JP2010108955A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子で発生した熱を絶縁基板を介して効果的に放熱でき、高熱伝導樹脂の未充填やボイド発生を防ぐことができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の両主面に固着された複数の導電体３ａ、３ｂにおいて、第１主面の第１導電体３ａ上に半導体素子７を固着し、その周囲を囲むケース１０の内側を封止材４，５により封止する。絶縁基板の第２主面に固着され、第１導電体に対向して配置された複数の第２導電体と、第２導電体同士の隙間に第２導電体の側壁と接するように充填された第１樹脂４と、ケースの内側に充填された封止材である第２樹脂５とを有し、第１樹脂の熱伝導率が前記第２樹脂の熱伝導率より大きくする。また、第１樹脂を充填した後、半硬化させ、前記ケース内部に前記第２樹脂を充填した後、第２樹脂と、半硬化させた第１樹脂とを同時に硬化させる。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特にパワー半導体素子を搭載した樹脂封止型半導体装置とその製造方法に関する。

インバータ装置、無停電電源装置、工作機械および産業用ロボット等には、半導体装置（汎用モジュール）が多用されている。
この半導体装置としては、絶縁基板上に所定の厚みを有した金属ベース板を固着し、この金属ベース板上に半導体素子を固着し、それを樹脂ケースに収納したパッケージ型タイプのものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。

ここで、半導体素子は、例えばＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やフリーホイールダイオード等である。この金属ベース板上にはＩＧＢＴとダイオードなど複数個の半導体素子が搭載される場合が多い。
また、近年のＩＧＢＴにおいては、高パワー化がさらに進み、動作時において、ＩＧＢＴの主電極側に大電流を流すことが多く、その場合、大電流によって半導体素子から相当量の熱が発生する。

この発熱により、金属ベース板が熱膨張し半導体素子を搭載した絶縁基板が変形して、半導体装置の信頼性を低下させる場合が生じる。
近年、このような課題を解決した上に、さらに優れた動作特性を有し、且つ高い生産性を有する半導体装置が製作されている。例えば、絶縁基板とこの絶縁基板に対向させたプリント基板とがアンダーフィル材の封止により一体になった構造をなし、絶縁基板上には複数の半導体素子が実装され、全体が樹脂ケースでパッケージングされた半導体装置などであり、汎用ＩＧＢＴモジュールとして機能する。

この絶縁基板は、例えば、セラミックス基板などの絶縁板と、絶縁板の裏面（下面）に直接接合により固着された金属箔と、絶縁板の上面に同じく直接接合により固着された複数の金属箔と、さらに同じく直接接合で固着された金属ベース板と、を備え、高い生産性を有している。
また、放熱の問題に対しては、必要な箇所の放熱効果を向上させるとともに、高価な熱伝導性樹脂の使用量を抑えるため、部分的に熱伝導性樹脂が充填された熱伝導性樹脂部と、熱伝導性樹脂部を除く部分に第２樹脂が充填された樹脂封止部と、を備える半導体装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

これは、複数の絶縁基板または半導体素子の間を接続する接続線（ボンディングワイヤ）を覆うと共に、絶縁基板と制御基板との間にわたって部分的に熱伝導性樹脂が充填された半導体装置である。
ＤＣＢ（ダイレクト・カッパー・ボンディング）法などにより金属板を固着した絶縁基板（セラミックス基板）は、小型高実装化が可能である点や、製造工程の短縮化を図ることができる点などの利点がある。しかし、半導体素子等からの発熱に伴い、絶縁基板と金属板との熱膨張率の差に起因するバイメタル効果による熱応力が発生し、絶縁基板を反らせたり、クラックを生じさせたり、あるいは金属板剥離を発生させたりする。

このような課題に対して、絶縁基板であるセラミックス基板に固着された複数の金属板のうち、少なくとも１つの金属板において、接合面と反対の金属板の表面側の外周部に複数の孔を形成して外周部での熱応力を緩和したセラミックス基板が開示されている（特許文献３参照）
特開２００３−２８９１３０号公報 特開２００３−２４３６０９号公報 特開平８−２５０８２３号公報

放熱性を向上させるために、絶縁基板の裏側に一枚の金属ベース板を銅箔を介して固着することが行なわれているが、その場合、金属ベース板の肉厚が厚い場合にはバイメタル効果により絶縁基板が反ったり、割れたりする不具合を生じる。
それを防止するために、特許文献３の図１（ｂ）に示されるように、絶縁基板の裏側の金属ベース板を分割することが行なわれている。しかし、つぎのようなデメリットが生じる。半導体素子で発生した熱は、絶縁基板の裏面の金属ベース板を介して冷却体に伝達されるが、裏面の金属ベース板が一枚の金属板であれば熱は絶縁基板内を４５°の角度で広がって行き、熱抵抗は小さくなる。ところが、金属ベース板が分割されていると、この効果が発揮できず、冷却性が悪くなる。

特に、絶縁基板の裏面に複数の金属ベース板が固着された場合においては、裏面の金属ベース板の数が増えるほど、個々の金属ベース板の面積は小さくなる。半導体素子は裏面の金属板と対向する上側の金属ベース板上に実装されているため、裏面の金属ベース板の面積が小さくなれば、十分な放熱性が得られなくなり、大きな電流を流す半導体素子を上側の金属ベース板上に搭載できなくなる。

一方、放熱性を向上させるために、分割された裏面の複数の金属ベース板間の隙間に樹脂を充填してこの樹脂を利用して放熱性を向上させることが考えられる。
裏面に複数の金属ベース板が固着された絶縁基板を用いた半導体装置においては、裏面の金属ベース板間の隙間の幅の寸法が小さい場合、金型内において、単一の樹脂を用いて樹脂ケース内を一度に封止する際には、流路の狭い前記の裏面に形成された金属ベース板間の隙間に樹脂が充填されにくく、樹脂の未充填箇所又はボイドが発生する。樹脂にボイドが発生すると当然その箇所での放熱性が阻害されてしまう。

尚、前記の特許文献１〜３においては、高熱伝導樹脂を絶縁基板の裏側の金属ベース板の隙間に充填することは記載されていない。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、半導体素子で発生した熱を絶縁基板を介して効果的に放熱できる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。

前記の目的を達成するために、絶縁基板の両主面に固着された複数の導電体を備え、前記絶縁基板の第１主面の第１導電体上に半導体素子を固着し、前記半導体素子の周囲を囲むケースの内側を封止材により封止した半導体装置であって、前記絶縁基板の第２主面に固着され、前記第１導電体に対向して配置された複数の第２導電体と、該第２導電体同士の隙間に該第２導電体の側壁と接するように充填された第１樹脂と、前記ケースの内側に充填された前記封止材である第２樹脂とを有し、前記第１樹脂の熱伝導率が前記第２樹脂の熱伝導率より大きい構成とする。

また、前記第１導電体および前記第２導電体が、それぞれ金属箔を介して前記絶縁基板に固着されるとよい。
また、前記第２導電体が、前記第２主面に垂直投影された第１導電体の投影領域の少なくとも全領域に配置されるとよい。
また、前記第２導電体同士の隙間が、１ｍｍ以上であるとよい。

また、前記ケースが樹脂ケースであり、前記導電体が金属ベース板であり、前記第１樹脂が高熱伝導樹脂であり、前記金属箔が前記絶縁基板に形成された導電パターンであるとよい。
また、絶縁基板の両主面に固着された複数の金属ベース板を備え、前記絶縁基板の第１主面の第１金属ベース板上に半導体素子を固着し、前記半導体素子の周囲を囲むケースの内側を封止材により封止した半導体装置の製造方法であって、前記絶縁基板の第１主面に複数の前記第１金属ベース板と、前記絶縁基板の第２主面に複数の第２金属ベース板とをそれぞれ金属箔を介して固着する工程と、前記絶縁基板下の第２主面に固着された複数の前記第２金属ベース板間の隙間に第２樹脂より熱伝導率が大きい高熱伝導樹脂である第１樹脂を充填した後、半硬化させる工程と、前記ケース内部に前記第２樹脂を充填した後、該第２樹脂と前記の半硬化させた第１樹脂とを同時に硬化させる工程とを有する製造方法とする。

また、前記高熱伝導樹脂が金属粒子入り樹脂であり、前記第２樹脂がエポキシ樹脂であるとよい。

この発明によれば、絶縁基板の裏面に固着した金属ベース板間の隙間に高熱伝導樹脂を充填することにより、高熱伝導樹脂の占める面積も放熱に寄与することになり、半導体素子から発生した熱をより効率よく放熱することができる。
また、絶縁基板の裏面に固着された複数の金属ベース板間の隙間に予め高熱伝導樹脂を充填し、半硬化させた後、樹脂ケース内部を第２樹脂で充填し、高熱伝導樹脂と第２樹脂を同時に硬化させることより、高熱伝導樹脂の未充填やボイド発生を防ぐことができる。

実施の形態を以下の実施例で説明する。

図１は、この発明の第１実施例の半導体装置の構成図であり、同図（ａ）は要部断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ部拡大図である。セラミックス基板である絶縁基板１の両面には金属箔２を介して金属ベース板３が固着している。図２は、図１に示す半導体装置の裏面の要部平面図である。これは、絶縁基板１と、この絶縁基板１の裏面に配置される第２金属ベース板３ｂと、第２金属ベース板３ｂ同士の間の隙間１４をこの第２金属ベース板３ｂの側壁に接するように埋められる高熱伝導樹脂４と、樹脂ケース１０内を充填する第２樹脂５および樹脂ケース１０の裏面の平面図である。

図１に示す半導体装置は、複数の第１、第２金属箔２ａ、２ｂを介して複数の第１、第２金属ベース板３ａ、３ｂが表面および裏面にそれぞれ固着された絶縁基板１と、前記第１金属ベース板３ａ上にはんだ８により固着された複数の半導体素子７とで構成される。
さらに、前記絶縁基板１に対向して平行に配置された制御基板であるプリント基板６と、前記半導体素子７上にはんだ８により固着された複数の金属ピン９と、周囲を囲う樹脂ケース１０と、前記第１金属箔２ａに接続された複数の外部導出端子１１と、複数の第２金属ベース板３ｂ同士の間の隙間１４に充填された高熱伝導樹脂４と、樹脂ケース１０の内部を充填した封止材である第２樹脂５とで構成される。尚、図１および図２に記した符号１２は半導体装置を取り付けるための取り付け用貫通孔である。

本発明の半導体装置においては、第２金属ベース板３ｂは第１金属ベース板３ａと同じ大きさで、第１金属ベース板３ａの直下に配置されている。この第２金属ベース板３ｂを第１金属ベース板３ａより大きくすれば熱抵抗が小さくなり放熱性が向上するのでよい。
しかし、第２金属ベース板３ｂが大きすぎるとバイメタル効果で絶縁基板１が曲がり、割れやクラックが発生して好ましくない。さらに、第２金属ベース板３ｂ同士の隙間１４が狭くなりすぎて隙間１４を充填する高熱伝導樹脂４内にボイドが発生するため好ましくない。

そのため、隙間１４の大きさ（第２金属ベース板３ｂ同士の間の間隔）は、その間隔を１ｍｍ以上とするとよい。それは、高熱伝導樹脂４を一旦半硬化させ、その後硬化させた場合も間隔が１ｍｍ未満になるとボイドの発生が見られるからである。
高熱伝導樹脂４としては、放熱性を良くするために、例えば、第２樹脂５として用いるエポキシ樹脂（熱伝導率＝０．７Ｗ／ｍ・Ｋ程度）よりも大きな熱伝導率の樹脂を用いる。この高熱伝導樹脂４としては、例えば金属粒子が混入された樹脂（フィラー入り樹脂）などがあり、第２樹脂５に比べて絶縁性が低くコスト高である。そのため第２樹脂５を高熱伝導樹脂４に換えることは絶縁性とコスト性の点で好ましくない。

前記のことから本発明のポイントはつぎのようになる。高熱伝導樹脂４の熱伝導率を第２樹脂５の熱伝導率より大きくする。また、第２金属ベース板３ｂの大きさを第１金属ベース板３ａの大きさ以上にして、第２金属ベース板３ｂを第１金属ベース板３ａの直下に配置するようにする。つまり、第１金属ベース板３ａの絶縁基板１の裏面への垂直投影領域に第２金属ベース板３ｂを配置し、第２金属ベース板３ｂの大きさをその投影領域（第１金属ベース板３ａの大きさ）以上の大きさにする。また、第２金属ベース板３ｂ同士の隙間１４はボイド発生を防止するために１ｍｍ以上とする。

図３〜図６は、図１に示す半導体装置の製造方法であり、工程順に示した要部製造工程断面図である。ここで半導体素子としてはＩＧＢＴを例に挙げる。
図３において、絶縁基板１の表側に第１金属箔２ａを固着し、裏側に第２金属箔２ｂを固着し、第１金属箔２ａには第１金属ベース板３ａと外部導出端子１１を固着し、第２金属箔２ｂには第２金属ベース板３ｂを固着する。第１金属ベース板３ａにはんだ８を介して半導体素子７を固着し、半導体素子７の図示しないゲート電極とエミッタ電極に金属ピン９をはんだ８を介して固着する。絶縁基板１と平行に半導体素子７から離して制御基板であるプリント基板６を金属ピン９と外部導出端子１１に固着する。外部導出端子１１はコレクタ端子となる。

つぎに、図４において、絶縁基板１の裏側を上に向けて、高熱伝導樹脂４を充填する充填領域（６個の第２金属ベース板３ｂを一括して囲んだ領域）の周囲を図示しないシリコーンパテなどで囲う。これは高熱伝導樹脂４が充填領域の外に漏れでないようにするためである。真空装置内で高熱伝導樹脂４を真空脱泡し、絶縁基板１の裏面の充填領域に脱泡した高熱伝導樹脂４を充填し、真空装置内を大気圧に開放し、硬化炉内にて高熱伝導樹脂４を半硬化させる。この段階では高熱伝導樹脂４の厚さは、部分的に第２金属ベース板３ｂの厚さよりも厚くなり第２金属ベース板上の一部を覆っている。続いて、硬化炉から取り出しシリコーンパテを外し、絶縁基板１の裏面の金属ベース板３ｂと半硬化した高熱伝導樹脂４の面が平坦となるように裏面の研磨を行う。この研磨は、第２金属ベース板３ｂが完全に露出するまで行なわれる。

つぎに、図５において、第２金属ベース板３ｂと高熱伝導樹脂４を平坦化したものを第２樹脂封止用の金型１３に設置し、上部から樹脂ケース１０を被せる。
つぎに、図６において、樹脂ケース１０で覆われた金型１３と充填前の第２樹脂５を真空装置内に入れ、第２樹脂５を真空脱泡する。なお、樹脂温度と金型温度は、第２樹脂５が流動性を保持できる時間に関係するため、使用する第２樹脂５によって温度設定値を変更する必要がある。例えば第２樹脂５として、２液型熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を使用する場合、金型温度、樹脂温度を８０℃に設定すると、第２樹脂５は、封止に必要な流動性を主剤と硬化剤の混合開始から約２０分間保持することができる。

第２樹脂５を真空脱泡したのち、真空中にて前記樹脂ケース１０に設けられた図示しない穴より樹脂ケース１０内部に第２樹脂５を充填する。充填後、真空装置内を大気圧に開放し、硬化炉内にて高熱伝導樹脂４と第２樹脂５を同時に硬化させる。上述のエポキシ樹脂の場合、１００℃で１時間硬化させた後、１８０℃で２時間でさらに硬化させる。このとき高熱伝導樹脂４も同時に硬化させる。

本発明の半導体装置によれば、前記絶縁基板１の裏面に固着された複数の第２金属ベース板３ｂ間の隙間１４に、高熱伝導樹脂４が充填されている。これによって、前記第２金属ベース板３ｂに加え、第２金属ベース板３ｂに接する前記高熱伝導樹脂４も半導体素子より生じた熱の放熱に寄与することになり、より効率よく放熱することができる。
また、本発明の樹脂封止方法によれば、樹脂を封止する際、前記絶縁基板１の裏面に固着された複数の第２金属ベース板３ｂ間の隙間１４において、予め高熱伝導樹脂４を充填し、半硬化させた後、樹脂ケース１０内の前記高熱伝導樹脂４が充填されていない箇所に第２樹脂５を充填し、硬化させる。このとき、高熱伝導樹脂４も同時に硬化させる。これによって、金型１３内において、半導体装置全体を単一の第２樹脂５で樹脂封止する場合に生じ易い樹脂の未充填やボイドの発生を防ぐことができる。

この発明の第１実施例の半導体装置の構成図であり、（ａ）は要部断面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ部拡大図である。 図１に示す半導体装置の裏面の要部平面図である。 図１に示す半導体装置の要部製造工程断面である。 図３に続く、図１に示す半導体装置の要部製造工程断面である。 図４に続く、図１に示す半導体装置の要部製造工程断面である。 図５に続く、図１に示す半導体装置の要部製造工程断面である。

符号の説明

１ 絶縁基板
２ 金属箔
２ａ 第１金属箔
２ｂ 第２金属箔
３ 金属ベース板
３ａ 第１金属ベース板
３ｂ 第２金属ベース板
４ 高熱伝導樹脂
５ 第２樹脂
６ プリント基板
７ 半導体素子
８ はんだ
９ 金属ピン
１０ 樹脂ケース
１１ 外部導出端子
１２ 取り付け用貫通孔
１３ 樹脂封止用金型
１４ 隙間

Claims (7)

1. 絶縁基板の両主面に固着された複数の導電体を備え、前記絶縁基板の第１主面の第１導電体上に半導体素子を固着し、前記半導体素子の周囲を囲むケースの内側を封止材により封止した半導体装置であって、
   前記絶縁基板の第２主面に固着され、前記第１導電体に対向して配置された複数の第２導電体と、該第２導電体同士の隙間に該第２導電体の側壁と接するように充填された第１樹脂と、前記ケースの内側に充填された前記封止材である第２樹脂とを有し、前記第１樹脂の熱伝導率が前記第２樹脂の熱伝導率より大きいことを特徴とする半導体装置。
2. 前記第１導電体および前記第２導電体が、それぞれ金属箔を介して前記絶縁基板に固着されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第２導電体が、前記第２主面に垂直投影された第１導電体の投影領域の少なくとも全領域に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記第２導電体同士の隙間が、１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 前記ケースが樹脂ケースであり、前記導電体が金属ベース板であり、前記第１樹脂が高熱伝導樹脂であり、前記金属箔が前記絶縁基板に形成された導電パターンであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 絶縁基板の両主面に固着された複数の金属ベース板を備え、前記絶縁基板の第１主面の第１金属ベース板上に半導体素子を固着し、前記半導体素子の周囲を囲むケースの内側を封止材により封止した半導体装置の製造方法であって、
   前記絶縁基板の第１主面に複数の前記第１金属ベース板と、前記絶縁基板の第２主面に複数の第２金属ベース板とをそれぞれ金属箔を介して固着する工程と、
   前記絶縁基板下の第２主面に固着された複数の前記第２金属ベース板間の隙間に第２樹脂より熱伝導率が大きい高熱伝導樹脂である第１樹脂を充填した後、半硬化させる工程と、
   前記ケース内部に前記第２樹脂を充填した後、該第２樹脂と前記の半硬化させた第１樹脂とを同時に硬化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 前記高熱伝導樹脂が金属粒子入り樹脂であり、前記第２樹脂がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。