JP2003133627A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/22—Apparatus or processes for the manufacture of optical heads, e.g. assembly
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 溶接による接合部材表面の荒れを防止し所望
の装置へ精度良く取付けができる。 【解決手段】 半導体レーザ装置３１は、半導体レーザ
チップ３２と、出射されるレーザ光の方向にほぼ垂直な
一表面３４を有し、一表面３４に略平行な底面３５を有
する凹所３６が形成される第１部材３３と、凹所３６に
挿入されて第１部材３３と接合される第２部材４２とを
含む。半導体レーザチップ３２が、第１部材３３の凹所
３６の底面３５に設けられる。第２部材４２は、半導体
レーザチップ３２を覆うように第１部材３３の凹所３６
に挿入されて接合される。このことによって、第１部材
３３の一表面３４は、平滑性を損なうことがなくなるの
で、接合後の第１および第２部材３３，４２を一表面３
４において所望の装置へ精度良く接合することができ
る。
の装置へ精度良く取付けができる。 【解決手段】 半導体レーザ装置３１は、半導体レーザ
チップ３２と、出射されるレーザ光の方向にほぼ垂直な
一表面３４を有し、一表面３４に略平行な底面３５を有
する凹所３６が形成される第１部材３３と、凹所３６に
挿入されて第１部材３３と接合される第２部材４２とを
含む。半導体レーザチップ３２が、第１部材３３の凹所
３６の底面３５に設けられる。第２部材４２は、半導体
レーザチップ３２を覆うように第１部材３３の凹所３６
に挿入されて接合される。このことによって、第１部材
３３の一表面３４は、平滑性を損なうことがなくなるの
で、接合後の第１および第２部材３３，４２を一表面３
４において所望の装置へ精度良く接合することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体への情
報の記録または再生に用いられる光ピックアップ装置に
備わる半導体レーザ装置に関する。
報の記録または再生に用いられる光ピックアップ装置に
備わる半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ装置は、光ピックアップ装
置に備わり光記録媒体への情報の記録または再生に用い
られる。
置に備わり光記録媒体への情報の記録または再生に用い
られる。
【０００３】図１１は、従来の半導体レーザ装置１の構
成を簡略化して示す斜視図である。半導体レーザ装置１
は、円板状の形状を有し、金属からなる第１部材２の一
表面３上に、半導体レーザチップ４を備え、半導体レー
ザチップ４がレーザ光を出射しているときに発生する熱
を効率的に拡散するヒートシンク５と、半導体レーザチ
ップ４から出射される光の一部を受光し、レーザ出力を
モニタするためのフォトダイオード６とがダイボンドに
よって固着されている。
成を簡略化して示す斜視図である。半導体レーザ装置１
は、円板状の形状を有し、金属からなる第１部材２の一
表面３上に、半導体レーザチップ４を備え、半導体レー
ザチップ４がレーザ光を出射しているときに発生する熱
を効率的に拡散するヒートシンク５と、半導体レーザチ
ップ４から出射される光の一部を受光し、レーザ出力を
モニタするためのフォトダイオード６とがダイボンドに
よって固着されている。
【０００４】フォトダイオード６が検出した半導体レー
ザチップ４の光出力は、図示しないＣＰＵ（Central Pr
ocessing Unit）を備えるシステムコントローラである
ＡＰＣ(Automatic Power Control)に入力される。ＡＰ
Ｃは、光検出出力に応答し、半導体レーザチップ４の駆
動電流を制御することによって、半導体レーザチップ４
の出力を一定に保つ。
ザチップ４の光出力は、図示しないＣＰＵ（Central Pr
ocessing Unit）を備えるシステムコントローラである
ＡＰＣ(Automatic Power Control)に入力される。ＡＰ
Ｃは、光検出出力に応答し、半導体レーザチップ４の駆
動電流を制御することによって、半導体レーザチップ４
の出力を一定に保つ。
【０００５】半導体レーザチップ４とフォトダイオード
６とは、ガラス封止部７によって表面が絶縁され第１部
材２に固定されるリードピン８に金属製のワイヤ９によ
って電気的に接続される。一端部１０には開口部１１が
形成され開口部１１の反対側の他端部１２に配される上
面部１３と上面部１３から立上がる側面部１４とを備え
る中空の金属製の第２部材１５が、半導体レーザチップ
４を覆うように設けられる。なお第２部材１５の上面部
１３には、レーザ光出射用ガラス窓１６が設けられる。
第２部材１５は、開口部１１の形成される一端部１０の
端面１７を第１部材２の前記一表面３に当接させた状態
で、抵抗溶接することによって第１部材２に接合され
る。
６とは、ガラス封止部７によって表面が絶縁され第１部
材２に固定されるリードピン８に金属製のワイヤ９によ
って電気的に接続される。一端部１０には開口部１１が
形成され開口部１１の反対側の他端部１２に配される上
面部１３と上面部１３から立上がる側面部１４とを備え
る中空の金属製の第２部材１５が、半導体レーザチップ
４を覆うように設けられる。なお第２部材１５の上面部
１３には、レーザ光出射用ガラス窓１６が設けられる。
第２部材１５は、開口部１１の形成される一端部１０の
端面１７を第１部材２の前記一表面３に当接させた状態
で、抵抗溶接することによって第１部材２に接合され
る。
【０００６】半導体レーザ装置１を光ピックアップ装置
に取付ける際には、第１部材２の一表面３を光ピックア
ップ装置の取付け面に密着させ、半導体レーザチップ４
から出射される光が光記録媒体上の適切な位置に集光さ
れるように、半導体レーザ装置１を角変位させて取付け
位置を調整した後樹脂などで固定する。半導体レーザ装
置１を備える光ピックアップ装置では、光記録媒体に集
光され反射された光はビームスプリッタなどによって回
折されて信号読取り用フォトダイオード上へ集光され、
信号が検出される。
に取付ける際には、第１部材２の一表面３を光ピックア
ップ装置の取付け面に密着させ、半導体レーザチップ４
から出射される光が光記録媒体上の適切な位置に集光さ
れるように、半導体レーザ装置１を角変位させて取付け
位置を調整した後樹脂などで固定する。半導体レーザ装
置１を備える光ピックアップ装置では、光記録媒体に集
光され反射された光はビームスプリッタなどによって回
折されて信号読取り用フォトダイオード上へ集光され、
信号が検出される。
【０００７】半導体レーザ装置を備える光ピックアップ
装置が携帯用光ディスクプレーヤなどに設けられる場
合、携帯用途であることから半導体レーザ装置には小さ
く軽量であることが望まれている。半導体レーザ装置の
小型化を実現するもう１つの従来技術が、特開平６−５
９９０号公報に開示されている。
装置が携帯用光ディスクプレーヤなどに設けられる場
合、携帯用途であることから半導体レーザ装置には小さ
く軽量であることが望まれている。半導体レーザ装置の
小型化を実現するもう１つの従来技術が、特開平６−５
９９０号公報に開示されている。
【０００８】図１２は、もう１つの従来の半導体レーザ
装置１８の構成を簡略化して示す斜視図である。半導体
レーザ装置１８の特徴は、第１部材１９の平面形状が略
長円形状を有することである。すなわち、第１部材１９
においては半導体レーザチップ４などの装着に用いられ
ることのない部位が取除かれ、たとえば光ピックアップ
装置などに設けられるとき、無駄な空間を占有すること
がないように小型化されていることである。
装置１８の構成を簡略化して示す斜視図である。半導体
レーザ装置１８の特徴は、第１部材１９の平面形状が略
長円形状を有することである。すなわち、第１部材１９
においては半導体レーザチップ４などの装着に用いられ
ることのない部位が取除かれ、たとえば光ピックアップ
装置などに設けられるとき、無駄な空間を占有すること
がないように小型化されていることである。
【０００９】略長円形状をした第１部材１９の一表面２
０上には、半導体レーザチップ４および信号読取り用フ
ォトダイオード２１が装着されたヒートシンク２２と、
レーザ出力モニタ用フォトダイオード６とがダイボンド
によって固着されている。
０上には、半導体レーザチップ４および信号読取り用フ
ォトダイオード２１が装着されたヒートシンク２２と、
レーザ出力モニタ用フォトダイオード６とがダイボンド
によって固着されている。
【００１０】なお第２部材２３の上面部２４に備えられ
るレーザ光出射用ガラス窓２５にはホログラム素子２６
がエポキシ系樹脂で固着されている。ホログラム素子２
６は、光記録媒体からの反射光から所望の信号を得るた
め信号読取り用フォトダイオード２１上の適切な位置に
回折された反射光が受光されるように、位置が調整され
固定される。
るレーザ光出射用ガラス窓２５にはホログラム素子２６
がエポキシ系樹脂で固着されている。ホログラム素子２
６は、光記録媒体からの反射光から所望の信号を得るた
め信号読取り用フォトダイオード２１上の適切な位置に
回折された反射光が受光されるように、位置が調整され
固定される。
【００１１】このもう１つの従来の半導体レーザ装置１
８においても、第２部材２３は、第２部材２３の一端部
２７の端面２８が第１部材１９の一表面２０に当接さ
れ、抵抗溶接されて第１部材１９と接合されている。
８においても、第２部材２３は、第２部材２３の一端部
２７の端面２８が第１部材１９の一表面２０に当接さ
れ、抵抗溶接されて第１部材１９と接合されている。
【００１２】また、半導体レーザ装置１，１８のしきい
電流値、発振モードなどの特性を測定するとき、半導体
レーザ装置１，１８は、第１部材２，１９の一表面３，
２０で測定装置の取付け部に取付けられて、各測定が行
われる。
電流値、発振モードなどの特性を測定するとき、半導体
レーザ装置１，１８は、第１部材２，１９の一表面３，
２０で測定装置の取付け部に取付けられて、各測定が行
われる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来の半導体レ
ーザ装置１ともう１つの従来の半導体レーザ装置１８に
は以下の問題がある。
ーザ装置１ともう１つの従来の半導体レーザ装置１８に
は以下の問題がある。
【００１４】前述のように各半導体レーザ装置１，１８
に備わる第１部材２，１９は、一表面３，２０におい
て、抵抗溶接によって第２部材１５，２３と接合され
る。抵抗溶接では、往々にして溶融金属の小滴であるス
パッタが発生することがあり、スパッタが発生すること
によって、スパッタが一表面に融着したり、融着しない
までもスパッタの衝突によって一表面の衝突個所に粗大
な凹凸が形成される。第２部材と第１部材とが接合され
た後、第１部材の一表面でたとえば光ピックアップ装置
または測定装置の取付け部に取付けられるとき、第１部
材の一表面上に融着したスパッタおよび形成された粗大
な凹凸が、装置への取付け精度を悪化させるという問題
がある。
に備わる第１部材２，１９は、一表面３，２０におい
て、抵抗溶接によって第２部材１５，２３と接合され
る。抵抗溶接では、往々にして溶融金属の小滴であるス
パッタが発生することがあり、スパッタが発生すること
によって、スパッタが一表面に融着したり、融着しない
までもスパッタの衝突によって一表面の衝突個所に粗大
な凹凸が形成される。第２部材と第１部材とが接合され
た後、第１部材の一表面でたとえば光ピックアップ装置
または測定装置の取付け部に取付けられるとき、第１部
材の一表面上に融着したスパッタおよび形成された粗大
な凹凸が、装置への取付け精度を悪化させるという問題
がある。
【００１５】また抵抗溶接によって生じる一表面の問題
を解決する１つの手段として、第１部材を大きくし、抵
抗溶接のスパッタの影響を殆ど受けることがない第１部
材の周縁部を利用して装置に取付けることが考えられる
けれども、前述したような携帯用光ディスクプレーヤな
どに備わる光ピックアップ装置に用いられる場合、第１
部材を大きくすることによって装置が大きくなり、携帯
用光ディスクプレーヤの取扱い性および携帯利便性を損
なうという問題がある。
を解決する１つの手段として、第１部材を大きくし、抵
抗溶接のスパッタの影響を殆ど受けることがない第１部
材の周縁部を利用して装置に取付けることが考えられる
けれども、前述したような携帯用光ディスクプレーヤな
どに備わる光ピックアップ装置に用いられる場合、第１
部材を大きくすることによって装置が大きくなり、携帯
用光ディスクプレーヤの取扱い性および携帯利便性を損
なうという問題がある。
【００１６】本発明の目的は、溶接による接合部材表面
の荒れを防止し所望の装置へ精度良く取付けができる半
導体レーザ装置を提供することである。
の荒れを防止し所望の装置へ精度良く取付けができる半
導体レーザ装置を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ光を出
射する半導体レーザチップと、半導体レーザチップが装
着される第１部材であって、装着された状態にある半導
体レーザチップから出射されるレーザ光の方向にほぼ垂
直な一表面を有し、前記一表面には前記一表面と略平行
な底面を有する凹所が形成され、半導体レーザチップが
前記凹所の底面に設けられる第１部材と、前記半導体レ
ーザチップを覆うように設けられ、一端部には開口部が
形成され開口部の反対側の他端部に配される上面部と上
面部から立ち上がる側面部とを備える中空の第２部材で
あって、一端部が前記凹所に挿入されて第１部材と接合
される第２部材とを含むことを特徴とする半導体レーザ
装置である。
射する半導体レーザチップと、半導体レーザチップが装
着される第１部材であって、装着された状態にある半導
体レーザチップから出射されるレーザ光の方向にほぼ垂
直な一表面を有し、前記一表面には前記一表面と略平行
な底面を有する凹所が形成され、半導体レーザチップが
前記凹所の底面に設けられる第１部材と、前記半導体レ
ーザチップを覆うように設けられ、一端部には開口部が
形成され開口部の反対側の他端部に配される上面部と上
面部から立ち上がる側面部とを備える中空の第２部材で
あって、一端部が前記凹所に挿入されて第１部材と接合
される第２部材とを含むことを特徴とする半導体レーザ
装置である。
【００１８】本発明に従えば、第１部材は、半導体レー
ザチップから出射されるレーザ光の方向にほぼ垂直な一
表面を有し、一表面に略平行な底面を有する凹所が形成
され、半導体レーザチップが凹所の底面に設けられる。
第１部材の凹所には、一端部に開口部が形成され開口部
の反対側の他端部に配される上面部と上面部から立ち上
がる側面部とを備える中空の第２部材が挿入され、第２
部材は半導体レーザチップを覆うように第１部材と凹所
において接合される。このことによって、第１部材と第
２部材とがたとえば抵抗溶接によって接合されるとき、
第１部材の一表面は、抵抗溶接時に発生するスパッタの
融着およびスパッタの衝突による損耗（以後、このよう
な一表面の平滑性が損なわれた状態を総称して荒れと呼
ぶ）を生じることがなくなるので、接合後の第１および
第２部材を所望の装置へ精度良く取付けることができ
る。
ザチップから出射されるレーザ光の方向にほぼ垂直な一
表面を有し、一表面に略平行な底面を有する凹所が形成
され、半導体レーザチップが凹所の底面に設けられる。
第１部材の凹所には、一端部に開口部が形成され開口部
の反対側の他端部に配される上面部と上面部から立ち上
がる側面部とを備える中空の第２部材が挿入され、第２
部材は半導体レーザチップを覆うように第１部材と凹所
において接合される。このことによって、第１部材と第
２部材とがたとえば抵抗溶接によって接合されるとき、
第１部材の一表面は、抵抗溶接時に発生するスパッタの
融着およびスパッタの衝突による損耗（以後、このよう
な一表面の平滑性が損なわれた状態を総称して荒れと呼
ぶ）を生じることがなくなるので、接合後の第１および
第２部材を所望の装置へ精度良く取付けることができ
る。
【００１９】また本発明は、前記凹所に挿入される前記
第２部材の一端部には、挿入方向に向けて突出する突起
部が形成され、前記第２部材は、突起部を介して前記凹
所の底面に接合されることを特徴とする。
第２部材の一端部には、挿入方向に向けて突出する突起
部が形成され、前記第２部材は、突起部を介して前記凹
所の底面に接合されることを特徴とする。
【００２０】本発明に従えば、第２部材は、一端部に形
成される第１部材の凹所への挿入方向に向けて突出する
突起部を介して凹所の底面で第１部材と接合されるの
で、第１部材の一表面には荒れが生じることなく、また
第２部材は突起部によって第１部材に確実に融着接合さ
れる。このことによって、接合後の第１および第２部材
を前記一表面において所望の装置へ精度良く取付けるこ
とができる。
成される第１部材の凹所への挿入方向に向けて突出する
突起部を介して凹所の底面で第１部材と接合されるの
で、第１部材の一表面には荒れが生じることなく、また
第２部材は突起部によって第１部材に確実に融着接合さ
れる。このことによって、接合後の第１および第２部材
を前記一表面において所望の装置へ精度良く取付けるこ
とができる。
【００２１】また本発明は、前記凹所に挿入される前記
第２部材の一端部付近には、前記第２部材の側面部外方
に突出する突起部が形成され、前記第２部材は、突起部
を介して前記凹所の壁面に接合されることを特徴とす
る。
第２部材の一端部付近には、前記第２部材の側面部外方
に突出する突起部が形成され、前記第２部材は、突起部
を介して前記凹所の壁面に接合されることを特徴とす
る。
【００２２】本発明に従えば、第２部材は、一端部付近
に形成される側面部外方に突出する突起部を介して凹所
の壁面で第１部材と接合されるので、第１部材の一表面
に荒れが生じることなく、また第２部材は突起部によっ
て第１部材に確実に融着接合される。このことによっ
て、接合後の第１および第２部材を前記一表面において
所望の装置へ精度良く取付けることができる。
に形成される側面部外方に突出する突起部を介して凹所
の壁面で第１部材と接合されるので、第１部材の一表面
に荒れが生じることなく、また第２部材は突起部によっ
て第１部材に確実に融着接合される。このことによっ
て、接合後の第１および第２部材を前記一表面において
所望の装置へ精度良く取付けることができる。
【００２３】また本発明は、前記第２部材の側面部に
は、前記第２部材を前記凹所に挿入する方向に平行な方
向に延びる切欠き部が形成されることを特徴とする。
は、前記第２部材を前記凹所に挿入する方向に平行な方
向に延びる切欠き部が形成されることを特徴とする。
【００２４】本発明に従えば、第２部材の側面部には、
第２部材を凹所に挿入する方向に平行な方向に延びる切
欠き部が形成されるので、平面寸法において凹所より大
きい第２部材を挿入することが可能になり、凹所の壁面
と第２部材とを隙間なく接合することができる。
第２部材を凹所に挿入する方向に平行な方向に延びる切
欠き部が形成されるので、平面寸法において凹所より大
きい第２部材を挿入することが可能になり、凹所の壁面
と第２部材とを隙間なく接合することができる。
【００２５】また本発明は、前記半導体レーザ装置を備
え、半導体レーザ装置から出射される光を集光する集光
手段と、集光手段によって集光され光反射体から反射さ
れた光を検出する光検出手段とを含むことを特徴とする
光ピックアップ装置である。
え、半導体レーザ装置から出射される光を集光する集光
手段と、集光手段によって集光され光反射体から反射さ
れた光を検出する光検出手段とを含むことを特徴とする
光ピックアップ装置である。
【００２６】本発明に従えば、半導体レーザ装置は、第
１部材と第２部材とを接合した後第１部材の一表面を平
滑にするべく手入れ加工を施すことなく、第１部材の一
表面において光ピックアップ装置に精度良く取付けるこ
とができる。このことによって光ピックアップ装置の製
造工数の削減を実現することができ、また半導体レーザ
装置からの出射光を集光手段によって正確に光反射体で
ある光記録媒体の集光位置へ集光し、光検出手段によっ
て光記録媒体からの反射光の信号を精度良く検出するこ
とが可能になる。
１部材と第２部材とを接合した後第１部材の一表面を平
滑にするべく手入れ加工を施すことなく、第１部材の一
表面において光ピックアップ装置に精度良く取付けるこ
とができる。このことによって光ピックアップ装置の製
造工数の削減を実現することができ、また半導体レーザ
装置からの出射光を集光手段によって正確に光反射体で
ある光記録媒体の集光位置へ集光し、光検出手段によっ
て光記録媒体からの反射光の信号を精度良く検出するこ
とが可能になる。
【００２７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態
である半導体レーザ装置３１の構成を簡略化して示す分
解斜視図であり、図２は図１に示す半導体レーザ装置３
１の組立て斜視図であり、図３は図１に示す半導体レー
ザ装置３１の部分断面図である。
である半導体レーザ装置３１の構成を簡略化して示す分
解斜視図であり、図２は図１に示す半導体レーザ装置３
１の組立て斜視図であり、図３は図１に示す半導体レー
ザ装置３１の部分断面図である。
【００２８】半導体レーザ装置３１は、レーザ光を出射
する半導体レーザチップ３２と、半導体レーザチップ３
２が装着される第１部材３３であって、装着された状態
にある半導体レーザチップ３２から出射されるレーザ光
の方向にほぼ垂直な一表面３４を有し、前記一表面３４
には前記一表面３４と略平行な底面３５を有する凹所３
６が形成され、半導体レーザチップ３２が前記凹所３６
の底面３５に設けられる第１部材３３と、前記半導体レ
ーザチップ３２を覆うように設けられ、一端部３７には
開口部３８が形成され開口部３８の反対側の他端部３９
に配される上面部４０と上面部４０から立ち上がる側面
部４１とを備える中空の第２部材４２であって、一端部
３７が前記凹所３６に挿入されて第１部材３３と接合さ
れる第２部材４２とを含む。
する半導体レーザチップ３２と、半導体レーザチップ３
２が装着される第１部材３３であって、装着された状態
にある半導体レーザチップ３２から出射されるレーザ光
の方向にほぼ垂直な一表面３４を有し、前記一表面３４
には前記一表面３４と略平行な底面３５を有する凹所３
６が形成され、半導体レーザチップ３２が前記凹所３６
の底面３５に設けられる第１部材３３と、前記半導体レ
ーザチップ３２を覆うように設けられ、一端部３７には
開口部３８が形成され開口部３８の反対側の他端部３９
に配される上面部４０と上面部４０から立ち上がる側面
部４１とを備える中空の第２部材４２であって、一端部
３７が前記凹所３６に挿入されて第１部材３３と接合さ
れる第２部材４２とを含む。
【００２９】半導体レーザチップ３２は、たとえば７８
０ｎｍのレーザ光を出射する光源である。第１部材３３
は、たとえば鋼などの金属からなる円板状または軸方向
の長さの短い円柱状の形状を有する部材であり、一表面
３４に形成された凹所３６には、フォトダイオード４
３、ヒートシンク４４およびリードピン４５が装着され
る。また、凹所３６の壁面４６は絶縁物質によって被覆
される。
０ｎｍのレーザ光を出射する光源である。第１部材３３
は、たとえば鋼などの金属からなる円板状または軸方向
の長さの短い円柱状の形状を有する部材であり、一表面
３４に形成された凹所３６には、フォトダイオード４
３、ヒートシンク４４およびリードピン４５が装着され
る。また、凹所３６の壁面４６は絶縁物質によって被覆
される。
【００３０】フォトダイオード４３は、半導体レーザチ
ップ３２から出射される光の一部を受光し、レーザ出力
をモニタする。フォトダイオード４３が検出する光出力
は、図示しないＣＰＵを備えるシステムコントローラで
あるＡＰＣに入力され、ＡＰＣは光検出出力に応答し、
半導体レーザチップ３２の駆動電流を制御することによ
って、半導体レーザチップ３２の出力を一定に保つ。
ップ３２から出射される光の一部を受光し、レーザ出力
をモニタする。フォトダイオード４３が検出する光出力
は、図示しないＣＰＵを備えるシステムコントローラで
あるＡＰＣに入力され、ＡＰＣは光検出出力に応答し、
半導体レーザチップ３２の駆動電流を制御することによ
って、半導体レーザチップ３２の出力を一定に保つ。
【００３１】ヒートシンク４４は、たとえば銅などの熱
伝導率の大きい金属からなる熱拡散部材である。半導体
レーザチップ３２は、ヒートシンク４４に装着されるの
で、レーザを出射しているときに発生する熱がヒートシ
ンク４４によって効率よく拡散される。リードピン４５
は、たとえば銅製の導電部材であり、ガラス封止部４７
によって絶縁され、第１部材３３に固定される。リード
ピン４５ａ，４５ｂは、第１および第２リードフレーム
４８ａ，４８ｂとそれぞれ電気的に接続され、半導体レ
ーザチップ３２およびフォトダイオード４３は、第３リ
ードフレーム４８ｃと電気的に接続される。
伝導率の大きい金属からなる熱拡散部材である。半導体
レーザチップ３２は、ヒートシンク４４に装着されるの
で、レーザを出射しているときに発生する熱がヒートシ
ンク４４によって効率よく拡散される。リードピン４５
は、たとえば銅製の導電部材であり、ガラス封止部４７
によって絶縁され、第１部材３３に固定される。リード
ピン４５ａ，４５ｂは、第１および第２リードフレーム
４８ａ，４８ｂとそれぞれ電気的に接続され、半導体レ
ーザチップ３２およびフォトダイオード４３は、第３リ
ードフレーム４８ｃと電気的に接続される。
【００３２】第２部材４２は、たとえば鋼などの金属か
らなる略円筒状の外形を有する部材であり、前記上面部
４０には、出射されたレーザ光が通過するレーザ光出射
用ガラス窓４９が設けられる。また第２部材４２の一端
部３７には、凹所３６への挿入方向に向けて突出する突
起部５０が形成される。
らなる略円筒状の外形を有する部材であり、前記上面部
４０には、出射されたレーザ光が通過するレーザ光出射
用ガラス窓４９が設けられる。また第２部材４２の一端
部３７には、凹所３６への挿入方向に向けて突出する突
起部５０が形成される。
【００３３】半導体レーザチップ３２はヒートシンク４
４にダイボンドによって固着され、ヒートシンク４４お
よびフォトダイオード４３は、凹所３６の底面３５にダ
イボンドによって固着される。半導体レーザチップ３２
およびフォトダイオード４３は、リードピン４５に金属
製のワイヤ５１によって電気的に接続される。半導体レ
ーザチップ３２およびフォトダイオード４３などを覆う
ようにして、第２部材４２の一端部３７が、第１部材３
３の凹所３６に挿入され、凹所３６の底面３５において
突起部５０を介して抵抗溶接によって第１部材３３と接
合される。第１部材３３の一表面３４と凹所３６の底面
３５とは略平行であるので、凹所３６の底面３５におい
て接合された第２部材４２は一表面３４に対してほぼ垂
直な方向に延び、またヒートシンク４４を介して凹所３
６の底面３５に固着された半導体レーザチップ３２は、
一表面３４に対してほぼ垂直な方向にレーザ光を出射す
る。
４にダイボンドによって固着され、ヒートシンク４４お
よびフォトダイオード４３は、凹所３６の底面３５にダ
イボンドによって固着される。半導体レーザチップ３２
およびフォトダイオード４３は、リードピン４５に金属
製のワイヤ５１によって電気的に接続される。半導体レ
ーザチップ３２およびフォトダイオード４３などを覆う
ようにして、第２部材４２の一端部３７が、第１部材３
３の凹所３６に挿入され、凹所３６の底面３５において
突起部５０を介して抵抗溶接によって第１部材３３と接
合される。第１部材３３の一表面３４と凹所３６の底面
３５とは略平行であるので、凹所３６の底面３５におい
て接合された第２部材４２は一表面３４に対してほぼ垂
直な方向に延び、またヒートシンク４４を介して凹所３
６の底面３５に固着された半導体レーザチップ３２は、
一表面３４に対してほぼ垂直な方向にレーザ光を出射す
る。
【００３４】第２部材４２の一端部３７を第１部材３３
の凹所３６に挿入し、第２部材４２の突起部５０を介し
て接合することによって、第１部材３３の一表面３４に
荒れを生じることなく、また第２部材４２は突起部５０
によって確実に融着接合されるので、接合後の第１およ
び第２部材３３，４２を一表面３４において所望の装置
へ精度良く取付けることができる。
の凹所３６に挿入し、第２部材４２の突起部５０を介し
て接合することによって、第１部材３３の一表面３４に
荒れを生じることなく、また第２部材４２は突起部５０
によって確実に融着接合されるので、接合後の第１およ
び第２部材３３，４２を一表面３４において所望の装置
へ精度良く取付けることができる。
【００３５】図４は本発明の第２の実施の形態である半
導体レーザ装置５２の構成を簡略化して示す分解斜視図
であり、図５は図４に示す半導体レーザ装置５２の組立
て斜視図であり、図６は図４に示す半導体レーザ装置５
２の部分断面図である。
導体レーザ装置５２の構成を簡略化して示す分解斜視図
であり、図５は図４に示す半導体レーザ装置５２の組立
て斜視図であり、図６は図４に示す半導体レーザ装置５
２の部分断面図である。
【００３６】半導体レーザ装置５２は、第１の実施の形
態である半導体レーザ装置３１に類似し、対応する部分
には同一の参照符号をつけて説明を省略する。注目すべ
きは、第２部材５３は、一端部５４付近に側面部５５外
方に突出する突起部５６を備え、側面部５５に第１部材
５７に形成される凹所５８に挿入する方向に平行な方向
に延びる切欠き部５９を備えることである。また、凹所
５８の底面６０は絶縁物質によって被覆され、壁面６１
が鋼製表面のまま導電性を備えることである。
態である半導体レーザ装置３１に類似し、対応する部分
には同一の参照符号をつけて説明を省略する。注目すべ
きは、第２部材５３は、一端部５４付近に側面部５５外
方に突出する突起部５６を備え、側面部５５に第１部材
５７に形成される凹所５８に挿入する方向に平行な方向
に延びる切欠き部５９を備えることである。また、凹所
５８の底面６０は絶縁物質によって被覆され、壁面６１
が鋼製表面のまま導電性を備えることである。
【００３７】半導体レーザチップ３２およびフォトダイ
オード４３は、リードピン４５にワイヤ５１によって電
気的に接続され、第２部材５３の一端部５４が、半導体
レーザチップ３２およびフォトダイオード４３などを覆
うように第１部材５７の凹所５８に挿入される。第２部
材５３は、側面部５５に切欠き部５９が形成されるの
で、平面寸法が第１部材５７の凹所５８より大きい第２
部材５３を凹所５８へ挿入することが可能になる。第１
部材５７の底面６０は、絶縁物質によって被覆されてい
るので、挿入された第２部材５３は、導電性を備える凹
所５８の壁面６１において突起部５６を介して第１部材
５７と抵抗溶接によって接合される。第１部材５７の一
表面６２と凹所５８の底面６０とは略平行であるので、
凹所５８の底面６０と接して壁面６１において接合され
た第２部材５３は一表面６２に対してほぼ垂直な方向に
延び、またヒートシンク４４を介して凹所５８の底面６
０に固着された半導体レーザチップ３２は、一表面６２
に対してほぼ垂直な方向にレーザ光を出射する。
オード４３は、リードピン４５にワイヤ５１によって電
気的に接続され、第２部材５３の一端部５４が、半導体
レーザチップ３２およびフォトダイオード４３などを覆
うように第１部材５７の凹所５８に挿入される。第２部
材５３は、側面部５５に切欠き部５９が形成されるの
で、平面寸法が第１部材５７の凹所５８より大きい第２
部材５３を凹所５８へ挿入することが可能になる。第１
部材５７の底面６０は、絶縁物質によって被覆されてい
るので、挿入された第２部材５３は、導電性を備える凹
所５８の壁面６１において突起部５６を介して第１部材
５７と抵抗溶接によって接合される。第１部材５７の一
表面６２と凹所５８の底面６０とは略平行であるので、
凹所５８の底面６０と接して壁面６１において接合され
た第２部材５３は一表面６２に対してほぼ垂直な方向に
延び、またヒートシンク４４を介して凹所５８の底面６
０に固着された半導体レーザチップ３２は、一表面６２
に対してほぼ垂直な方向にレーザ光を出射する。
【００３８】本実施の形態では、第２部材５３の平面寸
法は第１部材５７の凹所５８よりも大きい構成であるけ
れども、第２部材の平面寸法が凹所５８と等しく、側面
部に突起部のみを備える構成であってもよい。
法は第１部材５７の凹所５８よりも大きい構成であるけ
れども、第２部材の平面寸法が凹所５８と等しく、側面
部に突起部のみを備える構成であってもよい。
【００３９】平面寸法が凹所５８よりも大きく側面部５
５に切欠き部５９の形成された第２部材５３の一端部５
４を凹所５８に挿入し、第２部材５３の側面部５５に形
成された突起部５６を介して接合することによって、第
２部材５３を凹所５８の壁面６１と隙間なく確実に融着
接合することが可能となり、第１部材５７の一表面６２
において荒れを生じることがないので、接合後の第１お
よび第２部材５７，５３を一表面６２において所望の装
置へ精度良く取付けることができる。
５に切欠き部５９の形成された第２部材５３の一端部５
４を凹所５８に挿入し、第２部材５３の側面部５５に形
成された突起部５６を介して接合することによって、第
２部材５３を凹所５８の壁面６１と隙間なく確実に融着
接合することが可能となり、第１部材５７の一表面６２
において荒れを生じることがないので、接合後の第１お
よび第２部材５７，５３を一表面６２において所望の装
置へ精度良く取付けることができる。
【００４０】図７は本発明の第３の実施の形態である半
導体レーザ装置６３の構成を簡略化して示す分解斜視図
であり、図８は図７に示す半導体レーザ装置６３の組立
て斜視図であり、図９は図７に示す半導体レーザ装置６
３の部分断面図である。
導体レーザ装置６３の構成を簡略化して示す分解斜視図
であり、図８は図７に示す半導体レーザ装置６３の組立
て斜視図であり、図９は図７に示す半導体レーザ装置６
３の部分断面図である。
【００４１】本実施の形態の半導体レーザ装置６３は、
第１の実施の形態の半導体レーザ装置３１に類似し、対
応する部分には、同一の参照符号を付けて説明を省略す
る。注目すべきは、第２部材６４の平面形状は略長円形
状であり、上面部６５には、ホログラム素子６６が設け
られることである。また、第１部材６７には、信号読取
り用フォトダイオード６８が設けられる。
第１の実施の形態の半導体レーザ装置３１に類似し、対
応する部分には、同一の参照符号を付けて説明を省略す
る。注目すべきは、第２部材６４の平面形状は略長円形
状であり、上面部６５には、ホログラム素子６６が設け
られることである。また、第１部材６７には、信号読取
り用フォトダイオード６８が設けられる。
【００４２】ホログラム素子６６は、ガラス基板からな
り、その上面にホログラム、下面にトラッキングビーム
生成用回折格子を備える光学部材である。半導体レーザ
チップ３２から出射されホログラム素子６６を透過する
光は、ホログラム素子６６が備える回折格子によって回
折され３つの回折光となり、ホログラム素子６６に入射
する光は、ホログラムによってさらに回折されて第１部
材６７に設けられる信号読取り用フォトダイオード６８
によって受光され、トラッキング誤差信号などの検出信
号が検出される。信号読取り用フォトダイオード６８
は、ヒートシンク６９の上面部７０にダイボンドにより
固着される。
り、その上面にホログラム、下面にトラッキングビーム
生成用回折格子を備える光学部材である。半導体レーザ
チップ３２から出射されホログラム素子６６を透過する
光は、ホログラム素子６６が備える回折格子によって回
折され３つの回折光となり、ホログラム素子６６に入射
する光は、ホログラムによってさらに回折されて第１部
材６７に設けられる信号読取り用フォトダイオード６８
によって受光され、トラッキング誤差信号などの検出信
号が検出される。信号読取り用フォトダイオード６８
は、ヒートシンク６９の上面部７０にダイボンドにより
固着される。
【００４３】半導体レーザチップ３２は、ヒートシンク
６９にダイボンドによって固着され、ヒートシンク６９
およびフォトダイオード４３は、凹所７１の底面７２に
ダイボンドによって固着される。固着された半導体レー
ザチップ３２、信号読取り用フォトダイオード６８およ
びフォトダイオード４３は、リードピン４５にワイヤ５
１によって電気的に接続される。リードフレーム４８
は、信号読取り用フォトダイオード６８など設けられる
部材の増加に伴なって電気的接続のため多く設けられ
る。
６９にダイボンドによって固着され、ヒートシンク６９
およびフォトダイオード４３は、凹所７１の底面７２に
ダイボンドによって固着される。固着された半導体レー
ザチップ３２、信号読取り用フォトダイオード６８およ
びフォトダイオード４３は、リードピン４５にワイヤ５
１によって電気的に接続される。リードフレーム４８
は、信号読取り用フォトダイオード６８など設けられる
部材の増加に伴なって電気的接続のため多く設けられ
る。
【００４４】第１の実施の形態と同様に、第１部材６７
の壁面７３は絶縁物質によって被覆され、第２部材６４
は、半導体レーザチップ３２などを覆うように第１部材
６７の凹所７１に挿入され、第２部材６４の一端部７４
に形成される突起部７５を介して凹所７１の底面７２に
おいて第１部材６７と抵抗溶接によって接合される。第
１部材６７の一表面７６と凹所７１の底面７２とは略平
行であるので、凹所７１の底面７２において接合された
第２部材６４の上面部６５と、第１部材６７の一表面７
６とが平行関係を保ち、ホログラム素子６６の取付け精
度が保たれる。
の壁面７３は絶縁物質によって被覆され、第２部材６４
は、半導体レーザチップ３２などを覆うように第１部材
６７の凹所７１に挿入され、第２部材６４の一端部７４
に形成される突起部７５を介して凹所７１の底面７２に
おいて第１部材６７と抵抗溶接によって接合される。第
１部材６７の一表面７６と凹所７１の底面７２とは略平
行であるので、凹所７１の底面７２において接合された
第２部材６４の上面部６５と、第１部材６７の一表面７
６とが平行関係を保ち、ホログラム素子６６の取付け精
度が保たれる。
【００４５】第２部材は平面寸法が凹所よりも大きく、
一端部付近の側面部に突起部と切欠き部とを備え、第１
部材と凹所の壁面において接合される構成であってもよ
い。
一端部付近の側面部に突起部と切欠き部とを備え、第１
部材と凹所の壁面において接合される構成であってもよ
い。
【００４６】このように本実施の形態の半導体レーザ装
置６３は、ホログラム素子６６を備えるので１つの装置
で出射光および反射光を回折しトラッキング誤差信号な
どの検出信号を検出することが可能になる。
置６３は、ホログラム素子６６を備えるので１つの装置
で出射光および反射光を回折しトラッキング誤差信号な
どの検出信号を検出することが可能になる。
【００４７】図１０は、図７に示す半導体レーザ装置６
３を備える光ピックアップ装置７７の構成を簡略化して
示す系統図である。光ピックアップ装置７７は、半導体
レーザ装置６３と、半導体レーザ装置取付け板７８と、
集光手段７９とを含む。
３を備える光ピックアップ装置７７の構成を簡略化して
示す系統図である。光ピックアップ装置７７は、半導体
レーザ装置６３と、半導体レーザ装置取付け板７８と、
集光手段７９とを含む。
【００４８】集光手段７９は、コリメートレンズ８０
と、立上げミラー８１と、対物レンズ８２とを含む。コ
リメートレンズ８０は、半導体レーザチップ３２からの
出射光を平行光にする。立上げミラー８１は、コリメー
トレンズ８０を透過して入射した光を光記録媒体８３に
向けて反射するとともに、光記録媒体８３で反射されて
入射した光をコリメートレンズ８０に向けて反射する。
対物レンズ８２は、光記録媒体８３上に出射光を集光す
る。
と、立上げミラー８１と、対物レンズ８２とを含む。コ
リメートレンズ８０は、半導体レーザチップ３２からの
出射光を平行光にする。立上げミラー８１は、コリメー
トレンズ８０を透過して入射した光を光記録媒体８３に
向けて反射するとともに、光記録媒体８３で反射されて
入射した光をコリメートレンズ８０に向けて反射する。
対物レンズ８２は、光記録媒体８３上に出射光を集光す
る。
【００４９】光ピックアップ装置７７に半導体レーザ装
置６３を装着するときは、ホログラム素子６６によって
回折された３つの出射光が光記録媒体８３上の集光位置
に適切に集光されるように半導体レーザ装置６３の装着
位置を調整し、半導体レーザ装置取付け板７８の取付け
面８４と第１部材６７の一表面７６とを樹脂などによっ
て固定する。
置６３を装着するときは、ホログラム素子６６によって
回折された３つの出射光が光記録媒体８３上の集光位置
に適切に集光されるように半導体レーザ装置６３の装着
位置を調整し、半導体レーザ装置取付け板７８の取付け
面８４と第１部材６７の一表面７６とを樹脂などによっ
て固定する。
【００５０】半導体レーザチップ３２から出射された光
は、ホログラム素子６６によって３つの回折光に回折さ
れる。３つの回折光は、コリメートレンズ８０で平行光
とされ、立上げミラー８１で光記録媒体８３の方向へ反
射されて対物レンズ８２によって光記録媒体８３上へ集
光される。光記録媒体８３から反射された光は、対物レ
ンズ８２を透過し、立上げミラー８１で反射され、コリ
メートレンズ８０を透過した後、ホログラム素子６６に
よってさらに回折されて光検出手段である半導体レーザ
装置６３内の信号読取り用フォトダイオード６８上で受
光される。
は、ホログラム素子６６によって３つの回折光に回折さ
れる。３つの回折光は、コリメートレンズ８０で平行光
とされ、立上げミラー８１で光記録媒体８３の方向へ反
射されて対物レンズ８２によって光記録媒体８３上へ集
光される。光記録媒体８３から反射された光は、対物レ
ンズ８２を透過し、立上げミラー８１で反射され、コリ
メートレンズ８０を透過した後、ホログラム素子６６に
よってさらに回折されて光検出手段である半導体レーザ
装置６３内の信号読取り用フォトダイオード６８上で受
光される。
【００５１】このように半導体レーザ装置６３は、第１
部材６７の一表面７６を平滑にするべく手入れ加工を施
すことなく、第１部材６７の一表面７６において光ピッ
クアップ装置７７に精度良く取付けることができるの
で、光ピックアップ装置７７の製造工数の削減を実現す
ることが可能になる。また、半導体レーザ装置６３から
の出射光を集光手段７９によって正確に光記録媒体８３
の集光位置へ集光し、光検出手段によって光記録媒体８
３からの反射光の信号を精度良く検出することができ
る。
部材６７の一表面７６を平滑にするべく手入れ加工を施
すことなく、第１部材６７の一表面７６において光ピッ
クアップ装置７７に精度良く取付けることができるの
で、光ピックアップ装置７７の製造工数の削減を実現す
ることが可能になる。また、半導体レーザ装置６３から
の出射光を集光手段７９によって正確に光記録媒体８３
の集光位置へ集光し、光検出手段によって光記録媒体８
３からの反射光の信号を精度良く検出することができ
る。
【００５２】以上のように、本発明の第４の実施の形態
によれば、光ピックアップ装置７７は、信号読取り用フ
ォトダイオード６８を備える半導体レーザ装置６３を含
む構成であるけれども、これに限定されることなく、第
１または第２の実施の形態の半導体レーザ装置３１，５
２と信号読取り用フォトダイオードとをそれぞれ設ける
構成であってもよい。
によれば、光ピックアップ装置７７は、信号読取り用フ
ォトダイオード６８を備える半導体レーザ装置６３を含
む構成であるけれども、これに限定されることなく、第
１または第２の実施の形態の半導体レーザ装置３１，５
２と信号読取り用フォトダイオードとをそれぞれ設ける
構成であってもよい。
【００５３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１部材
の一表面に形成される凹所に第２部材の一端部が挿入さ
れ、第２部材は、半導体レーザチップなどを覆うように
第１部材と凹所において接合されるので、第１部材の一
表面に荒れを生じることがない。このことによって、接
合後の第１および第２部材を前記一表面において所望の
装置へ精度良く取付けることができる。
の一表面に形成される凹所に第２部材の一端部が挿入さ
れ、第２部材は、半導体レーザチップなどを覆うように
第１部材と凹所において接合されるので、第１部材の一
表面に荒れを生じることがない。このことによって、接
合後の第１および第２部材を前記一表面において所望の
装置へ精度良く取付けることができる。
【００５４】また本発明によれば、半導体レーザ装置
は、第１部材の一表面を平滑にするべく加工を施すこと
なく、第１部材の一表面において光ピックアップ装置に
精度良く取付けることができる。このことによって光ピ
ックアップ装置の製造工数の削減を実現することがで
き、また半導体レーザ装置からの出射光を集光手段によ
って正確に光記録媒体の集光位置へ集光し、光検出手段
によって光記録媒体からの反射光の信号を精度良く検出
することが可能になる。
は、第１部材の一表面を平滑にするべく加工を施すこと
なく、第１部材の一表面において光ピックアップ装置に
精度良く取付けることができる。このことによって光ピ
ックアップ装置の製造工数の削減を実現することがで
き、また半導体レーザ装置からの出射光を集光手段によ
って正確に光記録媒体の集光位置へ集光し、光検出手段
によって光記録媒体からの反射光の信号を精度良く検出
することが可能になる。
【図１】本発明の第１の実施の形態である半導体レーザ
装置３１の構成を簡略化して示す分解斜視図である。
装置３１の構成を簡略化して示す分解斜視図である。
【図２】半導体レーザ装置３１の組立て斜視図である。
【図３】半導体レーザ装置３１の部分断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態である半導体レーザ
装置５２の構成を簡略化して示す分解斜視図である。
装置５２の構成を簡略化して示す分解斜視図である。
【図５】半導体レーザ装置５２の組立て斜視図である。
【図６】半導体レーザ装置５２の部分断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態である半導体レーザ
装置６３の構成を簡略化して示す分解斜視図である。
装置６３の構成を簡略化して示す分解斜視図である。
【図８】半導体レーザ装置６３の組立て斜視図である。
【図９】半導体レーザ装置６３の部分断面図である。
【図１０】半導体レーザ装置６３を備える光ピックアッ
プ装置７７の構成を簡略化して示す系統図である。
プ装置７７の構成を簡略化して示す系統図である。
【図１１】従来の半導体レーザ装置１の構成を簡略化し
て示す斜視図である。
て示す斜視図である。
【図１２】もう１つの従来の半導体レーザ装置１８の構
成を簡略化して示す斜視図である。
成を簡略化して示す斜視図である。
３１ 半導体レーザ装置
３２ 半導体レーザチップ
３３ 第１部材
３４ 一表面
３５ 底面
３６ 凹所
３７ 一端部
３８ 開口部
３９ 他端部
４０ 上面部
４１ 側面部
４２ 第２部材
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザ光を出射する半導体レーザチップ
と、 半導体レーザチップが装着される第１部材であって、装
着された状態にある半導体レーザチップから出射される
レーザ光の方向にほぼ垂直な一表面を有し、前記一表面
には前記一表面と略平行な底面を有する凹所が形成さ
れ、半導体レーザチップが前記凹所の底面に設けられる
第１部材と、 前記半導体レーザチップを覆うように設けられ、一端部
には開口部が形成され開口部の反対側の他端部に配され
る上面部と上面部から立ち上がる側面部とを備える中空
の第２部材であって、一端部が前記凹所に挿入されて第
１部材と接合される第２部材とを含むことを特徴とする
半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記凹所に挿入される前記第２部材の一
端部には、挿入方向に向けて突出する突起部が形成さ
れ、 前記第２部材は、突起部を介して前記凹所の底面に接合
されることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項３】 前記凹所に挿入される前記第２部材の一
端部付近には、前記第２部材の側面部外方に突出する突
起部が形成され、 前記第２部材は、突起部を介して前記凹所の壁面に接合
されることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項４】 前記第２部材の側面部には、 前記第２部材を前記凹所に挿入する方向に平行な方向に
延びる切欠き部が形成されることを特徴とする請求項３
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記請求項１〜４のいずれかに記載の半
導体レーザ装置を備え、 半導体レーザ装置から出射される光を集光する集光手段
と、 集光手段によって集光され光反射体から反射された光を
検出する光検出手段とを含むことを特徴とする光ピック
アップ装置。
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| JP2001322433A JP2003133627A (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | 半導体レーザ装置 |
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