JP2014216326A - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱フィンを介した発熱素子の放熱性を高め得る電子装置およびその製造方法を提供を提供する。
【解決手段】半導体素子２３，２４が一側実装面２１に実装される回路基板２０には、一側実装面２１から他側実装面２２まで貫通する第１貫通穴２７が形成され、放熱フィン３０の基台３１には、受熱側面３３から放熱側面３４まで貫通し他側実装面２２および受熱側面３３が熱的に接続される際に第１貫通穴２７に連通する第２貫通穴３５が形成される。そして、複数のフィン部３２および放熱側面３４の一部を除き回路基板２０および放熱フィン３０をモールド（封止）するモールド樹脂４０は、回路基板２０の他側実装面２２と基台３１の受熱側面３３とを熱的に接続した状態にて連通した第１貫通穴２７および第２貫通穴３５に充填されるとともに、第２貫通穴３５の外縁を構成する放熱側面３４を抜け止め部４１にて覆うように形成される。
【選択図】図２

Description

本発明は、発熱素子を有する電子装置およびその製造方法に関するものである。

従来、発熱素子がモールド樹脂等により封止される電子装置では、発熱素子の放熱を促すためにヒートシンクや放熱フィン等の放熱部材が採用される。このような放熱部材を用いて発熱素子の放熱を促す電子装置に関する技術として、下記特許文献１に開示される電力用半導体装置が知られている。この電力用半導体装置は、片側放熱の樹脂封止半導体パッケージであり、製造方法としては半導体パッケージ内の部品を樹脂封止した後に、接着剤を介して放熱フィンと固着する方法を取っている。

特開２０１２−１６４６９７号公報

ところで、樹脂封止後の半導体パッケージと放熱フィンとを接着剤を介して固着する構成では、熱伝導率の低い接着剤が放熱経路となるので、この接着剤のために樹脂封止される発熱素子の放熱が抑制されてしまうという問題がある。特に、露出部を除くヒートシンクが発熱素子を実装した基板とともに樹脂封止される構成では、ヒートシンクの露出部と放熱フィンとの間に接着剤が介在するだけでなく、基板とヒートシンクとの間にも接着剤が介在することとなり、さらに発熱素子の放熱が抑制されてしまう。一方、半導体パッケージの大型化や放熱フィンの大型化を図ることで放熱フィンを介した発熱素子の放熱性を高めることができるが、部品コストが増大するだけでなく、大型化による半導体パッケージ内の各部品に作用する熱応力等の増大してしまうという問題がある。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、放熱フィンを介した発熱素子の放熱性を高め得る電子装置およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明は、発熱素子（２３，２４）が一側面（２１）に実装される基板（２０）と、前記基板の他側面（２２）からの熱を受熱側面（３３）にて受ける基台（３１）と前記基台の放熱側面（３４）に設けられる複数のフィン部（３２，３２ａ，３２ｂ）とを有する放熱フィン（３０）と、前記複数のフィン部および前記放熱側面の少なくとも一部を除き前記基板および前記放熱フィンを封止する封止部材（４０）と、を備え、前記基板には、前記一側面から前記他側面まで貫通する第１貫通穴（２７）が形成され、前記基台には、前記受熱側面から前記放熱側面まで貫通し前記他側面および前記受熱側面が熱的に接続される際に前記第１貫通穴に連通する第２貫通穴（３５，３５ａ）が形成され、前記封止部材は、前記他側面と前記受熱側面とを熱的に接続した状態にて連通した前記第１貫通穴および前記第２貫通穴に充填されるとともに、前記第２貫通穴の外縁を構成する前記放熱側面の少なくとも一部を覆うように形成されることを特徴とする。

また、請求項８に記載の発明は、発熱素子（２３，２４）が一側面（２１）に実装される基板（２０）と、前記基板の他側面（２２）からの熱を受熱側面（３３）にて受ける基台（３１）と前記基台の放熱側面（３４）に設けられる複数のフィン部（３２，３２ａ，３２ｂ）とを有する放熱フィン（３０）とを備える電子装置の製造方法であって、前記一側面から前記他側面まで貫通する第１貫通穴（２７）が形成された前記基板を用意する第１工程と、前記受熱側面から前記放熱側面まで貫通し前記他側面および前記受熱側面が熱的に接続される際に前記第１貫通穴に連通する第２貫通穴（３５，３５ａ）が前記基台に形成された前記放熱フィンを用意する第２工程と、前記第１貫通穴および前記第２貫通穴が連通するように前記他側面と前記受熱側面とを熱的に接続した状態にて、前記複数のフィン部および前記放熱側面の少なくとも一部を除き前記基板および前記放熱フィンを封止部材（４０）により封止する工程であって、前記封止部材が前記第１貫通穴および前記第２貫通穴に充填されるとともに前記封止部材により前記第２貫通穴の外縁を構成する前記放熱側面の少なくとも一部が覆われる第３工程と、を備えることを特徴とする。
なお、特許請求の範囲および上記手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

請求項１の発明では、発熱素子が一側面に実装される基板には、一側面から他側面まで貫通する第１貫通穴が形成され、放熱フィンの基台には、受熱側面から放熱側面まで貫通し他側面および受熱側面が熱的に接続される際に第１貫通穴に連通する第２貫通穴が形成される。そして、複数のフィン部および放熱側面の少なくとも一部を除き基板および放熱フィンを封止する封止部材は、基板の他側面と基台の受熱側面とを熱的に接続した状態にて連通した第１貫通穴および第２貫通穴に充填されるとともに、第２貫通穴の外縁を構成する放熱側面の少なくとも一部を覆うように形成される。

請求項８の発明では、第１工程により、一側面から他側面まで貫通する第１貫通穴が形成された基板が用意され、第２工程により、受熱側面から放熱側面まで貫通し他側面および受熱側面が熱的に接続される際に第１貫通穴に連通する第２貫通穴が基台に形成された放熱フィンが用意される。そして、第３工程により、第１貫通穴および第２貫通穴が連通するように他側面と受熱側面とを熱的に接続した状態にて、封止部材が第１貫通穴および第２貫通穴に充填されるとともに封止部材により第２貫通穴の外縁を構成する放熱側面のが覆われる。

これにより、基板および放熱フィンが他側面と受熱側面とを熱的に接続した状態で封止部材により封止されるため、基板と放熱フィンとの間に熱伝導率の低い接着剤を介在させる必要をなくすことができる。特に、第２貫通穴の外縁を構成する放熱側面の少なくとも一部が封止部材により覆われているため、この放熱側面を覆う封止部材の部位が基板や放熱フィンの封止部材に対する抜け止めとして機能する。このため、基板の他側面と放熱フィンの受熱側面とが離れにくくなるので、熱伝導率の低い接着剤を介在させなくても、放熱フィンを介した発熱素子の放熱性を高めることができる。

第１実施形態に係る電子装置の上面図である。 図１に示すＸ−Ｘ線相当の切断面による断面図である。 電子装置の製造方法を示す工程図である。 図３に示す製造方法における製造過程の一部を示す断面図である。 図３に示す製造方法における製造過程の一部を示す断面図である。 第２実施形態に係る電子装置の上面図である。 第３実施形態に係る電子装置の断面図である。 第４実施形態に係る電子装置の断面図である。 第５実施形態に係る電子装置の断面図である。 第５実施形態の第１変形例に係る電子装置の断面図である。 第５実施形態の第２変形例に係る電子装置の断面図である。 第５実施形態の第３変形例に係る電子装置の断面図である。 第１実施形態の第１変形例に係る電子装置の上面図である。 第１実施形態の第２変形例に係る電子装置の上面図である。

［第１実施形態］
以下、本発明の電子装置および電子装置の製造方法を具現化した第１実施形態について、図面を参照して説明する。
本実施形態に係る電子装置１０は、例えば、自動車等のような機器に搭載される装置であって、図１および図２に示すように、全体制御を司る回路部が設けられる回路基板２０および放熱用の放熱フィン３０等がモールド樹脂４０によりモールド（封止）されて構成されている。

図２に示すように、回路基板２０は、所定の機能を実現するための半導体素子２３，２４や他の電子部品等を備えている。両半導体素子２３，２４は、その駆動時に発熱を伴う発熱素子であって、回路基板２０の一側実装面２１の所定の配線部に対してはんだ２５，２６を用いたはんだ接合によりそれぞれ実装されている。

そして、回路基板２０には、一側実装面２１から他側実装面２２まで貫通する第１貫通穴２７が形成されている。この第１貫通穴２７は、半導体素子２３，２４の発熱の影響を受けにくい部位、例えば、他側実装面２２の中央部に設けられている。なお、一側実装面２１は、「一側面」の一例に相当し、他側実装面２２は、「他側面」の一例に相当し得る。

放熱フィン３０は、アルミニウムまたはその合金からなる放熱用部材であって、回路基板２０の他側実装面２２からの熱を受熱側面３３にて受ける略平板状の基台３１と、基台３１の放熱側面３４に設けられる複数のピンタイプ（円柱状）のフィン部３２とが一体成形されて構成されている。

基台３１には、受熱側面３３から放熱側面３４まで貫通する第２貫通穴３５が形成されている。この第２貫通穴３５は、後述するように回路基板２０の他側実装面２２および基台３１の受熱側面３３が熱的に接続される際に、回路基板２０の第１貫通穴２７に連通するように配置されている。

また、回路基板２０には、所定の信号を入出力（伝達）するための複数のリード５１が電気的に接続されている。

そして、回路基板２０および放熱フィン３０は、他側実装面２２と受熱側面３３との間に介在するエポキシ樹脂などの熱伝導性部材５２により熱的に接続されている。なお、熱伝導性部材５２は、第１貫通穴２７と第２貫通穴３５との連通部５３を除くように配置されている。

図２に示すように、熱伝導性部材５２により熱的に接続された回路基板２０および放熱フィン３０は、フィン部３２と放熱側面３４の一部を除き、モールド樹脂４０によりモールドされている。特に、モールド樹脂４０は、封止部材として機能するもので、第１貫通穴２７および第２貫通穴３５と連通部５３とに充填されるとともに、抜け止め部４１にて第２貫通穴３５の外縁を構成する放熱側面３４の部位を円環状に覆うように形成される。すなわち、基台３１は、放熱側面３４の外縁や第２貫通穴３５の外縁、受熱側面３３および放熱側面３４と異なる側面３１ａまでモールド樹脂４０によりモールドされる（図１参照）。また、各リード５１は、外部接続側がそれぞれ突出するようにモールド樹脂４０によりモールドされている。

次に、上述のように構成される電子装置１０の製造方法について、図３〜図５を用いて詳細に説明する。なお、図３は、電子装置１０の製造方法を示す工程図である。図４および図５は、図３に示す製造方法における製造過程を示す断面図であり、図４（Ａ）は第１貫通穴２７が形成された回路基板２０を示し、図４（Ｂ）は第２貫通穴３５が形成された放熱フィン３０を示し、図５（Ａ）は熱伝導性部材５２を介して回路基板２０および放熱フィン３０を貼り合わせた状態を示し、図５（Ｂ）は金型６０を用いてモールドした状態を示す。

図３に示すように、電子装置１０の製造においては、まず、回路基板２０を製造するためのセラミック基板が複数形成されたウエハを用意し、所定の位置にはんだを印刷する。次に、半導体素子２３，２４や他の電子部品等の搭載部品を用意して、各セラミック基板にそれぞれはんだを介してマウントする。そして、はんだを硬化させた後に、各セラミック基板を分割するとともに、第１貫通穴２７を形成することで、図４（Ａ）に示す状態の回路基板２０を製造する。その後、回路基板２０の外観チェックを行う。

また、各リード５１が一体に形成されたリードフレームを用意する。また、図４（Ｂ）に示すように、第２貫通穴３５が形成された基台３１とフィン部３２とが一体成形された放熱フィン３０を用意する。そして、放熱フィン３０に設けられるかしめ用の突起（図示略）にリードフレームの一部をかしめることで、放熱フィン３０にリードフレームを組み付ける。

そして、連通部５３を除くように熱伝導性部材５２を放熱フィン３０の受熱側面３３の所定の位置に印刷して塗布した後に、図５（Ａ）に示すように、熱伝導性部材５２を介して、第１貫通穴２７および第２貫通穴３５が連通するように、回路基板２０の他側実装面２２と放熱フィン３０の受熱側面３３とを貼り合わせる。熱伝導性部材５２が硬化した後、貼り合わせた状態の回路基板２０および放熱フィン３０の外観チェックを行う。なお、熱伝導性部材５２を回路基板２０の他側実装面２２の所定の位置に印刷して塗布した後に、回路基板２０の他側実装面２２と放熱フィン３０の受熱側面３３とを貼り合わせてもよい。

次に、ＡＬワイヤやＡｕワイヤ等を用いて半導体素子２３，２４や各リード５１等と所定の配線部とを電気的に接続した後、接続部の外観チェックを行う。

続いて、図５（Ｂ）に示すように、回路基板２０および放熱フィン３０等を入れた上型（回路基板２０側の型）６１ａおよび下型（放熱フィン３０側の型）６１ｂを有する金型６０に流動状態のモールド樹脂４０を注入してモールド成型する。ここで、下型６１ｂには、抜け止め部４１を形成するための溝部６２が設けられている。このため、溝部６２に充填されたモールド樹脂４０により、抜け止め部４１が形成される。そして、モールド成型時にさらに熱硬化（アフターキュア）を実施する。

その後、外観チェック後にレーザマーキングを施して所定の情報を表示した後に、リードフレームの不要な部分をカットして各リード５１を形成する。そして、コンタクト検査を実施した後に、バーンイン（ならし試験）を実施する。その後、室温での電気検査と高温での電気検査とを実施した後に、外観チェックおよび出荷外観検査を実施する。これらの検査に合格した製品が電子装置１０として出荷されることとなる。

以上説明したように、本実施形態に係る電子装置１０では、半導体素子２３，２４が一側実装面２１に実装される回路基板２０には、一側実装面２１から他側実装面２２まで貫通する第１貫通穴２７が形成され、放熱フィン３０の基台３１には、受熱側面３３から放熱側面３４まで貫通し他側実装面２２および受熱側面３３が熱的に接続される際に第１貫通穴２７に連通する第２貫通穴３５が形成される。そして、複数のフィン部３２および放熱側面３４の一部を除き回路基板２０および放熱フィン３０をモールド（封止）するモールド樹脂４０は、回路基板２０の他側実装面２２と基台３１の受熱側面３３とを熱的に接続した状態にて連通した第１貫通穴２７および第２貫通穴３５に充填されるとともに、第２貫通穴３５の外縁を構成する放熱側面３４を抜け止め部４１にて覆うように形成される。

また、本実施形態に係る電子装置１０の製造方法では、図４（Ａ）に示す工程（第１工程）により、一側実装面２１から他側実装面２２まで貫通する第１貫通穴２７が形成された回路基板２０が用意され、図４（Ｂ）に示す工程（第２工程）により、受熱側面３３から放熱側面３４まで貫通し他側実装面２２および受熱側面３３が熱的に接続される際に第１貫通穴２７に連通する第２貫通穴３５が基台３１に形成された放熱フィン３０が用意される。そして、図５（Ａ）（Ｂ）に示す工程（第３工程）により、第１貫通穴２７および第２貫通穴３５が連通するように他側実装面２２と受熱側面３３とを熱的に接続した状態にて、モールド樹脂４０が第１貫通穴２７および第２貫通穴３５に充填されるとともにモールド樹脂４０により第２貫通穴３５の外縁を構成する放熱側面３４が抜け止め部４１にて覆われる。

これにより、回路基板２０および放熱フィン３０が他側実装面２２と受熱側面３３とを熱的に接続した状態でモールド樹脂４０によりモールド（封止）されるため、回路基板２０と放熱フィン３０との間に熱伝導率の低い接着剤を介在させる必要をなくすことができる。特に、第２貫通穴３５の外縁を構成する放熱側面３４が抜け止め部４１により覆われているため、この抜け止め部４１が回路基板２０や放熱フィン３０のモールド樹脂４０に対する抜け止めとして機能する。このため、回路基板２０の他側実装面２２と放熱フィン３０の受熱側面３３とが離れにくくなるので、熱伝導率の低い接着剤を介在させなくても、放熱フィン３０を介した半導体素子２３，２４の放熱性を高めることができる。

特に、回路基板２０の他側実装面２２と基台３１の受熱側面３３との間には、モールド樹脂４０が充填される連通部５３を除き、他側実装面２２と受熱側面３３とを熱的に接続する熱伝導性部材５２が介在している。これにより、他側実装面２２および受熱側面３３の凹凸等に起因して微細な隙間が形成されてしまう場合でも、熱伝導性部材５２により当該隙間が埋まるため、放熱性をより高めることができる。

なお、熱伝導性部材５２として、エポキシ樹脂が採用されることに限らず、例えば、シリコングリース等が採用されてもよい。

なお、他側実装面２２および受熱側面３３間に微細な隙間が形成され難い場合等には、熱伝導性部材５２をなくして、他側実装面２２と受熱側面３３とが直接接触するように、回路基板２０および放熱フィン３０がモールド樹脂４０によりモールドされてもよい。

［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る電子装置およびその製造方法について図面を参照して説明する。図６は、第２実施形態に係る電子装置１０ａの上面図である。
本第２実施形態に係る電子装置１０ａでは、放熱性をさらに高めるために第１貫通穴２７および第２貫通穴３５を複数設ける点が、上記第１実施形態に係る電子装置と主に異なる。したがって、第１実施形態の電子装置と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

第２実施形態に係る電子装置１０ａでは、モールド樹脂４０が充填される第１貫通穴２７および第２貫通穴３５が、回路基板２０および基台３１にそれぞれ複数形成される。そして、各第２貫通穴３５の外縁を構成する放熱側面３４の部位は、それぞれ抜け止め部４１により覆われている。

具体的には、例えば、図６に例示するように、両貫通穴２７，３５および抜け止め部４１が５箇所設けられており、放熱側面３４の中央に１つ設けられて他の４つが中央の１つを基準に分散するように配置されている。

また、本実施形態における両貫通穴２７，３５は、その内径が上記第１実施形態における両貫通穴２７，３５の内径よりも小さくなるように形成されている。両貫通穴２７，３５に充填されるモールド樹脂４０自体が放熱の阻害要因となるため、１箇所に充填されるモールド樹脂４０を小さくして分散することで、抜け止め部４１による抜け止め機能を確保しつつ放熱に関するモールド樹脂４０の影響を低減することができる。これにより、放熱フィン３０を介した半導体素子２３，２４の放熱性をさらに高めることができる。

なお、各第２貫通穴３５の外縁を構成する放熱側面３４の部位がそれぞれ抜け止め部４１により覆われることに限らず、各第２貫通穴３５のうち少なくとも１つの外縁を構成する放熱側面３４の部位が抜け止め部４１により覆われてもよい。

なお、第１貫通穴および第２貫通穴を複数設ける本実施形態の特徴的構成は、他の実施形態にも適用することができる。

［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係る電子装置およびその製造方法について図面を参照して説明する。図７は、第３実施形態に係る電子装置１０ｂの断面図である。
本第３実施形態に係る電子装置１０ｂでは、抜け止め効果をさらに高めるように第２貫通穴を形成する点が、上記第１実施形態に係る電子装置と主に異なる。したがって、第１実施形態の電子装置と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

第３実施形態に係る電子装置１０ｂでは、図７に示すように、基台３１に形成される第２貫通穴３５ａが、放熱側面３４から受熱側面３３へ向かうほど径が小さくなるように楔状に形成されている。これにより、第２貫通穴３５ａに充填されるモールド樹脂４０によるアンカー効果が生じるため、回路基板２０や放熱フィン３０のモールド樹脂４０に対する抜け止め効果をさらに高めることができる。

なお、第２貫通穴３５ａは、放熱側面３４から受熱側面３３へ向かうほど径が小さくなるように楔状に形成されることに限らず、例えば、放熱側面３４から受熱側面３３へ向かうほど段階的に径が小さくなるように形成されてもよい。

なお、第２貫通穴が放熱側面３４から受熱側面３３へ向かうほど径が小さくなるように形成される本実施形態の特徴的構成は、他の実施形態にも適用することができる。

［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態に係る電子装置およびその製造方法について図面を参照して説明する。図８は、第４実施形態に係る電子装置１０ｃの断面図である。
本第４実施形態に係る電子装置１０ｃでは、抜け止め効果をさらに高めるように熱伝導性部材５２を配置する点が、上記第１実施形態に係る電子装置と主に異なる。したがって、第１実施形態の電子装置と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

第４実施形態に係る電子装置１０ｃでは、図８に示すように、第１貫通穴２７の外縁を構成する他側実装面２２と第２貫通穴３５の外縁を構成する受熱側面３３と連通部５３とを含めた領域（以下、連通領域ともいう）には、熱伝導性部材５２が配置されずにモールド樹脂４０が中間抜け止め部４２として充填されている。

この中間抜け止め部４２は、上記連通領域を除くように熱伝導性部材５２を他側実装面２２と受熱側面３３との間に配置した後に、第１貫通穴２７および第２貫通穴３５に流動状態のモールド樹脂４０を注入する際に充填されることで形成される。

これにより、中間抜け止め部４２によるアンカー効果が生じるため、回路基板２０や放熱フィン３０のモールド樹脂４０に対する抜け止め効果をさらに高めることができる。
なお、上記連通領域に中間抜け止め部４２が充填される本実施形態の特徴的構成は、他の実施形態にも適用することができる。

［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態に係る電子装置およびその製造方法について図面を参照して説明する。図９は、第５実施形態に係る電子装置１０ｄの断面図である。
本第５実施形態に係る電子装置１０ｄでは、抜け止め効果をさらに高めるように回路基板２０および放熱フィン３０を形成する点が、上記第１実施形態に係る電子装置と主に異なる。したがって、第１実施形態の電子装置と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

第５実施形態に係る電子装置１０ｄでは、図９に示すように、第１貫通穴２７に連通する左右一対の溝２９や第２貫通穴３５に連通する左右一対の溝３６が形成されている。このため、第１貫通穴２７および第２貫通穴３５にモールド樹脂４０を充填することで、各溝２９および各溝３６にもモールド樹脂４０が充填される。これにより、各溝２９および各溝３６に充填されるモールド樹脂４０によるアンカー効果が生じるため、回路基板２０や放熱フィン３０のモールド樹脂４０に対する抜け止め効果を高めることができる。なお、溝２９は、第１貫通穴２７に対して左右一対設けられることに限らず、どちらか一方のみ設けられてもよいし、３つ以上設けられてもよい。また、溝３６は、第２貫通穴３５に対して左右一対設けられることに限らず、どちらか一方のみ設けられてもよいし、３つ以上設けられてもよい。

なお、図１０に例示する第５実施形態の第１変形例に係る電子装置１０ｅのように、各溝２９および各溝３６を貫通方向に複数箇所設けることで、アンカー効果を増大させて、回路基板２０や放熱フィン３０のモールド樹脂４０に対する抜け止め効果をさらに高めることができる。

なお、第５実施形態およびその第１変形例では、溝２９および溝３６のうちどちらか一方が形成されても、回路基板２０や放熱フィン３０のモールド樹脂４０に対する抜け止め効果を高めることができる。

また、抜け止め効果をさらに高めるため、回路基板２０や放熱フィン３０のうちモールド樹脂４０によりモールドされる部位に溝等を形成してもよい。例えば、図１１に例示する第５実施形態の第２変形例に係る電子装置１０ｆのように、基台３１の側面３１ａに溝３６ａを形成してもよい。また、図１２に例示する第５実施形態の第３変形例に係る電子装置１０ｇのように、放熱側面３４の外縁に溝３６ｂを形成してもよい。

このようにしても、溝３６ａまたは溝３６ｂに充填されるモールド樹脂４０によるアンカー効果が生じるため、回路基板２０や放熱フィン３０のモールド樹脂４０に対する抜け止め効果を高めることができる。

なお、回路基板２０や放熱フィン３０のうちモールド樹脂４０によりモールドされる部位に溝等を形成する本実施形態および変形例の特徴的構成は、他の実施形態にも適用することができる。

なお、本発明は上記各実施形態および変形例に限定されるものではなく、例えば、以下のように具体化してもよい。
（１）図１３は、第１実施形態の第１変形例に係る電子装置の上面図である。図１４は、第１実施形態の第２変形例に係る電子装置の上面図である。
基台３１の放熱側面３４に設けられる複数のフィン部３２は、ピンタイプ（円柱状）として形成されることに限らず、他の形状、例えば、図１３に例示する複数のフィン部３２ａのように、放熱側面３４の短手方向に延びるプレートタイプとして形成されてもよいし、図１４に例示する複数のフィン部３２ｂのように、放熱側面３４の長手方向に延びるプレートタイプとして形成されてもよい。この複数のフィン部３２ａ，３２ｂ等の形状は、他の実施形態および変形例に適用されてもよい。

（２）抜け止め部４１は、第２貫通穴３５，３５ａの外縁を構成する放熱側面３４の部位を円環状に覆うように形成されることに限らず、第２貫通穴３５，３５ａの外縁を構成する放熱側面３４の少なくとも一部を覆うように形成されてもよい。このようにしても、抜け止め部４１が回路基板２０や放熱フィン３０のモールド樹脂４０に対する抜け止めとして機能するため、熱伝導率の低い接着剤を介在させなくても、放熱フィン３０を介した半導体素子２３，２４の放熱性を高めることができる。

１０，１０ａ〜１０ｇ…電子装置
２０…回路基板（基板）
２１…一側実装面（一側面） ２２…他側実装面（他側面）
２３，２４…発熱素子
２７…第１貫通穴
３０…放熱フィン ３１…基台 ３２，３２ａ，３２ｂ…フィン部
３３…受熱側面 ３４…放熱側面
３５，３５ａ…第２貫通穴
４０…モールド樹脂（封止部材）
４１…抜け止め部

Claims (14)

1. 発熱素子（２３，２４）が一側面（２１）に実装される基板（２０）と、
   前記基板の他側面（２２）からの熱を受熱側面（３３）にて受ける基台（３１）と前記基台の放熱側面（３４）に設けられる複数のフィン部（３２，３２ａ，３２ｂ）とを有する放熱フィン（３０）と、
   前記複数のフィン部および前記放熱側面の少なくとも一部を除き前記基板および前記放熱フィンを封止する封止部材（４０）と、
   を備え、
   前記基板には、前記一側面から前記他側面まで貫通する第１貫通穴（２７）が形成され、
   前記基台には、前記受熱側面から前記放熱側面まで貫通し前記他側面および前記受熱側面が熱的に接続される際に前記第１貫通穴に連通する第２貫通穴（３５，３５ａ）が形成され、
   前記封止部材は、前記他側面と前記受熱側面とを熱的に接続した状態にて連通した前記第１貫通穴および前記第２貫通穴に充填されるとともに、前記第２貫通穴の外縁を構成する前記放熱側面の少なくとも一部を覆うように形成されることを特徴とする電子装置。
2. 前記基板の前記他側面と前記基台の前記受熱側面との間には、前記封止部材が充填される前記第１貫通穴と前記第２貫通穴との連通部（５３）を除き、前記他側面と前記受熱側面とを熱的に接続する熱伝導性部材（５２）が介在することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 前記第１貫通穴の外縁を構成する前記他側面と前記第２貫通穴の外縁を構成する前記受熱側面との少なくとも一部と前記連通部とを含めた領域には、前記熱伝導性部材が配置されずに前記封止部材が充填されることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
4. 前記封止部材が充填される前記第１貫通穴および前記第２貫通穴は、前記基板および前記基台にそれぞれ複数形成され、
   複数形成される前記第２貫通穴のうち少なくとも１つの外縁を構成する前記放熱側面の少なくとも一部が前記封止部材により覆われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子装置。
5. 前記第２貫通穴（３５ａ）は、前記放熱側面から前記受熱側面へ向かうほど径が小さくなるように形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子装置。
6. 前記基台のうち前記封止部材に覆われる部位には、前記封止部材が充填される溝部（３６，３６ａ，３６ｂ）が形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子装置。
7. 前記基板のうち前記封止部材に覆われる部位には、前記封止部材が充填される溝部（２９）が形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子装置。
8. 発熱素子（２３，２４）が一側面（２１）に実装される基板（２０）と、前記基板の他側面（２２）からの熱を受熱側面（３３）にて受ける基台（３１）と前記基台の放熱側面（３４）に設けられる複数のフィン部（３２，３２ａ，３２ｂ）とを有する放熱フィン（３０）とを備える電子装置の製造方法であって、
   前記一側面から前記他側面まで貫通する第１貫通穴（２７）が形成された前記基板を用意する第１工程と、
   前記受熱側面から前記放熱側面まで貫通し前記他側面および前記受熱側面が熱的に接続される際に前記第１貫通穴に連通する第２貫通穴（３５，３５ａ）が前記基台に形成された前記放熱フィンを用意する第２工程と、
   前記第１貫通穴および前記第２貫通穴が連通するように前記他側面と前記受熱側面とを熱的に接続した状態にて、前記複数のフィン部および前記放熱側面の少なくとも一部を除き前記基板および前記放熱フィンを封止部材（４０）により封止する工程であって、前記封止部材が前記第１貫通穴および前記第２貫通穴に充填されるとともに前記封止部材により前記第２貫通穴の外縁を構成する前記放熱側面の少なくとも一部が覆われる第３工程と、
   を備えることを特徴とする電子装置の製造方法。
9. 前記基板の前記他側面と前記基台の前記受熱側面との間に、前記封止部材が充填される前記第１貫通穴と前記第２貫通穴との連通部（５３）を除き、前記他側面と前記受熱側面とを熱的に接続する熱伝導性部材（５２）を介在させる工程を備えることを特徴とする請求項８に記載の電子装置の製造方法。
10. 前記第１貫通穴の外縁を構成する前記他側面と前記第２貫通穴の外縁を構成する前記受熱側面との少なくとも一部と前記連通部とを含めた領域には、前記熱伝導性部材が配置されずに前記封止部材が充填されることを特徴とする請求項９に記載の電子装置の製造方法。
11. 前記第１工程では、前記第１貫通穴が複数形成された前記基板が用意され、
    前記第２工程では、複数の前記第１貫通穴にそれぞれ連通する前記第２貫通穴が前記基台に複数形成され、
    前記第３工程では、複数形成される前記第２貫通穴のうち少なくとも１つの外縁を構成する前記放熱側面の少なくとも一部が前記封止部材により覆われることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
12. 前記第２貫通穴（３５ａ）は、前記放熱側面から前記受熱側面へ向かうほど径が小さくなるように形成されることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
13. 前記基台のうち前記封止部材に覆われる部位には、前記封止部材が充填される溝部（３６，３６ａ，３６ｂ）が形成されることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
14. 前記基板のうち前記封止部材に覆われる部位には、前記封止部材が充填される溝部（２９）が形成されることを特徴とする請求項８〜１３のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。

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