JP2015005566A - 半導体素子及び半導体素子の温度検出装置及び半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップが樹脂モールドされている場合でも、半導体チップのジャンクション温度を精度良く検出することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子1は、基板2にはんだ層7を介して固定されたヒートスプレッダ4、及びヒートスプレッダ4にはんだ層6を介して固定された半導体チップ3を備える。半導体チップ3及びヒートスプレッダ4は樹脂部材5によりモールドされている。この半導体素子1は、半導体チップ3に当接するはんだ層6に測温接点13が埋め込まれた熱電対10を備える。
【選択図】図1
【解決手段】半導体素子1は、基板2にはんだ層7を介して固定されたヒートスプレッダ4、及びヒートスプレッダ4にはんだ層6を介して固定された半導体チップ3を備える。半導体チップ3及びヒートスプレッダ4は樹脂部材5によりモールドされている。この半導体素子1は、半導体チップ3に当接するはんだ層6に測温接点13が埋め込まれた熱電対10を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、樹脂モールドされた半導体チップを備える半導体素子、半導体素子の温度検出装置、及び半導体素子の製造方法に関する。
半導体素子は、半導体チップに供給される電流と印加される電圧とにより半導体チップ内部のPN接合部(ジャンクション)に損失が発生して発熱する。この半導体チップのPN接合部の温度はジャンクション温度と呼ばれる。通常、半導体チップのジャンクションには許容温度が存在し、ジャンクション温度が許容温度を超えると半導体チップの劣化を招く。そのため、半導体素子の熱設計や耐久試験を精度良く行うためには、半導体チップのジャンクション温度を高い精度で検出することが重要となる。従来、半導体チップのジャンクション温度を推定する方法としては、特許文献1に記載の方法がある。特許文献1では、半導体素子の周囲の雰囲気温度に基づいて半導体チップのジャンクション温度を推定している。
ところで、半導体素子には、ベアチップの状態で基板上に実装された半導体チップを有するとともに、この半導体チップが樹脂モールドされた構造からなるものがある。このような半導体素子について特許文献1に記載の方法で半導体チップのジャンクション温度を推定する場合、モールド樹脂の熱抵抗を考慮してジャンクション温度を推定しなければならない。そのためジャンクション温度を精度良く推定することが困難であった。
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体チップが樹脂モールドされている場合でも、半導体チップのジャンクション温度を精度良く検出することができる半導体素子、半導体素子の温度検出装置、及び半導体素子の製造方法に関する。
上記課題を解決するために、基板に接合層を介して固定された半導体チップを有し、前記半導体チップが樹脂モールドされてなる半導体素子において、前記半導体チップに当接する接合層に測温接点が埋め込まれた熱電対を備えることとした。
この構成によれば、熱電対により半導体チップの実際の温度、あるいはそれに近い温度を検出することができる。したがって、熱電対の検出温度を利用すれば、半導体チップの実際の温度、あるいはそれに近い温度に基づいてジャンクション温度を推定することができるため、ジャンクション温度を精度良く推定することができる。
上記半導体素子について、前記熱電対の測温接点は、前記半導体チップに当接していることが好ましい。
この構成によれば、熱電対の測温接点の温度が半導体チップの温度と略同一の温度となるため、熱電対における半導体チップの温度検出精度が向上する。そのためジャンクション温度の推定精度を更に向上させることができる。
この構成によれば、熱電対の測温接点の温度が半導体チップの温度と略同一の温度となるため、熱電対における半導体チップの温度検出精度が向上する。そのためジャンクション温度の推定精度を更に向上させることができる。
ところで、半導体チップでは、ボンディングワイヤとの接合部も発熱し易い。すなわち、半導体チップにおけるボンディングワイヤとの接合部は、自身の発熱と、PN接合部の発熱との相乗効果により特に発熱し易い部位となっている。
そこで上記半導体素子について、前記熱電対の測温接点は、前記半導体チップにおけるボンディングワイヤとの接合部に対向する位置に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、半導体チップにおいて特に発熱し易い部位の温度を熱電対により検出することができるため、その検出温度を利用することにより、例えば半導体素子の熱設計や耐久試験等を精度良く行うことが可能となる。
この構成によれば、半導体チップにおいて特に発熱し易い部位の温度を熱電対により検出することができるため、その検出温度を利用することにより、例えば半導体素子の熱設計や耐久試験等を精度良く行うことが可能となる。
また上記半導体素子について、前記半導体チップに当接する接合層を第1接合層とするとき、前記基板に第2接合層を介して固定されたヒートスプレッダを更に備え、前記半導体チップは、前記第1接合層を介して前記ヒートスプレッダに固定され、前記ヒートスプレッダには、前記熱電対の測温接点が挿入される凹部が形成されていることが好ましい。
この構成によれば、熱電対の測温接点の一部がヒートスプレッダの凹部に挿入されるため、第1接合層内に位置する測温接点の部位を小さくすることができる。これにより第1接合層を薄くすることができるため、半導体素子を小型化することができる。
そして半導体素子の温度測定装置としては、前記熱電対の出力が入力される入力部、及び前記入力部と電気的に絶縁された出力部を有し、前記熱電対から前記入力部に入力された電気信号に応じた電気信号を前記出力部から出力する絶縁回路と、前記絶縁回路から出力される電気信号に基づいて前記熱電対の測温接点の温度を検出する計測器と、を備えることが好ましい。
この構成によれば、熱電対と計測器との電気的な接続が絶縁回路により絶縁されているため、半導体チップからの熱電対を介した計測器への電流の回り込みを防止することができる。これにより、計測器に入力される信号に、半導体チップからの電流の周り込みに起因したノイズが混入することがないため、熱電対の測温接点の温度を精度良く検出することが可能となる。
また半導体素子の製造方法としては、前記ヒートスプレッダの凹部に前記熱電対の測温接点を配置した後、第1接合部材により前記半導体チップを前記ヒートスプレッダに固定して1次成形品を成形する工程と、前記1次成形品を第2接合部材により前記基板に固定する工程と、前記基板上に固定された1次成形品を前記熱電対と共に樹脂モールドする工程と、を備えることが好ましい。
この製造方法によれば、ヒートスプレッダの凹部に熱電対の測温接点を配置する作業を行って以降は、熱電対を有していない半導体素子の製造工程をほぼそのまま用いることができる。すなわち半導体素子の製造工程を大幅に変更する必要がない。そのため熱電対を備える半導体素子を容易に製造することができる。
この半導体素子によれば、半導体チップが樹脂モールドされている場合でも、半導体チップのジャンクション温度を精度良く検出することができる。
以下、図1〜図5を参照して半導体素子の一実施形態について説明する。
図1に示すように、半導体素子1は、基板2にベアチップの状態で実装された半導体チップ3、及び半導体チップ3と基板2との間に介装されたヒートスプレッダ4を備えている。半導体素子1は、半導体チップ3及びヒートスプレッダ4が樹脂部材5によりモールド(封止)された構造からなる。
図1に示すように、半導体素子1は、基板2にベアチップの状態で実装された半導体チップ3、及び半導体チップ3と基板2との間に介装されたヒートスプレッダ4を備えている。半導体素子1は、半導体チップ3及びヒートスプレッダ4が樹脂部材5によりモールド(封止)された構造からなる。
半導体チップ3はバイポーラトランジスタやFET(Field Effect Transistor)、IGBT(Insulated gate bipolar transistor)等からなる。半導体チップ3は、アルミニウム等からなる複数のボンディングワイヤ8を介して基板2上のパターンに電気的に接続されている。また半導体チップ3は、ヒートスプレッダ4に対して第1はんだ層6を介して固定されている。第1はんだ層6は、半導体チップ3とヒートスプレッダ4とを接合する第1接合層の一例であり、例えば鉛フリーはんだや鉛含有はんだなどからなる。
ヒートスプレッダ4は、ニッケルめっきが表面に施された銅板等からなり、半導体チップ3から発生する熱を吸収して外部に放出することにより半導体チップ3を冷却する。ヒートスプレッダ4は、基板2に対して第2はんだ層7を介して固定されている。第2はんだ層7は、基板2とヒートスプレッダ4とを接合する第2接合層の一例であり、例えば鉛フリーはんだや鉛含有はんだなどからなる。
また半導体素子1には、半導体チップ3の温度を検出する熱電対10が埋め込まれている。熱電対10は、樹脂部材5に一部が埋め込まれたコネクタ部11、及びコネクタ部11から第1はんだ層6の内部に延びる2本の金属線12a,12bを有している。金属線12a,12bは互いに異なる金属材料からなる。金属線12a,12bの基準接点(冷接点)はコネクタ部11の内部に配置されている。また金属線12a,12bのそれぞれの先端部は、第1はんだ層6の内部に配置された球状の測温接点13にて互いに接合されている。なお金属線12a,12bにおける測温接点13により覆われた部分以外の外部に露出した部分は、例えばポリイミドなどの耐熱性及び絶縁性を有する被覆部材によりコーティングされている。また測温接点13は、その外周面が半導体チップ3の底面3aに当接するとともに、ヒートスプレッダ4の上面4aに形成された凹部4bに挿入されている。
次に、図2〜図4を参照して、ヒートスプレッダ4の凹部4b周辺の構造について詳述する。図2は、ヒートスプレッダ4の平面構造を、図3は、図2のA−A線に沿った断面構造を示す。また図4は、半導体チップ3の平面構造を示す。
図2及び図3に示すように、ヒートスプレッダ4の上面4aの中央部には、測温接点13の外径よりも若干大きい内径を有する半球状の凹部4bが形成されている。この凹部4bに熱電対10の測温接点13が挿入されることにより、測温接点13は、ヒートスプレッダ4の中央部に配置される。これにより図4に示すように、測温接点13は、半導体チップ3におけるボンディングワイヤ8との接合部Pに対向するように配置される。なお図2及び図3に示すように、ヒートスプレッダ4の上面4aには、金属線12a,12bとヒートスプレッダ4との干渉を回避すべく、凹部4bからヒートスプレッダ4の外周面まで延びる直線状の溝部4cが形成されている。
こうした構造からなる熱電対10では、半導体チップ3から発生する熱により測温接点13の温度が上昇すると、コネクタ部11における金属線12a,12bの基準接点と測温接点13との間に温度差が生じ、その温度差に応じた熱起電力が金属線12a,12bに発生する。そして図1に示すように、熱電対10は、この熱起電力を出力線14a,14b間の電位差として出力する。
熱電対10の出力線14a,14bは絶縁回路20を介して計測器30に接続されている。これら絶縁回路20及び計測器30により、熱電対10により検出される温度、すなわち測温接点13の温度を検出する温度検出装置40が構成されている。
絶縁回路20は、例えばフォトカプラ等からなり、熱電対10の出力線14a,14bにそれぞれ接続された入力部21a,21b、及び入力部21a,21bと電気的に絶縁された出力部22a,22bを有している。絶縁回路20は、入力部21a,21bに入力される電気信号に応じた電気信号を出力部22a,22bからそれぞれ出力する。絶縁回路20の出力部22a,22bは配線41a,41bを介して計測器30に接続されている。
計測器30は、配線41a,41bを介して絶縁回路20の出力部22a,22b間の電位差を、換言すれば熱電対10の出力線14a,14b間の電位差を検出する。そして計測器30は、検出した熱電対10の出力線14a,14b間の電位差に基づいて測温接点13の温度を検出する。
次に、本実施形態の半導体素子1及び温度検出装置40の作用について説明する。
熱電対10では、測温接点13が半導体チップ3の底面3aに当接しているため、測温接点13の温度が半導体チップ3の温度と略同一の温度となる。そのため熱電対10は半導体チップ3の実際の温度に近い温度、あるいはそれに近い温度を検出することができる。また測温接点13が半導体チップ3に当接していれば、半導体チップ3の温度が変化したとき、測温接点13の温度が即座に変化する。そのため半導体チップ3の温度変化に対する熱電対10の応答性を向上させることもできる。
熱電対10では、測温接点13が半導体チップ3の底面3aに当接しているため、測温接点13の温度が半導体チップ3の温度と略同一の温度となる。そのため熱電対10は半導体チップ3の実際の温度に近い温度、あるいはそれに近い温度を検出することができる。また測温接点13が半導体チップ3に当接していれば、半導体チップ3の温度が変化したとき、測温接点13の温度が即座に変化する。そのため半導体チップ3の温度変化に対する熱電対10の応答性を向上させることもできる。
このように本実施形態の熱電対10は半導体チップ3の温度を精度良く検出することができる。したがって、計測器30により検出される温度に基づいて半導体チップ3のジャンクション温度を推定すれば、半導体チップ3の実際の温度、あるいはそれに近い温度に基づいてジャンクション温度を推定することができるため、ジャンクション温度を精度良く推定することができる。そして半導体チップ3のジャンクション温度を精度良く検出することができれば、ジャンクション温度に基づき実行される半導体チップ3の温度保護制御等を精度良く実行することが可能となる。そのため半導体チップ3の発熱をより的確に抑制することができる。またパワーサイクル試験等の耐久試験では、印加条件に対する半導体チップ3の温度変化を精度良く検出することができるため、耐久試験の信頼性を向上させることもできる。
ところで、半導体素子1の熱設計や耐久試験等を精度良く行うためには、半導体チップ3の発熱し易い部分の温度を検出することが有効である。ここで半導体チップ3の発熱し易い部分としては、PN接合部の他、ボンディングワイヤ8との接合部がある。すなわち、半導体チップ3におけるボンディングワイヤ8との接合部は、自身の発熱と、PN接合部の発熱との相乗効果により特に発熱し易い部分となっている。この点、図4に示すように、熱電対10の測温接点13は、半導体チップ3におけるボンディングワイヤ8との接合部Pに対向するように配置されているため、熱電対10は、半導体チップ3において特に発熱し易い部分の温度を検出することができる。そのため半導体素子1の熱設計や耐久試験を精度良く行うことが可能となる。
また図1に示すように、半導体素子1では、熱電対10の測温接点13がヒートスプレッダ4の凹部4bに挿入されているため、測温接点13の一部のみが第1はんだ層6内に位置している。そのため第1はんだ層6を薄くすることができるため、半導体素子1を小型化することができる。また凹部4bの深さ(内径)を適宜調整すれば、第1はんだ層6内に位置する測温接点13の部位の大きさを調整することができるため、第1はんだ層6の厚さを調整することができる。これにより、例えばヒートスプレッダ4と半導体チップ3との間で十分な固定強度が得られるように第1はんだ層6の厚さを適宜調整することができる。
さらに図1に示すように、熱電対10の出力線14a,14bは絶縁回路20を介して計測器30に接続されているため、半導体チップ3から熱電対10を介した計測器30への電流の回り込みを防止することができる。これにより計測器30に入力される電気信号に、半導体チップ3からの電流の回り込みに起因するノイズが混入することがないため、熱電対10の測温接点13の温度を精度良く検出することができる。また半導体チップ3からの電流の回り込みに起因する計測器30の故障を防止することもできる。
次に、図5を参照して、半導体素子1の製造方法について説明する。
図5に示すように、半導体素子1の製造に際しては、まず、ヒートスプレッダ4の凹部4bに熱電対10の測温接点13を挿入した後(ステップS1)、第1接合部材としてのはんだによりヒートスプレッダ4に半導体チップ3をダイボンディング(固定)する(ステップS2)。その際、ヒートスプレッダ4の凹部4b及び溝部4cに流れ込むはんだにより、熱電対10の測温接点13及び金属線12a,12bの一部が半導体チップ3及びヒートスプレッダ4に対して固定される。このステップS2の工程を経て1次成形品の成形が完了する。続いて、第2接合部材としてのクリームはんだを基板2に塗布した後(ステップS3)、基板2のクリームはんだが塗布された部分に1次成形品をマウントする(ステップS4)。そして、1次成形品がマウントされた基板2をリフロー炉に投入し、リフロー炉でクリームはんだを溶融させて基板2に1次成形品を固定する(ステップS5)。こうして基板2に対する半導体チップ3及びヒートスプレッダ4の固定が完了する。
図5に示すように、半導体素子1の製造に際しては、まず、ヒートスプレッダ4の凹部4bに熱電対10の測温接点13を挿入した後(ステップS1)、第1接合部材としてのはんだによりヒートスプレッダ4に半導体チップ3をダイボンディング(固定)する(ステップS2)。その際、ヒートスプレッダ4の凹部4b及び溝部4cに流れ込むはんだにより、熱電対10の測温接点13及び金属線12a,12bの一部が半導体チップ3及びヒートスプレッダ4に対して固定される。このステップS2の工程を経て1次成形品の成形が完了する。続いて、第2接合部材としてのクリームはんだを基板2に塗布した後(ステップS3)、基板2のクリームはんだが塗布された部分に1次成形品をマウントする(ステップS4)。そして、1次成形品がマウントされた基板2をリフロー炉に投入し、リフロー炉でクリームはんだを溶融させて基板2に1次成形品を固定する(ステップS5)。こうして基板2に対する半導体チップ3及びヒートスプレッダ4の固定が完了する。
続いて、半導体チップ3と基板2上のパターンとの間にワイヤボンディングを施し(ステップS6)、半導体チップ3と基板2上のパターンとをボンディングワイヤ8により電気的に接続する。その後、半導体チップ3、ヒートスプレッダ4、及び熱電対10の一部を樹脂部材5でモールドすることで(ステップS7)、半導体素子1の製造が完了する。
このような製造方法によれば、ヒートスプレッダ4の凹部4bに熱電対10の測温接点13を挿入するステップS1の工程を行って以降は、熱電対10を有していない半導体素子の製造工程をほぼそのまま用いることができる。すなわち半導体素子の製造工程を大幅に変更する必要がない。そのため、熱電対10を備える半導体素子1を容易に製造することができる。また半導体素子1への熱電対10の取り付けに特別な治具が不要であるため、製造コストを低減することもできる。
以上説明したように、本実施形態の半導体素子1、温度検出装置40、及び半導体素子1の製造方法によれば以下の効果が得られる。
(1)半導体素子1では、半導体チップ3に当接する第1はんだ層6に熱電対10の測温接点13を埋め込むこととした。これにより熱電対10により半導体チップ3の実際の温度、あるいはそれに近い温度を検出することができるため、熱電対10の検出温度に基づいて半導体チップ3のジャンクション温度を推定すれば、ジャンクション温度を精度良く推定することができる。
(1)半導体素子1では、半導体チップ3に当接する第1はんだ層6に熱電対10の測温接点13を埋め込むこととした。これにより熱電対10により半導体チップ3の実際の温度、あるいはそれに近い温度を検出することができるため、熱電対10の検出温度に基づいて半導体チップ3のジャンクション温度を推定すれば、ジャンクション温度を精度良く推定することができる。
(2)熱電対10の測温接点13を半導体チップ3に当接させることとした。これにより熱電対10における半導体チップ3の温度検出精度が向上するため、半導体チップ3のジャンクション温度の推定精度を更に向上させることができる。
(3)熱電対10の測温接点13を、半導体チップ3におけるボンディングワイヤ8との接合部Pに対向する位置に配置することとした。これにより半導体チップ3において特に発熱し易い部位の温度を検出することができるため、半導体素子1の熱設計や耐久試験を精度良く行うことができる。
(4)ヒートスプレッダ4には、熱電対10の測温接点13を挿入するための凹部4bを形成することとした。これにより第1はんだ層6を薄くすることができるため、半導体素子1を小型化することができる。また凹部4bの深さを調整することにより、第1はんだ層6の厚さを適宜調整することができるため、例えばヒートスプレッダ4と半導体チップ3との間で十分な固定強度が得られるように第1はんだ層6の厚さを設定することもできる。
(5)熱電対10の出力線14a,14bには、絶縁回路20を介して計測器30を接続することとした。これにより半導体チップ3からの熱電対10を介した計測器30への電流の回り込みを防止することができるため、熱電対10の測温接点13の温度を精度良く検出することができる。また電流の回り込みに起因する計測器30の故障を防止することもできる。
(6)半導体素子1の製造を、図5に示した手順で行うこととした。これにより、熱電対を有していない半導体素子の製造工程をほぼそのまま用いることができるため、半導体素子1を容易に製造することができる。
なお、上記実施形態は、以下の形態にて実施することもできる。
・熱電対10の測温接点13の外径が第1はんだ層6の厚さよりも小さい場合には、測温接点13全体を第1はんだ層6内に埋め込むことができる。このような場合には、ヒートスプレッダ4から凹部4bを省略してもよい。また熱電対10の金属線12a,12bとヒートスプレッダ4とが干渉しない場合には、ヒートスプレッダ4から溝部4cを省略してもよい。
・熱電対10の測温接点13の外径が第1はんだ層6の厚さよりも小さい場合には、測温接点13全体を第1はんだ層6内に埋め込むことができる。このような場合には、ヒートスプレッダ4から凹部4bを省略してもよい。また熱電対10の金属線12a,12bとヒートスプレッダ4とが干渉しない場合には、ヒートスプレッダ4から溝部4cを省略してもよい。
・図6に示すように、熱電対10の測温接点13を、半導体チップ3におけるボンディングワイヤ8との接合部Pに対向する位置からずれた位置に配置してもよい。また図7に示すように、熱電対10の測温接点13を、半導体チップ3の底面3aから離間させてもよい。いずれの構成であっても、熱電対10により半導体チップ3の実際の温度、あるいはそれに近い温度を検出することができるため、計測器30の検出温度に基づいて半導体チップ3のジャンクション温度を推定すれば、その推定精度を確保することが可能である。
・上記実施形態では、基板2と半導体チップ3との間にヒートスプレッダ4を介装したが、基板2が、例えばセラミックス基板などの放熱性に優れた部材からなる場合には、ヒートスプレッダ4を省略してもよい。この場合、図8に示すように、基板2にはんだ層9を介して半導体チップ3を固定する。そしてはんだ層9に熱電対10の測温接点13を埋め込めばよい。
・上記実施形態では、温度検出装置40を絶縁回路20及び計測器30により構成したが、温度検出装置40から絶縁回路20を省略してもよい。
・上記実施形態では、半導体チップ3とヒートスプレッダ4とを接合する第1接合層、及び基板2とヒートスプレッダ4とを接合する第2接合層にはんだを用いたが、これに限らず、適宜の接合部材を用いることが可能である。
・上記実施形態では、半導体チップ3とヒートスプレッダ4とを接合する第1接合層、及び基板2とヒートスプレッダ4とを接合する第2接合層にはんだを用いたが、これに限らず、適宜の接合部材を用いることが可能である。
・上記実施形態では、熱電対10の測温接点13を球状に形成したが、例えば立方体状に形成するなど、測温接点13の形状は適宜変更可能である。
P…接合部、1…半導体素子、2…基板、3…半導体チップ、4…ヒートスプレッダ、4b…凹部、6…第1はんだ層(第1接合層)、7…第2はんだ層(第2接合層)、8…ボンディングワイヤ、9…はんだ層(接合層)、10…熱電対、13…測温接点、20…絶縁回路、21a,21b…入力部、22a,22b…出力部、30…計測器、40…温度検出装置。
Claims (6)
- 基板に接合層を介して固定された半導体チップを有し、
前記半導体チップが樹脂モールドされてなる半導体素子において、
前記半導体チップに当接する接合層に測温接点が埋め込まれた熱電対を備えることを特徴とする半導体素子。 - 請求項1に記載の半導体素子において、
前記熱電対の測温接点は、前記半導体チップに当接していることを特徴とする半導体素子。 - 請求項1又は2に記載の半導体素子において、
前記熱電対の測温接点は、前記半導体チップにおけるボンディングワイヤとの接合部に対向する位置に配置されていることを特徴とする半導体素子。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体素子において、
前記半導体チップに当接する接合層を第1接合層とするとき、
前記基板に第2接合層を介して固定されたヒートスプレッダを更に備え、
前記半導体チップは、前記第1接合層を介して前記ヒートスプレッダに固定され、
前記ヒートスプレッダには、前記熱電対の測温接点が挿入される凹部が形成されていることを特徴とする半導体素子。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体素子と、
前記熱電対の出力が入力される入力部、及び前記入力部と電気的に絶縁された出力部を有し、前記熱電対から前記入力部に入力された電気信号に応じた電気信号を前記出力部から出力する絶縁回路と、
前記絶縁回路から出力される電気信号に基づいて前記熱電対の測温接点の温度を検出する計測器と、を備える半導体素子の温度検出装置。 - 請求項4に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記ヒートスプレッダの凹部に前記熱電対の測温接点を配置した後、第1接合部材により前記半導体チップを前記ヒートスプレッダに固定して1次成形品を成形する工程と、
前記1次成形品を第2接合部材により前記基板に固定する工程と、
前記基板上に固定された1次成形品を前記熱電対と共に樹脂モールドする工程と、を備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。
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CN105206597A (zh) * | 2015-08-11 | 2015-12-30 | 蔡亲佳 | 带有ubm结构的载板级嵌入式封装结构及其制作方法 |
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CN115855295A (zh) * | 2023-02-28 | 2023-03-28 | 瑞熙恩电气(珠海)有限公司 | 基于前置运算的一体化工业测温系统及方法 |
-
2013
- 2013-06-19 JP JP2013128708A patent/JP2015005566A/ja active Pending
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