JP2020145385A - 半導体レーザ装置、及び分析装置 - Google Patents

半導体レーザ装置、及び分析装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2020145385A
JP2020145385A JP2019043099A JP2019043099A JP2020145385A JP 2020145385 A JP2020145385 A JP 2020145385A JP 2019043099 A JP2019043099 A JP 2019043099A JP 2019043099 A JP2019043099 A JP 2019043099A JP 2020145385 A JP2020145385 A JP 2020145385A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
temperature
wiring
laser device
laser element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019043099A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7090572B2 (ja
Inventor
誠 松濱
Makoto Matsuhama
誠 松濱
悠介 粟根
Yusuke Awane
悠介 粟根
公彦 有本
Kimihiko Arimoto
公彦 有本
博臣 伊関
Hiroomi Izaki
博臣 伊関
真太郎 桝田
Shintaro Masuda
真太郎 桝田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Horiba Ltd
Original Assignee
Horiba Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Horiba Ltd filed Critical Horiba Ltd
Priority to JP2019043099A priority Critical patent/JP7090572B2/ja
Priority to CN202010139281.4A priority patent/CN111668695B/zh
Priority to EP20160970.8A priority patent/EP3706263A1/en
Priority to US16/811,710 priority patent/US11949210B2/en
Publication of JP2020145385A publication Critical patent/JP2020145385A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7090572B2 publication Critical patent/JP7090572B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02—Details
    • G01J3/10—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02—Details
    • G01J3/10—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry
    • G01J3/108—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry for measurement in the infrared range
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/42—Absorption spectrometry; Double beam spectrometry; Flicker spectrometry; Reflection spectrometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3554—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for determining moisture content
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
    • H01S5/02446—Cooling being separate from the laser chip cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/3401—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having no PN junction, e.g. unipolar lasers, intersubband lasers, quantum cascade lasers
    • H01S5/3402—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having no PN junction, e.g. unipolar lasers, intersubband lasers, quantum cascade lasers intersubband lasers, e.g. transitions within the conduction or valence bands
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/42—Absorption spectrometry; Double beam spectrometry; Flicker spectrometry; Reflection spectrometry
    • G01J2003/423—Spectral arrangements using lasers, e.g. tunable
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Measuring Cells (AREA)

Abstract

【課題】半導体レーザ素子の温度を検出する温度検出素子の測定誤差を低減して、半導体レーザ素子の温度制御を精度良く行うようにできる。【解決手段】光学分析に用いられる半導体レーザ装置であって、半導体レーザ素子２と、半導体レーザ素子２の温度を検出する温度検出素子３と、温度検出素子３の出力を外部に出力する出力端子Ｔ２と、温度検出素子３及び出力端子を電気的に接続する配線Ｌ２と、温度検出素子３及び出力端子Ｔ２の間に介在して設けられ、配線Ｌ２の少なくとも一部に接触して配線の熱容量を大きくする熱容量増大部７とを備える。【選択図】図３

Description

本発明は、光学分析に用いられる半導体レーザ装置、及び分析装置に関するものである。
従来、例えば半導体レーザ素子を用いたガス分析装置では、半導体レーザ素子から射出されるレーザ光の波長変動が分析精度に影響を与えることから、波長変動の要因の１つである半導体レーザ素子の温度を所望の温度に制御することが行われている。
例えば特許文献１では、ペルチェ素子及び支持基板等を有する温度制御部に、半導体レーザ素子及びサーミスタ等の温度検出部を搭載して、温度検出部により得られた温度に基づいて温度制御部を制御している。これにより、半導体レーザ素子の温度を所望の温度に制御して、レーザ光の波長変動を抑えている。特許文献１の半導体レーザ光源では、ベース部材及びキャップ部材によって形成された内部空間に、半導体レーザ素子、温度検出部、および温度制御部が設けられている。そして、ベース部材の外部から内部空間に向かってベース部材を貫通するように設けられた複数のピン端子が、導電性ワイヤーを通して、半導体レーザ素子、温度検出部、および温度制御部にそれぞれ電気的に接続されている。
しかしながら、半導体レーザ光源の周囲温度の変化に伴い、ベース部材に設けられたピン端子の温度が変化し、当該ピン端子から導電性ワイヤーを通じて温度検出部に熱が伝わってしまう。そうすると、導電性ワイヤーからの熱によって温度検出部の温度が変動してしまう。その結果、半導体レーザ素子の温度に測定誤差が生じてしまい、半導体レーザ素子の温度を精度良く制御することが難しい。
国際公開第２０１３／０８４７４６号
そこで本発明は、上述した問題を解決すべくなされたものであり、半導体レーザ素子の温度を検出する温度検出素子の測定誤差を低減して、半導体レーザ素子の温度制御を精度良く行うようにできることをその主たる課題とするものである。
すなわち本発明に係る半導体レーザ装置は、光学分析に用いられるものであって、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の温度を検出する温度検出素子と、前記温度検出素子の出力を外部に出力する出力端子と、前記温度検出素子及び前記出力端子を電気的に接続する配線と、前記温度検出素子及び前記出力端子の間に介在して設けられ、前記配線の少なくとも一部に接触して前記配線の熱容量を大きくする熱容量増大部とを備えることを特徴とする。
このような半導体レーザ装置であれば、温度検出素子及び出力端子を接続する配線に接触して当該配線の熱容量を大きくする熱容量増大部を設けているので、配線を伝達して温度検出素子に流入する熱量を低減することができる。その結果、温度検出素子により半導体レーザ素子の温度を精度良く検出することができ、半導体レーザ素子の温度制御を高精度に行うことができる。
例えば赤外分光分析などの光学分析に好適に用いるためには、前記半導体レーザ素子は、量子カスケードレーザであることが望ましい。ここで、量子カスケードレーザは、通常の半導体レーザと比較して一桁以上消費電力が多く、温度変化が生じやすいため、波数変動の影響を大きく受けてしまう。本発明によれば、量子カスケードレーザの温度制御を高精度に行うことができるので、温度変化による波数変動を抑えることができ、光学分析を高精度に行うことができる。
半導体レーザ素子の温度調整を行うための具体的な実施の態様としては、半導体レーザ装置は、前記半導体レーザ素子が搭載されて前記半導体レーザ素子を冷却するための冷却機構と、前記温度検出素子の検出温度を用いて前記冷却機構を制御する制御部とさらに備えることが望ましい。
冷却機構に半導体レーザ素子を直接搭載した場合には、冷却機構の熱膨張率と半導体レーザ素子の熱膨張率との差によって、両者に歪みが生じたり、両者に隙間が形成されて熱伝達が阻害されたりする恐れがある。
このため、半導体レーザ装置は、前記冷却機構及び前記半導体レーザ素子の間に介在して設けられたサブマウントをさらに備えることが考えられる。このサブマウントの熱膨張率は、冷却機構の熱膨張率と半導体レーザ素子の熱膨張率との間とすることが考えられる。また、サブマウントの材質としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などのセラミックスを用いることが考えられる。
配線の熱容量を増大させるとともに、配線の温度を積極的に半導体レーザ素子と同じ温度にするためには、前記熱容量増大部は、前記サブマウントに接触していることが望ましい。このとき、前記熱容量増大部を配線の一部を覆う構成とすることで、配線全体を覆う構成に比べて熱容量増大部の容積を小さくすることができ、サブマウントからの伝熱による温度調整が容易となり、配線の温度が安定するまでの時間（例えば暖機時間）を短縮することができる。
前記熱容量増大部は、絶縁性材料であるシリコンから形成されていることが望ましい。この構成であれば、配線の電気信号の伝達を阻害することなく、熱容量を増大させることができる。また、シリコンは柔軟性を有することから、配線が破断しにくくなり、配線を保護する役割も果たす。
熱容量増大部を既存の構成を用いて構成するためには、前記配線が前記サブマウントに埋め込まれており、前記サブマウントが前記熱容量増大部として機能することが望ましい。
ここで、前記サブマウントは、積層セラミック基板であり、前記配線は、前記積層セラミック基板の配線を用いて構成されていることが望ましい。
半導体レーザ素子の光出射面とは反対側の端面から光が漏れ出てしまい、この漏れ出た光が迷光となってしまう恐れがある。このため、迷光を低減するためには、半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の光出射面とは反対側の端面に対向して、当該端面から出る光を遮る遮光部をさらに備えることが望ましい。
また、前記温度検出素子を、前記半導体レーザ素子の光出射面とは反対側の端面に対向して設けることによって、温度検出素子によって迷光を低減することができる。
また、本発明に係る分析装置は、流体に含まれる測定対象成分を分析する分析装置であって、前記流体が導入される測定セルと、前記測定セルにレーザ光を照射する上記の半導体レーザ装置と、前記測定セルを通過したレーザ光を検出する光検出器と、前記光検出器の検出信号を用いて前記測定対象成分を分析する分析部とを有することを特徴とする。
このような分析装置によれば、半導体レーザ素子の温度制御を高精度に行うことができるので、流体に含まれる測定対象成分を精度良く分析することができる。
このように構成した本発明によれば、半導体レーザ素子の温度を検出する温度検出素子の測定誤差を低減して、半導体レーザ素子の温度制御を精度良く行うようにできる。
本実施形態に係る半導体レーザ装置が用いられる排ガス分析装置の全体模式図である。 同実施形態に係る半導体レーザ装置の全体構成を模式的に示す平面図である。 同実施形態に係る半導体レーザ装置の全体構成を模式的に示す断面図である。 変形実施形態に係る半導体レーザ装置の全体構成を模式的に示す平面図である。 変形実施形態に係る半導体レーザ装置の全体構成を模式的に示す断面図である。 変形実施形態に係る半導体レーザ装置の全体構成を模式的に示す平面図である。 変形実施形態に係る半導体レーザ装置の全体構成を模式的に示す断面図である。
以下、本発明に係る半導体レーザ装置の一実施形態について、図面を参照して説明する。
本実施形態の半導体レーザ装置１００は、図１に示すように、例えば内燃機関から排出される排ガス中の測定対象成分（例えばＣＯ、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＨＣ等の炭化水素成分、ＨＣＨＯ等の酸素を含む炭化水素成分）を分析する排ガス分析装置１０に用いられるものである。ここで、排ガス分析装置１０は、排ガスが導入される多重反射型の測定セル１１と、測定セル１１にレーザ光Ｘを照射する半導体レーザ装置１００と、測定セル１１を通過したレーザ光Ｘを検出する光検出器１２と、光検出器１２の検出信号を用いて測定対象成分を分析する分析部１３とを有している。なお、測定セル１１は、多重反射型のものに限られず、単反射型のものであってもよいし、反射を用いない１パス型のものであっても良い。
具体的に半導体レーザ装置１００は、測定対象成分の吸収波長を含む発振波長のレーザ光Ｘを射出するものであり、図２及び図３に示すように、半導体レーザ素子２と、半導体レーザ素子２の温度を検出する温度検出素子３と、半導体レーザ素子２及び温度検出素子３が搭載され、半導体レーザ素子２を冷却するための冷却機構４と、半導体レーザ素子２及び温度検出素子３と冷却機構４との間に設けられたサブマウント５と、それらを収容する気密容器６とを備えている。
半導体レーザ素子２は、例えば赤外波長のレーザ光Ｘを射出する分布帰還型レーザ（ＤＦＢレーザ：Distributed Feedback Laser）であり、特に本実施形態では、複数の井戸層が多段接続され、それら量子井戸中に形成されるサブバンド間の光学遷移により光を発する量子カスケードレーザである。
温度検出素子３は、半導体レーザ素子２が搭載されたサブマウント５の温度を検出することにより、半導体レーザ素子２の温度を検出するものである。本実施形態の温度検出素子３は、サーミスタであり、半導体レーザ素子２の温度との差を小さくするために半導体レーザ素子２の近傍に設けている。図２の温度検出素子３は、半導体レーザ素子２の側方に設けているが、その他の位置であっても良い。なお、温度検出素子３を半導体レーザ素子２の光出射面とは反対側の後端面に対向して設けることによって、半導体レーザ素子２の後端面から漏れ出た光を遮り迷光を低減することができる。
冷却機構４は、ペルチェ素子を用いて構成されたものであり、その上面が吸熱面とされている。そして、当該吸熱面にサブマウント５が接触して設けられている。この冷却機構４は、温度検出素子３の検出温度を取得した制御部ＣＯＭによって制御される。具体的に制御部ＣＯＭは、温度検出素子３の検出温度を用いてペルチェ素子に与える電力を制御して、温度検出素子３の検出温度が所望の温度となるようにする。
サブマウント５は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等のセラミックス基板である。このサブマウント５の上面に半導体レーザ素子２及び温度検出素子３が設けられる。なお、サブマウント５の上面には、各素子２、３と電気的に接続される金属層５１、５２、５３が形成されている。
気密容器６は、例えばバタフライパッケージ等の密閉空間を形成するものであり、半導体レーザ素子２の光出射面に対向する側壁には、レーザ光Ｘを外部に導出するための光導出部６１が形成されている。当該光導出部６１には、光学窓部材６２が設けられており、当該光学窓部材６２は、光学窓部材６２で反射したレーザ光Ｘが再度半導体レーザ素子２に戻らないように、若干（例えば２度）傾斜している。
また、気密容器６には、温度検出素子３の出力を外部に出力する出力端子Ｔ１、Ｔ２と、半導体レーザ素子２に給電するための給電端子Ｔ３、Ｔ４とが設けられている。これら出力端子Ｔ１、Ｔ２及び給電端子Ｔ３、Ｔ４は、温度検出素子３及び半導体レーザ素子２の何れが接続されるかによって任意に決まる。なお、気密容器６には、冷却機構４のペルチェ素子に給電するための給電端子Ｔ５、Ｔ６も設けられている。
出力端子Ｔ１、Ｔ２には、温度検出素子３と電気的に接続する温度検出用の配線Ｌ１、Ｌ２が接続される。出力端子Ｔ１、Ｔ２は２つあり、一方の出力端子Ｔ１には、温度検出素子３の一方の電極に電気的に接続された金属層５１に接続された配線Ｌ１が接続され、他方の出力端子Ｔ２には、温度検出素子３の他方の電極に電気的に接続された配線Ｌ２が接続される。これらの配線Ｌ１、Ｌ２は例えば金線である。
半導体レーザ素子２の給電端子Ｔ３、Ｔ４には、半導体レーザ素子２と電気的に接続する半導体レーザ素子２用の配線Ｌ３、Ｌ４が接続される。給電端子Ｔ３、Ｔ４は２つあり、一方の給電端子Ｔ３には、半導体レーザ素子２の一方の電極に電気的に接続された金属層５２に接続された配線Ｌ３が接続され、他方の給電端子Ｔ４には、金属層５３を介して半導体レーザ素子２の他方の電極に電気的に接続された配線Ｌ４が接続される。同様にして、ペルチェ素子の給電端子Ｔ５、Ｔ６には、ペルチェ素子と電気的に接続するペルチェ素子用の配線Ｌ５、Ｌ６が接続される。
然して、本実施形態の半導体レーザ装置１００は、温度検出素子３及び出力端子Ｔ１、Ｔ２の間に介在して設けられ、温度検出用の配線Ｌ１、Ｌ２の少なくとも一部に接触して当該配線Ｌ１、Ｌ２の熱容量を大きくする熱容量増大部７を備えている。
熱容量増大部７は、出力端子Ｔ２と温度検出素子３とを直接接続する配線Ｌ２の一部に接触して設けられている。この熱容量増大部７は、配線Ｌ２の電気伝導を維持しながら、出力端子Ｔ２からの熱の伝達を低減するものである。具体的に熱容量増大部７は、絶縁性を有する材料から構成されており、配線Ｌ２を覆うことから柔軟性を有する材料が望ましく、例えば柔軟性を有するシリコン等の樹脂である。また、熱容量増大部７は、温度検出用の配線Ｌ２の一部の周囲を覆うように設けられている。さらに、熱容量増大部７は、サブマウント５にも接触して設けられている。
なお、熱容量増大部７は、温度検出用の配線Ｌ２の少なくとも一部とともに温度検出素子３の少なくとも一部を覆うように設けても良い。ここで、熱容量増大部７にシリコンを用いた場合には、シロキサンガスが発生する可能性があり、当該シロキサンガスが接点不良等の電子機器の不具合を生じさせることから、シリコンから成る熱容量増大部７はその体積を小さくすることが望ましい。
＜本実施形態の効果＞
このような半導体レーザ装置１００であれば、温度検出素子３及び出力端子Ｔ２を接続する配線Ｌ２に接触して当該配線Ｌ２の熱容量を大きくする熱容量増大部７を設けているので、配線Ｌ２を伝達して温度検出素子３に流入する熱量を低減することができる。その結果、温度検出素子３により半導体レーザ素子２の温度を精度良く検出することができ、半導体レーザ素子２の温度制御を高精度に行うことができる。つまり、温度検出素子３の検出温度と半導体レーザ素子２の温度との差を低減することができ、半導体レーザ素子２の温度制御を高精度に行うことができる。このような半導体レーザ装置１００を用いたガス分析装置１０であれば、半導体レーザ素子２の発振波長の変動を抑えることができ、ガスに含まれる測定対象成分を精度良く分析することができる。
＜その他の実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
例えば、前記実施形態では、出力端子Ｔ１、Ｔ２と温度検出素子３とをサブマウント５の上方において配線Ｌ１、Ｌ２で接続する構成であったが、図４、図５に示すように、温度検出用の配線Ｌ１、Ｌ２をサブマウント５に埋め込んで構成しても良い。図４、図５に示すサブマウント５は、積層セラミック基板から構成されている。この構成において温度検出用の配線Ｌ１、Ｌ２は、その一部が積層セラミック基板の配線５ａ、５ｂから構成されている。
具体的には、温度検出素子３の一方の電極は、配線５ａに電気的に接続されており、当該配線５ａは金属層５４に電気的に接続されている。そして、この金属層５４は、金線等の導線Ｌ１１により出力端子Ｔ１に電気的に接続される。また、温度検出素子３の他方の電極は、温度検出素子３の近傍に形成された金属層５５に電気的に接続されており、当該金属層５５は配線５ｂに電気的に接続されている。また、配線５ｂは金属層５６に電気的に接続されており、この金属層５６は、金線等の導線Ｌ２１により出力端子Ｔ２に電気的に接続される。
このように温度検出用の配線Ｌ１、Ｌ２（特に、温度検出素子３の他方の電極に接続される配線Ｌ２）の一部をサブマウント５に埋め込むことによって、サブマウント５自体が熱容量増大部７として機能することになり、配線Ｌ２を伝達して温度検出素子３に流入する熱量を低減することができる。
また、半導体レーザ素子２の一方の電極は、積層セラミック基板の配線５ｃに電気的に接続されており、当該配線５ｃは金属層５７に電気的に接続されている。そして、この金属層５７は、金線等の導線Ｌ３１により給電端子Ｔ３に電気的に接続される。また、半導体レーザ素子２の他方の電極は、金属層５８を介して金線などの配線Ｌ４により給電端子Ｔ４に電気的に接続される。なお、半導体レーザ素子２用の配線Ｌ３、Ｌ４は、サブマウントに埋め込む構成としなくてもよい。
なお、配線Ｌ１、Ｌ２をサブマウント５に埋め込む構成としては、上記のように、積層セラミック基板の配線５ａ、５ｂを用いる構成のほか、サブマウント５に溝を形成し、当該溝に配線Ｌ１、Ｌ２を収容して樹脂などにより封止するようにしても良い。その他、配線Ｌ１、Ｌ２をサブマウント５の表面に接触するように這わせても良い。
また、図６、図７に示すように、サブマウント５に半導体レーザ素子２を収容する凹部Ｍ１を形成し、温度検出素子３を収容する凹部Ｍ２を形成しても良い。このとき、凹部Ｍ１の内面が、半導体レーザ素子の後端面に対向し、当該後端面から漏れ出た光を遮り迷光を低減する遮光部として機能する。ここで、遮光部の遮光面は、反射した光が再度半導体レーザ素子２に戻らないように、若干（例えば２度）傾斜している。なお、図６、図７では、サブマウント５が積層セラミック基板から構成されているが、単なるセラミック基板であっても良い。
また、半導体レーザ素子２の後端面に対向して段差部を形成しても良い。この段差部の高さ寸法は、半導体レーザ素子２の高さ寸法よりも高くすることが望ましく、例えば、２ｍｍ以上とすることが望ましい。
前記実施形態では、量子カスケードレーザ素子を有する半導体レーザ装置について説明したが、その他の半導体レーザ素子（例えば分布反射型レーザ（ＤＢＲレーザ））を有するものであっても良い。
半導体レーザ素子２の駆動方式としては、連続発振（ＣＷ）方式であっても良いし、疑似連続発振（疑似ＣＷ）方式であっても良いし、パルス発振方式であっても良い。
前記実施形態では、半導体レーザ装置をガス分析装置に適用した例を説明したが、その他の光学分析装置に適用しても良い。
また、前記実施形態の半導体レーザ装置を用いた分析装置は、例えば自動車の排ガス分析に用いられる他に、大気などの種々の気体（例えば環境ガス）の測定対象成分（例えばＣＯ、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＨＣ等の炭化水素成分、ＨＣＨＯ等の酸素を含む炭化水素成分）を分析するものであっても良いし、液体を分析するものであっても構わない。
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
１００・・・半導体レーザ装置
２・・・半導体レーザ素子
３・・・温度検出素子
Ｔ１、Ｔ２・・・出力端子
Ｌ１、Ｌ２・・・配線
７・・・熱容量増大部
４・・・冷却機構
ＣＯＭ・・・制御部
５・・・サブマウント
５ａ、５ｂ・・・積層セラミック基板の配線

Claims (10)

  1. 光学分析に用いられる半導体レーザ装置であって、
    半導体レーザ素子と、
    前記半導体レーザ素子の温度を検出する温度検出素子と、
    前記温度検出素子の出力を外部に出力する出力端子と、
    前記温度検出素子及び前記出力端子を電気的に接続する配線と、
    前記温度検出素子及び前記出力端子の間に介在して設けられ、前記配線の少なくとも一部に接触して前記配線の熱容量を大きくする熱容量増大部とを備える、半導体レーザ装置。
  2. 前記半導体レーザ素子は、量子カスケードレーザである、請求項１記載の半導体レーザ装置。
  3. 前記半導体レーザ素子が搭載されて前記半導体レーザ素子を冷却するための冷却機構と、
    前記温度検出素子の検出温度を用いて前記冷却機構を制御する制御部とさらに備える、請求項１又は２記載の半導体レーザ装置。
  4. 前記冷却機構及び前記半導体レーザ素子の間に介在して設けられたサブマウントをさらに備え、
    前記熱容量増大部は、前記サブマウントに接触している、請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体レーザ装置。
  5. 前記熱容量増大部は、シリコンから形成されている、請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体レーザ装置。
  6. 前記配線が前記サブマウントに埋め込まれており、
    前記サブマウントが前記熱容量増大部として機能する、請求項４記載の半導体レーザ装置。
  7. 前記サブマウントは、積層セラミック基板であり、
    前記配線は、前記積層セラミック基板の配線を用いて構成されている、請求項４又は６記載の半導体レーザ装置。
  8. 前記半導体レーザ素子の光出射面とは反対側の端面に対向して、当該端面から出る光を遮る遮光部をさらに備える、請求項１乃至７の何れか一項に記載の半導体レーザ装置。
  9. 前記温度検出素子は、前記半導体レーザ素子の光出射面とは反対側の端面に対向して設けられている、請求項１乃至８の何れか一項に記載の半導体レーザ装置。
  10. 流体に含まれる測定対象成分を分析する分析装置であって、
    前記流体が導入される測定セルと、
    前記測定セルにレーザ光を照射する請求項１乃至９の何れか一項に記載の半導体レーザ装置と、
    前記測定セルを通過したレーザ光を検出する光検出器と、
    前記光検出器の検出信号を用いて前記測定対象成分を分析する分析部とを有する、分析装置。
JP2019043099A 2019-03-08 2019-03-08 半導体レーザ装置、及び分析装置 Active JP7090572B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019043099A JP7090572B2 (ja) 2019-03-08 2019-03-08 半導体レーザ装置、及び分析装置
CN202010139281.4A CN111668695B (zh) 2019-03-08 2020-03-03 半导体激光装置以及分析装置
EP20160970.8A EP3706263A1 (en) 2019-03-08 2020-03-04 Semiconductor laser device and analysis apparatus
US16/811,710 US11949210B2 (en) 2019-03-08 2020-03-06 Semiconductor laser device and analysis apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019043099A JP7090572B2 (ja) 2019-03-08 2019-03-08 半導体レーザ装置、及び分析装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020145385A true JP2020145385A (ja) 2020-09-10
JP7090572B2 JP7090572B2 (ja) 2022-06-24

Family

ID=69770652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019043099A Active JP7090572B2 (ja) 2019-03-08 2019-03-08 半導体レーザ装置、及び分析装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11949210B2 (ja)
EP (1) EP3706263A1 (ja)
JP (1) JP7090572B2 (ja)
CN (1) CN111668695B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115371958A (zh) * 2022-10-24 2022-11-22 中国航天三江集团有限公司 光学元件液冷散热与杂散光处理一体化装置及其使用方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7090572B2 (ja) * 2019-03-08 2022-06-24 株式会社堀場製作所 半導体レーザ装置、及び分析装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6213088A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光半導体装置
JPS6212174A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 Hitachi Ltd サブマウント付き光素子
JP2001184694A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 光ピックアップ装置および光源ユニット
JP2001296173A (ja) * 2000-04-13 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学特性計測装置における被検溶液量確認方法、計測系制御方法および溶液濃度計測方法。
JP2003133633A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置及び光電子装置
JP2004282027A (ja) * 2003-02-26 2004-10-07 Kyocera Corp サブマウント
JP2009264975A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Horiba Ltd 分析計用波長安定化レーザ装置
JP2015119152A (ja) * 2013-12-20 2015-06-25 セイコーエプソン株式会社 発光素子モジュール、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
US20160301187A1 (en) * 2012-08-28 2016-10-13 Daylight Solutions, Inc. Rapidly Tunable Laser Assembly
JP2018194423A (ja) * 2017-05-17 2018-12-06 住友電気工業株式会社 光モジュール、検知装置

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784511B1 (en) 1994-01-20 2004-08-31 Fuji Electric Co., Ltd. Resin-sealed laser diode device
JPH08195528A (ja) * 1995-01-13 1996-07-30 Fujitsu Ltd レーザダイオードモジュール
DE19813468C1 (de) * 1998-03-26 1999-07-22 Sensotherm Temperatursensorik Sensorbauelement
JP4071917B2 (ja) 2000-04-21 2008-04-02 ユーディナデバイス株式会社 光半導体装置
JP4756769B2 (ja) * 2001-05-09 2011-08-24 三菱電機株式会社 光モジュール
US7403347B2 (en) * 2002-04-04 2008-07-22 The Furukawa Electric Co., Ltd. Optical transmission module with temperature control
JP3804632B2 (ja) * 2003-05-21 2006-08-02 住友電気工業株式会社 光データリンク
JP4599091B2 (ja) 2004-05-19 2010-12-15 日本オプネクスト株式会社 光モジュールおよび光伝送装置
FI20041233A (fi) * 2004-09-23 2006-03-24 Aspocomp Technology Oy Menetelmä optoelektronisen moduulin kokoamiseksi ja optoelektronisen moduulin rakenne
US7280181B2 (en) * 2005-06-30 2007-10-09 Intel Corporation Liquid crystal polymer optical filter carrier
US7856038B2 (en) * 2006-03-27 2010-12-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light-emitting module installing thermo-electric controller
KR100927594B1 (ko) * 2006-12-05 2009-11-23 한국전자통신연구원 평판형 광도파로(ｐｌｃ) 소자, 그 소자를 포함한 파장가변 광원 및 그 광원을 이용한 ｗｄｍ-ｐｏｎ
US8259765B2 (en) * 2006-12-06 2012-09-04 Google Inc. Passive phase control in an external cavity laser
US7733931B2 (en) * 2007-01-09 2010-06-08 Seiko Epson Corporation Light source device, projector device, monitor device, and lighting device
JP5190027B2 (ja) * 2009-06-09 2013-04-24 アンリツ株式会社 半導体レーザモジュール，およびこれを備えたラマン増幅器
EP2320215B1 (de) * 2009-11-06 2013-05-01 Axetris AG Halbleiterlaser-Aufbau zur Gasdetektion mit integriertem temperiertem Strahlformungselement
EP2523029B1 (en) * 2010-01-06 2017-02-15 Fujikura Ltd. Optical coupling structure and optical transreceiver module
JP5598386B2 (ja) * 2011-03-10 2014-10-01 株式会社デンソー 半導体装置
WO2013084746A1 (ja) 2011-12-06 2013-06-13 コニカミノルタ株式会社 光半導体パッケージ、マイケルソン干渉計、およびフーリエ変換分光分析装置
JP6123977B2 (ja) * 2012-02-07 2017-05-10 セイコーエプソン株式会社 原子発振器
JP5743922B2 (ja) * 2012-02-21 2015-07-01 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式空気流量測定装置
KR102237784B1 (ko) * 2013-06-10 2021-04-08 주식회사 포벨 파장 안정화 장치가 구비된 레이저 장치
JP2015005566A (ja) * 2013-06-19 2015-01-08 株式会社ジェイテクト 半導体素子及び半導体素子の温度検出装置及び半導体素子の製造方法
US10431955B2 (en) * 2014-04-25 2019-10-01 Lmd Power Of Light Corp Laser core having conductive mass electrical connection
CN104332524B (zh) * 2014-08-26 2018-01-09 日月光半导体制造股份有限公司 电子装置、光学模块及其制造方法
EP3208896A4 (en) * 2014-10-15 2018-07-04 Koito Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor laser device
WO2016110570A1 (en) 2015-01-09 2016-07-14 Momentive Performance Materials Gmbh Use of a silicone rubber composition for the manufacture of an insulator for high voltage direct current applications
JP2016178218A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 日本オクラロ株式会社 光送信モジュール
JP6545991B2 (ja) * 2015-03-31 2019-07-17 株式会社小糸製作所 光源モジュール
US11043790B2 (en) * 2016-05-25 2021-06-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
JP2018041835A (ja) * 2016-09-07 2018-03-15 セイコーエプソン株式会社 発光素子モジュール、原子発振器、電子機器および移動体
JP7077500B2 (ja) * 2017-01-12 2022-05-31 ローム株式会社 面発光レーザ素子、光学装置
JP2018195752A (ja) * 2017-05-19 2018-12-06 住友電気工業株式会社 発光装置
US10615567B1 (en) * 2018-02-14 2020-04-07 Inphi Corporation Packaging of a directly modulated laser chip in photonics module
JP6605651B2 (ja) * 2018-03-27 2019-11-13 株式会社フジクラ レーザモジュール及びレーザ装置
JP2019175946A (ja) * 2018-03-27 2019-10-10 セイコーエプソン株式会社 原子発振器および周波数信号生成システム
WO2019216596A1 (ko) * 2018-05-09 2019-11-14 엘지이노텍 주식회사 표면발광레이저 패키지
EP3832741A4 (en) * 2018-08-03 2022-03-16 SZ DJI Technology Co., Ltd. LASER DIODE PACKAGING MODULE, DISTANCE SENSING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
JP7090572B2 (ja) * 2019-03-08 2022-06-24 株式会社堀場製作所 半導体レーザ装置、及び分析装置
EP4038707A2 (en) * 2019-09-30 2022-08-10 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Laser package and system with laser packages

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6213088A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光半導体装置
JPS6212174A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 Hitachi Ltd サブマウント付き光素子
JP2001184694A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 光ピックアップ装置および光源ユニット
JP2001296173A (ja) * 2000-04-13 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学特性計測装置における被検溶液量確認方法、計測系制御方法および溶液濃度計測方法。
JP2003133633A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置及び光電子装置
JP2004282027A (ja) * 2003-02-26 2004-10-07 Kyocera Corp サブマウント
JP2009264975A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Horiba Ltd 分析計用波長安定化レーザ装置
US20160301187A1 (en) * 2012-08-28 2016-10-13 Daylight Solutions, Inc. Rapidly Tunable Laser Assembly
JP2015119152A (ja) * 2013-12-20 2015-06-25 セイコーエプソン株式会社 発光素子モジュール、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
JP2018194423A (ja) * 2017-05-17 2018-12-06 住友電気工業株式会社 光モジュール、検知装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115371958A (zh) * 2022-10-24 2022-11-22 中国航天三江集团有限公司 光学元件液冷散热与杂散光处理一体化装置及其使用方法
CN115371958B (zh) * 2022-10-24 2023-03-24 中国航天三江集团有限公司 光学元件液冷散热与杂散光处理一体化装置及其使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200287349A1 (en) 2020-09-10
CN111668695B (zh) 2024-07-16
US11949210B2 (en) 2024-04-02
CN111668695A (zh) 2020-09-15
JP7090572B2 (ja) 2022-06-24
EP3706263A1 (en) 2020-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7090572B2 (ja) 半導体レーザ装置、及び分析装置
WO2015104885A1 (ja) 光強度検出装置および検出方法
KR101223573B1 (ko) 광 전송 모듈
JP7505532B2 (ja) 光モジュール
US11322907B2 (en) Light emitting element housing package, light emitting device, and light emitting module
JP4587218B2 (ja) パッケージ型半導体装置
US20010006526A1 (en) Semiconductor laser devices
JP2006324524A (ja) 発光モジュール
JP6693353B2 (ja) 原子発振器および電子機器
JP2019110164A (ja) 半導体レーザ装置及びその製造方法並びにガス分析装置
US20040190571A1 (en) Wavelength stabilised laser source
JP7165144B2 (ja) 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の駆動方法及び駆動プログラム
JP2007036046A (ja) 光送信デバイス
JP4779747B2 (ja) 発光モジュール
US11050429B2 (en) Atomic oscillator and frequency signal generation system
US20240146020A1 (en) Semiconductor laser device
EP3726199A1 (en) Particle sensor
JP2007005681A (ja) 半導体レーザモジュール
US12099004B2 (en) Gas detection device
US20220317034A1 (en) Gas detection device
US20210351327A1 (en) Light-source apparatus and distance measurement apparatus
JPH07202322A (ja) サーミスタ
US20240178628A1 (en) Photoacoustic system and associated method
JPS61232684A (ja) 光半導体素子の温度安定化装置
JP2024063545A (ja) 半導体レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211125

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20220107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220531

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220614

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7090572

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150