JP3419930B2 - 半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置 - Google Patents
半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、発光点を近接させた
多点発光のレーザダイオード（以下ＬＤという）におい
て熱変形による発光点間隔の変化を少なくした構成を有
する半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた
光ディスク装置に係るものである。
多点発光のレーザダイオード（以下ＬＤという）におい
て熱変形による発光点間隔の変化を少なくした構成を有
する半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた
光ディスク装置に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置の高性能化を実現するた
めの一つの方法として、ディスク上のトラックに形成さ
れた記録ピットの信号処理を、複数のトラックで同時に
並列処理し、処理速度を高めることが検討されている。
このために一つのＬＤチップに分離溝で分離され、独立
に駆動される多点の発光点を備えたＬＤチップの開発が
進められている。また、記録した後すぐにその信号を再
生し、例えば記録後ただちにエラーチェックを行なう方
式を実現するためには、記録用レーザダイオードと再生
用レーザダイオードとが２点並列して配列され、独立に
制御される２点アレイが必要となる。
めの一つの方法として、ディスク上のトラックに形成さ
れた記録ピットの信号処理を、複数のトラックで同時に
並列処理し、処理速度を高めることが検討されている。
このために一つのＬＤチップに分離溝で分離され、独立
に駆動される多点の発光点を備えたＬＤチップの開発が
進められている。また、記録した後すぐにその信号を再
生し、例えば記録後ただちにエラーチェックを行なう方
式を実現するためには、記録用レーザダイオードと再生
用レーザダイオードとが２点並列して配列され、独立に
制御される２点アレイが必要となる。
【０００３】従来から同一半導体基板上に５０〜１００
μｍ間隔で多点の発光点を備えたＬＤチップのリニアア
レイが報告されている。しかしこの方式は、ＬＤで発生
したジュール熱が、半導体基板を介して隣接するＬＤに
伝導され、この熱のために光の出力が低下する、いわゆ
る熱的クロストークをもたらすという問題点があった。
この問題点の解決策として、例えば第３５回応用物理学
関係連合講演会（１９８８年春）講演予稿集第８９８頁
３０ｐ−ＺＱ−３ ”近接２ビーム・ハイブリッド型
レーザアレイ”に記載されたものがある。この近接２ビ
ームレーザアレイは、熱的クロストークを防止するため
に、単一の発光点を持つＬＤチップを２個別々の冷却体
に取り付けて、発光点を近接して並列配置させたもので
ある。
μｍ間隔で多点の発光点を備えたＬＤチップのリニアア
レイが報告されている。しかしこの方式は、ＬＤで発生
したジュール熱が、半導体基板を介して隣接するＬＤに
伝導され、この熱のために光の出力が低下する、いわゆ
る熱的クロストークをもたらすという問題点があった。
この問題点の解決策として、例えば第３５回応用物理学
関係連合講演会（１９８８年春）講演予稿集第８９８頁
３０ｐ−ＺＱ−３ ”近接２ビーム・ハイブリッド型
レーザアレイ”に記載されたものがある。この近接２ビ
ームレーザアレイは、熱的クロストークを防止するため
に、単一の発光点を持つＬＤチップを２個別々の冷却体
に取り付けて、発光点を近接して並列配置させたもので
ある。
【０００４】図１３はこの従来の近接２ビームレーザア
レイの斜視図である。図１３において、１はステム、２
は記録用の高出力ＬＤ用ブロック、３は高出力ＬＤ用サ
ブマウント、４は高出力ＬＤチップ、５は高出力ＬＤ用
給電ワイヤ、６は高出力ＬＤの発光点、７は再生用の低
雑音ＬＤ用ブロック、８は低雑音ＬＤ用サブマウント、
９は低雑音ＬＤチップ、１０は低雑音ＬＤ用給電ワイ
ヤ、１１は低雑音ＬＤの発光点、１２はリードである。
レイの斜視図である。図１３において、１はステム、２
は記録用の高出力ＬＤ用ブロック、３は高出力ＬＤ用サ
ブマウント、４は高出力ＬＤチップ、５は高出力ＬＤ用
給電ワイヤ、６は高出力ＬＤの発光点、７は再生用の低
雑音ＬＤ用ブロック、８は低雑音ＬＤ用サブマウント、
９は低雑音ＬＤチップ、１０は低雑音ＬＤ用給電ワイ
ヤ、１１は低雑音ＬＤの発光点、１２はリードである。
【０００５】このように構成された近接２ビームレーザ
アレイは、高出力ＬＤチップ４と低雑音ＬＤチップ９
は、それぞれ別の高出力ＬＤ用サブマウント３及び低雑
音ＬＤ用サブマウント８を介して高出力ＬＤ用ブロック
２及び低雑音ＬＤ用ブロック７に取り付けられており、
これら高出力ＬＤ用ブロック２及び低雑音ＬＤ用ブロッ
ク７によって、単一ＬＤの高出力ＬＤの発光点６と低雑
音ＬＤの発光点１１が約２０μｍ程度の間隔を設けて向
い合うように、ステム１に取り付けられている。従っ
て、高出力ＬＤの発光点６と低雑音ＬＤの発光点１１が
空間的に分離されているため、熱干渉が起こり難いとい
う利点がある。
アレイは、高出力ＬＤチップ４と低雑音ＬＤチップ９
は、それぞれ別の高出力ＬＤ用サブマウント３及び低雑
音ＬＤ用サブマウント８を介して高出力ＬＤ用ブロック
２及び低雑音ＬＤ用ブロック７に取り付けられており、
これら高出力ＬＤ用ブロック２及び低雑音ＬＤ用ブロッ
ク７によって、単一ＬＤの高出力ＬＤの発光点６と低雑
音ＬＤの発光点１１が約２０μｍ程度の間隔を設けて向
い合うように、ステム１に取り付けられている。従っ
て、高出力ＬＤの発光点６と低雑音ＬＤの発光点１１が
空間的に分離されているため、熱干渉が起こり難いとい
う利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
様に構成された近接２ビームレーザアレイにおいては、
このＬＤアレイの用いられる環境の温度変化が小さい場
合はこの構成で十分であると考えられるが、環境の温度
変化が大きくなった場合、ステム１や高出力ＬＤ用ブロ
ック２及び低雑音ＬＤ用ブロック７が熱変形を起こし、
高出力ＬＤの発光点６と低雑音ＬＤの発光点１１との間
隔が変化する。例えばこのＬＤアレイを光ディスク装置
に適用した場合、２つの発光点の点間隔が伸縮すること
になり、光ディスク装置内の光学系とのずれ調整は、こ
のＬＤアレイが取り付けられた半導体レーザの平行移動
による位置調整では、十分に対応することができず、良
好な記録・再生が実施できなくなる可能性があるという
問題点があった。
様に構成された近接２ビームレーザアレイにおいては、
このＬＤアレイの用いられる環境の温度変化が小さい場
合はこの構成で十分であると考えられるが、環境の温度
変化が大きくなった場合、ステム１や高出力ＬＤ用ブロ
ック２及び低雑音ＬＤ用ブロック７が熱変形を起こし、
高出力ＬＤの発光点６と低雑音ＬＤの発光点１１との間
隔が変化する。例えばこのＬＤアレイを光ディスク装置
に適用した場合、２つの発光点の点間隔が伸縮すること
になり、光ディスク装置内の光学系とのずれ調整は、こ
のＬＤアレイが取り付けられた半導体レーザの平行移動
による位置調整では、十分に対応することができず、良
好な記録・再生が実施できなくなる可能性があるという
問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、環境の温度変化による発光点間隔
の変動が少ない半導体レーザ装置及びこの半導体レーザ
装置を使用することにより環境の温度変化を大きく受け
たとしても良好な記録・再生ができる光ディスク装置の
提供を目的としている。
めになされたもので、環境の温度変化による発光点間隔
の変動が少ない半導体レーザ装置及びこの半導体レーザ
装置を使用することにより環境の温度変化を大きく受け
たとしても良好な記録・再生ができる光ディスク装置の
提供を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
レーザ装置は、冷却体となる基台上に配設された熱緩衝
板と、光の放射方向に並行し互いに対向する第１および
第２の主面とこの第１の主面に近接した第１の発光点と
を有し、第２の主面を介して熱緩衝板の表面上に配設さ
れた第１の半導体レーザチップと、この第１の半導体レ
ーザチップの第１の主面上に、第１の発光点から間隔を
設けてこの第１の発光点を挟むように配設された良熱伝
導体と、光の放射方向に並行し互いに対向する第３の主
面および第４の主面とこの第３の主面に近接した第２の
発光点とを有し、光の放射方向が第１の半導体レーザチ
ップの光の放射方向と互いに並行になるように第３の主
面を介して良熱伝導体上に配設されるとともに第２の発
光点を第１の発光点に対向して近接させた第２の半導体
レーザチップと、を備えたものである。
レーザ装置は、冷却体となる基台上に配設された熱緩衝
板と、光の放射方向に並行し互いに対向する第１および
第２の主面とこの第１の主面に近接した第１の発光点と
を有し、第２の主面を介して熱緩衝板の表面上に配設さ
れた第１の半導体レーザチップと、この第１の半導体レ
ーザチップの第１の主面上に、第１の発光点から間隔を
設けてこの第１の発光点を挟むように配設された良熱伝
導体と、光の放射方向に並行し互いに対向する第３の主
面および第４の主面とこの第３の主面に近接した第２の
発光点とを有し、光の放射方向が第１の半導体レーザチ
ップの光の放射方向と互いに並行になるように第３の主
面を介して良熱伝導体上に配設されるとともに第２の発
光点を第１の発光点に対向して近接させた第２の半導体
レーザチップと、を備えたものである。
【０００９】第２の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１の半導体レーザチップの第１の主面および第２の半導
体レーザチップの第３の主面それぞれに配設された第１
の主電極が、導電体で形成された良熱伝導体を介して配
設されているものである。第３の発明に係る半導体レー
ザ装置は、第１の半導体レーザチップの第１の主面及び
第２の半導体レーザチップの第３の主面それぞれもしく
はいずれか一方の発光点近傍に段部を有し、この段部を
介する第１の半導体レーザチップの第１の主面と第２の
半導体レーザチップの第３の主面との距離が良熱伝導体
の高さと相異なるようにしたものである。
１の半導体レーザチップの第１の主面および第２の半導
体レーザチップの第３の主面それぞれに配設された第１
の主電極が、導電体で形成された良熱伝導体を介して配
設されているものである。第３の発明に係る半導体レー
ザ装置は、第１の半導体レーザチップの第１の主面及び
第２の半導体レーザチップの第３の主面それぞれもしく
はいずれか一方の発光点近傍に段部を有し、この段部を
介する第１の半導体レーザチップの第１の主面と第２の
半導体レーザチップの第３の主面との距離が良熱伝導体
の高さと相異なるようにしたものである。
【００１０】第４の発明に係る半導体レーザ装置は、段
部を介する第１の主面と第３の主面との距離が良熱伝導
体の高さよりも小さくなるようにしたものである。第５
の発明に係る半導体レーザ装置は、段部を介する第１の
主面と第３の主面との距離が良熱伝導体の高さよりも大
きくなるようにしたものである。第６の発明に係る半導
体レーザ装置は、第１の半導体レーザチップの第１の主
面の一部と第２の半導体レーザチップの第３の主面の一
部にそれぞれが互いにはめ合わされる段部を有し、この
段部が第１の発光点と第２の発光点とを互いに対向させ
るための位置決め手段となるように第１の発光点と第２
の発光点とが配設されたものである。
部を介する第１の主面と第３の主面との距離が良熱伝導
体の高さよりも小さくなるようにしたものである。第５
の発明に係る半導体レーザ装置は、段部を介する第１の
主面と第３の主面との距離が良熱伝導体の高さよりも大
きくなるようにしたものである。第６の発明に係る半導
体レーザ装置は、第１の半導体レーザチップの第１の主
面の一部と第２の半導体レーザチップの第３の主面の一
部にそれぞれが互いにはめ合わされる段部を有し、この
段部が第１の発光点と第２の発光点とを互いに対向させ
るための位置決め手段となるように第１の発光点と第２
の発光点とが配設されたものである。
【００１１】第７の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１及び第２の半導体レーザチップの段部を、互いにはめ
合わされる凹部もしくは凸部とし、この凹部及び凸部に
それぞれの半導体レーザチップの発光点が配設されると
ともに凸部を有する側の半導体レーザチップの凸部の側
面と第１もしくは第３の主面の凸部以外の部分とに絶縁
層を配設し、凸部の第１もしくは第３の主面上及び絶縁
層上に第１の主電極を配設しこの絶縁層上の第１の主電
極上に良熱伝導体を配設したものである。
１及び第２の半導体レーザチップの段部を、互いにはめ
合わされる凹部もしくは凸部とし、この凹部及び凸部に
それぞれの半導体レーザチップの発光点が配設されると
ともに凸部を有する側の半導体レーザチップの凸部の側
面と第１もしくは第３の主面の凸部以外の部分とに絶縁
層を配設し、凸部の第１もしくは第３の主面上及び絶縁
層上に第１の主電極を配設しこの絶縁層上の第１の主電
極上に良熱伝導体を配設したものである。
【００１２】第８の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１の主面及び第３の主面に沿って第１の発光点及び第２
の発光点がそれぞれ電気的隔離手段を介して複数個配設
されるとともにそれぞれの発光点に対応する第１の主面
もしくは第３の主面それぞれに第１の主電極を個別に設
けたものである。第９の発明に係る光ディスク装置は、
これらの半導体レーザ装置を備えたものである。
１の主面及び第３の主面に沿って第１の発光点及び第２
の発光点がそれぞれ電気的隔離手段を介して複数個配設
されるとともにそれぞれの発光点に対応する第１の主面
もしくは第３の主面それぞれに第１の主電極を個別に設
けたものである。第９の発明に係る光ディスク装置は、
これらの半導体レーザ装置を備えたものである。
【００１３】第１の発明に係る半導体レーザ装置は、冷
却体となる基台上に熱緩衝板を設け、この熱緩衝板の表
面上に、第１の主面に近接した第１の発光点を有する第
１の半導体レーザチップを第２の主面を介して配設し、
この第１の半導体レーザチップの第１の主面上に、第１
の発光点から間隔を設けてこの第１の発光点を挟むよう
に良熱伝導体を配設し、この良熱伝導体上に第２の発光
点が近接する第３の主面を介して第２の半導体レーザチ
ップを配設し、この第２の半導体レーザチップの第２の
発光点を第１の半導体レーザチップの第１の発光点と光
の放射方向を互いに並行になるようにするとともに第２
の発光点と第１の発光点とを対向して近接させたので、
環境温度が変化しても、発光点間の距離の伸縮を少なく
できる。
却体となる基台上に熱緩衝板を設け、この熱緩衝板の表
面上に、第１の主面に近接した第１の発光点を有する第
１の半導体レーザチップを第２の主面を介して配設し、
この第１の半導体レーザチップの第１の主面上に、第１
の発光点から間隔を設けてこの第１の発光点を挟むよう
に良熱伝導体を配設し、この良熱伝導体上に第２の発光
点が近接する第３の主面を介して第２の半導体レーザチ
ップを配設し、この第２の半導体レーザチップの第２の
発光点を第１の半導体レーザチップの第１の発光点と光
の放射方向を互いに並行になるようにするとともに第２
の発光点と第１の発光点とを対向して近接させたので、
環境温度が変化しても、発光点間の距離の伸縮を少なく
できる。
【００１４】第２の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１の半導体レーザチップの第１の主面および第２の半導
体レーザチップの第３の主面それぞれに配設された第１
の主電極が、導電体で形成された良熱伝導体を介して配
設されているので、第１の半導体レーザチップ及び第２
の半導体レーザチップそれぞれの第１の主電極が良熱伝
導体を介して電気的に接続される。第３の発明に係る半
導体レーザ装置は、第１の半導体レーザチップの第１の
主面及び第２の半導体レーザチップの第３の主面それぞ
れもしくはいずれか一方の発光点近傍に段部を有し、こ
の段部を介する第１の半導体レーザチップの第１の主面
と第２の半導体レーザチップの第３の主面との距離が良
熱伝導体の高さと相異なるようにしたので、発光点間の
距離精度を出し易い。
１の半導体レーザチップの第１の主面および第２の半導
体レーザチップの第３の主面それぞれに配設された第１
の主電極が、導電体で形成された良熱伝導体を介して配
設されているので、第１の半導体レーザチップ及び第２
の半導体レーザチップそれぞれの第１の主電極が良熱伝
導体を介して電気的に接続される。第３の発明に係る半
導体レーザ装置は、第１の半導体レーザチップの第１の
主面及び第２の半導体レーザチップの第３の主面それぞ
れもしくはいずれか一方の発光点近傍に段部を有し、こ
の段部を介する第１の半導体レーザチップの第１の主面
と第２の半導体レーザチップの第３の主面との距離が良
熱伝導体の高さと相異なるようにしたので、発光点間の
距離精度を出し易い。
【００１５】第４の発明に係る半導体レーザ装置は、段
部を介する第１の主面と第３の主面との距離が良熱伝導
体の高さよりも小さくなるようにしたので、良熱伝導体
の高さを大きく保ちつつ発光点間の距離を小さくでき
る。第５の発明に係る半導体レーザ装置は、段部を介す
る第１の主面と第３の主面との距離が良熱伝導体の高さ
よりも大きくなるようにしたので、所定の発光点間隔を
保ちつつ良熱伝導体の高さを低くできる。
部を介する第１の主面と第３の主面との距離が良熱伝導
体の高さよりも小さくなるようにしたので、良熱伝導体
の高さを大きく保ちつつ発光点間の距離を小さくでき
る。第５の発明に係る半導体レーザ装置は、段部を介す
る第１の主面と第３の主面との距離が良熱伝導体の高さ
よりも大きくなるようにしたので、所定の発光点間隔を
保ちつつ良熱伝導体の高さを低くできる。
【００１６】第６の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１の半導体レーザチップの第１の主面の一部と第２の半
導体レーザチップの第３の主面の一部にそれぞれが互い
にはめ合わされる段部を有し、この段部が第１の発光点
と第２の発光点とを互いに対向させるための位置決め手
段となるように第１の発光点と第２の発光点とが配設さ
れたので、第１の発光点と第２の発光点とを精度よく対
向させることができる。
１の半導体レーザチップの第１の主面の一部と第２の半
導体レーザチップの第３の主面の一部にそれぞれが互い
にはめ合わされる段部を有し、この段部が第１の発光点
と第２の発光点とを互いに対向させるための位置決め手
段となるように第１の発光点と第２の発光点とが配設さ
れたので、第１の発光点と第２の発光点とを精度よく対
向させることができる。
【００１７】第７の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１及び第２の半導体レーザチップの段部を、互いにはめ
合わされる凹部もしくは凸部とし、この凹部及び凸部に
それぞれの半導体レーザチップの発光点が配設されると
ともに凸部を有する側の半導体レーザチップの凸部の側
面と第１もしくは第３の主面の凸部以外の部分とに絶縁
層を配設し、凸部の第１もしくは第３の主面上及び絶縁
層上に第１の主電極を配設しこの絶縁層上の第１の主電
極上に良熱伝導体を配設したので、凹部もしくは凸部の
幅を小さいチップでも広く取ることができる。
１及び第２の半導体レーザチップの段部を、互いにはめ
合わされる凹部もしくは凸部とし、この凹部及び凸部に
それぞれの半導体レーザチップの発光点が配設されると
ともに凸部を有する側の半導体レーザチップの凸部の側
面と第１もしくは第３の主面の凸部以外の部分とに絶縁
層を配設し、凸部の第１もしくは第３の主面上及び絶縁
層上に第１の主電極を配設しこの絶縁層上の第１の主電
極上に良熱伝導体を配設したので、凹部もしくは凸部の
幅を小さいチップでも広く取ることができる。
【００１８】第８の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１の主面及び第３の主面に沿って第１の発光点及び第２
の発光点がそれぞれ電気的隔離手段を介して複数個配設
されるとともにそれぞれの発光点に対応する第１の主面
もしくは第３の主面それぞれに第１の主電極を個別に設
けたので、発光点を複数並列させることができる。第９
の発明に係る光ディスク装置は、これらの半導体レーザ
装置を備えたので、性能が環境温度に影響されない光デ
ィスク装置を構成できる。
１の主面及び第３の主面に沿って第１の発光点及び第２
の発光点がそれぞれ電気的隔離手段を介して複数個配設
されるとともにそれぞれの発光点に対応する第１の主面
もしくは第３の主面それぞれに第１の主電極を個別に設
けたので、発光点を複数並列させることができる。第９
の発明に係る光ディスク装置は、これらの半導体レーザ
装置を備えたので、性能が環境温度に影響されない光デ
ィスク装置を構成できる。
【００１９】
【実施例】次にこの発明に係る半導体レーザ装置とこの
半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置の実施例につ
いて説明する。まず、半導体レーザ装置を備えた光ディ
スク装置の概要を説明する。図１は一般的な光ディスク
装置の光学系を記載した斜視図である。２１は光ディス
ク、２２は透明ディスク基板、２３は記録膜、２４は記
録ピット、２５は半導体レーザ、２６はコリメータレン
ズ、２７はビームスプリッタ、２８はミラー、２９は対
物レンズ、３０は光検出器である。
半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置の実施例につ
いて説明する。まず、半導体レーザ装置を備えた光ディ
スク装置の概要を説明する。図１は一般的な光ディスク
装置の光学系を記載した斜視図である。２１は光ディス
ク、２２は透明ディスク基板、２３は記録膜、２４は記
録ピット、２５は半導体レーザ、２６はコリメータレン
ズ、２７はビームスプリッタ、２８はミラー、２９は対
物レンズ、３０は光検出器である。
【００２０】図１において、透明ディスク基板２２に、
例えば光磁気材料を記録媒体とした記録膜２３が形成さ
れている。情報を記録するときには、半導体レーザ２５
の高出力型のＬＤを使用し、半導体レーザ２５から放射
された光はコリメータレンズ２６で平行光にされ、ビー
ムスプリッタ２７、ミラー２８を経由し、対物レンズ２
９で集光され、記録膜２３に記録ピット２４を形成す
る。再生するときには、低雑音型のＬＤを使用し、コリ
メータレンズ２６、ビームスプリッタ２７、ミラー２８
そして対物レンズ２９を経由して記録膜２３の記録ピッ
ト２４が形成されているトラックを走査し、その反射光
の明暗を信号として対物レンズ２９、ミラー２８そして
ビームスプリッタ２７を経由して光検出器３０に送り、
ここで読み取る。
例えば光磁気材料を記録媒体とした記録膜２３が形成さ
れている。情報を記録するときには、半導体レーザ２５
の高出力型のＬＤを使用し、半導体レーザ２５から放射
された光はコリメータレンズ２６で平行光にされ、ビー
ムスプリッタ２７、ミラー２８を経由し、対物レンズ２
９で集光され、記録膜２３に記録ピット２４を形成す
る。再生するときには、低雑音型のＬＤを使用し、コリ
メータレンズ２６、ビームスプリッタ２７、ミラー２８
そして対物レンズ２９を経由して記録膜２３の記録ピッ
ト２４が形成されているトラックを走査し、その反射光
の明暗を信号として対物レンズ２９、ミラー２８そして
ビームスプリッタ２７を経由して光検出器３０に送り、
ここで読み取る。
【００２１】図２は半導体レーザの一般的構成を示す分
解斜視図である。図２において、４１はステム、４２は
レーザーアレイ、４３はモニタフォトダイオード、４４
はリード、４５はキャップ、４６はガラス窓、４７はＬ
Ｄである。ステム４１上に接着されたレーザーアレイ４
２はリード４４から電力が供給され、ＬＤ４７から実線
の矢印で示すように光が放射される。ＬＤ４７からは実
線の矢印の逆方向にも光がでるので、これをモニタフォ
トダイオード４３で受け、モニタしながら発光させる。
出力光はステム４１上に取り付けられたレーザーアレイ
４２等を保護するためのキャップ４５のガラス窓４６を
透過して放射される。キャップ４５の内部には通常窒素
が封入されている。
解斜視図である。図２において、４１はステム、４２は
レーザーアレイ、４３はモニタフォトダイオード、４４
はリード、４５はキャップ、４６はガラス窓、４７はＬ
Ｄである。ステム４１上に接着されたレーザーアレイ４
２はリード４４から電力が供給され、ＬＤ４７から実線
の矢印で示すように光が放射される。ＬＤ４７からは実
線の矢印の逆方向にも光がでるので、これをモニタフォ
トダイオード４３で受け、モニタしながら発光させる。
出力光はステム４１上に取り付けられたレーザーアレイ
４２等を保護するためのキャップ４５のガラス窓４６を
透過して放射される。キャップ４５の内部には通常窒素
が封入されている。
【００２２】実施例１
図３はこの発明の一実施例である半導体レーザ装置の正
面図である。この半導体レーザ装置は一例として、ハイ
ブリッド型の近接２ビームレーザアレイにより説明す
る。またこのハイブリッド型の近接２ビームレーザアレ
イは、先に説明した図２の半導体レーザのレーザーアレ
イ４２の部分に相当するものである。
面図である。この半導体レーザ装置は一例として、ハイ
ブリッド型の近接２ビームレーザアレイにより説明す
る。またこのハイブリッド型の近接２ビームレーザアレ
イは、先に説明した図２の半導体レーザのレーザーアレ
イ４２の部分に相当するものである。
【００２３】図３において、５０は冷却体となる基台と
しての銀ブロック、５１は金めっき膜、５２は熱緩衝板
としてのＳiＣからなるサブマウント、５３はＳnめっき
膜、５４は第１の半導体レーザチップとしての記録用の
高出力ＬＤ、５５は高出力ＬＤ５４のＰＮ接合、５６は
高出力ＬＤのＰ側電極、５７は高出力ＬＤのＮ側電極、
５８は第１の発光点としての高出力ＬＤの発光点、５９
は第２の半導体レーザチップとしての再生用の低雑音Ｌ
Ｄ、６０は低雑音ＬＤのＰＮ接合、６１は低雑音ＬＤの
Ｎ側電極、６２は低雑音ＬＤのＰ側電極、６３は第２の
発光点としての低雑音ＬＤの発光点、６４は金めっき
膜、６５はＳnめっき膜、この金めっき膜６４とＳnめっ
き膜６５とから熱伝導体としての伝熱接続脚体１０６が
構成される。６６はマイナス側リードワイヤ、６７は高
出力ＬＤのプラス側リードワイヤ、６８は低雑音ＬＤの
プラス側リードワイヤである。またＬＤの電極はＡuベ
ースとした合金で表面には金めっきが施されている。
しての銀ブロック、５１は金めっき膜、５２は熱緩衝板
としてのＳiＣからなるサブマウント、５３はＳnめっき
膜、５４は第１の半導体レーザチップとしての記録用の
高出力ＬＤ、５５は高出力ＬＤ５４のＰＮ接合、５６は
高出力ＬＤのＰ側電極、５７は高出力ＬＤのＮ側電極、
５８は第１の発光点としての高出力ＬＤの発光点、５９
は第２の半導体レーザチップとしての再生用の低雑音Ｌ
Ｄ、６０は低雑音ＬＤのＰＮ接合、６１は低雑音ＬＤの
Ｎ側電極、６２は低雑音ＬＤのＰ側電極、６３は第２の
発光点としての低雑音ＬＤの発光点、６４は金めっき
膜、６５はＳnめっき膜、この金めっき膜６４とＳnめっ
き膜６５とから熱伝導体としての伝熱接続脚体１０６が
構成される。６６はマイナス側リードワイヤ、６７は高
出力ＬＤのプラス側リードワイヤ、６８は低雑音ＬＤの
プラス側リードワイヤである。またＬＤの電極はＡuベ
ースとした合金で表面には金めっきが施されている。
【００２４】金めっき膜５１を有する銀ブロック５０上
に、Ｓnめっき膜５３を有するサブマウント５２がＡuＳ
n合金を介して接着されている。このサブマウント５２
は銀ブロック５０と高出力ＬＤとの材料の熱膨張率の差
によって発生する熱応力を緩和するためのものである。
このサブマウント５２のＳnめっき膜５３上に高出力Ｌ
Ｄ５４のＰ側電極５６がＡuＳn合金を介して接着されて
いる。
に、Ｓnめっき膜５３を有するサブマウント５２がＡuＳ
n合金を介して接着されている。このサブマウント５２
は銀ブロック５０と高出力ＬＤとの材料の熱膨張率の差
によって発生する熱応力を緩和するためのものである。
このサブマウント５２のＳnめっき膜５３上に高出力Ｌ
Ｄ５４のＰ側電極５６がＡuＳn合金を介して接着されて
いる。
【００２５】高出力ＬＤ５４及び低雑音ＬＤ５９は数１
００μｍ角のチップである。高出力ＬＤ５４のＮ側電極
５７に近接してＰＮ接合５５が形成されておりこのＰＮ
接合５５に高出力ＬＤの発光点５８が形成されている。
Ｎ側電極５７上には高出力ＬＤの発光点５８を挟んで所
定の形状で個別にＳnめっき膜６５が形成されている。
このＳnめっき膜６５の厚さは通常サブミクロンのオー
ダーである。
００μｍ角のチップである。高出力ＬＤ５４のＮ側電極
５７に近接してＰＮ接合５５が形成されておりこのＰＮ
接合５５に高出力ＬＤの発光点５８が形成されている。
Ｎ側電極５７上には高出力ＬＤの発光点５８を挟んで所
定の形状で個別にＳnめっき膜６５が形成されている。
このＳnめっき膜６５の厚さは通常サブミクロンのオー
ダーである。
【００２６】低雑音ＬＤ５９においてもＰＮ接合６０は
Ｎ側電極６１に近接して設けられており、このＰＮ接合
６０に低雑音ＬＤの発光点６３が設けられている。低雑
音ＬＤ５９はＮ側電極６１を高出力ＬＤ５４のＮ側電極
５７に対向させ、かつ低雑音ＬＤ５９の発光点６３がＮ
側電極６１とＮ側電極５７とを介して高出力ＬＤの発光
点５８に対向するように配置される。このとき高出力Ｌ
Ｄ５４と低雑音ＬＤ５９は高出力ＬＤ５４のＮ側電極５
７上にもうけられているＳnめっき膜６５とこのＳnめっ
き膜６５に対向するようにチップ分離前に低雑音ＬＤ５
９のＮ側電極５７上に形成された３〜５μｍ厚さの金め
っき膜６４とが接するように配設される。この金めっき
膜６４とＳnめっき膜６５とが製造工程中に加圧圧接さ
れるときに合金化して、金すず合金膜を構成して接合す
る。この金すず合金膜で接合された金めっき膜６４とＳ
nめっき膜６５とが熱伝導体としての伝熱接続脚体１０
６となる。
Ｎ側電極６１に近接して設けられており、このＰＮ接合
６０に低雑音ＬＤの発光点６３が設けられている。低雑
音ＬＤ５９はＮ側電極６１を高出力ＬＤ５４のＮ側電極
５７に対向させ、かつ低雑音ＬＤ５９の発光点６３がＮ
側電極６１とＮ側電極５７とを介して高出力ＬＤの発光
点５８に対向するように配置される。このとき高出力Ｌ
Ｄ５４と低雑音ＬＤ５９は高出力ＬＤ５４のＮ側電極５
７上にもうけられているＳnめっき膜６５とこのＳnめっ
き膜６５に対向するようにチップ分離前に低雑音ＬＤ５
９のＮ側電極５７上に形成された３〜５μｍ厚さの金め
っき膜６４とが接するように配設される。この金めっき
膜６４とＳnめっき膜６５とが製造工程中に加圧圧接さ
れるときに合金化して、金すず合金膜を構成して接合す
る。この金すず合金膜で接合された金めっき膜６４とＳ
nめっき膜６５とが熱伝導体としての伝熱接続脚体１０
６となる。
【００２７】またこの伝熱接続脚体１０６は導電体で構
成されているので、高出力ＬＤ５４のＮ側電極５７と低
雑音ＬＤ５９のＮ側電極６１とが導通し、同電位となる
から、これらのＮ側電極は共通の端子でマイナス側リー
ドワイヤ６６と接続すればよく、リード線を少なくする
ことができる。プラス側は高出力ＬＤ５４のＰ側電極５
６にはプラス側リードワイヤ６７が接続され、低雑音Ｌ
ＤのＰ側電極６２には低雑音ＬＤのプラス側リードワイ
ヤ６８が接続されているので、高出力ＬＤ５４と低雑音
ＬＤ５９とは独立に駆動可能である。
成されているので、高出力ＬＤ５４のＮ側電極５７と低
雑音ＬＤ５９のＮ側電極６１とが導通し、同電位となる
から、これらのＮ側電極は共通の端子でマイナス側リー
ドワイヤ６６と接続すればよく、リード線を少なくする
ことができる。プラス側は高出力ＬＤ５４のＰ側電極５
６にはプラス側リードワイヤ６７が接続され、低雑音Ｌ
ＤのＰ側電極６２には低雑音ＬＤのプラス側リードワイ
ヤ６８が接続されているので、高出力ＬＤ５４と低雑音
ＬＤ５９とは独立に駆動可能である。
【００２８】次に動作について説明する。高出力ＬＤ５
４と低雑音ＬＤ５９に所定の電圧を印加し、ＬＤを駆動
すると、発光点が熱源となって熱を発生させる。この
時、高出力ＬＤ５４の発光点５８で発生した熱は高出力
ＬＤ５４の温度を高めつつ、比較的熱伝導率のよいＳi
Ｃのサブマウント５２を介してヒートシンクとなる銀ブ
ロック５０に流入し、銀ブロック５０の温度を高めつつ
外部に放散される。一方、低雑音ＬＤ５９の発光点６３
で発生した熱は、低雑音ＬＤ５９の温度を高めつつ、金
すず合金膜で接合された伝熱接続脚体１０６を介して高
出力ＬＤ５４に流れ、この高出力ＬＤ５４とサブマウン
ト５２とを経由して銀ブロック５０に流入する。
４と低雑音ＬＤ５９に所定の電圧を印加し、ＬＤを駆動
すると、発光点が熱源となって熱を発生させる。この
時、高出力ＬＤ５４の発光点５８で発生した熱は高出力
ＬＤ５４の温度を高めつつ、比較的熱伝導率のよいＳi
Ｃのサブマウント５２を介してヒートシンクとなる銀ブ
ロック５０に流入し、銀ブロック５０の温度を高めつつ
外部に放散される。一方、低雑音ＬＤ５９の発光点６３
で発生した熱は、低雑音ＬＤ５９の温度を高めつつ、金
すず合金膜で接合された伝熱接続脚体１０６を介して高
出力ＬＤ５４に流れ、この高出力ＬＤ５４とサブマウン
ト５２とを経由して銀ブロック５０に流入する。
【００２９】ＬＤを駆動する間、高出力ＬＤ５４の発光
点５８と低雑音ＬＤ５９の発光点６３とは空間を隔てて
対向しているので、相互の熱干渉は少なく、相互の熱的
クロストークは発生しない。また、ＬＤの駆動中、高出
力ＬＤ５４の発光点５８と低雑音ＬＤ５９の発光点６３
との間隔が発生する熱によって伸縮する量は、伝熱接続
脚体１０６の高さの熱変形量相当であるが、金めっき膜
６４は３〜５μｍ程度で多くて数１０μｍ程度であり、
Ｓnめっき膜６５と合わせても発光点間隔の変化は極め
て僅かである。
点５８と低雑音ＬＤ５９の発光点６３とは空間を隔てて
対向しているので、相互の熱干渉は少なく、相互の熱的
クロストークは発生しない。また、ＬＤの駆動中、高出
力ＬＤ５４の発光点５８と低雑音ＬＤ５９の発光点６３
との間隔が発生する熱によって伸縮する量は、伝熱接続
脚体１０６の高さの熱変形量相当であるが、金めっき膜
６４は３〜５μｍ程度で多くて数１０μｍ程度であり、
Ｓnめっき膜６５と合わせても発光点間隔の変化は極め
て僅かである。
【００３０】一方環境温度の変化による熱変形について
は、２種類の熱変形を考慮しなければならない。一つは
環境温度の変化による発光点間隔の変化である。これ
は、伝熱接続脚体１０６近傍での環境温度の変化自体が
発光点の熱出力による温度変化と同程度かそれより低い
と考えられるので、環境温度の変化による発光点間隔の
変動は発光点の熱出力による発光点間隔の変動と同程度
或はそれ以下と考えられそれほど大きくはない。
は、２種類の熱変形を考慮しなければならない。一つは
環境温度の変化による発光点間隔の変化である。これ
は、伝熱接続脚体１０６近傍での環境温度の変化自体が
発光点の熱出力による温度変化と同程度かそれより低い
と考えられるので、環境温度の変化による発光点間隔の
変動は発光点の熱出力による発光点間隔の変動と同程度
或はそれ以下と考えられそれほど大きくはない。
【００３１】もう一つは、銀ブロック５０及びサブマウ
ント５２の環境温度の変化による熱変形である。これ
は、あるいは図２のステム４１も含めた熱変形となり、
この熱変形量は、銀ブロック５０及びサブマウント５２
の寸法が伝熱接続脚体１０６の高さに比較して十分大き
くなるので、かなり大きくなるが、この変形は、発光点
間隔を保ったままの平行移動となるので、半導体レーザ
を使用する際の半導体レーザの設置位置の位置制御、た
とえば光ディスク装置ではトラッキング機構により容易
に、この平行移動を回避することができる。
ント５２の環境温度の変化による熱変形である。これ
は、あるいは図２のステム４１も含めた熱変形となり、
この熱変形量は、銀ブロック５０及びサブマウント５２
の寸法が伝熱接続脚体１０６の高さに比較して十分大き
くなるので、かなり大きくなるが、この変形は、発光点
間隔を保ったままの平行移動となるので、半導体レーザ
を使用する際の半導体レーザの設置位置の位置制御、た
とえば光ディスク装置ではトラッキング機構により容易
に、この平行移動を回避することができる。
【００３２】この実施例ではサブマウント５２を絶縁体
で構成した例を説明したが、サブマウント５２を導電体
としサブマウント５２と銀ブロック５０との間に絶縁板
を挿入するとか、銀ブロック５０を熱伝導性の良い絶縁
体で構成するなどの構成としてもよい。また、上記の説
明では高出力ＬＤ５４をサブマウント５２に密着し、金
めっき膜６４とＳnめっき膜６５との伝熱接続脚体１０
６を介して低雑音ＬＤ５９を密着させる構成を説明した
が、サブマウント５２に密着して低雑音ＬＤ５９を配置
し、この低雑音ＬＤ５９に伝熱接続脚体１０６を介して
高出力ＬＤ５４を密着させる構成としてもよい。
で構成した例を説明したが、サブマウント５２を導電体
としサブマウント５２と銀ブロック５０との間に絶縁板
を挿入するとか、銀ブロック５０を熱伝導性の良い絶縁
体で構成するなどの構成としてもよい。また、上記の説
明では高出力ＬＤ５４をサブマウント５２に密着し、金
めっき膜６４とＳnめっき膜６５との伝熱接続脚体１０
６を介して低雑音ＬＤ５９を密着させる構成を説明した
が、サブマウント５２に密着して低雑音ＬＤ５９を配置
し、この低雑音ＬＤ５９に伝熱接続脚体１０６を介して
高出力ＬＤ５４を密着させる構成としてもよい。
【００３３】次に、この実施例の半導体レーザ装置の製
造方法について説明する。図４乃至図６は実施例１の各
工程におけるレーザアレイ４２の断面図である。図７は
実施例１のレーザアレイ４２の取付工程を示す半導体レ
ーザの斜視図である。
造方法について説明する。図４乃至図６は実施例１の各
工程におけるレーザアレイ４２の断面図である。図７は
実施例１のレーザアレイ４２の取付工程を示す半導体レ
ーザの斜視図である。
【００３４】まず、金めっき膜５１が形成された銀ブロ
ック５０、Ｓnめっき膜５３が形成されたサブマウント
５２、Ｐ側電極５６とＮ側電極５７とが形成されこのＮ
側電極５７の表面上に発光点５８を挟んでＳnめっき膜
６５が形成された高出力ＬＤ５４、およびＰ側電極６２
とＮ側電極６１とが形成されこのＮ側電極６１の表面上
に発光点６３を挟んで金めっき膜６４が形成された低雑
音ＬＤ５９を準備し、銀ブロック５０の上にサブマウン
ト５２、高出力ＬＤ５４及び低雑音ＬＤ５９を順次積層
する。高出力ＬＤ５４と低雑音ＬＤ５９とはそれぞれの
Ｎ側電極を介して発光点５８と発光点６３とを対向させ
て、Ｓnめっき膜６５の上に金めっき膜６４に載置して
積層する（図４参照）。
ック５０、Ｓnめっき膜５３が形成されたサブマウント
５２、Ｐ側電極５６とＮ側電極５７とが形成されこのＮ
側電極５７の表面上に発光点５８を挟んでＳnめっき膜
６５が形成された高出力ＬＤ５４、およびＰ側電極６２
とＮ側電極６１とが形成されこのＮ側電極６１の表面上
に発光点６３を挟んで金めっき膜６４が形成された低雑
音ＬＤ５９を準備し、銀ブロック５０の上にサブマウン
ト５２、高出力ＬＤ５４及び低雑音ＬＤ５９を順次積層
する。高出力ＬＤ５４と低雑音ＬＤ５９とはそれぞれの
Ｎ側電極を介して発光点５８と発光点６３とを対向させ
て、Ｓnめっき膜６５の上に金めっき膜６４に載置して
積層する（図４参照）。
【００３５】次に３００℃から４００℃に加熱しなが
ら、積層したレーザアレイの要素部品に図５の矢印方向
に荷重を加え、銀ブロック５０とサブマウント５２の
間、サブマウント５２と高出力ＬＤ５４のＰ側電極５６
の間及びＳnめっき膜６５と金めっき膜６４との間をＡu
Ｓn合金化し接着する（図５参照）。
ら、積層したレーザアレイの要素部品に図５の矢印方向
に荷重を加え、銀ブロック５０とサブマウント５２の
間、サブマウント５２と高出力ＬＤ５４のＰ側電極５６
の間及びＳnめっき膜６５と金めっき膜６４との間をＡu
Ｓn合金化し接着する（図５参照）。
【００３６】次に、低雑音ＬＤ５９のＰ側電極６２にプ
ラス側リードワイヤ６８が、高出力ＬＤ５４のＰ側電極
５６にプラス側リードワイヤ６７が、また高出力ＬＤ５
４のＮ側電極５７と銀ブロック５０の金めっき膜５１と
の間にマイナス側リードワイヤ６６が、それぞれワイヤ
ボンディングされレーザアレイ４２としてできあがる
（図６参照）。次いで、レーザアレイ４２をステム４２
上に取り付け、リード４４との結線が行われる。更には
図示されていないがキャップが取り付けられ、内部に窒
素ガスを封入して半導体レーザとして完成する（図７参
照）。
ラス側リードワイヤ６８が、高出力ＬＤ５４のＰ側電極
５６にプラス側リードワイヤ６７が、また高出力ＬＤ５
４のＮ側電極５７と銀ブロック５０の金めっき膜５１と
の間にマイナス側リードワイヤ６６が、それぞれワイヤ
ボンディングされレーザアレイ４２としてできあがる
（図６参照）。次いで、レーザアレイ４２をステム４２
上に取り付け、リード４４との結線が行われる。更には
図示されていないがキャップが取り付けられ、内部に窒
素ガスを封入して半導体レーザとして完成する（図７参
照）。
【００３７】実施例２
図８はこの発明の他の実施例のレーザアレイの正面図で
ある。図８において、高出力ＬＤ５４はＮ側電極５７側
に、また低雑音ＬＤ５９はＮ側電極６１側に、それぞれ
凸形状の段差１０１及び段差１０２を有している。この
段差１０１及び段差１０２にはそれぞれＰＮ接合５５及
びＰＮ接合６０と発光点５８及び発光点６３とが設けら
れていて、発光点５８と発光点６３とが近接して配置さ
れ、この段差のＮ側電極表面相互の間隔は金めっき膜６
４とＳnめっき膜６５とからなる伝熱接続脚体１０６の
高さよりも小さくしてある。高出力ＬＤ５４のＮ側電極
５７側及び低雑音ＬＤ５９のＮ側電極６１は、ＰＮ接合
５５及びＰＮ接合６０の短絡を防ぐ為に発光点５８及び
発光点６３それぞれの近傍を除いてＳiＯ２膜６９を介
して形成されている。
ある。図８において、高出力ＬＤ５４はＮ側電極５７側
に、また低雑音ＬＤ５９はＮ側電極６１側に、それぞれ
凸形状の段差１０１及び段差１０２を有している。この
段差１０１及び段差１０２にはそれぞれＰＮ接合５５及
びＰＮ接合６０と発光点５８及び発光点６３とが設けら
れていて、発光点５８と発光点６３とが近接して配置さ
れ、この段差のＮ側電極表面相互の間隔は金めっき膜６
４とＳnめっき膜６５とからなる伝熱接続脚体１０６の
高さよりも小さくしてある。高出力ＬＤ５４のＮ側電極
５７側及び低雑音ＬＤ５９のＮ側電極６１は、ＰＮ接合
５５及びＰＮ接合６０の短絡を防ぐ為に発光点５８及び
発光点６３それぞれの近傍を除いてＳiＯ２膜６９を介
して形成されている。
【００３８】サブマウント５２は実施例１と同様銀ブロ
ック５０に配置される。また、高出力ＬＤのＰ側電極５
６は図示していない高出力ＬＤのプラス側リードワイヤ
６７に接続されている。このような構成のレーザアレイ
４２は必要とする発光点間隔を保持しながら、伝熱接続
脚体１０６の高さを高く、例えば１０μｍ〜数１０μｍ
程度あるいはそれ以上にまで高くすることができ、金め
っき膜６４とＳnめっき膜６５の形成にあたって高さ精
度の管理が行いやすく、発光点間隔を精度よく確保する
ことができる。従って製品の歩留りがよくなる。
ック５０に配置される。また、高出力ＬＤのＰ側電極５
６は図示していない高出力ＬＤのプラス側リードワイヤ
６７に接続されている。このような構成のレーザアレイ
４２は必要とする発光点間隔を保持しながら、伝熱接続
脚体１０６の高さを高く、例えば１０μｍ〜数１０μｍ
程度あるいはそれ以上にまで高くすることができ、金め
っき膜６４とＳnめっき膜６５の形成にあたって高さ精
度の管理が行いやすく、発光点間隔を精度よく確保する
ことができる。従って製品の歩留りがよくなる。
【００３９】また、段差を有しない場合に比べて、高出
力ＬＤ５４のＮ側電極５７及び低雑音ＬＤ５９のＮ側電
極６１が互いに近接して対向する長さが短くなり、発光
点近傍のみとなるので、高出力ＬＤ５４のＮ側電極５７
表面と低雑音ＬＤ５９のＮ側電極６１表面相互の平行度
に対する要求精度が緩和されるからＮ側電極相互間の距
離を狭くすることができ、発光点間隔の小さいレーザア
レイ４２を構成することができる。発光点間隔の小さい
レーザアレイ４２は、このレーザアレイ４２を使用する
光学系に使用されるレンズの球面収差の影響を回避する
ことができる。
力ＬＤ５４のＮ側電極５７及び低雑音ＬＤ５９のＮ側電
極６１が互いに近接して対向する長さが短くなり、発光
点近傍のみとなるので、高出力ＬＤ５４のＮ側電極５７
表面と低雑音ＬＤ５９のＮ側電極６１表面相互の平行度
に対する要求精度が緩和されるからＮ側電極相互間の距
離を狭くすることができ、発光点間隔の小さいレーザア
レイ４２を構成することができる。発光点間隔の小さい
レーザアレイ４２は、このレーザアレイ４２を使用する
光学系に使用されるレンズの球面収差の影響を回避する
ことができる。
【００４０】また、この凸部はいずれか一方のＬＤのみ
に設けても、両方のＬＤに凹部と凸部とをはめ合わせる
ように組み合せても同様の効果がある。 実施例３ 図９はこの発明のさらに他の実施例のレーザアレイの正
面図である。図９においては低雑音ＬＤ５９のＮ側電極
６１側に凹形状の段差１０３を有している。この段差１
０３内のＮ側電極６１に近接して発光点６３が設けられ
ている。
に設けても、両方のＬＤに凹部と凸部とをはめ合わせる
ように組み合せても同様の効果がある。 実施例３ 図９はこの発明のさらに他の実施例のレーザアレイの正
面図である。図９においては低雑音ＬＤ５９のＮ側電極
６１側に凹形状の段差１０３を有している。この段差１
０３内のＮ側電極６１に近接して発光点６３が設けられ
ている。
【００４１】サブマウント５２は実施例１と同様銀ブロ
ック５０に配置される。また、高出力ＬＤのＰ側電極５
６は図示していない高出力ＬＤのプラス側リードワイヤ
６７に接続されている。このような構成にすることによ
り、発光点５８と発光点６３との間隔を必要寸法に確保
しつつ、金めっき膜６４の高さを極めて薄くして伝熱接
続脚体１０６を形成することが可能となる。
ック５０に配置される。また、高出力ＬＤのＰ側電極５
６は図示していない高出力ＬＤのプラス側リードワイヤ
６７に接続されている。このような構成にすることによ
り、発光点５８と発光点６３との間隔を必要寸法に確保
しつつ、金めっき膜６４の高さを極めて薄くして伝熱接
続脚体１０６を形成することが可能となる。
【００４２】発光点間隔が熱的影響を受け変動する要因
の一つは、この伝熱接続脚体１０６の高さ方向の熱変形
であるから、金めっき膜６４の高さを小さくして、伝熱
接続脚体１０６の高さを小さくしおくことにより、伝熱
接続脚体１０６の熱変形量を小さくし、発光点間隔の熱
変形量を小さくすることができる。また、レーザアレイ
４２の製造工程において、低雑音ＬＤ５９のＮ側電極６
１表面に金めっき膜６４をめっきする際に金めっき膜６
４を薄く形成しておくと、加熱圧接する際比較的軟らか
い金めっき膜６４の塑性変形による高さ変化のバラツキ
を小さくすることができる。
の一つは、この伝熱接続脚体１０６の高さ方向の熱変形
であるから、金めっき膜６４の高さを小さくして、伝熱
接続脚体１０６の高さを小さくしおくことにより、伝熱
接続脚体１０６の熱変形量を小さくし、発光点間隔の熱
変形量を小さくすることができる。また、レーザアレイ
４２の製造工程において、低雑音ＬＤ５９のＮ側電極６
１表面に金めっき膜６４をめっきする際に金めっき膜６
４を薄く形成しておくと、加熱圧接する際比較的軟らか
い金めっき膜６４の塑性変形による高さ変化のバラツキ
を小さくすることができる。
【００４３】すなわち、チップそのものの表面とＳnめ
っき膜６５は高い加工精度で仕上げられおり、また硬度
が高い材料で変形し難い。このため、加熱圧接する際の
加圧力による金めっき膜６４の高さ変化にバラツキが発
光点間隔の寸法精度を決定するので、金めっき膜６４
を、例えば１μｍからそれ以下の表面のうねりまたは表
面粗さ程度に薄く形成しておくことにより塑性変形によ
る高さ変化のバラツキを小さくし、加熱圧接工程での発
光点間隔の寸法精度に与える不安定要因を除くことがで
きる。また、上記の説明では一方のＬＤに凹部を設けた
ものであるが、両側のＬＤに凹部を設けても、また凹部
と凸部とを別々のＬＤに設けて組み合せても同様の効果
がある。
っき膜６５は高い加工精度で仕上げられおり、また硬度
が高い材料で変形し難い。このため、加熱圧接する際の
加圧力による金めっき膜６４の高さ変化にバラツキが発
光点間隔の寸法精度を決定するので、金めっき膜６４
を、例えば１μｍからそれ以下の表面のうねりまたは表
面粗さ程度に薄く形成しておくことにより塑性変形によ
る高さ変化のバラツキを小さくし、加熱圧接工程での発
光点間隔の寸法精度に与える不安定要因を除くことがで
きる。また、上記の説明では一方のＬＤに凹部を設けた
ものであるが、両側のＬＤに凹部を設けても、また凹部
と凸部とを別々のＬＤに設けて組み合せても同様の効果
がある。
【００４４】実施例４
図１０はこの発明のさらに他の実施例のレーザアレイの
正面図である。図１０において、高出力ＬＤ５４のＮ側
電極５７側には凸形状の段差１０４が、また低雑音ＬＤ
５９のＮ側電極６１側には凹形状の段差１０５がそれぞ
れ設けられている。この段差１０４及び段差１０５には
ＰＮ接合５５及びＰＮ接合６０と発光点５８及び発光点
６３がそれぞれ設けられている。高出力ＬＤ５４のＮ側
電極５７側は、ＰＮ接合５５の短絡を防ぐ為に発光点５
８近傍を除いてＳiＯ２膜６９を介して形成されてい
る。従って段差１０４の側壁部にもＳiＯ２膜６９が形
成されている。発光点５８近傍のＮ側電極５７と伝熱接
続脚体１０６近傍のＳiＯ２膜６９上に配設されたＮ側
電極５７とは図１０において図示されていないが電気的
に接続されている。
正面図である。図１０において、高出力ＬＤ５４のＮ側
電極５７側には凸形状の段差１０４が、また低雑音ＬＤ
５９のＮ側電極６１側には凹形状の段差１０５がそれぞ
れ設けられている。この段差１０４及び段差１０５には
ＰＮ接合５５及びＰＮ接合６０と発光点５８及び発光点
６３がそれぞれ設けられている。高出力ＬＤ５４のＮ側
電極５７側は、ＰＮ接合５５の短絡を防ぐ為に発光点５
８近傍を除いてＳiＯ２膜６９を介して形成されてい
る。従って段差１０４の側壁部にもＳiＯ２膜６９が形
成されている。発光点５８近傍のＮ側電極５７と伝熱接
続脚体１０６近傍のＳiＯ２膜６９上に配設されたＮ側
電極５７とは図１０において図示されていないが電気的
に接続されている。
【００４５】この段差１０４と段差１０５とは互いには
め合わされるように形成されていて、高出力ＬＤ５４と
低雑音ＬＤ５９とを横方向に相対的に移動させると段差
１０４の凸部側壁の肩部と段差１０５の凹部側壁とが接
触するようになっている。サブマウント５２は実施例１
と同様銀ブロック５０に配置される。また、高出力ＬＤ
のＰ側電極５６は図示していない高出力ＬＤのプラス側
リードワイヤ６７に接続されている。
め合わされるように形成されていて、高出力ＬＤ５４と
低雑音ＬＤ５９とを横方向に相対的に移動させると段差
１０４の凸部側壁の肩部と段差１０５の凹部側壁とが接
触するようになっている。サブマウント５２は実施例１
と同様銀ブロック５０に配置される。また、高出力ＬＤ
のＰ側電極５６は図示していない高出力ＬＤのプラス側
リードワイヤ６７に接続されている。
【００４６】このような構成にすることにより、高出力
ＬＤ５４の発光点５８と段差１０４の凸部側壁の肩部と
の寸法を低雑音ＬＤ５９の発光点６３と段差１０５の凹
部側壁との寸法に一致させておけば、レーザアレイ４２
の製造に際して要素部品を積層するとき、段差１０４の
凸部側壁の肩部と段差１０５の凹部側壁とを接触させて
位置決めを行うことにより、発光点５８と発光点６３と
をそれぞれのＮ側電極を介して正しく対向させることが
でき、発光点の位置精度の高いレーザアレイを簡単な工
程で得ることができる。
ＬＤ５４の発光点５８と段差１０４の凸部側壁の肩部と
の寸法を低雑音ＬＤ５９の発光点６３と段差１０５の凹
部側壁との寸法に一致させておけば、レーザアレイ４２
の製造に際して要素部品を積層するとき、段差１０４の
凸部側壁の肩部と段差１０５の凹部側壁とを接触させて
位置決めを行うことにより、発光点５８と発光点６３と
をそれぞれのＮ側電極を介して正しく対向させることが
でき、発光点の位置精度の高いレーザアレイを簡単な工
程で得ることができる。
【００４７】この実施例では、高出力ＬＤ５４のＮ側電
極５７側には凸形状の段差１０４が、また低雑音ＬＤ５
９のＮ側電極６１側には凹形状の段差１０５が設けられ
ているが、それぞれの形状を逆に形成して組み合せても
よい。また、上記説明では凸部と凹部とを組み合せた場
合について説明したが、階段状の段差を組み合せても同
様の効果がある。また凸形状の段差１０４のＮ側電極５
７と凹形状の段差１０５のＮ側電極６１との間隔を伝熱
接続脚体１０６の高さと相異させて実施例２及び実施例
３の効果を持たせることができる。
極５７側には凸形状の段差１０４が、また低雑音ＬＤ５
９のＮ側電極６１側には凹形状の段差１０５が設けられ
ているが、それぞれの形状を逆に形成して組み合せても
よい。また、上記説明では凸部と凹部とを組み合せた場
合について説明したが、階段状の段差を組み合せても同
様の効果がある。また凸形状の段差１０４のＮ側電極５
７と凹形状の段差１０５のＮ側電極６１との間隔を伝熱
接続脚体１０６の高さと相異させて実施例２及び実施例
３の効果を持たせることができる。
【００４８】実施例５
図１１はこの発明のさらに他の実施例のレーザアレイの
部分斜視図である。また、図１２はＡ矢視による図１１
のレーザアレイの正面図である。この実施例５は近接さ
せるレーザチップそれぞれに複数の発光点を設けて対向
させるもので、ここでは各々２個の発光点を有するもの
について説明する。
部分斜視図である。また、図１２はＡ矢視による図１１
のレーザアレイの正面図である。この実施例５は近接さ
せるレーザチップそれぞれに複数の発光点を設けて対向
させるもので、ここでは各々２個の発光点を有するもの
について説明する。
【００４９】図１２において、７１は高出力ＬＤ、７２
は高出力ＬＤ７１のＮ側共通電極、７３は高出力ＬＤ７
１の第１発光点、７４は高出力ＬＤ７１の第１Ｐ側電
極、７５は高出力ＬＤ７１の第２発光点、７６は高出力
ＬＤ７１の第２Ｐ側電極、７７は第１発光点７３側のレ
ーザと第２発光点７５側のレーザとを電気的に遮断する
電気的分離手段としての分離溝、８１は低雑音ＬＤ、８
２は低雑音ＬＤ８１のＮ側共通電極、８３は低雑音ＬＤ
８１の第１発光点、８４は低雑音ＬＤ８１の第１Ｐ側電
極、８５は低雑音ＬＤ８１の第２発光点、８６は低雑音
ＬＤ８１の第２Ｐ側電極、８７は第１発光点８３側のレ
ーザと第２発光点８５側のレーザとを電気的に遮断する
電気的分離手段としての分離溝、８８は高出力ＬＤ７１
のＮ側共通電極７２と低雑音ＬＤ８１のＮ側共通電極８
２とを接続するマイナス側リードワイヤ、図１１におい
て８９は低雑音ＬＤ８１の第２発光点８５にプラス電位
を印加するためのプラス側リードワイヤで、図１１には
図示されていないが図１２の高出力ＬＤ７１にＳiＯ２
膜６９を介して配設された第２Ｐ側電極８６とＳnめっ
き膜６５及び金めっき膜６４とからなる伝熱接続脚体１
０６を経由し低雑音ＬＤ８１の第２Ｐ側電極８６にプラ
ス電圧を印加する。
は高出力ＬＤ７１のＮ側共通電極、７３は高出力ＬＤ７
１の第１発光点、７４は高出力ＬＤ７１の第１Ｐ側電
極、７５は高出力ＬＤ７１の第２発光点、７６は高出力
ＬＤ７１の第２Ｐ側電極、７７は第１発光点７３側のレ
ーザと第２発光点７５側のレーザとを電気的に遮断する
電気的分離手段としての分離溝、８１は低雑音ＬＤ、８
２は低雑音ＬＤ８１のＮ側共通電極、８３は低雑音ＬＤ
８１の第１発光点、８４は低雑音ＬＤ８１の第１Ｐ側電
極、８５は低雑音ＬＤ８１の第２発光点、８６は低雑音
ＬＤ８１の第２Ｐ側電極、８７は第１発光点８３側のレ
ーザと第２発光点８５側のレーザとを電気的に遮断する
電気的分離手段としての分離溝、８８は高出力ＬＤ７１
のＮ側共通電極７２と低雑音ＬＤ８１のＮ側共通電極８
２とを接続するマイナス側リードワイヤ、図１１におい
て８９は低雑音ＬＤ８１の第２発光点８５にプラス電位
を印加するためのプラス側リードワイヤで、図１１には
図示されていないが図１２の高出力ＬＤ７１にＳiＯ２
膜６９を介して配設された第２Ｐ側電極８６とＳnめっ
き膜６５及び金めっき膜６４とからなる伝熱接続脚体１
０６を経由し低雑音ＬＤ８１の第２Ｐ側電極８６にプラ
ス電圧を印加する。
【００５０】９０は高出力ＬＤ７１の第２Ｐ側電極７６
にプラス電位を印加するためのプラス側リードワイヤ
で、図１１には図示されていない図１２の第２Ｐ側電極
７６に接続されている。９１は高出力ＬＤ７１の第１Ｐ
側電極７４にプラス電位を印加するためのプラス側リー
ドワイヤで、図１１には図示されていない図１２の第２
Ｐ側電極７４に接続されている。
にプラス電位を印加するためのプラス側リードワイヤ
で、図１１には図示されていない図１２の第２Ｐ側電極
７６に接続されている。９１は高出力ＬＤ７１の第１Ｐ
側電極７４にプラス電位を印加するためのプラス側リー
ドワイヤで、図１１には図示されていない図１２の第２
Ｐ側電極７４に接続されている。
【００５１】９２は低雑音ＬＤ８１の第１発光点８３に
プラス電位を印加するためのプラス側リードワイヤで、
図１１には図示されていないが図１２の高出力ＬＤ７１
にＳiＯ２膜６９を介して配設された第１Ｐ側電極８４
と伝熱接続脚体１０６とを経由し低雑音ＬＤ８１の第１
Ｐ側電極８４に電圧を印加する。図１２に戻って９３は
高出力ＬＤ７１のＰＮ接合、９４は低雑音ＬＤ８１のＰ
Ｎ接合である。１０４は高出力ＬＤ７１のＰ側電極７４
及びＰ側電極７６側に設けられた凸形状の段差、１０５
は低雑音ＬＤ８１のＰ側電極８４及びＰ側電極８６側に
設けられた凹形状の段差である。
プラス電位を印加するためのプラス側リードワイヤで、
図１１には図示されていないが図１２の高出力ＬＤ７１
にＳiＯ２膜６９を介して配設された第１Ｐ側電極８４
と伝熱接続脚体１０６とを経由し低雑音ＬＤ８１の第１
Ｐ側電極８４に電圧を印加する。図１２に戻って９３は
高出力ＬＤ７１のＰＮ接合、９４は低雑音ＬＤ８１のＰ
Ｎ接合である。１０４は高出力ＬＤ７１のＰ側電極７４
及びＰ側電極７６側に設けられた凸形状の段差、１０５
は低雑音ＬＤ８１のＰ側電極８４及びＰ側電極８６側に
設けられた凹形状の段差である。
【００５２】分離溝７７及び分離溝８７は同じチップに
構成されたそれぞれレーザを独立に駆動するための電気
的な分離を行なうためにチップ表面からそれぞれのＰＮ
接合を超えるまで堀込むものである。このような形状的
な分離のほかにレーザ間に絶縁体を設けるなどの構成を
採用してもよい。サブマウント５２は実施例１と同様銀
ブロック５０に配置される。マイナス側リードワイヤ８
８により高出力ＬＤ７１のＮ側共通電極７２及び低雑音
ＬＤ８１のＮ側共通電極８２にマイナス電位を印加し、
高出力ＬＤ７１の第１Ｐ側電極７４および第２Ｐ側電極
７６、そして低雑音ＬＤ８１の第１Ｐ側電極８４および
第２Ｐ側電極８６に所定のプラス電位を印加することに
よって、それぞれのＰ側電極に対応するレーザを独立に
発光させることができる。
構成されたそれぞれレーザを独立に駆動するための電気
的な分離を行なうためにチップ表面からそれぞれのＰＮ
接合を超えるまで堀込むものである。このような形状的
な分離のほかにレーザ間に絶縁体を設けるなどの構成を
採用してもよい。サブマウント５２は実施例１と同様銀
ブロック５０に配置される。マイナス側リードワイヤ８
８により高出力ＬＤ７１のＮ側共通電極７２及び低雑音
ＬＤ８１のＮ側共通電極８２にマイナス電位を印加し、
高出力ＬＤ７１の第１Ｐ側電極７４および第２Ｐ側電極
７６、そして低雑音ＬＤ８１の第１Ｐ側電極８４および
第２Ｐ側電極８６に所定のプラス電位を印加することに
よって、それぞれのＰ側電極に対応するレーザを独立に
発光させることができる。
【００５３】発光点で発生した熱は実施例１で説明した
のと同様の経路を通って銀ブロック５０に流入し熱放散
される。このような構成にすることにより、簡単な構成
で、熱的にクロストークが少なく、発光点間隔が熱的影
響を受けにくい近接２ビームの多点リニアアレイを構成
できる。またこの段差１０４及び段差１０５は実施例４
で述べたのと同様に段差１０４の凸部側壁の肩部と段差
１０５の凹部側壁とを接触させて位置決めを行うことに
より、発光点７３と発光点８３とを、また発光点７５と
発光点８５とを正しく対向させることができ、発光点の
位置精度の高いレーザアレイを簡単な工程で得ることが
できる。また凸形状の段差１０４側のＰ側電極と凹形状
の段差１０５側のＰ側電極との間隔を伝熱接続脚体１０
６の高さと相異させて実施例２及び実施例３の効果を持
たせることができる。
のと同様の経路を通って銀ブロック５０に流入し熱放散
される。このような構成にすることにより、簡単な構成
で、熱的にクロストークが少なく、発光点間隔が熱的影
響を受けにくい近接２ビームの多点リニアアレイを構成
できる。またこの段差１０４及び段差１０５は実施例４
で述べたのと同様に段差１０４の凸部側壁の肩部と段差
１０５の凹部側壁とを接触させて位置決めを行うことに
より、発光点７３と発光点８３とを、また発光点７５と
発光点８５とを正しく対向させることができ、発光点の
位置精度の高いレーザアレイを簡単な工程で得ることが
できる。また凸形状の段差１０４側のＰ側電極と凹形状
の段差１０５側のＰ側電極との間隔を伝熱接続脚体１０
６の高さと相異させて実施例２及び実施例３の効果を持
たせることができる。
【００５４】実施例６
上記実施例１〜実施例５に記載した近接２ビームレーザ
アレイを、光ディスク装置の半導体レーザとして使用す
ることができる。このような構成の光ディスク装置で
は、記録用の高出力ＬＤと再生用の低雑音ＬＤとの発光
点間隔が環境温度により余り影響されない。従って記録
再生を同時に行なうときに、例え環境温度が変化しても
この半導体レーザの発光点間隔が変わらず、それぞれ発
光点が平行移動するだけであるから、例えばトラッキン
グ機構で半導体レーザの位置制御を行なうことにより、
記録再生の際の誤動作を防止できる光ディスク装置を構
成することができる。
アレイを、光ディスク装置の半導体レーザとして使用す
ることができる。このような構成の光ディスク装置で
は、記録用の高出力ＬＤと再生用の低雑音ＬＤとの発光
点間隔が環境温度により余り影響されない。従って記録
再生を同時に行なうときに、例え環境温度が変化しても
この半導体レーザの発光点間隔が変わらず、それぞれ発
光点が平行移動するだけであるから、例えばトラッキン
グ機構で半導体レーザの位置制御を行なうことにより、
記録再生の際の誤動作を防止できる光ディスク装置を構
成することができる。
【００５５】
【発明の効果】この発明は以上のように構成されている
ので、以下のような効果を奏する。第１の発明に係る半
導体レーザ装置は、冷却体となる基台上に熱緩衝板を設
け、この熱緩衝板の表面上に、第１の主面に近接した第
１の発光点を有する第１の半導体レーザチップを第２の
主面を介して配設し、この第１の半導体レーザチップの
第１の主面上に、第１の発光点から間隔を設けてこの第
１の発光点を挟むように良熱伝導体を配設し、この良熱
伝導体上に第２の発光点が近接する第３の主面を介して
第２の半導体レーザチップを配設し、この第２の半導体
レーザチップの第２の発光点を第１の半導体レーザチッ
プの第１の発光点と光の放射方向を互いに並行になるよ
うにするとともに第２の発光点と第１の発光点とを対向
して近接させたので、環境温度が変化しても、発光点間
の距離の伸縮を少なくできるから、環境温度が変化して
も発光点間隔が変化し難く、温度特性の安定した半導体
レーザ装置を得ることができる。
ので、以下のような効果を奏する。第１の発明に係る半
導体レーザ装置は、冷却体となる基台上に熱緩衝板を設
け、この熱緩衝板の表面上に、第１の主面に近接した第
１の発光点を有する第１の半導体レーザチップを第２の
主面を介して配設し、この第１の半導体レーザチップの
第１の主面上に、第１の発光点から間隔を設けてこの第
１の発光点を挟むように良熱伝導体を配設し、この良熱
伝導体上に第２の発光点が近接する第３の主面を介して
第２の半導体レーザチップを配設し、この第２の半導体
レーザチップの第２の発光点を第１の半導体レーザチッ
プの第１の発光点と光の放射方向を互いに並行になるよ
うにするとともに第２の発光点と第１の発光点とを対向
して近接させたので、環境温度が変化しても、発光点間
の距離の伸縮を少なくできるから、環境温度が変化して
も発光点間隔が変化し難く、温度特性の安定した半導体
レーザ装置を得ることができる。
【００５６】第２の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１の半導体レーザチップの第１の主面および第２の半導
体レーザチップの第３の主面それぞれに配設された第１
の主電極が、導電体で形成された良熱伝導体を介して配
設されているので、第１の半導体レーザチップ及び第２
の半導体レーザチップそれぞれの第１の主電極が良熱伝
導体を介して電気的に接続されるから、リードの接続が
簡単な半導体レーザ装置を得ることができる。第３の発
明に係る半導体レーザ装置は、第１の半導体レーザチッ
プの第１の主面及び第２の半導体レーザチップの第３の
主面それぞれもしくはいずれか一方の発光点近傍に段部
を有し、この段部を介する第１の半導体レーザチップの
第１の主面と第２の半導体レーザチップの第３の主面と
の距離が良熱伝導体の高さと相異なるようにしたので、
発光点間の距離精度を出し易いから、発光特性のバラツ
キの少ない半導体レーザ装置を歩留りよく得ることがで
きる。
１の半導体レーザチップの第１の主面および第２の半導
体レーザチップの第３の主面それぞれに配設された第１
の主電極が、導電体で形成された良熱伝導体を介して配
設されているので、第１の半導体レーザチップ及び第２
の半導体レーザチップそれぞれの第１の主電極が良熱伝
導体を介して電気的に接続されるから、リードの接続が
簡単な半導体レーザ装置を得ることができる。第３の発
明に係る半導体レーザ装置は、第１の半導体レーザチッ
プの第１の主面及び第２の半導体レーザチップの第３の
主面それぞれもしくはいずれか一方の発光点近傍に段部
を有し、この段部を介する第１の半導体レーザチップの
第１の主面と第２の半導体レーザチップの第３の主面と
の距離が良熱伝導体の高さと相異なるようにしたので、
発光点間の距離精度を出し易いから、発光特性のバラツ
キの少ない半導体レーザ装置を歩留りよく得ることがで
きる。
【００５７】第４の発明に係る半導体レーザ装置は、段
部を介する第１の主面と第３の主面との距離が良熱伝導
体の高さよりも小さくなるようにしたので、良熱伝導体
の高さを大きく保ちつつ発光点間の距離を小さくできる
から、発光点間隔の狭い半導体レーザ装置を歩留りよく
得ることができる。第５の発明に係る半導体レーザ装置
は、段部を介する第１の主面と第３の主面との距離が良
熱伝導体の高さよりも大きくなるようにしたので、所定
の発光点間隔を保ちつつ良熱伝導体の高さを低くできる
から、より熱的影響が受け難く、また発光点間隔寸法の
揃った半導体レーザ装置を歩留りよく得ることができ
る。
部を介する第１の主面と第３の主面との距離が良熱伝導
体の高さよりも小さくなるようにしたので、良熱伝導体
の高さを大きく保ちつつ発光点間の距離を小さくできる
から、発光点間隔の狭い半導体レーザ装置を歩留りよく
得ることができる。第５の発明に係る半導体レーザ装置
は、段部を介する第１の主面と第３の主面との距離が良
熱伝導体の高さよりも大きくなるようにしたので、所定
の発光点間隔を保ちつつ良熱伝導体の高さを低くできる
から、より熱的影響が受け難く、また発光点間隔寸法の
揃った半導体レーザ装置を歩留りよく得ることができ
る。
【００５８】第６の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１の半導体レーザチップの第１の主面の一部と第２の半
導体レーザチップの第３の主面の一部にそれぞれが互い
にはめ合わされる段部を有し、この段部が第１の発光点
と第２の発光点とを互いに対向させるための位置決め手
段となるように第１の発光点と第２の発光点とが配設さ
れたので、第１の発光点と第２の発光点とを精度よく対
向させることができるから、簡単な構成で発光点間隔の
寸法精度の揃った半導体レーザ装置を歩留りよく得るこ
とができる。
１の半導体レーザチップの第１の主面の一部と第２の半
導体レーザチップの第３の主面の一部にそれぞれが互い
にはめ合わされる段部を有し、この段部が第１の発光点
と第２の発光点とを互いに対向させるための位置決め手
段となるように第１の発光点と第２の発光点とが配設さ
れたので、第１の発光点と第２の発光点とを精度よく対
向させることができるから、簡単な構成で発光点間隔の
寸法精度の揃った半導体レーザ装置を歩留りよく得るこ
とができる。
【００５９】第７の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１及び第２の半導体レーザチップの段部を、互いにはめ
合わされる凹部もしくは凸部とし、この凹部及び凸部に
それぞれの半導体レーザチップの発光点が配設されると
ともに凸部を有する側の半導体レーザチップの凸部の側
面と第１もしくは第３の主面の凸部以外の部分とに絶縁
層を配設し、凸部の第１もしくは第３の主面上及び絶縁
層上に第１の主電極を配設しこの絶縁層上の第１の主電
極上に良熱伝導体を配設したので、凹部もしくは凸部の
幅を小さいチップでも広く取ることができるから、発光
点相互の位置調整および加工組み立てが簡単な半導体レ
ーザ装置を得ることができる。
１及び第２の半導体レーザチップの段部を、互いにはめ
合わされる凹部もしくは凸部とし、この凹部及び凸部に
それぞれの半導体レーザチップの発光点が配設されると
ともに凸部を有する側の半導体レーザチップの凸部の側
面と第１もしくは第３の主面の凸部以外の部分とに絶縁
層を配設し、凸部の第１もしくは第３の主面上及び絶縁
層上に第１の主電極を配設しこの絶縁層上の第１の主電
極上に良熱伝導体を配設したので、凹部もしくは凸部の
幅を小さいチップでも広く取ることができるから、発光
点相互の位置調整および加工組み立てが簡単な半導体レ
ーザ装置を得ることができる。
【００６０】第８の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１の主面及び第３の主面に沿って第１の発光点及び第２
の発光点がそれぞれ電気的隔離手段を介して複数個配設
されるとともにそれぞれの発光点に対応する第１の主面
もしくは第３の主面それぞれに第１の主電極を個別に設
けたので、発光点を複数並列させることができるから、
簡単な構成で、熱的にクロストークが少なく、発光点間
隔が熱的影響を受けにくい近接２ビームの多点リニアア
レイを構成できる。第９の発明に係る光ディスク装置
は、これらの半導体レーザ装置を備えたので、性能が環
境温度に影響されない光ディスク装置を構成できる。
１の主面及び第３の主面に沿って第１の発光点及び第２
の発光点がそれぞれ電気的隔離手段を介して複数個配設
されるとともにそれぞれの発光点に対応する第１の主面
もしくは第３の主面それぞれに第１の主電極を個別に設
けたので、発光点を複数並列させることができるから、
簡単な構成で、熱的にクロストークが少なく、発光点間
隔が熱的影響を受けにくい近接２ビームの多点リニアア
レイを構成できる。第９の発明に係る光ディスク装置
は、これらの半導体レーザ装置を備えたので、性能が環
境温度に影響されない光ディスク装置を構成できる。
【図１】 一般的な光ディスク装置の光学系を記載した
斜視図である。
斜視図である。
【図２】 半導体レーザの一般的構成を示す分解斜視図
である。
である。
【図３】 この発明の一実施例である半導体レーザ装置
の正面図である。
の正面図である。
【図４】 この発明に係る半導体レーザ装置の製造工程
におけるレーザアレイの断面図である。
におけるレーザアレイの断面図である。
【図５】 この発明に係る半導体レーザ装置の製造工程
におけるレーザアレイの断面図である。
におけるレーザアレイの断面図である。
【図６】 この発明に係る半導体レーザ装置の製造工程
におけるレーザアレイの断面図である。
におけるレーザアレイの断面図である。
【図７】 この発明に係る半導体レーザ装置の取付工程
を示す半導体レーザの斜視図である。
を示す半導体レーザの斜視図である。
【図８】 この発明の他の実施例の半導体レーザ装置の
正面図である。
正面図である。
【図９】 この発明のさらに他の実施例の半導体レーザ
装置の正面図である。
装置の正面図である。
【図１０】 この発明のさらに他の実施例の半導体レー
ザ装置の正面図である。
ザ装置の正面図である。
【図１１】 この発明のさらに他の実施例の半導体レー
ザ装置の部分斜視図である。
ザ装置の部分斜視図である。
【図１２】 Ａ矢視による図１１の半導体レーザ装置の
正面図である。
正面図である。
【図１３】 従来の近接２ビームレーザアレイの斜視図
である。
である。
５０ 銀ブロック、 ５２ サブマウント、 ５４
高出力ＬＤ、１０６ 伝熱接続脚体、 ５９ 低雑
音ＬＤ、 １０１ 段差、１０２ 段差、 １
０４ 段差、 １０５ 段差、 ６９ ＳiＯ
２膜、 ７７ 分離溝、 ８７ 分離溝。
高出力ＬＤ、１０６ 伝熱接続脚体、 ５９ 低雑
音ＬＤ、 １０１ 段差、１０２ 段差、 １
０４ 段差、 １０５ 段差、 ６９ ＳiＯ
２膜、 ７７ 分離溝、 ８７ 分離溝。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 青柳 利隆
兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電
機株式会社 光・マイクロ波デバイス開
発研究所内
(56)参考文献 特開 昭63−237490（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−334264（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−211991（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−46280（ＪＰ，Ａ)
実開 平４−105568（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/40
H01L 23/12
H01L 23/36
H01L 27/10
H01L 27/15
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (9)
- 【請求項１】 冷却体となる基台上に配設された熱緩衝
板と、 光の放射方向に並行し互いに対向する第１および第２の
主面とこの第１の主面に近接した第１の発光点とを有
し、上記第２の主面を介して上記熱緩衝板の表面上に配
設された第１の半導体レーザチップと、 この第１の半導体レーザチップの上記第１の主面上に、
上記第１の発光点から間隔を設けてこの第１の発光点を
挟むように配設された良熱伝導体と、 光の放射方向に並行し互いに対向する第３の主面および
第４の主面とこの第３の主面に近接した第２の発光点と
を有し、光の放射方向が上記第１の半導体レーザチップ
の光の放射方向と互いに並行になるように上記第３の主
面を介して上記良熱伝導体上に配設されるとともに上記
第２の発光点を上記第１の発光点に対向して近接させた
第２の半導体レーザチップと、 を備えた半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 第１の半導体レーザチップの第１の主面
および第２の半導体レーザチップの第３の主面それぞれ
に配設された第１の主電極が、導電体で形成された上記
良熱伝導体を介して配設されていることを特徴とする請
求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 第１の半導体レーザチップの第１の主面
及び第２の半導体レーザチップの第３の主面それぞれも
しくはいずれか一方の発光点近傍に段部を有し、この段
部を介する第１の半導体レーザチップの第１の主面と第
２の半導体レーザチップの第３の主面との距離が良熱伝
導体の高さと相異なることを特徴とする請求項１または
請求項２のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 上記段部を介する上記第１の主面と上記
第３の主面との距離が良熱伝導体の高さよりも小さいこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 上記段部を介する上記第１の主面と上記
第３の主面との距離が良熱伝導体の高さよりも大きいこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 第１の半導体レーザチップの第１の主面
の一部と第２の半導体レーザチップの第３の主面の一部
にそれぞれが互いにはめ合わされる段部を有し、この段
部が上記第１の発光点と第２の発光点とを互いに対向さ
せるための位置決め手段となるように上記第１の発光点
と第２の発光点とが配設されたことを特徴とする請求項
１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項７】 第１及び第２の半導体レーザチップの上
記段部を、互いにはめ合わされる凹部もしくは凸部と
し、この凹部及び凸部にそれぞれの半導体レーザチップ
の発光点が配設されるとともに上記凸部を有する側の半
導体レーザチップの上記凸部の側面と第１もしくは第３
の主面の凸部以外の部分とに絶縁層を配設し、凸部の第
１もしくは第３の主面上及び絶縁層上に第１の主電極を
配設しこの絶縁層上の第１の主電極上に良熱伝導体を配
設したことを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項８】上記第１の主面及び上記第３の主面に沿っ
て上記第１の発光点及び第２の発光点がそれぞれ電気的
分離手段を介して複数個配設されるとともにそれぞれの
発光点に対応する上記第１の主面もしくは上記第３の主
面それぞれに第１の主電極を個別に設けたことを特徴と
する請求項７記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項９】請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記
載の半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31835994A JP3419930B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置 |
| US08/574,308 US5638391A (en) | 1994-12-21 | 1995-12-18 | Semiconductor laser device and optical disc apparatus provided with the semiclonductor laser device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31835994A JP3419930B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181394A JPH08181394A (ja) | 1996-07-12 |
| JP3419930B2 true JP3419930B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=18098277
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31835994A Expired - Fee Related JP3419930B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備えた光ディスク装置 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3419930B2 (ja) |
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-
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- 1994-12-21 JP JP31835994A patent/JP3419930B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 1995-12-18 US US08/574,308 patent/US5638391A/en not_active Expired - Lifetime
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