JP2001184694A

JP2001184694A - 光ピックアップ装置および光源ユニット

Info

Publication number: JP2001184694A
Application number: JP36948299A
Authority: JP
Inventors: Hisahiro Ishihara; 久寛石原
Original assignee: Nidec Sankyo Corp
Current assignee: Nidec Sankyo Corp
Priority date: 1999-12-27
Filing date: 1999-12-27
Publication date: 2001-07-06

Abstract

(57)【要約】【課題】光ディスクからの戻り光以外の光が信号再生
用受光素子に入射することを防止可能な構成を備えた光
ピックアップ装置および光源ユニットを提供すること。【解決手段】光ピックアップ装置の光源ユニットで
は、パッケージに半導体レーザ２、信号再生用受光素子
３およびモニター用受光素子２５が内蔵されている。パ
ッケージの内面のうち、半導体レーザ２の後方に位置す
るパッケージ本体２１の後壁２１３には、信号再生用受
光素子３が位置する側とは反対側に向いた後方遮光壁６
５０が形成され、この後方遮光壁６５０は、半導体レー
ザ２の後方出射端面２ｂから出射された後方レーザ光Ｌ
ｂのうち、迷光となるべき成分Ｌｂ１を信号再生用受光
素子３が位置する側とは反対側に反射する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザおよ
び受光素子が共通のパッケージ内に組み込まれた構成の
光源ユニットを備えた光ピックアップ装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤ、ＤＶＤ、ＭＯなどの光ディスクの
記録・再生に用いられる光ピックアップ装置としては、
半導体レーザ、受光素子およびホログラム素子などの光
学素子がパッケージ内に組み込まれた構成の光源ユニッ
トを備えたものが知られている。このような光ピックア
ップ装置は、例えば、特開平３−２７８３３０号公報に
開示されている。

【０００３】特開平３−２７８３３０号公報に開示され
た光ピックアップ装置では、半導体レーザから光ディス
クに向けて、ホログラム素子および対物レンズがこの順
序で配列されている。また、光ディスクから受光素子
（信号再生用）に向けて、対物レンズ、ホログラム素子
および反射ミラーがこの順序で配列されている。

【０００４】この光ピックアップ装置では、半導体レー
ザはヒートシンクに固定された半導体基板上に設置さ
れ、これらが光源ユニットとして一体化されている。こ
の光源ユニットでは、半導体基板の上にサブヒートシン
クが載置され、この上面に半導体レーザが載置され、半
導体基板の基板面に平行な方向にレーザ光を出射する。
半導体基板の基板面における半導体レーザの後方には受
光素子（信号再生用）が形成され、この受光素子の上方
に反射ミラーが配置されている。また、半導体レーザの
後方には、信号再生用の受光素子に加えて、当該半導体
レーザのレーザ光出力をフィードバック制御するための
モニター用受光素子も形成されている。

【０００５】この光ピックアップ装置において、半導体
レーザの前方出射端面から出射されたレーザ光（前方レ
ーザ光）は、ホログラム素子を透過した後、対物レンズ
を介して光ディスクに集光する。光ディスクからの戻り
光は、ホログラム素子で回折された後、反射ミラーによ
って立ち下げられて信号再生用の受光素子に導かれる。
この受光素子の検出結果に応じて信号再生、トラッキン
グ誤差検出および焦点誤差検出が行われる。

【０００６】また、このタイプの光ピックアップ装置で
は、半導体レーザの後方出射端面から出射されたレーザ
光（後方レーザ光）の一部は半導体基板表面に形成され
たモニター用の受光素子を直に照射する。このモニター
用の受光素子の検出結果に基づいて、半導体レーザのレ
ーザ光出力が一定となるようにフィードバック制御が行
われる。

【０００７】ここで、半導体レーザの前方および後方出
射端面から出射される前方および後方レーザ光は有効広
がり角より外側にも広がり持っている。特に、活性層に
垂直な方向の広がりが大きい。従来の光ピックアップ装
置では、後方レーザ光のうち、有効広がり角を持った光
強度の大きな光成分（有効光束）をモニター用光として
利用している。

【０００８】このように構成した光ピックアップ装置に
おいて、信号再生用受光素子に光ディスクからの戻り光
以外の不要な光（迷光）が入射すると、信号再生用受光
素子の出力信号に含まれるノイズ成分の割合が増加す
る。この結果、Ｓ／Ｎ比が大幅に低下し、また、対物レ
ンズのトラッキングおよびフォーカス制御の動作が不安
定になるなどの弊害が生じる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光ピックアップ装置において、モニター用光としては利
用されていない有効光束の外側に広がる光成分は、モニ
ター用受光素子の受光面から外れた方向に放射されるの
で、その一部が半導体レーザの後方に配置されている信
号再生用受光素子に直に入射する恐れがあるという問題
点がある。

【００１０】そこで、モニター用光として利用されない
後方レーザ光の成分が信号再生用受光素子に直に入射し
ないように、信号再生用受光素子を半導体レーザの側方
に配置することが考えられる。しかし、この場合でも、
その光はパッケージの後壁で反射して間接的に信号再生
用受光素子に入射する恐れがある。

【００１１】同様に、前方レーザ光においても有効光束
の外側に広がる光成分の一部が信号再生用受光素子に入
射する恐れがある。

【００１２】本発明の課題は、上記の点に鑑みて、光デ
ィスクからの戻り光以外の光が信号再生用受光素子に入
射することを防止可能な構成を備えた光ピックアップ装
置および光源ユニットを提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、前方および後方出射端面から前方およ
び後方レーザ光を出射する半導体レーザと、該半導体レ
ーザの前記前方出射端面から出射された前記前方レーザ
光を光記録媒体に集光させるための集光手段と、光記録
媒体からの戻り光を検出するための信号再生用受光素子
と、前記戻り光を前記信号再生用受光素子に導くための
導光系とを有し、前記半導体レーザおよび前記信号再生
用受光素子が共通のパッケージに内蔵された構成の光源
ユニットを備えた光ピックアップ装置において、前記信
号再生用受光素子は、前記半導体レーザの光軸を挟む左
右両側のうちの一方側に配置され、前記パッケージの内
面のうち、前記半導体レーザの後方に位置する後壁に
は、前記半導体レーザの前記後方出射端面から出射され
た前記後方レーザ光が当該信号再生用受光素子に向けて
反射するのを防止する後方遮光壁が形成されていること
を特徴とする。

【００１４】本発明において、半導体レーザの後方出射
端面から出射された後方レーザ光は、後方遮光壁によっ
て信号再生用受光素子とは反対側に反射されるので、信
号再生用受光素子に向けて反射されない。従って、信号
再生用受光素子の出力信号から迷光に起因したノイズ成
分を除去できるので、Ｓ／Ｎ比を高めることができ、か
つ、トラッキングおよびフォーカス制御動作の安定化を
図ることできる。

【００１５】本発明において、前記半導体レーザの前記
後方出射端面と前記パッケージの後壁との間には、たと
えば、前記半導体レーザの前記後方出射端面から出射さ
れた前記後方レーザ光の一部を受光するモニター用受光
素子を有している。

【００１６】本発明において、前記後方遮光壁は、たと
えば、前記半導体レーザの前記後方出射端面と対向する
位置で前記後方レーザ光の光軸に直交する方向に対して
前記信号再生用受光素子が位置する側とは反対側に傾斜
している構成を有している。

【００１７】本発明において、前記後方遮光壁は、前記
後方レーザ光の光軸に対して前記信号再生用受光素子が
位置する側で前記後壁から突出した突起であってもよ
い。

【００１８】本発明において、前記半導体レーザの光軸
と前記信号再生用受光素子との間には、前記半導体レー
ザから出射された前記前方および後方レーザ光が迷光と
して入射するのを防止する迷光遮断壁を有していること
が好ましい。このように構成すると、半導体レーザから
出射した前方レーザ光のうち、有効光束として利用され
ない微弱な光（迷光）は迷光遮光壁によって遮られる。
また、半導体レーザから出射した後方レーザ光が後方遮
光壁によって信号再生用受光素子とは反対側に反射され
たとき、他のパッケージ内面で反射して信号再生用受光
素子の方に反射してきても、この迷光は迷光遮光壁によ
って遮られる。従って、信号再生用受光素子の出力信号
から迷光に起因したノイズ成分を確実に除去できるの
で、Ｓ／Ｎ比を一層、高めることができ、かつ、トラッ
キングおよびフォーカス制御動作のより一層の安定化を
図ることできる。

【００１９】本発明において、前記パッケージは、前記
半導体レーザおよび前記信号再生用受光素子が載置され
たパッケージ本体と、該パッケージ本体に被さる蓋体と
から構成され、前記後方遮光壁は、たとえば、前記パッ
ケージ本体側に形成されている。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明の
実施の形態を説明する。

【００２１】（光ピックアップ装置の全体構成）図１に
光ピックアップ装置の光学系の概略構成を示してある。
光ピックアップ装置１は、半導体レーザ２と、ここから
出射されたレーザ光Ｌｆ（前方レーザ光）を立ち上げる
立ち上げミラー１１と、立ち上げられたレーザ光Ｌｆを
光ディスク４に集光させるための対物レンズ（集光手
段）１２と、光ディスク４からの戻り光Ｌｒを検出する
ための信号再生用受光素子３と、光ディスク４からの戻
り光Ｌｒを信号再生用受光素子３に導くための導光系７
０とを有している。また、半導体レーザ２から立ち上げ
ミラー１１に到る光路の途中位置に配置された第１の回
折素子（分離手段）１３を有している。この第１の回折
素子１３は、半導体レーザ２から出射されたレーザ光を
信号再生用レーザ光およびトラッキング誤差検出用レー
ザ光に分割するための素子である。

【００２２】導光系７０は光ディスク４からの戻り光Ｌ
ｒを回折する第２の回折素子１４と、この第２の回折素
子１４で回折された光を信号再生用受光素子３に導くた
めの反射ミラー１５とを備えている。

【００２３】本例の光ピックアップ装置１では、半導体
レーザ２、信号再生用受光素子３、導光系７０および第
１の回折素子１３は共通のパッケージ２０に内蔵され、
光源ユニット１０として一体化されている。

【００２４】（光源ユニットの構成）図２および図３は
光源ユニットを示してある。図２（Ａ）は光源ユニット
の平面図、図２（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれ、図２
（Ａ）のＡ−Ａ’線における断面図およびＢ−Ｂ’線に
おける断面図である。図３は、光源ユニットを前方（図
２（Ａ）における矢印Ｃの方向）から見たときの正面図
である。なお、図２（Ａ）では光源ユニットの内部構成
を分かり易くするために、パッケージの一部を省略して
示してある。また、以下の説明では、パッケージの幅方
向をＸ方向、パッケージの上下方向をＹ方向、パッケー
ジの前後方向をＺ方向として説明する。

【００２５】これらの図に示すように、光源ユニット１
０のパッケージ２０は偏平な直方体形状をしており、こ
のパッケージ２０の内部には、半導体基板１１と、この
半導体基板１１の基板面１１１に載置したサブマウント
２４と、このサブマウント２４の上面に設置された半導
体レーザ２と、半導体基板１１の基板面１１１に形成さ
れた信号再生用受光素子３とが備わっている。また、パ
ッケージ２０には、反射ミラー１５、第１および第２の
回折素子１３および１４が取り付けられている。

【００２６】パッケージ２０の前面２０４には前方に向
けて垂直に突出した筒状突起２０１が形成されている。
この筒状突起２０１により、光通過孔２０３が形成され
ており、ここに第１、第２の回折素子１３、１４が取り
付けられている。これらの素子１３、１４を介して半導
体レーザ２から出射された前方レーザ光Ｌｆが外部に出
射されると共に、光ディスク４からの戻り光Ｌｒがパッ
ケージ２０の内部に導かれる。

【００２７】パッケージ２０は、上方が開放状態になっ
たほぼ升型のパッケージ本体２１と、この上側開口を塞
いでいるパッケージ蓋板２２（蓋体）とから構成されて
いる。パッケージ本体２１とパッケージ蓋板２２によっ
て、半導体基板１１やサブマウント２４などが装着され
る室２０２が区画形成されると共に、筒状突起２０１が
構成される。

【００２８】図４（Ａ）はパッケージ本体の平面図、図
４（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれ、図４（Ａ）のＤ−
Ｄ’線における断面図およびＥ−Ｅ’線における断面図
である。

【００２９】これらの図に示すように、パッケージ本体
２１は、ほぼ矩形状の底壁２１１と、この底壁２１１の
四方の辺から立ち上がっている前壁２１２、後壁２１３
および左右の側壁２１４、２１５とを備えている。前壁
２１２の一部は凹状に切りかかれており、その両側から
左右一対の突出側壁２１６、２１７が前壁２１２に垂直
に延びている。これらの突出側壁２１６、２１７の下端
部は底壁２１１から前方に延びる突出底壁２１８によっ
て繋がっている。これら突出側壁２１６、２１７、突出
底壁２１８によって、前方に突き出た延設部２１９が形
成されている。

【００３０】延設部２１９の幅はパッケージ本体２１の
幅よりも狭く、また、延設部２１９はパッケージ本体２
１の幅方向の中心から片寄った位置に形成されている。

【００３１】パッケージ本体２１の底壁２１１の表面は
平坦とされており、半導体レーザ２、サブマウント２４
および半導体基板１１の位置を規定するための基準面３
０とされている。この基準面３０には、リードフレーム
２３における矩形板状のステージ２３１が固定されてい
る。リードフレーム２３のリード（本例では、１２本の
リード）２３２は、そのパッド部分が基準面３０に位置
しており、その外部接続用端子となる部分がパッケージ
本体２１の後壁２１３（パッケージ後壁）を貫通して外
部まで延びている。これらの外部接続端子部分はパッケ
ージの幅方向に一定の間隔をもって配列されている。

【００３２】（半導体基板およびその周辺部分の構成）
図５は半導体基板およびその周辺部分を拡大して示す斜
視図であり、図６は半導体基板の基板面を示す平面図で
ある。図２、図５および図６に示すように、リードフレ
ーム２３のステージ２３１には半導体基板１１が銀ペー
ストによってボンディングされている。半導体基板１１
の基板面１１１において、その幅方向の一方の側には、
前後方向に長いほぼ矩形状の電極部１１１ａが形成さ
れ、他方の側には信号処理回路２６が形成されている。
電極部１１１ａの上にはサブマウント２４が銀ペースト
によって固定されている。このサブマウント２４は一定
の厚さの半導体基板からなり、その上面には半導体レー
ザ２が銀ペーストによって固定されている。

【００３３】半導体レーザ２は、前方レーザ光Ｌｆが出
射される前方出射端面２ｆと、後方レーザ光Ｌｂが出射
される後方出射端面２ｂとを備えている。これらの出射
端面２ｆ、２ｂからは、半導体基板１１の基板面１１１
に平行な方向に各レーザ光Ｌｆ、Ｌｂがそれぞれ前方お
よび後方に向けて出射される。半導体レーザ２の前方レ
ーザ光Ｌｆの発光点は、前方出射端面２ｆにおけるパッ
ケージ２０の上下方向のほぼ中央に位置しており、ここ
から出射された前方レーザ光Ｌｆは光通過孔２０３に取
り付けられている第１および第２の回折素子１３、１４
を通って、外部に出射される。

【００３４】半導体基板１１の基板面１１１において、
電極部１１１ａの側方に形成されている信号処理回路２
６は、信号再生用受光素子３の出力信号のレベルを高め
て、外部の制御装置でピット信号（ＲＦ信号）、トラッ
キング誤差信号（ＴＥ信号）、焦点誤差信号（ＦＥ信
号）の生成処理を行いやすくするための回路である。こ
の信号処理回路２６の前方には信号再生用受光素子３が
形成されている。従って、この信号再生用受光素子３
は、半導体レーザ２の前方出射端面２ｆの前方位置であ
って、前方レーザ光Ｌｆの光軸Ｌｕから側方に外れた位
置に形成されている。

【００３５】サブマウント２４の上面における半導体レ
ーザ２の後方位置には、半導体レーザ２のレーザ光出力
をフィードバック制御するためのモニター用受光素子２
５が形成されている。半導体レーザ２の後方出射端面２
ｂから出射された後方レーザ光Ｌｂの一部は、このモニ
ター用受光素子２５に直接に入射する。

【００３６】（信号再生用受光素子の構成）図７には信
号再生用受光素子３を拡大して示してある。この図に示
すように、信号再生用受光素子３は幅方向（Ｘ方向）に
細長い形状の７つの受光面Ａ、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ、Ｄ１、
Ｄ２、Ｅを備えている。受光面Ａはピット信号（ＲＦ信
号）検出用のものであり、残りの受光面はトラッキング
誤差信号（ＴＥ信号）および焦点誤差信号（ＦＥ信号）
検出用のものである。信号再生用受光素子３では、受光
面Ａを中心にして、残りの受光面が前後方向に３つづつ
配列されている。受光面Ａの前方には受光面Ｂ１、受光
面Ｃおよび受光面Ｂ２がこの順序で配列され、受光面Ａ
の後方には受光面Ｄ１、受光面Ｅおよび受光面Ｄ２がこ
の順序で配列されている。これらの受光面における受光
量が電気信号に変換されて信号処理回路２６に供給され
る。なお、トラッキング誤差信号（ＴＥ信号）および焦
点誤差信号（ＦＥ信号）の生成方法については後述す
る。

【００３７】信号処理回路２６は、各受光面から供給さ
れた電気信号を増幅しつつ受光光量に応じた電圧に変換
するＩ／Ｖアンプ部やＩ／Ｖアンプ部で得られる信号を
適時演算する演算回路部などから構成されている。この
信号処理回路２６の出力は半導体基板１１の基板面１１
１に形成された各電極１１１ｂから外部に取り出され
る。

【００３８】ここで、信号再生用受光素子３と信号処理
回路２６のＩ／Ｖアンプ部までの接続パターンの長さは
信号処理を高速化する上で重要な要素である。すなわ
ち、この接続パターンが長くなると、接続パターン自体
の容量が大きくなるので、周波数特性が劣化して信号処
理の高速化が妨げられる。これに対して、本例の光源ユ
ニット１０では、半導体基板１１の基板面１１１に形成
された信号処理回路２６と信号再生用受光素子３は前後
方向において隣り合っている。このため、信号再生用受
光素子３と信号処理回路２６のＩ／Ｖアンプ部までの接
続パターンが短いので、信号処理の高速化を図れる。

【００３９】各電極１１１ｂは、リードフレーム２３の
所定のリードのパッド部とワイヤーボンディングによっ
て電気的に接続されている（図２参照）。また、半導体
レーザ２およびサブマウント２４に形成された電極（図
示せず）も所定のリード２３２のパッド部とワイヤーボ
ンディングによって電気的に接続されている。各電極１
１１ｂからの出力信号がリードフレーム２３を介して光
源ユニット１０の外部に配置されている制御装置（図示
せず）に導かれ、ＲＦ信号、ＴＥ信号、ＦＥ信号が生成
され、また、半導体レーザ２のレーザ光出力のフィード
バック制御が行われる。

【００４０】ここで、半導体レーザ２およびサブマウン
ト２４が半導体基板１１の基板面１１１の中央に位置し
ている場合、これらに形成された電極と所定のリード２
３２との間を直にワイヤーボンディングすると、配線ワ
イヤー長が長くなるので、その配線ワイヤーがたわんで
他の配線ワイヤーに接触する等の恐れがある。このた
め、半導体レーザ２などが基板面１１１の中央に配置さ
れる場合は、配線ワイヤーの途中位置を半導体基板１１
にボンディングすることにより、ボンディング間の配線
ワイヤー長を短くする必要がある。

【００４１】これに対して、本例の光源ユニット１０で
は、半導体レーザ２およびサブマウント２４は半導体基
板１１の基板面１１１の中央から幅方向に偏った位置に
設置されている。接続対象のリード２３２を、半導体レ
ーザ２の側に配置しておけば、これらの間隔を狭くで
き、従って、それらの間に接続される配線ワイヤーも短
くて済み、それらがたわむことはない。

【００４２】（反射ミラーの取付け構造）図２および図
３に示すように、光源ユニット１０においては、パッケ
ージ２０の予め定められた位置に反射ミラー１５が取り
付けられている。反射ミラー１５は矩形形状をしてお
り、パッケージ２０の半導体基板１１の基板面１１１に
対向するパッケージ２０の内面部分を規定しているパッ
ケージ蓋板２２に取り付けられている。

【００４３】図８（Ａ）はパッケージ蓋板２２の平面
図、同図（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれ、左側側面図
および正面図である。また、図８（Ｄ）は図８（Ａ）の
Ｆ−Ｆ’線における断面図である。パッケージ蓋板２２
は、パッケージ本体２１の上側開口を封鎖しており、パ
ッケージ２０の上壁を規定している上壁部分２２１と、
この上壁部分２２１の前端側から前方に延びた延設部分
２２２とから基本的に構成されている。上壁部分２２１
のパッケージ内側面には反射ミラー１５のミラー取付け
部５０が一体形成されている。

【００４４】このミラー取付け部５０は、信号再生用受
光素子３のほぼ真上から後方に向けて形成された台形状
断面の突起である。この台形状のミラー取り付け部５０
の前面は前方に向けて４５度傾斜したミラー取付面５１
であり、ここに反射ミラー１５が接着剤などによって固
定されている。

【００４５】第１および第２の回折素子１３、１４を介
してパッケージ内に入射する光ディスク４からの戻り光
Ｌｒは反射ミラー１５に当たり、このミラー１５によっ
て直角に立ち下げられて信号再生用受光素子３を照射す
る。

【００４６】（迷光対策）このように構成したミラー取
付け部５０において、その後面５２は垂直な面であり、
サブマウント２４に載置された半導体レーザ２の後方出
射端面２ｂよりも後方に位置している。このため、後述
するように、ミラー取付け部５０の後面５２は、半導体
レーザ２の後方出射端面２ｂから出射された後方レーザ
光Ｌｂが信号再生用受光素子３に入射するのを防止す
る。

【００４７】また、本形態では、パッケージ蓋板２２の
上壁部分２２１において、ミラー取付け部５０の側方に
は、半導体レーザ２から信号再生用受光素子３に向かう
光成分（半導体レーザ２の前方出射端面２ｆから出射さ
れた前方レーザ光Ｌｆの一部など）を遮る迷光遮断用突
起（迷光遮断用壁）６０が形成されている。この迷光遮
断用突起６０は、ミラー取付け部５０と一体成形されて
おり、上壁部分２２１から先窄まりの状態で下方に延び
る角錐台部分６１と、この下面から更に下方に向かって
垂直に延びる角柱部分６２を備えている。迷光遮断用突
起６０の下端面６３はミラー取付け部５０の下端面５３
とほぼ同じ高さにあり、半導体レーザ２の光軸と信号再
生用受光素子３との間において、半導体レーザ２の前方
出射端面２ｆと信号再生用受光素子３とを結ぶ線上に位
置している。

【００４８】図９は、半導体レーザ２から出射された前
方および後方レーザ光Ｌｆ、Ｌｂの出射状態を模式的に
示す平面図である。

【００４９】図９に示すように、半導体レーザ２の各出
射端面２ｆ、２ｂから出射された前方および後方レーザ
光Ｌｆ、Ｌｂはその有効広がり角の外側にも広がりを持
っている。このため、半導体レーザ２の前方出射端面２
ｆから出射された前方レーザ光Ｌｆの一部の光成分（迷
光）Ｌｆ１が、その前方出射端面２ｆより前方に位置す
る信号再生用受光素子３に直接に入射する恐れがある。

【００５０】しかるに、本例の光源ユニット１０では、
前方出射端面２ｆと信号再生用受光素子３との間には迷
光遮断用突起６０が配置されており、この迷光遮断用突
起６０によって前方出射端面２ｆと信号再生用受光素子
３とが実質的に仕切られた状態にある。従って、上記の
光成分Ｌｆ１は迷光遮断用突起６０によって遮られるの
で、光成分Ｌｆ１が信号再生用受光素子３に到達してし
まうことを防止できる。

【００５１】なお、本例では、迷光遮断用突起６０は、
半導体レーザ２の前方出射端面２ｆから出射された前方
レーザ光Ｌｆが信号再生用受光素子３に到達することを
確実に防止できる機能を有するものであり、その突出量
や形状はその機能を充分に発揮できるように決定される
べきものである。

【００５２】一方、半導体レーザ２の後方出射端面２ｂ
から出射された後方レーザ光Ｌｂの一部（有効光束）は
モニター用受光素子２５に直接に入射し、半導体レーザ
２のレーザ光出力をフィードバック制御するためのモニ
ター光として用いられる。後方レーザ光Ｌｂのうち、モ
ニター用受光素子２５に結合しない光成分（迷光）Ｌｂ
１はパッケージ２０の内壁などで多重反射して信号再生
用受光素子３に向かう恐れがある。

【００５３】そこで、本形態では、パッケージ２０の内
面のうち、パッケージ本体２１の後壁２１３で半導体レ
ーザ２の後方出射端面２ｂと対向する部分６５（図２お
よび図３において○で囲った部分）には、半導体レーザ
２の後方出射端面２ｂから出射された後方レーザ光Ｌｂ
（レーザ光Ｌｂのうち、モニター用受光素子２５に結合
しない光成分Ｌｂ１）が信号再生用受光素子３に向けて
反射するのを防止する後方遮光壁６５０が形成されてい
る。本形態において、後方遮光壁６５０は、パッケージ
本体２１の後壁２１３のうち、半導体レーザ２の後方出
射端面２ｂと対向する位置で後方レーザ光Ｌｂの光軸に
直交する方向に対して信号再生用受光素子３が位置する
側とは反対側に傾斜した構成を有している。すなわち、
後方遮光壁６５０は、信号再生用受光素子３が形成され
ている面に対して垂直に起立しているが、後方レーザ光
Ｌｂの光軸に直交するＸ方向に対して斜めに傾いてい
る。

【００５４】このため、本形態において、半導体レーザ
２の後方出射端面２ｂから出射された後方レーザ光Ｌｂ
のうち、モニター用受光素子２５に結合しない光成分Ｌ
ｂ１は、後方遮光壁６５０によって信号再生用受光素子
３が位置する側とは反対側に向かって反射され、信号再
生用受光素子３に向けて反射されることがない。従っ
て、後方レーザ光Ｌｂのうち、モニター用受光素子２５
に結合しない光成分Ｌｂ１が信号再生用受光素子３に入
射することはない。

【００５５】しかも、後方遮光壁６５０は、信号再生用
受光素子３が形成されている面に対して垂直に起立して
いるため、後方遮光壁Ｂ６５０で反射した光は、パッケ
ージ２０内で上下方向に多重反射しながら信号再生用受
光素子３の方に向かうこともない。

【００５６】また、前述したように、本例の光源ユニッ
ト１０のミラー取付け部５０は、パッケージ蓋板２２の
側から半導体基板１１の基板面１１１に向けて突出して
いると共に、後方に向けて延びている。このため、半導
体レーザ２と信号再生用受光素子３との間はミラー取付
け部５０によって実質的に仕切られている。よって、上
記の光成分Ｌｂ１がたとえ、信号再生用受光素子３に向
かって反射してきてもこの光成分Ｌｂ１はミラー取付け
部５０によって遮られるので、後方レーザ光Ｌｂの一部
Ｌｂ１が信号再生用受光素子３に入射することを防止で
きる。しかも、ミラー取付け部５０の後端面５２は半導
体レーザ２の後方出射端面２ｂよりも後方に位置してい
る。このようにすると、この後端面５２が後方出射端面
２ｂよりも前方に位置している場合に比して、パッケー
ジ内の迷光が信号再生用受光素子３に入射してしまうこ
とをより確実に防止できる。なお、ミラー取付け部５０
の突出量は、上記の光成分Ｌｂ１を確実に遮光できるよ
うに決定されるべき性質のものである。

【００５７】さらに、半導体レーザ２と信号再生用受光
素子３との間には、迷光遮断用突起６０が形成されてい
るため、半導体レーザ２から出射した前方レーザ光のう
ち、有効光束として利用されない微弱な光（迷光）は迷
光遮断用突起６０によって遮られる。また、半導体レー
ザ２から出射した後方レーザ光Ｌｂの一部が後方遮光壁
６５０によって信号再生用受光素子３とは反対側に反射
されたとき、他のパッケージ内面で反射して信号再生用
受光素子３の方に向かってきても、この迷光は迷光遮断
用突起６０によって遮られ、信号再生用受光素子３に入
射することがない。

【００５８】このように、本例の光源ユニット１０で
は、前方レーザ光および後方レーザ光の双方について、
光ディスク４からの戻り光Ｌｒ以外の光（迷光）が信号
再生用受光素子３に入射してしまうことを防止できる。
従って、信号再生用受光素子３の出力信号から迷光に起
因したノイズ成分を除去できるので、Ｓ／Ｎ比を高める
ことができ、また、対物レンズ１２のトラッキングおよ
びフォーカス制御動作の安定化を図ることができる。

【００５９】（後方遮光壁の変形例）後方遮光壁として
は、半導体レーザ２の後方出射端面２ｂから出射された
後方レーザ光Ｌｂを信号再生用受光素子３が位置する側
とは反対側に反射させる構成であれば、図９に示す構成
のものに代えて、図１０に示す構成の遮光用後方突起５
を用いてもよい。この構成では、パッケージ本体２１の
後壁２１３のうち、半導体レーザ２の後方出射端面２ｂ
と対向する部分６５の付近で、半導体レーザ２の光軸に
対してやや信号再生用受光素子３が位置する側、すなわ
ち、Ｘ方向において半導体レーザ２と信号再生用受光素
子３との間に相当する位置では遮光用後方突起５がＺ方
向に向かって垂直に突き出しており、その一方の面６５
６は、半導体レーザ２の後方出射端面２ｂから出射され
た後方レーザ光Ｌｂを信号再生用受光素子３が位置する
側とは反対側に反射させる。しかも、後壁２１３および
遮光用後方突起５はいずれも、信号再生用受光素子３が
形成されている面に対して垂直に起立しているため、後
壁２１３および遮光用後方突起５で反射した光は、パッ
ケージ２０内では上下方向に多重反射しながら信号再生
用受光素子３の方に向かうこともない。

【００６０】なお、図９に示す後方遮光壁６５０と、図
１０に示す遮光用後方突起５とを組み合わせて構成して
もよい。

【００６１】（第１および第２の回折素子の取付け構
造）第１の回折素子１３および第２の回折素子１４は共
に矩形形状をしており、パッケージ本体２１に取り付け
られている。

【００６２】図１１には第１の回折素子１３の取付け構
造を模式的に示してあり、図１２には第２の回折素子１
４の取付け構造を模式的に示してある。図４および図１
１に示すように、パッケージ本体２１の基準面３０にお
いて、延設部２１９との境界には、基準面３０より一段
低くなった水平な段面３１が形成されている。この段面
３１はパッケージ２０の幅方向に沿って形成されてお
り、その前後方向の長さ寸法は一定である。この段面３
１と基準面３０との境界には段面３１に直交する段差面
３２が形成され、段面３１と延設部２１９との境界には
段面３１に直交する段差面（取付面）３３が形成されて
いる。

【００６３】従って、第１の回折素子１３を段差面３３
に接するように配置すると、その前後方向の配置位置が
自動的に規定される。また、第１の回折素子１３の光軸
が光通過孔２０３から出射される半導体レーザ２からの
前方レーザ光Ｌｆの光軸Ｌｕとほぼ平行となるように、
当該第１の回折素子１３の姿勢が自動的に規定される。
なお、第１の回折素子１３は、この状態でパッケージ２
０の幅方向における配置位置が微調整された後、接着剤
などによって固定される。

【００６４】図３、図４および図１２に示すように、延
設部２１９の前面３５は垂直面である。また、第２の回
折素子１４は光通過孔２０３の開口より若干大きな寸法
となっている。従って、第２の回折素子１４を、この前
面３５におけるパッケージ２０の光通過孔２０３の開口
の一部を規定している縁部分（取付面）３６に接するよ
うに配置すると、その前後方向の配置位置が自動的に規
定される。また、第２の回折素子１４の光軸が光通過孔
２０３から出射される半導体レーザ２からの前方レーザ
光Ｌｆの光軸Ｌｕとほぼ平行となるように、当該第２の
回折素子１４の姿勢が自動的に規定される。なお、第２
の回折素子１４は、この状態でパッケージ２０の幅方向
における配置位置が微調整された後、接着剤などによっ
て固定される。

【００６５】（パッケージの外形形状）図３に示すよう
に、パッケージ本体２１において、延設部２１９の突出
側壁２１６、２１７の外側面には、光通過孔２０３から
出射される前方レーザ光Ｌｆの光軸Ｌｕを中心とする４
つの円弧面４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄが形成され
ている。これらの円弧面４０ａ〜４０ｄは、それぞれ突
出側壁２１６、２１７の角部分に形成され、同一の中心
角を持っている。また、これらの円弧面４０ａ〜４０ｄ
のうち、２つの円弧面４０ａ、４０ｃは光軸Ｌｕに線対
称であり、残りの２つの円弧面４０ｂ、４０ｄも光軸Ｌ
ｕに線対称である。パッケージ本体２１の前壁２１２の
前面４１ａ、４１ｂは、光軸Ｌｕに直交する平坦な基準
面である。

【００６６】従って、光源ユニット１０を光ピックアッ
プ装置１に搭載するときに、基準面４１ａ、４１ｂを利
用すれば、対物レンズ１２などの光軸と前方レーザ光Ｌ
ｆの光軸Ｌｕとが一致するように光源ユニット１０の姿
勢を設定できる。また、基準面４１ａ、４１ｂを利用す
れば、光源ユニット１０の光ピックアップ装置１への取
付けが容易となる。一方、円弧面４０ａ〜４０ｄを利用
して、光源ユニット１０の回転角度調整を行うことによ
り、３ビーム方式によるトラッキングを行うためのサブ
ビーム（トラッキング誤差検出用レーザ光）と光ディス
ク４のトラックとの回転角度調整を容易に行うことがで
きる。すなわち、第１の回折素子１３における回折方向
を適切に設定できる。このように、光源ユニット１０の
光通過孔２０３から出射される前方レーザ光Ｌｆの光軸
Ｌｕと第１および第２の回折素子１３、１４の光軸との
相互関係、および第１の回折素子１３の回折特性（回折
方向）を適切に設定できるので、光学的特性に優れた光
ピックアップ装置を実現できる。また、当該光軸Ｌｕを
中心とする円弧面４０ａ〜４０ｄを作製すれば良いの
で、その光軸Ｌｕに対称な円弧面を作製し易く、その円
弧面の面精度を高め易いという効果も奏する。さらに、
光軸Ｌｕを中心とした円弧面４０ａ〜４０ｄであるの
で、回転角度調整時は光源ユニットが光軸Ｌｕを中心に
回転する。このため、回転角度調整に伴って、当該光軸
Ｌｕの位置が変化しない。

【００６７】（光ピックアップ装置の基本動作）次に、
図１を参照して、光ピックアップ装置の基本動作を説明
する。光源ユニット１０において、半導体レーザ２から
出射された前方レーザ光Ｌｆは、第１の回折素子１３に
対してほぼ垂直に入射する。第１の回折素子１３には回
折格子面（図示せず）が形成されている。この回折格子
面は、ほぼ垂直に入射した前方レーザ光Ｌｆをメインビ
ームと２つのサブビームに分割する機能を有している。
また、２つのサブビームが光ディスク４において光軸方
向の前後に焦点を結ぶように、当該２つのサブビームの
波面を変換する機能を有している。この回折格子面は、
光ディスク４からの戻り光が再び第１の回折素子１３に
入射した時に再び回折格子面を通過しない位置に形成さ
れている。

【００６８】このため、前方レーザ光Ｌｆは、この回折
素子１３でメインビームおよび２つのサブビームに分離
される。これらのビームのうち、メインビームは信号再
生用のレーザ光（信号再生用レーザ光）として使用さ
れ、２つのサブビームはトラッキング誤差検出用のレー
ザ光（トラッキング誤差検出用レーザ光）として使用さ
れる。

【００６９】信号再生用レーザ光および２つのトラッキ
ング誤差検出用レーザ光は、第２の回折素子１４に到
る。第２の回折素子１４は、この３つのレーザ光が光デ
ィスク４に到る光路での０次回折効率と、光ディスク４
から信号再生用受光素子３に到る光路での１次回折効率
との積が最大となるように設定されている。この第２の
回折素子１４に形成されている回折格子面は第１の回折
素子１３の回折格子面とほぼ平行である。

【００７０】３つのレーザ光のうち、第２の回折素子１
４を透過した光成分（０次回折光）は光源ユニット１０
から出射されて、立ち上げミラー１１で直角に折り曲げ
られた後、対物レンズ１２を介して光ディスク４の記録
面に集光する。このとき、信号再生用レーザ光がその記
録面に焦点を結び、２つのトラッキング誤差検出用レー
ザ光は前焦点状態および後焦点状態になる。

【００７１】光ディスク４の記録面に集光した３つのレ
ーザ光は、そこで反射されて光ディスク４から信号再生
用受光素子３に向かう戻り光Ｌｒとなる。これらの戻り
光Ｌｒは、再び対物レンズ１２および立ち上げミラー１
１を介して光源ユニット１０の第２の回折素子１４に入
射する。

【００７２】ここで、第２の回折素子１４は、各戻り光
を半導体基板１１の基板面１１１に平行な方向、本例で
は、パッケージ２０の幅方向に回折する機能のみを有し
ており、各戻り光Ｌｒに対して集束発散などの波面変換
を行う機能はない。このため、第２の回折素子１４に入
射した３つの戻り光Ｌｒは、その回折素子１４の回折作
用によって回折されて進行方向を変える。

【００７３】第２の回折素子１４で回折された光は第１
の回折格子１３に入射する。前述したように、第１の回
折格子１３の回折格子面はこれらの回折光が入射する範
囲には形成されていない。このため、回折格子１３に入
射したそれぞれの回折光は、第１の回折格子１３を通過
して反射ミラー１５に到る。これらの回折光は反射ミラ
ー１５によって垂直に立ち下げられて信号再生用受光素
子３の各受光面を照射する。

【００７４】図７に示すように、信号再生用レーザ光の
戻り光の回折光は受光面Ａに光スポットをｓ１、ｓ２を
形成する。また、一方のトラッキング誤差検出用レーザ
光の戻り光の回折光は受光面Ｂ１、Ｂ２、Ｃに光スポッ
トｓ３、ｓ４を形成する。他方のトラッキング誤差検出
用レーザ光の戻り光の回折光は受光面Ｄ１、Ｄ２、Ｅに
光スポットｓ５、ｓ６を形成する。

【００７５】本例では、信号再生用受光素子３の受光面
Ａの受光量に基づいてＲＦ信号が検出される。ＴＥ信号
は、受光面Ｂ１、Ｂ２、Ｃの受光量の総和Ｓ１と受光面
Ｄ１、Ｄ２、Ｅの受光量の総和Ｓ２との差を求めること
により検出される。ＦＥ信号は、受光面Ｂ１、Ｂ２、Ｅ
の受光量の総和Ｓ３と受光面Ｄ１、Ｄ２、Ｃの受光量の
総和Ｓ４との差を求めることにより検出される。なお、
これらの信号は光源ユニット１０のリードフレーム２３
のリード２３２と電気的に接続された制御装置（図示せ
ず）で生成される。

【００７６】半導体レーザ２の後方出射端面２ｂから出
射された後方レーザ光Ｌｂは、その一部がサブマウント
２４の上面に形成されたモニター用受光素子２５に直接
に入射する。このモニター用受光素子２５の出力信号に
基づき半導体レーザ２のレーザ光出力のフィードバック
制御が行なわれる。なお、このフォードバック制御も上
記の制御装置で行なわれる。

【００７７】このように本例の光ピックアップ装置１で
は、第２の回折素子１４の回折方向がパッケージ２０の
幅方向に設定されている。このため、第２の回折素子１
４で回折された光が半導体基板１１の電極１１１ｂとリ
ードフレーム２３のリード２３２のパッド部分との間を
配線接続しているワイヤーに干渉してしまうことを防止
できる。従って、光ディスク４の再生やトラッキングお
よびフォーカシング制御を精度良く行なうことができ
る。また、第２の回折素子１４の回折方向がパッケージ
２０の上下方向に設定されている場合に比べて、光源ユ
ニット１０における厚さ寸法を小さくできる。

【００７８】ここで、本例の光ピックアップ装置１で
は、第２の回折素子１４は光ディスク４からの戻り光を
回折する機能を有し、波面変換する機能は有していな
い。このため、半導体レーザ２から第２の回折素子１４
までの光路長と、第２の回折素子１４から信号再生用受
光素子３までの光路長とが等しくなっている。これによ
り、戻り光の光路長を従来に比べて短くでき、光ピック
アップ装置の光学系をコンパクトにできる。この結果、
装置の小型化を図ることができる。

【００７９】具体的には、第２の回折素子１４が戻り光
を回折する機能を有し、波面変換する機能は有していな
いので、この回折素子１４で回折された光の収束点は、
半導体レーザ２と、第１の回折素子１３で分割生成され
た２つのトラッキング誤差検出用レーザ光の仮想的な発
光点と光学的に共役となる。従って、半導体レーザ２の
前方レーザ光Ｌｆの発光点と信号再生用受光素子３の中
心とは次の関係が成り立つ。

【００８０】図１３および図１４に示すように、サブマ
ウント２４の厚さ、サブマウント２４と半導体レーザ２
が接した面から発光点Ｏまでの高さ、半導体レーザ２の
波長における第２の回折素子１４での光路分離角度、お
よび半導体レーザ２と第２の回折素子１４の回折格子面
までのレーザ光Ｌｆの光軸Ｌｕに沿った光学的な距離
を、それぞれ、ｔｓ、ｈＬＤ、θｂｓ、およびｄｂｓと
する。このように定めると、信号再生用受光素子３が形
成される（Ｘ、Ｚ）面内の発光点Ｏを原点としたときの
当該信号再生用受光素子３の中心のＸＺ座標は式（１）
および（２）Ｘ＝ｄｂｓ×ｓｉｎ（θｂｓ）・・・（１）Ｚ＝ｄｂｓ×｛１ーｃｏｓ（θｂｓ）｝＋ｔｓ＋ｈＬＤ・・・（２）の通りである。

【００８１】なお、半導体レーザ２と第２の回折素子１
４の回折格子面までの前方レーザ光Ｌｆの光軸Ｌｕに沿
った光学的な距離は、図１３から分かるように、第２の
回折素子１４の光入射面から半導体レーザ２の側に若干
シフトした位置と半導体レーザ２との間の距離に相当す
る。また、図１３および図１４においては、反射ミラー
１５の反射角が４５度に設定された場合を示してあり、
ミラー１５の反射角のずれや光軸回りの角度ずれは考慮
していない。

【００８２】本例の光ピックアップ装置１では、トラッ
キング誤差検出用レーザ光を用いて対物レンズ１２の焦
点誤差信号を生成しており、光ディスク４からの戻り光
を回折分離する第２の回折素子１４として、単純な光路
分離機能のみを備えたものを採用している。このため、
回折素子１４の回折パターンを単純化できる。例えば、
直線状の回折パターンを採用できる。このような回折パ
ターンを備えた回折素子は波長変動、各光学素子の取付
け位置のずれなどの回折特性を劣化する要因に対して比
較的安定である。従って、目標とする光学的特性を安定
して得ることができる。また、単純化した回折パターン
を作製すれば良いので、回折パターンの作製誤差許容度
を大きくでき、回折素子の作製コストを低減できる。

【００８３】（その他の実施の形態）なお、光ピックア
ップ装置１では、パッケージ蓋板２２に迷光遮断用突起
６０を一体に形成しているが、遮光部材をパッケージ蓋
板２２に別途取り付けることにより、迷光遮断用突起６
０を形成しても良い。また、半導体基板１１の基板面１
１１に遮光部材を取付けた構成としても良い。

【００８４】また、光ピックアップ装置１では、個別独
立した第１および第２の回折素子１３、１４を使用して
いるが、一方の面に第１の回折素子１３の光学特性を備
え、他方の面に第２の回折素子の光学特性を備えた単独
の光学素子を採用しても勿論良い。

【００８５】さらに、サブマウント２４を半導体基板１
１の基板面１１１に搭載した構成を採用しているが、サ
ブマウント２４をリードフレーム２３のステージ２３１
やリード２３２に搭載する構成としても良い。

【００８６】さらにまた、光ピックアップ装置１の光学
系には、図１に示した光学素子だけでなく、レーザ光Ｌ
ｆを平行光束に変換するためのレンズ、レーザ光の直交
する２方向の光束径を揃えるためのビーム整形プリズ
ム、異なる仕様の光ディスクの情報を読み取るめの開口
制限手段や波長選択性光学素子などの光学素子が含まれ
る場合もある。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明において、
半導体レーザの後方出射端面から出射された後方レーザ
光は、後方遮光壁によって信号再生用受光素子とは反対
側に反射されるので、信号再生用受光素子に向けて反射
されない。従って、信号再生用受光素子の出力信号から
迷光に起因したノイズ成分を除去できるので、Ｓ／Ｎ比
を高めることができ、かつ、トラッキングおよびフォー
カス制御動作の安定化を図ることできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した光ピックアップ装置の光学系
の概略構成図である。

【図２】（Ａ）は光源ユニットの概略構成図、（Ｂ）は
（Ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（Ｃ）は（Ａ）の
Ｂ−Ｂ’線における断面図である。

【図３】図２に示す光源ユニットの正面図である。

【図４】（Ａ）は光源ユニットのパッケージの構成要素
であるパッケージ本体の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＤ−
Ｄ’線における断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＥ−Ｅ’線に
おける断面図である。

【図５】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける半
導体基板およびその周辺部分を拡大して示す斜視図であ
る。

【図６】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける半
導体基板の基板面を拡大して示す平面図である。

【図７】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける信
号再生用受光素子を拡大して示す平面図である。

【図８】（Ａ）は光源ユニットのパッケージの構成要素
であるパッケージ蓋板の平面図、（Ｂ）および（Ｃ）
は、それぞれ左右の側面図、（Ｄ）は（Ａ）のＦ−Ｆ’
線における断面図である。

【図９】図２に示す光源ユニットにおいて、半導体レー
ザから出射された前方および後方レーザ光の出射状態、
およびこのように出射された光が迷光として信号再生用
受光素子に入射するのを防止するための構成を模式的に
示す平面図である。

【図１０】図２に示す光源ユニットにおいて、半導体レ
ーザから出射された前方および後方レーザ光の出射状
態、およびこのように出射された光が迷光として信号再
生用受光素子に入射するのを防止するための別の構成を
模式的に示す平面図である。

【図１１】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける
第１の回折素子の取付け構造を説明するための図であ
る。

【図１２】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける
第２の回折素子の取付け構造を説明するための図であ
る。

【図１３】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける
信号再生用受光素子のパッケージの幅方向の形成位置を
説明するための図である。

【図１４】光ピックアップ装置の光源ユニットにおける
信号再生用受光素子のパッケージの前後方向の形成位置
を説明するための図である。

【符号の説明】

１光ピックアップ装置２半導体レーザ２ｆ前方出射端面２ｂ後方出射端面３信号再生用受光素子４光ディスク１０光源ユニット１２対物レンズ１３第１の回折素子１４第２の回折素子１５反射ミラー２０パッケージ２１パッケージ本体２２パッケージ蓋板２４サブマウント２５モニター用受光素子５０ミラー取付け部６０迷光遮断用突起（迷光遮断壁）６５半導体レーザの後方出射端面と対向するパッケー
ジ部分７０導光系２１３パッケージ本体の後壁６５０後方遮光壁６５５遮光用後方突起（後方遮光壁）Ｌｆ前方レーザ光Ｌｂ後方レーザ光

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】前方および後方出射端面から前方および
後方レーザ光を出射する半導体レーザと、該半導体レー
ザの前記前方出射端面から出射された前記前方レーザ光
を光記録媒体に集光させるための集光手段と、光記録媒
体からの戻り光を検出するための信号再生用受光素子
と、前記戻り光を前記信号再生用受光素子に導くための
導光系とを有し、前記半導体レーザおよび前記信号再生
用受光素子が共通のパッケージに内蔵された構成の光源
ユニットを備えた光ピックアップ装置において、前記信号再生用受光素子は、前記半導体レーザの光軸を
挟む左右両側のうちの一方側に配置され、前記パッケージの内面のうち、前記半導体レーザの後方
に位置するパッケージ後壁には、前記半導体レーザの前
記後方出射端面から出射された前記後方レーザ光が当該
信号再生用受光素子に向けて反射するのを防止する後方
遮光壁が形成されていることを特徴とする光ピックアッ
プ装置。
【請求項２】請求項１において、前記半導体レーザと
前記パッケージの後壁との間には、前記半導体レーザの
前記後方出射端面から出射された前記後方レーザ光の一
部を受光するモニター用受光素子を有していることを特
徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３】請求項１または２において、前記後方遮
光壁は、前記半導体レーザの前記後方出射端面と対向す
る位置で前記後方レーザ光の光軸に直交する方向に対し
て前記信号再生用受光素子が位置する側とは反対側に傾
斜していることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４】請求項１または２において、前記後方遮
光壁は、前記後方レーザ光の光軸に対して前記信号再生
用受光素子が位置する側で前記後壁から突出した突起で
あることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項５】請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記半導体レーザの光軸と前記信号再生用受光素子との
間には、前記半導体レーザから出射された前記前方およ
び後方レーザ光が迷光として入射するのを防止する迷光
遮断壁を有していることを特徴とする光ピックアップ装
置。
【請求項６】請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記パッケージは、前記半導体レーザおよび前記信号再
生用受光素子が載置されたパッケージ本体と、該パッケ
ージ本体に被さる蓋体とから構成され、前記後方遮光壁は、前記パッケージ本体側に形成されて
いることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれかの項に記載
の光源ユニット。