその表面と共に一体的にを被
覆している第１の導電膜１８ａとリードピン２６ａ、２
６ｂの先端面とを、それぞれの第２のＡｕワイヤ３２に
よってそれぞれ電気的に接続する。このようにして、図
１０に示される半導体レーザ装置を完成させる。

【０１００】以上のように本実施形態によれば、上記第
３の実施形態に係る半導体レーザ装置と略同様の構造を
なしている共通性から前述した効果と同様の効果を奏す
ることができることに加えて、次のような効果も奏する
ことができる。即ち、第１及び第２のサブマウント１０
ａ、１０ｂの第２の凸部１６ｂ側面の第２の導電膜１８
ｂが導電性パッケージ部材２２表面に当接され、これら
第１及び第２のサブマウント１０ａ、１０ｂのそれぞれ
の第２の凸部１６ｂの表面と共にその側面を被覆する第
２の導電膜１８ｂが導電性パッケージ部材２２表面に接
合して電気的に接続されている構造であることにより、
これら２つの半導体レーザチップ１０ａ、１０ｂを近接
して実装することが可能になるため、精度の高い高密度
実装を実現することができる。そして、このように２つ
の半導体レーザチップの間隔が接近し、その発光点間隔
が狭くなると、例えば半導体レーザ装置の光学系を一つ
にすることが可能になり、小型で低コストのプレーヤを
実現することができる。

【０１０１】しかも、半導体レーザチップ２８ａ、２８
ｂの表面電極と第２の凸部１６ｂ表面の第２の導電膜１
８ｂとのワイヤボンディングを行う際には、先ず第２の
凸部１６ｂ表面の第２の導電膜１８ｂ上にファーストボ
ンディングを行い、その第２の導電膜１８ｂ上にＡｕボ
ールを形成した後、半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂ
の表面電極上にセカンドボンディングを行うことによ
り、このボンディングワイヤのループ高さが低く押さえ
られるため、半導体レーザチップ２８ａ、２８ｂを更に
近接して実装することが可能になり、更なる高密度実装
化を達成することができる。従って、半導体レーザ装置
の光学設計の負担を低減し、かつジッターの低減が可能
になり、高性能な光ピックアップを実現することができ
る。

【０１０２】また、２つのサブマウント１０ａ、１０ｂ
にそれぞれ搭載する互いに波長の異なる光を出射する半
導体レーザチップ２８ａ、２８ｂとして、ＤＶＤ再生用
に必要な６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの波長の短い赤色光
を出射する半導体レーザチップ２８ａ及びＣＤ再生用に
必要な７８０ｎｍの波長の近赤外光を出射する半導体レ
ーザチップ２８ｂを使用することにより、ＣＤ／ＤＶＤ
再生可能な光ピックアップを実現することができる。

【０１０３】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
るサブマウント及びその製造方法並びに半導体レーザ装
置によれば、以下のような効果を奏することができる。
即ち、請求項１に係るサブマウントによれば、サブマウ
ントの表面部側における半導体レーザチップ搭載領域と
しての第１の凸部の表面及び側面（溝の内壁部を除く）
が第１の導電膜によって一体的に被覆され、この第１の
凸部と溝によって分離されているワイヤボンディング領
域としての第２の凸部の表面及び側面（溝の内壁部を除
く）が第２の導電膜によって一体的に被覆されているこ
とにより、これら第１及び第２の凸部の側面、即ちサブ
マウントの側面にワイヤボンディングしたり、サブマウ
ントの側面を導電性のパッケージ部材に直接に接合した
りすることが容易に可能になるため、実装の自由度を増
大させ、高密度実装が実現することができる。

【０１０４】また、このようなサブマウンを使用して例
えば半導体レーザチップを実装した半導体レーザ装置を
作製する場合、その製造プロセスにおいて、サブマウン
トの第１の凸部の表面上に半導体レーザチップを搭載し
て第１の凸部の表面を被覆する第１の導電膜に半導体レ
ーザチップの裏面電極を電気的に接続させ、半導体レー
ザチップの表面電極とサブマウントの第２の凸部の表面
を被覆する第２の導電膜とワイヤボンディングした時点
で動作チェックを行うことが可能となるため、半導体レ
ーザ装置の製造プロセス終了を待たなくとも良品の選別
を行うことができるという利点がある。従って、無駄な
プロセスを無くしてコストを低減することができる。

【０１０５】また、サブマウントの第１の凸部の表面上
に搭載した半導体レーザチップの表面電極とサブマウン
トの第２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜とをワイ
ヤボンディングする際に、両者の段差は半導体レーザチ
ップの厚みとなるため、従来のサブマウント上に搭載し
た半導体レーザチップの表面電極とサブマウントを載置
している基台側面とをワイヤボンディングする際の段差
が半導体レーザチップの厚みとサブマウントの厚みと加
えたものになる場合と比較すると、段差が大幅に低減さ
れることになるため、ワイヤボンディングが容易になる
という利点もある。従って、製造歩留りや信頼性を向上
させることができる。

【０１０６】また、請求項２に係るサブマウントの製造
方法によれば、板状の絶縁性部材の表面に互いに直交す
る方向にそれぞれ複数本の第１の溝を形成して、これら
第１の溝によって囲まれた直方体状の凸部を形成した
後、基体全面に導電膜と形成して、凸部の表面及び側面
を導電膜によって一体的に被覆することにより、容易に
サブマウントの表面部側の凸部の側面をその表面と一体
的にメタライズすると共に、この凸部の表面に第２の溝
を形成して、半導体レーザチップ搭載領域としての第１
の凸部とワイヤボンディング領域としての第２の凸部と
に分離し、更に第１の凸部の表面及び側面（第２の溝の
内壁部を除く）を一体的に被覆する第１の導電膜と第２
の凸部の表面及び側面（第２の溝の内壁部を除く）を一
体的に被覆する第２の導電膜とに分離することにより、
サブマウントの側面にワイヤボンディングしたり、サブ
マウントの側面を導電性のパッケージ部材に直接に接合
したりするのに必要な第１及び第２の凸部の側面を選択
的にメタライズするため、複雑なプロセスを用いること
なく、サブマウントの表面部側の必要な側面のメタライ
ズ及びパターニングが可能になり、上記請求光１に係る
サブマウント、即ち実装の自由度を増大し、高密度実装
を実現することが可能なサブマウントを容易に作製する
ことができる。

【０１０７】また、請求項３に係る半導体レーザ装置に
よれば、サブマウントの第１の凸部の表面上に搭載され
ている半導体レーザチップの表面電極とサブマウントの
第２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜とが第１のボ
ンディングワイヤによって電気的に接続されている構造
であることにより、この状態において、即ち半導体レー
ザ装置の製造プロセス途中において、動作チェックを行
うことが可能となるため、半導体レーザ装置の製造プロ
セス終了を待たなくとも良品の選別を容易に行うことが
できる。従って、無駄なプロセスを無くしてコストを低
減することができる。

【０１０８】また、サブマウントの第１の凸部の表面上
に搭載した半導体レーザチップの表面電極とサブマウン
トの第２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜とをワイ
ヤボンディングする際に、両者の段差は半導体レーザチ
ップの厚みとなり、従来のサブマウント上に搭載した半
導体レーザチップの表面電極とサブマウントを載置して
いる基台側面とをワイヤボンディングする際の段差が半
導体レーザチップの厚みとサブマウントの厚みと加えた
ものになる場合と比較すると、段差が大幅に低減される
ことになるため、ワイヤボンディングが容易になり、製
造歩留りや信頼性を向上させることができる。

【０１０９】また、第１の凸部の側面をその表面と共に
一体的に被覆する第１の導電膜とリードピンとが第２の
ボンディングワイヤによって電気的に接続され、第２の
凸部の側面をその表面と共に一体的に被覆する第２の導
電膜と基台部とが第３のボンディングワイヤによって電
気的に接続されている構造であることにより、第１及び
第２の凸部の側面、即ちサブマウントの側面からリード
ピンの端面や基台部の表面へのワイヤボンディングはパ
ッケージ部材の表面に平行な状態で行うことが可能にな
るため、ワイヤボンディングが容易になり、半導体レー
ザ実装の自由度を増大させることができる。また、例え
ば基台部の表面上にホトダイオードが搭載されていれ
ば、半導体レーザチップ及びホトダイオードのワイヤボ
ンディングを連続して行うことが可能になり、半導体レ
ーザ装置の製造プロセスを簡素化することができる。

【０１１０】また、請求項４に係る半導体レーザ装置に
よれば、上記請求項３に係る半導体レーザ装置と略同様
の構造をなしているため、その共通性から前述した効果
と同様の効果を奏することができる。更に、そのような
共通の作用に加えて、第２の凸部の側面をその表面と共
に一体的に被覆する第１の導電膜とパッケージ部材の表
面とが接合して電気的に接続されていることにより、上
記請求項３の場合における第２の凸部の側面をその表面
と共に一体的に被覆する第２の導電膜と基台部とを電気
的に接続する第３のボンディングワイヤが不要となるた
め、半導体レーザ装置の製造プロセスにおけるワイヤボ
ンディングの本数を低減することができる。また、第２
の凸部の側面、即ちサブマウントの側面がパッケージ部
材の表面に直に当接して固定されることになるため、実
装精度を向上することができると共に、半導体レーザ出
射角のアライメントを容易にすることができる。

【０１１１】また、請求項５に係る半導体レーザ装置に
よれば、上記請求項４に係る半導体レーザ装置の構造と
共通する構造をなしているため、その共通性から前述し
た効果と同様の効果を奏することができる。更に、その
ような共通の作用に加えて、第１及び第２のサブマウン
トが互いの第１及び第２の凸部の表面を互いに対向させ
つつ所定の間隔をおいてパッケージ部材の表面に当接さ
れ、第２の凸部の表面と共にその側面を被覆する第２の
導電膜がパッケージ部材の表面に接合して電気的に接続
されている構造であることにより、これら第１及び第２
の半導体レーザチップを近接して実装することが可能に
なるため、精度の高い高密度実装を実現することができ
る。そして、このように第１及び第２の半導体レーザチ
ップの間隔が接近し、その発光点間隔が狭くなると、例
えばＤＶＤ装置などの光学系を一つにすることが可能に
なり、小型で低コストのＤＶＤプレーヤを実現すること
ができる。

【０１１２】また、請求項６に係る半導体レーザ装置に
よれば、上記請求項５に係る半導体レーザ装置におい
て、第１及び第２のサブマウントのそれぞれの第２の凸
部の表面を被覆する第２の導電膜にＡｕボールを形成す
るファーストボンディングが行われ、第１及び第２の半
導体レーザチップのそれぞれの表面電極にセカンドボン
ディングが行われていることにより、このボンディング
ワイヤのループ高さが低く押さえられるため、第１及び
第２の半導体レーザチップを更に近接して実装すること
が可能になり、更なる高密度実装化を達成することがで
きる。従って、例えばＤＶＤ装置等の光学設計の負担を
低減し、かつジッターの低減が可能になり、高性能な光
ピックアップを実現することができる。

【０１１３】また、請求項７に係る半導体レーザ装置に
よれば、上記請求項５又は６に係る半導体レーザ装置に
おいて、第１及び第２の半導体レーザチップとして、互
いに波長の異なる光を出射する半導体レーザチップを使
用することにより、例えば一方をＤＶＤ再生用に必要な
赤色光を出射する半導体レーザチップとし、他方をＣＤ
再生用に必要な近赤外光を出射する半導体レーザチップ
することが可能になるため、ＣＤ／ＤＶＤ再生可能な光
ピックアップを実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るサブマウントを
示す概略斜視図である。

【図２】図１のサブマウントの製造方法を説明するため
の工程図（その１）であって、（ａ）は工程斜視図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】図１のサブマウントの製造方法を説明するため
の工程図（その２）である。

【図４】図１のサブマウントの製造方法を説明するため
の工程図（その３）である。

【図５】図１のサブマウントの製造方法を説明するため
の工程図（その４）である。

【図６】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装
置であって、図１のサブマウントを用いている半導体レ
ーザ装置を示す概略斜視図である。

【図７】図６の半導体レーザ装置の製造プロセスにおい
てサブマウントに半導体レーザチップをダイボンディン
グした状態を示す概略斜視図である。

【図８】本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装
置であって、図１のサブマウントを用いている半導体レ
ーザ装置を示す概略斜視図である。

【図９】図８の半導体レーザ装置の製造プロセスにおい
てサブマウントに半導体レーザチップをダイボンディン
グした状態を示す概略斜視図である。

【図１０】本発明の第４の実施形態に係る半導体レーザ
装置であって、図１のサブマウントを２つ用いている半
導体レーザ装置を示す概略斜視図である。

【図１１】従来の半導体レーザ装置を示す概略斜視図
（その１）である。

【図１２】従来の半導体レーザ装置を示す概略斜視図
（その２）である。

【符号の説明】

１０、１０ａ、１０ｂ サブマウント １２ 絶縁性ヒートシンク基板 １４ａ、１４ｂ 第１の溝 １６ 直方体状の凸部 １６ａ 半導体レーザチップ搭載領域としての第１の凸
部 １６ｂ ワイヤボンディング領域としての第２の凸部 １８ 導電膜 １８ａ 第１の導電膜 １８ｂ 第２の導電膜 ２０ 第２の溝 ２２ 導電性パッケージ部材 ２４ 導電性基台部 ２６、２６ａ、２６ｂ リードピン ２８、２８ａ、２８ｂ 半導体レーザチップ ３０ 第１のＡｕワイヤ ３２ 第２のＡｕワイヤ ３４ 第３のＡｕワイヤ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 直方体状の絶縁性部材と、 前記絶縁性部材の表面に形成された溝によって分離され
   ている半導体レーザチップ搭載領域としての第１の凸部
   及びワイヤボンディング領域としての第２の凸部と、 前記第１の凸部の表面及び側面（前記溝の内壁部を除
   く）を一体的に被覆する第１の導電膜と、 前記第２の凸部の表面及び側面（前記溝の内壁部を除
   く）を一体的に被覆する第２の導電膜と、 を有することを特徴とするサブマウント。
2. 【請求項２】 板状の絶縁性部材の表面に、互いに直交
   する方向にそれぞれ複数本の第１の溝を形成して、前記
   第１の溝によって囲まれた直方体状の凸部を形成する工
   程と、 基体全面に導電膜と形成して、前記凸部の表面及び側面
   を前記導電膜によって一体的に被覆する工程と、 前記凸部の表面に前記第１の溝よりも深い第２の溝を形
   成して、前記凸部を、半導体レーザチップ搭載領域とし
   ての第１の凸部とワイヤボンディング領域としての第２
   の凸部とに分離すると共に、前記凸部の表面及び側面を
   一体的に被覆する前記導電膜を、前記第１の凸部の表面
   及び側面（前記第２の溝の内壁部を除く）を一体的に被
   覆する第１の導電膜と前記第２の凸部の表面及び側面
   （前記第２の溝の内壁部を除く）を一体的に被覆する第
   ２の導電膜とに分離する工程と、 前記第１の溝部の前記導電膜及び前記絶縁性部材を切断
   して、前記第１及び第２の凸部が表面に形成され、前記
   第１及び第２の凸部の表面及び側面（前記第２の溝の内
   壁部を除く）がそれぞれ前記第１及び第２の導電膜によ
   って一体的に被覆されている略直方体状のサブマウント
   を切り出す工程と、 を有することを特徴とするサブマウントの製造方法。
3. 【請求項３】 導電性のパッケージ部材と、 前記パッケージ部材の表面に設けられている導電性の基
   台部と、 前記パッケージ部材に電気的に絶縁して設けられている
   リードピンと、 前記基台の側面上に載置されている請求項１記載のサブ
   マウントと、 前記サブマウントの前記第１の凸部の表面上に搭載さ
   れ、前記第１の凸部の表面を被覆する前記第１の導電膜
   に裏面電極が電気的に接続されている半導体レーザチッ
   プと、を有し、 前記半導体レーザチップの表面電極と前記サブマウント
   の前記第２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜とが、
   第１のボンディングワイヤによって電気的に接続され、 前記第１の凸部の側面をその表面と共に一体的に被覆す
   る前記第１の導電膜と前記リードピンとが、第２のボン
   ディングワイヤによって電気的に接続され、 前記第２の凸部の側面をその表面と共に一体的に被覆す
   る前記第２の導電膜と前記基台部とが、第３のボンディ
   ングワイヤによって電気的に接続されていることを特徴
   とする半導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 導電性のパッケージ部材と、 前記パッケージ部材の表面に設けられている導電性の基
   台部と、 前記パッケージ部材に電気的に絶縁して設けられている
   リードピンと、 前記基台側面上に載置されている請求項１記載のサブマ
   ウントと、 前記サブマウントの前記第１の凸部の表面上に搭載さ
   れ、前記第１の凸部の表面を被覆する前記第１の導電膜
   に裏面電極が電気的に接続されている半導体レーザチッ
   プと、を有し、 前記半導体レーザチップの表面電極と前記サブマウント
   の前記第２の凸部の表面を被覆する前記第２の導電膜と
   が、第１のボンディングワイヤによって電気的に接続さ
   れ、 前記第１の凸部の側面をその表面と共に一体的に被覆す
   る前記第１の導電膜と前記リードピンとが、第２のボン
   ディングワイヤによって電気的に接続され、 前記第２の凸部の側面をその表面と共に一体的に被覆す
   る第１の導電膜と前記パッケージ部材の表面とが、接合
   して電気的に接続されていることを特徴とする半導体レ
   ーザ装置。
5. 【請求項５】 導電性のパッケージ部材と、 前記パッケージ部材に電気的に絶縁して設けられている
   第１及び第２のリードピンと、 前記パッケージ部材の表面に、前記第１及び第２の凸部
   の表面を互いに対向させつつ所定の間隔をおいて当接さ
   れている２つの請求項１記載のサブマウント（以下、
   「第１及び第２のサブマウント」という）と、 前記第１及び第２のサブマウントのそれぞれの前記第１
   の凸部の表面上に、互いの表面電極を対向させつつ搭載
   され、それぞれの前記第１の凸部の表面を被覆する第１
   の導電膜にそれぞれの裏面電極が電気的に接続されてい
   る第１及び第２の半導体レーザチップと、を有し、 前記第１及び第２の半導体レーザチップのそれぞれの表
   面電極と前記第１及び第２のサブマウントのそれぞれの
   前記第２の凸部の表面を被覆する第２の導電膜とが、そ
   れぞれ第１のボンディングワイヤによって電気的に接続
   され、 前記第１及び第２のサブマウントのそれぞれの前記第１
   の凸部の側面をその表面と共に一体的に被覆する第１の
   導電膜と前記第１及び第２のリードピンの端面とが、そ
   れぞれ第２のボンディングワイヤによって電気的に接続
   され、 前記第１及び第２の半導体レーザチップのそれぞれの前
   記第２の凸部の側面をその表面と共に一体的に被覆する
   第１の導電膜と前記パッケージ部材の表面とが、それぞ
   れ接合して電気的に接続されていることを特徴とする半
   導体レーザ装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体レーザ装置におい
   て、 前記第１のボンディングワイヤが、金ワイヤからなり、 前記第１及び第２のサブマウントのそれぞれの前記第２
   の凸部の表面を被覆する前記第２の導電膜に、金ボール
   を形成するファーストボンディングを行い、前記第１及
   び第２の半導体レーザチップのそれぞれの表面電極に、
   セカンドボンディングを行ったものであることを特徴と
   する半導体レーザ装置。
7. 【請求項７】 請求項５又は６に記載の半導体レーザ装
   置において、 前記第１及び第２の半導体レーザチップが、互いに波長
   の異なる光を出射する半導体レーザチップであることを
   特徴とする半導体レーザ装置。