JP2002043510A - 半導体パワーモジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
た小型、コンパクトな半導体パワーモジュールおよびそ
の製造方法を得る。 【解決手段】 パワー素子2および制御素子3を搭載す
る絶縁基板22を、一方の主面の銅箔に開口し、他方の
主面の銅箔をストッパーとする複数個の盲孔15を形成
し、盲孔15の内面に銅メッキ層を形成した後に盲孔1
5のストッパー側に主回路配線パターン18および制御
回路配線パターン19を、盲孔15の開口側に放熱用パ
ターン20および制御回路接地用パターン21を形成し
た構成とし、金属ベース絶縁基板1を、絶縁シート状の
接着剤23にて金属ベース板11と放熱用パターン20
および制御回路接地用パターン21との間に所定厚さの
絶縁層23aを形成すると共に盲孔15の内面を充填す
るように接着した構成とした。
Description
ジュールおよびその製造方法に関し、特に、半導体パワ
ーモジュールを構成する金属ベース絶縁基板およびその
製造方法に関するものである。
の半導体素子であるパワー素子を備える主回路と、該主
回路の動作を制御する半導体素子である制御素子を備え
る制御回路とを、一つの装置に組込んだものであり、主
としてモータ等を制御するインバータ装置等に応用され
ている。
面を示す模式図である。図において、1は金属ベース絶
縁基板、2は金属ベース絶縁基板1における後述の主回
路配線パターン113上にハンダ付けにより接合された
IGBT、フライホイールダイオード等のパワー素子、
3は金属ベース絶縁基板1における後述の制御回路配線
パターン116上にハンダ付けにより接合され、パワー
素子2を制御する制御素子である。そして、4は主回路
配線パターン113上にハンダ付けにより接合された主
回路端子、5は制御回路配線パターン116上にハンダ
付けにより接合された制御回路端子であり、夫々、パワ
ー素子2や制御素子3とアルミワイヤ6により接続され
ている。
を囲繞するように金属ベース絶縁基板1上に配設され、
かつ接着された外枠であり、金属ベース絶縁基板1と外
枠7とにより金属ベース絶縁基板1を底板とするケース
8を形成している。9はパワー素子2および制御素子3
を覆うようにケース8内に充填されたエポキシ樹脂であ
り、金属ベース絶縁基板1からエポキシ樹脂9により従
来の半導体パワーモジュール100を構成している。
ル100における金属ベース絶縁基板1の構成を説明す
る。図において、111は熱伝導性に優れたアルミ材か
らなる金属ベース板、112は金属ベース板111の上
に配設された絶縁板、113は絶縁板112の上に貼付
けられた銅箔をエッチングして形成された主回路配線パ
ターンであり、金属ベース板111、絶縁板112およ
び主回路配線パターン113により主回路基板114を
構成し、主回路配線パターン113には図5に示すごと
く、パワー素子2や主回路端子4がハンダ付けにて接合
される。
ポキシ樹脂製の絶縁板(ガラスエポキシ基材)、11
6、117は夫々絶縁板115の両主面に貼付けられた
銅箔をエッチングして得られた制御回路配線パターンお
よび制御回路接地用パターンである。なお、絶縁板11
5の所定の箇所には貫通孔115aを形成して銅メッキ
を施し、貫通孔115aの内面に形成された銅メッキ層
により制御回路配線パターン116と制御回路接地用パ
ターン117とを電気的に導通し、制御回路接地用パタ
ーン117が制御回路(図示せず)の共通接地用パター
ンとして機能している。
ン116および制御回路接地用パターン117により制
御回路基板118を構成し、制御回路基板118は絶縁
板112の主回路配線パターン113が配設されていな
い一定の領域112aに接着シート119を介して接合
されている。そして、制御回路配線パターン116には
図5に示すごとく、制御素子3や制御回路端子5がハン
ダ付けにより接合される。
モジュール100における金属ベース絶縁基板1の組立
方法を説明する断面の模式図である。以下、図7により
金属ベース絶縁基板1の製造プロセスを説明する。
上に絶縁板112を、絶縁板112の主面上に銅箔を載
置した状態において一体に熱圧着し、その後、上記銅箔
をウエットエッチングにより主回路配線パターン113
を形成し、金属ベース板111、絶縁板112および主
回路配線パターン113からなる主回路基板114が完
成する。
両主面に貼付けた銅箔と共にNCドリルで孔明けし、貫
通孔115aを形成して銅メッキを施し、貫通孔115
aの内面に上記銅メッキ層を形成する。次に、上記銅箔
をウエットエッチングにより一方の主面に制御回路配線
パターン116を、他方の主面に制御回路接地用パター
ン117を形成することにより、制御回路配線パターン
116と制御回路接地用パターン117とが貫通孔11
5aの内面の上記銅メッキ層により電気的に導通し、制
御回路接地用パターン117を制御回路(図示せず)の
共通接地用パターンとした制御回路基板118が完成す
る。
112の所定の領域112aに制御回路基板118を接
着シート119を介して接合することにより図6に示す
ごとき金属ベース絶縁基板1が完成し、図5に示すごと
く、半導体パワーモジュール100の底板として供され
る。
ール100における金属ベース絶縁基板1は金属ベース
板111、絶縁板112および主回路配線パターン11
3により構成された主回路基板114、および主回路基
板114に接着シート119を用いて接着された制御回
路基板118により構成されている。
ジュールは、主回路基板114の上に制御回路基板11
8を積重ねた積層構造の金属ベース絶縁基板1を用いた
ので、金属ベース絶縁基板1の製造に際し、主回路基板
114および制御回路基板118が別々の工程で製造さ
れ、その後、積層プレスにて一体化する工程が必要であ
り、工数が多いためにコスト高となり、また、上記、各
工程で熱ストレスが加わり、結果として金属ベース絶縁
基板1の絶縁特性を劣化させる要因となる等の問題点が
あった。
ターン113が1層のみの構成であり、その分基板サイ
ズが大きく、コスト高となると共に、回路配線パターン
のインダクタンスが大きくなる等の問題点があった。さ
らに、比較的高価な主回路基板114が、放熱を必要と
しない制御回路基板118の直下にも設けられているの
で、無駄なコストを要するという問題点もあった。
に行われたものであり、製造工数が少なく、安価でしか
も高信頼性の金属ベース絶縁基板を備えた小型、コンパ
クトな半導体パワーモジュールを提供することを目的と
する。
パワーモジュールは、パワー素子を搭載した絶縁基板
と、該絶縁基板と接着された金属ベース板とにより構成
された金属ベース絶縁基板を備えた半導体パワーモジュ
ールにおいて、上記絶縁基板が、両主面に金属箔を有す
る絶縁板における上記金属箔の一方に開口して他方の金
属箔をストッパーとし、内面に金属メッキ層が形成され
た複数の盲孔を備え、上記金属箔の各々をパターニング
して上記ストッパー側の主面に上記パワー素子を接合す
る主回路配線パターンが形成されると共に、上記開口側
の主面に上記金属メッキ層を介して上記主回路配線パタ
ーンと電気的および熱的に導通し、上記パワー素子の発
熱を放熱すると共に主回路の共通接地用パターンを兼ね
る放熱用パターンが形成され、上記金属ベース絶縁基板
が、上記絶縁基板と上記金属ベース板とを熱伝導性およ
び電気絶縁性を有する接着剤にて、上記放熱用パターン
と上記金属ベース板の一方の主面との間に所定厚さの絶
縁層を形成するように接着されたものである。
は、パワー素子および該パワー素子を制御する制御素子
を搭載した絶縁基板と、該絶縁基板と接着された金属ベ
ース板とにより構成された金属ベース絶縁基板を備えた
半導体パワーモジュールにおいて、上記絶縁基板は、両
主面に金属箔を有する絶縁板における上記金属箔の一方
に開口して他方の金属箔をストッパーとし、内面に金属
メッキ層が形成された複数の盲孔を備えると共に、上記
金属箔の各々をパターニングして上記ストッパー側の主
面に上記パワー素子を接合する主回路配線パターンおよ
び上記制御素子を接合する制御回路配線パターンを形成
されると共に、上記開口側の主面における上記主回路配
線パターンと対応する位置に、上記金属メッキ層を介し
て上記主回路配線パターンと電気的および熱的に導通
し、上記パワー素子の発熱を放熱すると共に主回路の共
通接地用パターンを兼ねる放熱用パターンが、上記制御
回路配線パターンと対応する位置に、上記金属メッキ層
を介して上記制御回路配線パターンと電気的に導通した
制御回路接地用パターンが形成され、上記金属ベース絶
縁基板は、上記絶縁基板と上記金属ベース板とを熱伝導
性および電気絶縁性を有する接着剤にて、上記放熱用パ
ターンおよび上記制御回路接地用パターンと上記金属ベ
ース板の一方の主面との間に所定厚さの絶縁層を形成す
るように接着されたものである。
は、第2の発明に係る半導体パワーモジュールにおい
て、金属ベース板が、放熱用パターンと対向する位置に
配設された金属板と制御回路接地用パターンと対向する
位置に配設された非金属板とを一体に接着したものであ
る。
は、第1の発明乃至は第3の発明に係る半導体パワーモ
ジュールにおいて、絶縁板がガラス繊維を骨材としたエ
ポキシ樹脂からなり、金属箔が銅箔からなり、金属メッ
キ層が銅メッキ層からなる絶縁基板を備えたものであ
る。
は、第1の発明乃至は第4の発明に係る半導体パワーモ
ジュールにおいて、絶縁基板と金属ベース板とを接着す
る接着剤が、半硬化のシート状にて供給される樹脂系接
着剤であり、上記絶縁基板と上記金属ベース板との間に
挟んで熱圧着することにより、盲孔を上記接着剤で充填
したものである。
の製造方法は、パワー素子を搭載する絶縁基板の製造工
程と、該絶縁基板と金属ベース板とを接着した構成の金
属ベース絶縁基板の製造工程とを有し、上記絶縁基板の
製造工程が、両主面に金属箔を貼付けた絶縁板における
一方の主面の上記金属箔をエッチングして複数の孔を開
口する工程と、該複数の孔を介して上記絶縁板にレーザ
ーを照射し、上記絶縁板を貫通して他方の主面の金属箔
をストッパーとする複数の盲孔を形成する工程と、上記
複数の盲孔の内面に金属メッキ層を形成する工程と、上
記両主面の金属箔をエッチングして上記ストッパー側に
上記パワー素子を接合する主回路配線パターンを、上記
開口側に、上記主回路配線パターンと上記金属メッキ層
にて電気的および熱的に導通され、上記パワー素子の発
熱を放熱すると共に主回路の共通接地用パターンを兼ね
る放熱用パターンを形成する工程を有し、上記金属ベー
ス絶縁基板の製造工程が、上記絶縁基板と上記金属ベー
ス板との間に半硬化の絶縁シート状の接着剤を挟んで加
熱圧着し、上記複数の盲孔に上記接着剤を充填すると共
に、上記放熱用パターンと上記金属ベース板との間に所
定厚さの絶縁層を形成し、この状態で上記接着剤を硬化
させて上記絶縁基板と上記金属ベース板とを接着する工
程を有する方法である。
の製造方法は、パワー素子および該パワー素子を制御す
る制御素子を搭載する絶縁基板の製造工程と、該絶縁基
板と金属ベース板とを接着した構成の金属ベース絶縁基
板の製造工程とを有し、上記絶縁基板の製造工程が、両
主面に金属箔を貼付けた絶縁板における一方の主面の金
属箔をエッチングして複数の孔を開口する工程と、該複
数の孔を介して上記絶縁板にレーザーを照射し、上記絶
縁板を貫通して他方の主面の金属箔をストッパーとする
複数の盲孔を形成する工程と、上記複数の盲孔の内面に
金属メッキ層を形成する工程と、上記両主面の金属箔を
エッチングして上記ストッパー側に上記パワー素子を接
合する主回路配線パターンおよび上記制御素子を接合す
る制御回路配線パターンを形成すると共に、上記開口側
における上記主回路配線パターンと対応する位置に、上
記主回路配線パターンと上記金属メッキ層にて電気的お
よび熱的に導通され、上記パワー素子の発熱を放熱する
と共に主回路の共通接地用パターンを兼ねる放熱用パタ
ーンを、上記制御回路配線パターンと対応する位置に、
上記金属メッキ層を介して上記制御回路配線パターンと
電気的に導通した制御回路接地用パターンを形成する工
程を有し、上記金属ベース絶縁基板の製造工程が、上記
絶縁基板と上記金属ベース板との間に半硬化の絶縁シー
ト状の接着剤を挟んで加熱圧着し、上記盲孔に上記接着
剤を充填すると共に、上記放熱用パターンおよび上記制
御回路接地用パターンと上記金属ベース板との間に所定
厚さの絶縁層を形成し、この状態で上記接着剤を硬化さ
せて上記絶縁基板と上記金属ベース板とを接着する工程
を有する方法である。
の実施の形態1としての半導体パワーモジュールの断面
を示す模式図、図2は図1に示した半導体パワーモジュ
ールにおける金属ベース絶縁基板の断面を示す模式図、
図3は図2に示した金属ベース絶縁基板の製造工程を説
明する図である。
は金属ベース絶縁基板1における後述の主回路配線パタ
ーン18上にハンダ付けにより接合されたIGBT、フ
ライホイールダイオード等のパワー素子、3は金属ベー
ス絶縁基板1における後述の制御回路配線パターン19
上にハンダ付けにより接合され、パワー素子2を制御す
る制御素子である。
る後述の主回路配線パターン18上にハンダ付けにより
接合された主回路端子、5は金属ベース絶縁基板1にお
ける後述の制御回路配線パターン19上にハンダ付けに
より接合され制御回路端子であり、夫々、パワー素子2
や制御素子3と、接続線として経済的で電気良導性に優
れたアルミワイヤ6により接続されている。
を囲繞するように金属ベース絶縁基板1上に配設され、
かつ金属ベース絶縁基板1と接着された外枠であり、金
属ベース絶縁基板1と外枠7とにより金属ベース絶縁基
板1を底板とするケース8を形成している。9はパワー
素子2および制御素子3を覆うようにケース8内に充填
されたエポキシ樹脂であり、金属ベース絶縁基板1から
エポキシ樹脂9により実施の形態1としての半導体パワ
ーモジュール10を構成している。
構成を説明する。図において、11は熱伝導性に優れた
アルミ材製の金属ベース板、12はガラス繊維を骨材と
し、耐熱性および機械的強度に優れたエポキシ樹脂製の
絶縁板(ガラスエポキシ基材)、13、14は絶縁板1
2の両主面に貼付けられた銅箔、15は銅箔14側から
開口し、絶縁板12を貫通して他方の銅箔13をストッ
パーとするレーザ加工により形成された複数個の盲孔で
ある。
メッキ層であり、盲孔15に形成した銅メッキ層16を
介して絶縁板12の両主面の銅箔13と銅箔14とを電
気的および熱的に導通させている。
一方の主面における銅箔13と銅メッキ層17との積層
物をエッチングして形成した主回路配線パターンおよび
制御回路配線パターンであり、図1に示すごとく、主回
路配線パターン18にはパワー素子2や主回路端子4が
ハンダ付けにより接合され、制御回路配線パターン19
には制御素子3や制御端子5がハンダ付けにより接合さ
れている。
方の主面における銅箔14と銅メッキ層16との積層物
をエッチングして形成した放熱用パターンおよび制御回
路接地用パターンである。放熱用パターン20は、主回
路配線パターン18と対応する位置に形成され、図1に
示すごとく、主回路配線パターン18から盲孔15の内
面に形成された銅メッキ層16を介して熱伝導されたパ
ワー素子2などの発熱による損失熱を、後述の絶縁層2
3aを介して金属ベース板11へ放熱する。さらに、放
熱用パターン20は、盲孔15の内面に形成された銅メ
ッキ層16を介して主回路配線パターン18と接続され
た共通接地パターン等、主回路配線パターンの一部を形
成している。
御回路配線パターン19と対応する位置に形成され、制
御回路配線パターン19と絶縁板12を介して盲孔15
の内面に形成された銅メッキ層16により制御回路配線
パターン19と導通し、制御回路(図示せず)の共通接
地用パターンを構成すると共に、パワー素子2が発生
し、金属ベース板11を介して作用するノイズを遮蔽
し、このノイズから制御素子3を保護する。なお、絶縁
板12および絶縁板12の両主面に形成された主回路配
線パターン18、制御回路配線パターン19、放熱用パ
ターン20および制御回路接地用パターン21により絶
縁基板22を構成している。
22とを接着するための電気絶縁性、耐熱性および高熱
伝導性を兼ね備えた高熱伝導充填剤入りのエポキシ樹脂
製の接着剤であり、半硬化(Bステージ品)の絶縁シー
トとして供給され、熱圧着により硬化し、放熱用パター
ン20および制御回路接地用パターン21と金属ベース
板11の一方の主面間に所定厚さの絶縁層23aを形成
すると共に、盲孔15を充填している。
金属ベース板11、絶縁基板22、および金属ベース板
11と絶縁基板22との間に絶縁層23aを形成した状
態でこれらを接着する接着剤23にて構成されている。
製造プロセスを説明する。まず、図3(A)において、
ガラス繊維を骨材とし、両主面に夫々銅箔13、14が
貼付けられたエポキシ樹脂製の板状の絶縁板(ガラスエ
ポキシ基材)12を準備し、絶縁板12の銅箔14にお
ける複数個の盲孔15の開口予定箇所を除き、銅箔1
3、14の全面にマスキング(図示せず)し、銅箔14
における盲孔15の形成予定箇所に盲孔15と略同径の
孔14aをウエットエッチングにより開口する。
口した孔14aを介して絶縁板12に、レーザを照射
し、絶縁板12を貫通して他方の銅箔13をストッパー
とする複数個の盲孔15を形成する。
し、盲孔15の内面を銅メッキ層16で覆う。この結
果、盲孔15に形成した銅メッキ層16を介して絶縁板
12の両主面の銅箔13と銅箔14とを電気的および熱
的に導通する。即ち、盲孔15の底部に覗く銅箔13の
裏面と銅箔14の表面とが絶縁板12の内壁面に被着形
成された銅メッキ層16により接続される。なお、上記
銅メッキを施すことにより、同時に銅箔14の表面上に
も銅メッキ層17が形成される。
6および銅メッキ層17の表面上にマスキング(図示せ
ず)し、銅箔13と銅メッキ層17との積層物および銅
箔14と銅メッキ層16との積層物を同時にエッチング
し、絶縁板12の一方の主面に主回路配線パターン18
および制御回路配線パターン19を、他方の主面におけ
る主回路配線パターン18と対応する位置に盲孔15を
介して主回路配線パターン18と電気的および熱的に導
通する放熱用パターン20を、制御回路配線パターン1
9と対応する位置に、同じく盲孔15を介して制御回路
配線パターン19と電気的および熱的に導通する制御回
路接地用パターン21を形成する。
工程により、絶縁板12の両主面に主回路配線パターン
18、制御回路配線パターン19、放熱用パターン20
および制御回路接地用パターン21が形成された絶縁基
板22が完成する。即ち、絶縁基板22は、主回路配線
パターン18と制御回路配線パターン19とが同一面
に、同一工程にて形成される。
1と絶縁基板22とを半硬化(Bステージ品)のエポキ
シ樹脂系の絶縁シートとして供給される高熱伝導の接着
剤23を用いて接着するが、まず、金属ベース板11上
に上記半硬化の上記絶縁シートを載せ、さらにその上に
絶縁基板22を載せ、上記絶縁シートを放熱用パターン
20および制御回路接地用パターン21と金属ベース板
11の一方の主面間に挟んだ状態において、真空雰囲気
中で、所定の押圧力および温度で所定時間保持し、熱圧
着してこれらを一体に接着する。
2との間に所定の厚さの絶縁層23aが形成されると共
に、上記絶縁シートが変形して盲孔15を充填した金属
ベース絶縁基板1が完成する。即ち、金属ベース板11
と絶縁基板22との間に半硬化のシート状にて供給され
る樹脂系接着剤23を挟んで熱圧着する方式のため、金
属ベース板11と絶縁基板22との間の絶縁層23aの
厚さを容易に均一に形成できると共に、盲孔15にも樹
脂(接着剤23)を充填でき、作業性に優れ、かつ放熱
性に優れた金属ベース絶縁基板1が得られる。
ける主回路配線パターン18の表面上には、図1に示す
ごとく、チップ状のパワー素子2がハンダ付けにより接
合され、制御回路配線パターン19には制御素子3がハ
ンダ付けにより接合され、アルミワイヤ6にて接続され
る。なお、パワー素子2は、好ましくは主回路配線パタ
ーン18に直接取付ける代りに、ヒート・シンク用部材
(図示せず)介して間接的に取付けられる。次に、主回
路配線パターン18の表面上に主回路端子がハンダ付け
により接合され、制御回路配線パターン19の表面上に
制御端子5がハンダ付けにより接合される。
パワー素子2および制御素子3を囲繞するように外枠7
を配設してケース8を形成し、即ち、金属ベース絶縁基
板1における金属ベース板11を底面とし、金属ベース
絶縁基板1の周縁と外枠7の下側内周の段付き部7aと
が係合するように外枠7を乗せ、この係合部を接着して
ケース8を形成し、ケース8内のパワー素子2、制御素
子3およびこれらを配線したアルミワイヤ6の保護を目
的に、これらを覆うようにエポキシ系の封止樹脂9を充
填し、半導体パワーモジュール10を完成する。
ール10においては、金属ベース絶縁基板1が、大電流
が流れるパワー素子2および主回路配線パターン18に
発生する損失熱を主回路配線パターン18から盲孔15
の銅メッキ層16、放熱用パターン20および絶縁層2
3aを介して金属ベース板11へ放熱すると共に、主回
路配線パターン18から盲孔15の上記充填樹脂および
絶縁層23aを介して金属ベース板11へ放熱し、さら
に金属ベース板11に接する、例えば放熱フィン等の外
部の放熱機構(図示せず)へと効率よく熱放散させるこ
とができる。
5の銅メッキ層16、放熱用パターン20への放熱路に
並行して盲孔15の上記充填樹脂を放熱路とするので、
その分、金属ベース絶縁基板1の放熱特性が向上する。
装する主回路配線パターン18と制御素子3を実装する
と制御回路配線パターン19とが同一の絶縁基板22上
に実装されるので、即ち、両実装部が同一工程で一括形
成でき、工数削減を図れるので、図5に示した従来例と
比較して、製造コストを低減できると共に、各工程でそ
れぞれ発生する熱ストレスの履歴も必要最低限に低減で
き、熱劣化を防止できるので高信頼のものが得られる。
2の一方の主面に主回路配線パターン18が形成される
と共に、他方の主面における主回路配線パターン18と
対応する位置に、複数の盲孔15の銅メッキ層16を介
して電気的および熱的に導通する放熱用パターン20が
形成されており、放熱用パターン20が、パワー素子2
および主回路配線パターン18に発生する損失熱の放熱
の役割だけでなく、主回路の共通接地用パターンとして
用いられ、第2の主回路配線パターンを兼用させてい
る。
枚のパターンを積層した構造を為すと共に、上記2枚の
パターンの一つが放熱用パターン20と兼用された構造
を為し、この積層化により、配線の引き回しの簡略化を
図れると共に、放熱特性を犠牲にすることなく基板サイ
ズの小形化を図れる。
パターン18が大電流を担うに適したパターン断面積を
必要とするが、図3(C)に示した銅メッキ工程を繰返
すことにより銅メッキ層17および銅メッキ層16の層
厚を増すことができ、銅箔13と銅メッキ層17との合
計厚さからなる主回路配線パターン18の厚さを増すこ
とができるので、主回路配線パターン18における配線
のパターン幅が狭くても所定の断面積を確保でき、結果
として、さらに、基板サイズの小形化を図れる。
計厚さからなる放熱用パターン20の厚さを増すことが
できるだけでなく、盲孔15の内面に形成された銅メッ
キ層16の厚さを増すことができるので、主回路配線パ
ターン18から放熱用パターン20への熱伝導路の熱抵
抗が減少し、金属ベース板11への放熱効果をさらに向
上できる。そして、上記のごとく絶縁基板22の小形化
により金属ベース絶縁基板1を小型化でき、そのコスト
を低減できる。
形態2としての半導体パワーモジュールの断面を示す模
式図であり、図1に示した実施の形態1としての半導体
パワーモジュール10と比較して、金属ベース絶縁基板
1における金属ベース板11が異なる。図4において、
金属ベース板11がアルミ板24と耐熱性に優れたPP
S(ポリ・フェニレン・サルファイド)製の樹脂板25
とを当接させて接着強度の高いエポキシ系の接着剤26
により一体に接着した構成を為している。
て接着された金属ベース板11における放熱用パターン
20と対向する部分だけがアルミ板24からなり、制御
回路接地用パターン21と対向する部分は放熱性を要し
ないために樹脂板25を用いている。
の金属ベース板11と比較して、制御素子3を含む制御
回路部の放熱特性に劣るが、この制御回路部は微弱な電
流が流れるのみであるから熱放散のための特別な考慮を
必要とせず、金属部分の面積が小さくて済み、コストの
低減をもたらすと共に、制御素子3が主回路配線側から
金属ベース板11を介したノイズの影響を受難い構造が
得られる。
絶縁基板22上に実装されるので、即ち、両実装部が同
一工程で製造されるので、図5に示した従来例と比較し
て製造コストが低減されると共に、金属ベース板11に
おける放熱用パターン20と対向する部分だけがアルミ
板24からなり、制御回路接地用パターン21と対向す
る部分が樹脂板25からなるので、金属部分の面積が小
さくて済み、コストの低減をもたらすと共に、制御素子
3が主回路配線側からノイズの影響を受難い。
および実施の形態2としての半導体パワーモジュールに
おいて、主回路配線パターン18と放熱用パターン20
とを電気的および熱的に接続する盲孔15の孔径寸法、
孔数および孔位置の縦横ピッチを任意に選択可能であ
り、これらを主回路配線パターン18上に搭載されたパ
ワー素子2の必要な放熱レベルに応じて適正に選択し、
絶縁基板22を適正コストで製作できる。
パターン18および放熱用パターン20のみを形成し、
制御回路配線パターン19および制御回路接地用パター
ン21を形成した絶縁基板(図示せず)を別ピースとて
金属ベース絶縁基板1とは直接接合せず、例えば外枠7
の内周面に接着した構成であっても、放熱用パターン2
0を主回路配線の共通接地用パターンとして用いる利点
を生かし、小型、コンパクトながら放熱特性に優れたも
のが得られる。
るので、以下に示すような効果を奏する。
合する主回路配線パターンを、他方の主面に放熱用パタ
ーンを形成されると共に、該放熱用パターンに開口し、
上記主回路配線パターンをストッパーとして内面に金属
メッキ層が形成された複数の盲孔を有し、該金属メッキ
層を介して上記主回路配線パターンと上記放熱用パター
ンとを電気的および熱的に導通した構成を為し、金属ベ
ース絶縁基板が、上記絶縁基板と金属ベース板とを熱伝
導性および電気絶縁性を有する接着剤にて、上記放熱用
パターンと上記金属ベース板の一方の主面との間に所定
厚さの絶縁層を形成するように接着した構成を為すの
で、上記パワー素子の発熱を上記主回路配線パターンか
ら上記盲孔の上記金属メッキ層、上記放熱用パターンお
よび上記絶縁層を介して上記金属ベース板へ効率よく放
熱できると共に、上記放熱用パターンを主回路の共通接
地用パターンとして利用でき、基板サイズの小形化を図
った、小型、コンパクトで高信頼性の半導体パワーモジ
ュールが得られる効果がある。
子を接合する主回路配線パターンおよび上記パワー素子
を制御する制御素子を接合する制御回路配線パターン
を、他方の主面における上記主回路配線パターンと対応
する位置に放熱用パターンを、上記制御回路配線パター
ンと対応する位置に制御回路接地用パターンを形成され
ると共に、上記放熱用パターンおよび上記制御回路接地
用パターンに開口して上記主回路配線パターンおよび制
御回路配線パターンをストッパーとし、内面に金属メッ
キ層が形成された複数の盲孔を有し、該金属メッキ層を
介して上記主回路配線パターンと上記放熱用パターンと
を電気的および熱的に導通すると共に上記制御回路配線
パターンと上記制御回路接地用パターンとを電気的に導
通した構成を為し、金属ベース絶縁基板が、上記絶縁基
板と金属ベース板とを熱伝導性および電気絶縁性を有す
る接着剤にて、上記放熱用パターンおよび上記制御回路
接地用パターンと上記金属ベース板の一方の主面との間
に所定厚さの絶縁層を形成するように接着した構成を為
すので、上記パワー素子の発熱を上記主回路配線パター
ンから上記盲孔の上記金属メッキ層、上記放熱用パター
ンおよび上記絶縁層を介して上記金属ベース板へ効率よ
く放熱できると共に、上記放熱用パターンを主回路の共
通接地用パターンとして利用でき、かつ、上記主回路配
線パターンおよび上記放熱用パターンからなる主回路部
と、上記制御回路配線パターンおよび上記制御回路接地
用パターンからなる制御回路部とを同一基板上に同一工
程にて一括形成でき、基板サイズの小形化と共に工数削
減を図った、小型、コンパクトで、安価な高信頼性の半
導体パワーモジュールを得られる効果がある。
放熱用パターンと対向する位置に配設された金属板と制
御回路接地用パターンと対向する位置に配設された非金
属板とを一体に接着した構成としたので、制御回路配線
パターンに搭載された制御素子が上記金属板を介して主
回路配線パターンに搭載されたパワー素子からのノイズ
の影響を受け難く、耐ノイズ性に優れた金属ベース絶縁
基板を備えた半導体パワーモジュールが得られる効果が
ある。
ポキシ樹脂により、金属箔を銅箔により、金属メッキ層
を銅メッキ層により構成したので、主回路配線パターン
から上記盲孔の銅メッキ層を介して放熱用パターンへの
熱伝導性に優れると共に、上記放熱用パターンを主回路
の共通接地用パターンして用いた場合における導電性に
優れ、かつ耐熱性および耐トラッキング性等に優れた絶
縁基板を比較的容易に製造でき、安価で高信頼性の金属
ベース絶縁基板を備えた半導体パワーモジュールが得ら
れる効果がある。
に際し、上記絶縁基板と上記金属ベース板との間に半硬
化のシート状にて供給される樹脂系接着剤を挟んで熱圧
着したので、盲孔にも上記樹脂系接着剤が充填されると
共に、上記絶縁基板と上記金属ベース板との間の絶縁層
の厚さを均一に形成容易であり、作業性に優れ、かつ放
熱性に優れた金属ベース絶縁基板を備えた半導体パワー
モジュールが得られる効果がある。
における一方の主面の金属箔をエッチングして開口孔を
形成し、該開口孔を介して上記絶縁板にレーザーを照射
し、上記絶縁板を貫通して他方の主面の金属箔をストッ
パーとする盲孔を形成し、該盲孔の内面に金属メッキ層
を形成し、上記両主面の金属箔をエッチングして上記ス
トッパー側にパワー素子を接合する主回路配線パターン
を形成し、上記開口側に、上記金属メッキ層を介して熱
伝導された上記パワー素子の発熱を放熱する放熱用パタ
ーンを形成する工程を有し、金属ベース絶縁基板の製造
工程として、上記絶縁基板と金属ベース板との間に半硬
化の絶縁シート状の接着剤を挟んで加熱圧着し、上記盲
孔を上記接着剤で充填すると共に、上記放熱用パターン
と上記金属ベース板との間に所定厚さの絶縁層を形成さ
せ、この状態で上記接着剤を硬化させて上記絶縁基板と
上記金属ベース板とを接着する工程を有するので、上記
パワー素子の発熱を上記金属ベース板へ効率よく放熱で
きると共に、上記放熱用パターンを主回路の共通接地用
パターンとして利用でき、基板サイズの小形化を図っ
た、小型、コンパクトで高信頼性の半導体パワーモジュ
ールを容易に製造する方法が得られる効果がある。
絶縁板における一方の主面の金属箔をエッチングして開
口孔を形成し、該開口孔を介して上記絶縁板にレーザー
を照射し、上記絶縁板を貫通して他方の主面の金属箔を
ストッパーとする盲孔を形成し、該盲孔の内面に金属メ
ッキ層を形成し、上記両主面の金属箔をエッチングして
上記ストッパー側にパワー素子を接合する主回路配線パ
ターンおよび制御素子を接合する制御回路配線パターン
を、上記開口側に、上記金属メッキ層を介して熱伝導さ
れた上記パワー素子の発熱を放熱する放熱用パターンを
形成し、上記制御回路配線パターンと対応する位置に、
上記金属メッキ層を介して上記制御回路配線パターンと
電気的に導通した制御回路接地用パターンを形成する工
程を有し、金属ベース絶縁基板の製造工程として、上記
絶縁基板と金属ベース板との間に半硬化の絶縁シート状
の接着剤を挟んで加熱圧着し、上記盲孔を上記接着剤で
充填すると共に、上記放熱用パターンおよび上記制御回
路接地用パターンと上記金属ベース板との間に所定厚さ
の絶縁層を形成させ、この状態で上記接着剤を硬化させ
て上記絶縁基板と上記金属ベース板とを接着する工程を
有するので、上記パワー素子の発熱を上記金属ベース板
へ効率よく放熱できると共に、上記放熱用パターンを主
回路の共通接地用パターンとして利用でき、かつ、上記
主回路配線パターンおよび上記放熱用パターンからなる
主回路部と、上記制御回路配線パターンおよび上記制御
回路接地用パターンからなる制御回路部とを同一基板上
に同一工程にて一括形成でき、基板サイズの小形化と共
に工数削減を図った、小型、コンパクトで、安価な高信
頼性の半導体パワーモジュールの製造方法が得られる効
果がある。
ーモジュールの断面を示す模式図である。
る金属ベース絶縁基板の断面を示す模式図である。
法を説明する模式図である。
ーモジュールの断面を示す模式図である。
模式図である。
おける金属ベース絶縁基板の断面を示す模式図である。
立方法を説明する断面の模式図である。
子、7 外枠、10半導体パワーモジュール、11 金
属ベース板、12 絶縁板、13、14 銅箔、15
盲孔、16、17 銅メッキ層、18 主回路配線パタ
ーン、19制御回路配線パターン、20 放熱用パター
ン、21 制御回路接地用パターン、22 絶縁基板、
23 接着剤、23a 絶縁層、24 アルミ板、25
樹脂板。
Claims (7)
- 【請求項1】 パワー素子を搭載した絶縁基板と、該絶
縁基板と接着された金属ベース板とにより構成された金
属ベース絶縁基板を備えた半導体パワーモジュールにお
いて、上記絶縁基板は、両主面に金属箔を有する絶縁板
における上記金属箔の一方に開口して他方の金属箔をス
トッパーとし、内面に金属メッキ層が形成された複数の
盲孔を備え、上記金属箔の各々をパターニングして上記
ストッパー側の主面に上記パワー素子を接合する主回路
配線パターンが形成されると共に、上記開口側の主面に
上記金属メッキ層を介して上記主回路配線パターンと電
気的および熱的に導通し、上記パワー素子の発熱を放熱
すると共に主回路の共通接地用パターンを兼ねる放熱用
パターンが形成され、上記金属ベース絶縁基板は、上記
絶縁基板と上記金属ベース板とを熱伝導性および電気絶
縁性を有する接着剤にて、上記放熱用パターンと上記金
属ベース板の一方の主面との間に所定厚さの絶縁層を形
成するように接着されたことを特徴とする半導体パワー
モジュール。 - 【請求項2】 パワー素子および該パワー素子を制御す
る制御素子を搭載した絶縁基板と、該絶縁基板と接着さ
れた金属ベース板とにより構成された金属ベース絶縁基
板を備えた半導体パワーモジュールにおいて、上記絶縁
基板は、両主面に金属箔を有する絶縁板における上記金
属箔の一方に開口して他方の金属箔をストッパーとし、
内面に金属メッキ層が形成された複数の盲孔を備え、上
記金属箔の各々をパターニングして上記ストッパー側の
主面に上記パワー素子を接合する主回路配線パターンお
よび上記制御素子を接合する制御回路配線パターンを形
成されると共に、上記開口側の主面における上記主回路
配線パターンと対応する位置に、上記金属メッキ層を介
して上記主回路配線パターンと電気的および熱的に導通
し、上記パワー素子の発熱を放熱すると共に主回路の共
通接地用パターンを兼ねる放熱用パターンが、上記制御
回路配線パターンと対応する位置に、上記金属メッキ層
を介して上記制御回路配線パターンと電気的に導通した
制御回路接地用パターンが形成され、上記金属ベース絶
縁基板は、上記絶縁基板と上記金属ベース板とを熱伝導
性および電気絶縁性を有する接着剤にて、上記放熱用パ
ターンおよび上記制御回路接地用パターンと上記金属ベ
ース板の一方の主面との間に所定厚さの絶縁層を形成す
るように接着されたことを特徴とする半導体パワーモジ
ュール。 - 【請求項3】 金属ベース板は、放熱用パターンと対向
する位置に配設された金属板と制御回路接地用パターン
と対向する位置に配設された非金属板とを一体に接着し
たことを特徴とする請求項2に記載の半導体パワーモジ
ュール。 - 【請求項4】 絶縁板はガラス繊維を骨材としたエポキ
シ樹脂からなり、金属箔は銅箔からなり、金属メッキ層
は銅メッキ層からなる絶縁基板を備えた請求項1乃至請
求項3のいずれか1項に記載の半導体パワーモジュー
ル。 - 【請求項5】 絶縁基板と金属ベース板とを接着する接
着剤は、半硬化のシート状にて供給される樹脂系接着剤
であり、上記絶縁基板と上記金属ベース板との間に挟ん
で熱圧着することにより、盲孔を上記接着剤で充填した
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項
に記載の半導体パワーモジュール。 - 【請求項6】 パワー素子を搭載する絶縁基板の製造工
程と、該絶縁基板と金属ベース板とを接着した構成の金
属ベース絶縁基板の製造工程とを有し、上記絶縁基板の
製造工程は、両主面に金属箔を貼付けた絶縁板における
一方の主面の上記金属箔をエッチングして複数の孔を開
口する工程と、該複数の孔を介して上記絶縁板にレーザ
ーを照射し、上記絶縁板を貫通して他方の主面の金属箔
をストッパーとする複数の盲孔を形成する工程と、上記
複数の盲孔の内面に金属メッキ層を形成する工程と、上
記両主面の金属箔をエッチングして上記ストッパー側に
上記パワー素子を接合する主回路配線パターンを、上記
開口側に、上記主回路配線パターンと上記金属メッキ層
にて電気的および熱的に導通され、上記パワー素子の発
熱を放熱すると共に主回路の共通接地用パターンを兼ね
る放熱用パターンを形成する工程を有し、上記金属ベー
ス絶縁基板の製造工程は、上記絶縁基板と上記金属ベー
ス板との間に半硬化の絶縁シート状の接着剤を挟んで加
熱圧着し、上記複数の盲孔に上記接着剤を充填すると共
に、上記放熱用パターンと上記金属ベース板との間に所
定厚さの絶縁層を形成し、この状態で上記接着剤を硬化
させて上記絶縁基板と上記金属ベース板とを接着する工
程を有することを特徴とする半導体パワーモジュールの
製造方法。 - 【請求項7】 パワー素子および該パワー素子を制御す
る制御素子を搭載する絶縁基板の製造工程と、該絶縁基
板と金属ベース板とを接着した構成の金属ベース絶縁基
板の製造工程とを有し、上記絶縁基板の製造工程は、両
主面に金属箔を貼付けた絶縁板における一方の主面の金
属箔をエッチングして複数の孔を開口する工程と、該複
数の孔を介して上記絶縁板にレーザーを照射し、上記絶
縁板を貫通して他方の主面の金属箔をストッパーとする
複数の盲孔を形成する工程と、上記複数の盲孔の内面に
金属メッキ層を形成する工程と、上記両主面の金属箔を
エッチングして上記ストッパー側に上記パワー素子を接
合する主回路配線パターンおよび上記制御素子を接合す
る制御回路配線パターンを形成すると共に、上記開口側
における上記主回路配線パターンと対応する位置に、上
記主回路配線パターンと上記金属メッキ層にて電気的お
よび熱的に導通され、上記パワー素子の発熱を放熱する
と共に主回路の共通接地用パターンを兼ねる放熱用パタ
ーンを、上記制御回路配線パターンと対応する位置に、
上記金属メッキ層を介して上記制御回路配線パターンと
電気的に導通した制御回路接地用パターンを形成する工
程を有し、上記金属ベース絶縁基板の製造工程は、上記
絶縁基板と上記金属ベース板との間に半硬化の絶縁シー
ト状の接着剤を挟んで加熱圧着し、上記盲孔に上記接着
剤を充填すると共に、上記放熱用パターンおよび上記制
御回路接地用パターンと上記金属ベース板との間に所定
厚さの絶縁層を形成し、この状態で上記接着剤を硬化さ
せて上記絶縁基板と上記金属ベース板とを接着する工程
を有することを特徴とする半導体パワーモジュールの製
造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6984883B2 (en) * | 2002-12-12 | 2006-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor power module |
JP2006253354A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
JP2008504706A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-02-14 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電子的回路ユニット |
JP2010108955A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
CN103972277A (zh) * | 2013-02-06 | 2014-08-06 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2014220330A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | 日立金属株式会社 | 光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュール |
KR101477359B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-12-29 | 삼성전기주식회사 | 전력 반도체 모듈 |
JPWO2014014012A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-07-07 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
-
2000
- 2000-07-24 JP JP2000221990A patent/JP2002043510A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6984883B2 (en) * | 2002-12-12 | 2006-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor power module |
JP2008504706A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-02-14 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電子的回路ユニット |
JP4728330B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2011-07-20 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 電子的回路ユニット |
JP2006253354A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
JP4545022B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2010-09-15 | 三洋電機株式会社 | 回路装置およびその製造方法 |
JP2010108955A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2014014012A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-07-07 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
KR101477359B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-12-29 | 삼성전기주식회사 | 전력 반도체 모듈 |
US9226430B2 (en) | 2012-12-27 | 2015-12-29 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Power semiconductor module |
CN103972277A (zh) * | 2013-02-06 | 2014-08-06 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2014154613A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014220330A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | 日立金属株式会社 | 光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュール |
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