JP2006100759A - 回路装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 回路基板11の表面には第1の絶縁層12Aが形成され、その裏面には第2の絶縁層12Bが形成されている。第1の絶縁層12Aの表面には、導電パターン13が形成され、この導電パターン13には回路素子15が固着されている。封止樹脂14は、回路基板11の表面および側面を被覆している。更に、封止樹脂14は、回路基板11の裏面の周辺部も被覆している。このことにより、回路基板11の裏面を外部に露出させた状態で、回路基板11の耐圧性を確保することができる。
【選択図】 図1
Description
11 回路基板
12 絶縁層
12A 第1の絶縁層
12B 第2の絶縁層
13 導電パターン
14 封止樹脂
15 回路素子
15A 半導体素子
15B チップ素子
16 金属基板
17 金属細線
18 接続部
19 接着剤
21 放熱フィン
22 金型
22A 上金型
22B 下金型
23 キャビティ
24 凸部
25 リード
26A 第1の導電箔
26B 第2の導電箔
27 レジスト
Claims (15)
- 回路基板と、前記回路基板の表面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る電気回路と、前記電気回路を封止する封止樹脂とを具備し、
前記封止樹脂は、前記回路基板の裏面を部分的に露出させた状態で、前記回路基板の表面、側面および裏面の周辺部を被覆することを特徴とする回路装置。 - 表面に第1の絶縁層が設けられ、裏面に第2の絶縁層が設けられた回路基板と、
前記第1の絶縁層の表面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る電気回路と、
前記電気回路を封止する封止樹脂とを具備し、
前記封止樹脂は、前記第2の絶縁層を部分的に露出させた状態で、前記回路基板の表面、側面および裏面の周辺部を被覆することを特徴とする回路装置。 - 前記回路基板と前記電気回路とは、電気的に接続されることを特徴とする請求項1または請求項2記載の回路装置。
- 前記回路基板は、前記導電パターンを介して接地電位と接続されることを特徴とする請求項2記載の回路装置。
- 前記封止樹脂から露出する前記回路基板の裏面には、金属基板が固着されることを特徴とする請求項1または請求項2記載の回路装置。
- 前記金属基板の裏面に、酸化膜を形成することを特徴とする請求項5記載の回路装置。
- 前記金属基板の露出面および前記封止樹脂から成る平坦面が形成されることを特徴とする請求項5記載の回路装置。
- 前記回路基板の裏面は、少なくとも外周端部から2mm以内の周辺部が、前記封止樹脂により被覆されることを特徴とする請求項1または請求項2記載の回路装置。
- 前記回路基板の裏面には、放熱手段が固着されることを特徴とする請求項1記載の回路装置。
- 回路基板の表面に導電パターンおよび回路素子から成る電気回路を構成する工程と、
少なくとも前記回路基板の表面が被覆されるようにモールド金型を用いて封止樹脂を形成する工程とを具備し、
前記封止樹脂を形成する工程では、前記モールド金型の下面から離間させた前記回路基板の周辺部を、前記封止樹脂により被覆することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 前記回路基板の裏面の周辺部を除外した領域には金属基板が貼着され、
前記金属基板の裏面を前記モールド金型の下面に当接させることにより、前記回路基板の周辺部を前記モールド金型から離間させることを特徴とする請求項10記載の回路装置の製造方法。 - 前記モールド金型に設けた凸部に前記回路基板を載置することにより、前記回路基板の周辺部を前記モールド金型から離間させることを特徴とする請求項10記載の回路装置の製造方法。
- 回路基板の表面に絶縁層を介して導電箔を貼着し、前記回路基板の裏面に絶縁層を介して金属基板を貼着する工程と、
形成予定のユニットの境界に対応する領域の前記金属基板に分離溝を設ける工程と、
エッチングにより前記導電箔をパターニングして導電パターンを形成し、前記分離溝の残りの厚み部分を除去して、前記ユニットの周辺部に位置する前記回路基板の裏面を前記金属基板から露出させる工程と、
前記ユニットの境界で前記回路基板を分割することにより、各々の前記ユニットを構成する回路基板を分離する工程と、
前記導電パターンに回路素子を電気的に接続する工程と、
前記金属基板の裏面をモールド金型の下面に当接させて樹脂封止を行うことにより、前記回路基板の裏面の周辺部が被覆されるように封止樹脂を形成する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 前記金属基板は、表面および裏面がアルマイト処理されたアルミニウムから成る基板であることを特徴とする請求項13記載の回路装置の製造方法。
- 前記分離溝は、ダイシングにより形成されることを特徴とする請求項13記載の回路装置の製造方法。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008028006A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US7529093B2 (en) | 2004-11-26 | 2009-05-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device |
JP2010287827A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Nitto Shinko Kk | 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法 |
JP2011054703A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
WO2012081434A1 (ja) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
CN102956787A (zh) * | 2011-08-16 | 2013-03-06 | 欧司朗股份有限公司 | 电子模块、发光装置及该电子模块的制造方法 |
WO2013076932A1 (ja) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置の製造方法 |
JP2013229535A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
RU2518219C2 (ru) * | 2008-11-07 | 2014-06-10 | ТАЙКО ЭЛЕКТРОНИКС ДЖАПАН Г.К., Япония | Устройство птк |
JP2014138165A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JP2018056538A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社パウデック | 半導体パッケージ、モジュールおよび電気機器 |
US11264303B2 (en) | 2019-05-08 | 2022-03-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device and method of manufacturing the same |
WO2022070700A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | Nissha株式会社 | 成形品及び成形品の製造方法 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6185828A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-01 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JPH043967A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板 |
JPH04206278A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-28 | Sharp Corp | 一体型端子ユニット |
JPH06209054A (ja) * | 1993-01-08 | 1994-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH07147343A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
JPH08298299A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH09102650A (ja) * | 1995-10-05 | 1997-04-15 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置及び光ピックアップ装置 |
JPH09260550A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH10223669A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の樹脂封止装置及びその樹脂封止方法 |
JPH11330317A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-11-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
JP2002314037A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
JP2003318312A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
-
2004
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6185828A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-01 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JPH043967A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板 |
JPH04206278A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-28 | Sharp Corp | 一体型端子ユニット |
JPH06209054A (ja) * | 1993-01-08 | 1994-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH07147343A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
JPH08298299A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH09102650A (ja) * | 1995-10-05 | 1997-04-15 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置及び光ピックアップ装置 |
JPH09260550A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH10223669A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の樹脂封止装置及びその樹脂封止方法 |
JPH11330317A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-11-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置およびその製造方法 |
JP2002314037A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
JP2003318312A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7529093B2 (en) | 2004-11-26 | 2009-05-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device |
JP2008028006A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
RU2518219C2 (ru) * | 2008-11-07 | 2014-06-10 | ТАЙКО ЭЛЕКТРОНИКС ДЖАПАН Г.К., Япония | Устройство птк |
JP2010287827A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Nitto Shinko Kk | 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法 |
JP2011054703A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
JPWO2012081434A1 (ja) * | 2010-12-16 | 2014-05-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2012081434A1 (ja) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US9287201B2 (en) | 2010-12-16 | 2016-03-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
CN102956787A (zh) * | 2011-08-16 | 2013-03-06 | 欧司朗股份有限公司 | 电子模块、发光装置及该电子模块的制造方法 |
WO2013076932A1 (ja) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置の製造方法 |
JP2013229535A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2014138165A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JP2018056538A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社パウデック | 半導体パッケージ、モジュールおよび電気機器 |
JP2018093221A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-06-14 | 株式会社パウデック | 半導体パッケージ、モジュールおよび電気機器 |
US11264303B2 (en) | 2019-05-08 | 2022-03-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device and method of manufacturing the same |
DE102020111619B4 (de) | 2019-05-08 | 2022-03-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungs-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
WO2022070700A1 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | Nissha株式会社 | 成形品及び成形品の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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