JPS6185828A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS6185828A JPS6185828A JP59207727A JP20772784A JPS6185828A JP S6185828 A JPS6185828 A JP S6185828A JP 59207727 A JP59207727 A JP 59207727A JP 20772784 A JP20772784 A JP 20772784A JP S6185828 A JPS6185828 A JP S6185828A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上のオリ用分野〕
本発明は、パワートランジスタ、電力用ダイオード等の
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関丁る。 〔従来の技術〕 従来の型板的な電力用樹脂封止型半導体装置におー・て
は、半導体チップが固着さｎた支持板の裏面には成形に
３Ｂ７１が形成さｎてぃなー・。二のため。 二の半導体ｉｖｔを外部放熱体に取付けるに際しては，
外部放熱体との間にマイカ板等の絶縁シートを介在させ
なければならず，峨付作東が煩雑になった。二の楕の欠
点を解決するために，支持板の銭面匝も成形樹脂を形成
丁る方法がＰ案されてー゛る（％開昭５７ー１４７２６
０号公報ノ。ここに開示されて一・る方法によれば、金
型（よって外部リードな保持するのみでなく，外部リー
ドの反対ｇａに導出された細条も金型で叉持丁る。二の
結果、金型の成形空所内におけるチップ支持板の位置が
安定し、チップ支持板の裏面に封止樹脂層を形成丁るζ
とが出来る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし，上記公報に開示されて一・る方法では。 支持のために導出した細条な、成形後に切断すると、第
１０図に示丁如く、細条残部ｉｌ＋が成形樹脂体（２）
から突出し，ここが成形樹脂体（２）内のチップ支持板
と同電位になるので，４！！縁不良，知Ｍａｌ故が発生
し易一・。二の細条残部ｆｉ＋の突出部をエツチングで
除去丁る方法等も考えられるが、根本的な鱗決策となら
ない。 そこで、本発明の目的は、支持板の農ＩＴＩＩに成形樹
脂層を薄《形成することが出来ると共に、外部リードの
尋山部以外の部分の絶縁性が高い樹脂封止型半導体装置
を容易に製造丁ることが出来る方法を提供することにあ
る。 〔問題点を解決するだめの手段〕 上記目的を２）！成丁るだめの本発明は、放熱機能およ
び′亀気伝纏機能を有丁るように形成された支持板と，
前記支持板の型刃の生表囲上に固層さｎた半導体チップ
と、前記支持板の一端に：ｉ！結された支持板接続用外
部リードと，前牝牛導体チップに内部リードを介して又
はブｒさずに接続された少なくとも１本のチップ１に続
用外部リードとを少なくとも具備して一・るチップ・リ
ード部材組立体を構成し．二の組立体にｇける前記支持
＆接続用及びチップ接続用外部リードの導出部を除重・
た部分の全部又にけぼ全部を成形樹脂体で扱蝋し、ｓｉ
ｌ紀叉持体の他方の主面側にも薄型・成形樹脂層を設け
る構造の樹脂封止型半導体装置の製造方法にＳ−・て、
前記支持板の型刃及び／又は他方の主面の少なくとも一
ｍにｌｅ縁破横層を予め設けた前記チップ・リード部材
組立体を用意する工程と，前記組立体を樹脂封止用型の
成形空所内に配ｔｉｌｊると共に、前記支持仮接続用及
びチップ接続用外部リードの一部を前記型で叉持し且つ
前記支持板の他方の主面に前記絶縁被ａ層を介して前記
型の一部を当接さゼ、前記叉持板の一部の主面に前記絶
縁被覆層を介して又は介さずに前記型の一部を当接させ
るか、又は前記支持板の一方及び他方の主面の内の１つ
の主ｉｉｌにのみ前記絶縁被覆層を介して前記型を接触
させる工程と、前記成形空房内に液状の樹脂を注入して
同化させることによって成形樹脂体を形成する工程とを
有すること１ｒ：特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法に係わるものである。 〔作 用〕 成形時に、支持板を外部リード部分のみで支持せず、支
持板の一方及び他方の主面の内の少なくとも１つの面の
位置を型によって制限するので。 支持板の安定的支持が達成される。従って、チップ叉待
面と反対の面に薄い成形樹脂層を形成することが出来る
ａまた、支持板の位（ＩＩｉを制限する部分には樹脂が
注入されな一部が、支持板の型当接面に予め絶縁″ａ覆
層を設けるので、絶縁不良や短絡事故が防止される。 〔実施例〕 次に、第１図〜第７図を参照して本発明の実施例に係わ
る樹脂封止型パワートランジスタ及びその製造方法につ
−・て説明する。 まず、第１図に示すリードフレーム（トランジスタ１１
−分を示す、実際には多数個分が並列）を用意する。図
にお−゛て、ａυ１工Ｎｉ被ａ Ｃｕ ＆から成る放熱
支持板、 （１２ａＪは支持板ａυの一端に連結され
た支持板接続用外部リード、（１２ｂＪ（１２Ｃハエチ
ツプのベースとエミッタに接続されるチップ接続用外部
リードであろ０なお、各外部リード（１２ａＪ（１２ｂ
Ｊ（１２ＣＪは支持板Ｕυと同一材料で形成されて一部
る。 （１３１はリード同志を連結するタイバー、ａ４Ｊｔエ
リート端を共通して連結する共通接続細条、 （１５１
は取付孔を形成するために支持板αυに設けられても・
るＵ字状の凹部である。支持板ａυの凹部（１５１１０
１１の他端部は。 肉薄部口１ｂＪとなっており、主要な放熱経路となるの
は肉厚部Ｌ１１ａＪである。なお１本発明における支持
板とは、肉厚部（１１ａＪに相当する部分のみを指子の
ではなく、これ１続（肉薄部＋ｌｌｂ、ｌに相当する部
分
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関丁る。 〔従来の技術〕 従来の型板的な電力用樹脂封止型半導体装置におー・て
は、半導体チップが固着さｎた支持板の裏面には成形に
３Ｂ７１が形成さｎてぃなー・。二のため。 二の半導体ｉｖｔを外部放熱体に取付けるに際しては，
外部放熱体との間にマイカ板等の絶縁シートを介在させ
なければならず，峨付作東が煩雑になった。二の楕の欠
点を解決するために，支持板の銭面匝も成形樹脂を形成
丁る方法がＰ案されてー゛る（％開昭５７ー１４７２６
０号公報ノ。ここに開示されて一・る方法によれば、金
型（よって外部リードな保持するのみでなく，外部リー
ドの反対ｇａに導出された細条も金型で叉持丁る。二の
結果、金型の成形空所内におけるチップ支持板の位置が
安定し、チップ支持板の裏面に封止樹脂層を形成丁るζ
とが出来る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし，上記公報に開示されて一・る方法では。 支持のために導出した細条な、成形後に切断すると、第
１０図に示丁如く、細条残部ｉｌ＋が成形樹脂体（２）
から突出し，ここが成形樹脂体（２）内のチップ支持板
と同電位になるので，４！！縁不良，知Ｍａｌ故が発生
し易一・。二の細条残部ｆｉ＋の突出部をエツチングで
除去丁る方法等も考えられるが、根本的な鱗決策となら
ない。 そこで、本発明の目的は、支持板の農ＩＴＩＩに成形樹
脂層を薄《形成することが出来ると共に、外部リードの
尋山部以外の部分の絶縁性が高い樹脂封止型半導体装置
を容易に製造丁ることが出来る方法を提供することにあ
る。 〔問題点を解決するだめの手段〕 上記目的を２）！成丁るだめの本発明は、放熱機能およ
び′亀気伝纏機能を有丁るように形成された支持板と，
前記支持板の型刃の生表囲上に固層さｎた半導体チップ
と、前記支持板の一端に：ｉ！結された支持板接続用外
部リードと，前牝牛導体チップに内部リードを介して又
はブｒさずに接続された少なくとも１本のチップ１に続
用外部リードとを少なくとも具備して一・るチップ・リ
ード部材組立体を構成し．二の組立体にｇける前記支持
＆接続用及びチップ接続用外部リードの導出部を除重・
た部分の全部又にけぼ全部を成形樹脂体で扱蝋し、ｓｉ
ｌ紀叉持体の他方の主面側にも薄型・成形樹脂層を設け
る構造の樹脂封止型半導体装置の製造方法にＳ−・て、
前記支持板の型刃及び／又は他方の主面の少なくとも一
ｍにｌｅ縁破横層を予め設けた前記チップ・リード部材
組立体を用意する工程と，前記組立体を樹脂封止用型の
成形空所内に配ｔｉｌｊると共に、前記支持仮接続用及
びチップ接続用外部リードの一部を前記型で叉持し且つ
前記支持板の他方の主面に前記絶縁被ａ層を介して前記
型の一部を当接さゼ、前記叉持板の一部の主面に前記絶
縁被覆層を介して又は介さずに前記型の一部を当接させ
るか、又は前記支持板の一方及び他方の主面の内の１つ
の主ｉｉｌにのみ前記絶縁被覆層を介して前記型を接触
させる工程と、前記成形空房内に液状の樹脂を注入して
同化させることによって成形樹脂体を形成する工程とを
有すること１ｒ：特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法に係わるものである。 〔作 用〕 成形時に、支持板を外部リード部分のみで支持せず、支
持板の一方及び他方の主面の内の少なくとも１つの面の
位置を型によって制限するので。 支持板の安定的支持が達成される。従って、チップ叉待
面と反対の面に薄い成形樹脂層を形成することが出来る
ａまた、支持板の位（ＩＩｉを制限する部分には樹脂が
注入されな一部が、支持板の型当接面に予め絶縁″ａ覆
層を設けるので、絶縁不良や短絡事故が防止される。 〔実施例〕 次に、第１図〜第７図を参照して本発明の実施例に係わ
る樹脂封止型パワートランジスタ及びその製造方法につ
−・て説明する。 まず、第１図に示すリードフレーム（トランジスタ１１
−分を示す、実際には多数個分が並列）を用意する。図
にお−゛て、ａυ１工Ｎｉ被ａ Ｃｕ ＆から成る放熱
支持板、 （１２ａＪは支持板ａυの一端に連結され
た支持板接続用外部リード、（１２ｂＪ（１２Ｃハエチ
ツプのベースとエミッタに接続されるチップ接続用外部
リードであろ０なお、各外部リード（１２ａＪ（１２ｂ
Ｊ（１２ＣＪは支持板Ｕυと同一材料で形成されて一部
る。 （１３１はリード同志を連結するタイバー、ａ４Ｊｔエ
リート端を共通して連結する共通接続細条、 （１５１
は取付孔を形成するために支持板αυに設けられても・
るＵ字状の凹部である。支持板ａυの凹部（１５１１０
１１の他端部は。 肉薄部口１ｂＪとなっており、主要な放熱経路となるの
は肉厚部Ｌ１１ａＪである。なお１本発明における支持
板とは、肉厚部（１１ａＪに相当する部分のみを指子の
ではなく、これ１続（肉薄部＋ｌｌｂ、ｌに相当する部
分
【リード状に引き出されたり、上方に偏位して一部る
場合ありノも含めて称するものとする。 曲は本発明に係わる絶縁被覆層であり、支持板（１１１
の他端の肉薄部（１１ｂＪに第２因に示す９０く塗布さ
れたポリイミド系樹脂層から成る。ポリイミド系樹脂は
、金属との接着力、エポキシ衝脂との接着力、絶縁耐圧
、耐熱性の−・ずれにも優れた！ＩＢ脂であり、本発明
の目的に合致した絶縁物である。 なお、ポリイミドｊＶ１１樹脂とは１分子式がで表わさ
れるポリイミド系樹脂と、こ几を変形させた分子式で表
わさ几ろ樹脂の総称である。換言すると、ポリイミド系
樹脂は、主鎖中にイミド結台を有する鎖状構造高分子物
質である。二の梅の物質の１櫓である信越シリコーン（
株）製のＫＪＲ−６５１Ｌ曲品名ノのプレポリマー溶液
（ワニス状で未硬化の溶液］を支持板ｑυの肉薄部（ｌ
ｌｂ）に塗布し、１５０℃１時間、続いて２５０℃３時
間の熱処理をすると、ポリマー化して硬化し、装置の【
ラバー状やゲル状ではない】樹脂層（厚さ約０．０５
ｍｍ ）から成るＩＩＡ緑倭桝層唆を得ることが出来る
。二の庫さは、支持板αυの肉薄部（１１ｂ）がｈｔば
０．６ｍｍであるので、これに比べると膜状の薄いもの
である。ＫＪＲ−６５１から得られた樹脂は、分子式が
矢のように表わされ、ポリイミド樹脂とシリコーン樹脂
の両方の性質奪合わゼもったようなポリイミド系の樹脂
である。 二の他に１日立化成工業を株ノ製のＰＩＱ＋商品名ノや
、デュポン社製のバイヤーＭＬ（部品名）なと、権々の
ポリイミド系樹脂が絶縁＠ １ ｍ ｕｔｉの形成のた
めに使用できる。 ＰＩＱの分子式は次の通りである。 バイヤーＭＬの分子式（ポリイミド樹脂そのもの）は次
の通りである。 なお、Ｒ（Ｒ，、Ｒ，、Ｒ１）は有機基で、芳香族基が
選ばれることが多い。 久ＶＣ，上面にペース及びエミッタ電極を有し、下面に
コレクタ電極を有するシリコンパワートランジスタチッ
プαηを第３図に示すよう九半田（図示せず）により支
持＆Ｕυに固着する。続−・て、チップＱ７）のベース
電極と外部リードＢ２ｂ）の間、及びチップＱηのエミ
ッタ電極と外部リードＬ１２ｃ）の間ヲ、超ｔａワイヤ
ーボンダーを用−・てそれぞｎＡｌ線から成る内部リー
ド（１８ａ）（１８ｂＪにより接続する。更に、千ツブ
αηをジャンクションフーティングレジン（１９（チッ
プ保護用の樹脂で、二の例ではシリコン樹脂〕で僅覆す
る。これにより、チップ・リード部材組立体四が完成す
る。 久に、第４図（Ａｌ６に示すように樹脂モールド用の金
型（樹脂封止用型）にチップ・リード部材組室体（ｌｌ
’ｔ−セットする。ＣＡＪは上部金型、 （Ｊｕｌは下
部金型で、これらを型締めするとキャビティ即ち５ｉ形
用空Ｆ９ＴＱ２が生じる。不実施ガでは、支持板Ｕυの
−熾側の外部リード（１２３月１２ｂ月１２ｃＪを金型
（４）（２）で挾持するのみでな（、支持板ａυの他鴻
の肉薄部（１１ｂＪに設けられた絶縁被覆層叫の部分も
金型（４）２ｖで挾持する。絶縁１４ｊＥ層四を挟持す
るために。 金型■の内壁の上面およびｇＩ４面からつい立伏に突出
する突起（２ｕａ）と金型Ｑυの内壁の下面および側面
からつい立伏に突出する突起（２）ａＪとが設けられて
いる。なお、肉薄部（１１ｂＪが二叉に分かれて−・る
ので、二の二叉の両方九対応丁べ（突起（２０ａＪ（２
）ａ）もそ几ぞれ２カ所に形成されて−・る。要するに
、第６図の凹部（２５１（至）＠（至）に対応するよう
に４つの突起１１！Ｑｃ２）ａ）が設けられて−゛る。 支持板ａυの−ｍ ’ａｌの外部リードＬ１２ａＪ（１
２ｂＪ［１２ｃ）と他端側の絶縁被榎層叫の部分とを金
型（４）ＱＤで叉持丁れば。 両持ち状態になるので、支持板Ｉの肉厚部ｔｌｌａ）は
成形空Ｆ９Ｔの中に浮（・た状態となり、成形空所−の
底（下部金型Ｔ２Ｄの凹部の底面〕と肉厚部（１１ａＪ
の下面との間に１ｍｍ以下の例えば約０．４ ｍｍの間
隙を安定的に得ることが出来、後の工程で樹脂を注入し
ても上記間隙のｆ動が殆んど生じな−・０金型（４）に
は％第６因の取付孔（至）を形成するための円柱状ビン
Ｌ２ｕｂＪが形成されており、支持板の凹部（１５１χ
Ｘ通して−゛る。また金型−には仕切り状の突出部（２
Ｕｃ）が形成されており、二の突出部（２ｕｃ）は、後
の樹脂注入の際に支持板の肉厚部（１１ａＪの裏面側に
樹脂の来光てんが発生するのを防止するように働（。■
はゲート（成形樹脂の注入口］である。 次ニ、公知のトランスファモールド法に基ツー゛て、加
熱されて粘液状となった熱硬化性エポキシ樹脂をゲート
Ω′ｌｔ通じて成形空所の内に圧入・光てんする。金ｍ
ｗ ２）＋は樹脂χ熱硬化させる温度【１５０〜２０
０℃）九加熱さ几ており、圧入・充てんされた樹脂は短
時間（数分以内）の内に熱硬化し、第５図［Ａｌ （８
１に示すように成形樹脂体（２４が形成される。 次に、金型ＣＡＪｕυの型締めを解−・て、成形樹脂体
ｃ！４１を有するチットリード部材組立体を金型ｃｑｃ
ｉ＋から収り外し、成形樹脂体ＣＩ’４１を完全に熱硬
化させるために更に長時間の熱処理ン行い、′Ｒ後にタ
イバーａ３および共通接続細条ｕ４１’ｖプレス切断で
除去して、 第６図のパワートランジスタχ完成させる
。 ＋２５１＠は、金型（４）の２カ所に形成された突起（
２０ａＪにそれぞれ対応して形成された凹部である。面
間は、金型のの２カ所に形成された突起［２）ａ）にそ
ｎぞｎ対応して形成された凹部である。これ等の凹部四
〜（至）の中に支持板肉薄部［１１ｂＪの上下両面の絶
縁被覆層ａｅの一部が露出している。肉薄部分（１１ｂ
Ｊの先端には成形樹脂体（至）が付着されて−・る。 （支）は金型■の突出部（２０ＣＪに対応して形成され
た溝状の凹部である。田は、金型■の円筒状ビン（２０
ｂ）に対応して形成さｎたもので、二のパワートランジ
スタを外部放熱体に取付けるときにネジ等を通すための
取付孔である。 二のパワートランジスタでは、成形樹脂体！２４１は、
凹部■〜＠にお−・て、支持板の肉薄部口ｌｂ）を完全
に被僅していＴ（ｖ。しかし、ここには第７図から明ら
かな如（絶縁耐圧の優ｎたポリイミド系樹脂層から成る
絶縁被覆層叫が投げら几て−・るので。 支持板の肉薄部（１１ｂＪが外部に直接に露出せず。 杷鰍小良や慢絡ル故が生じな−・。しかも、支角板の肉
ｉ導部Ｂ１ｂＪ’を金型で挾持するよ５ＶＬｌ、たため
。 凹部５〜露に４出する絶縁破１１すから成形樹脂体＠の
下口に至るまでの距廂がある程度【例えば２ｍｍＪ確保
されており、支持仮住υと成形樹脂体ｃ！４１の底部に
接するように配される外部放熱体（図示せず）との間に
十分な１１ｇ縁耐圧が得らｎる。 本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、９１
１えば、久の変形例をとり得るものである。 Ｉａｌ 第８図に示す如（、支持＆μυの肉薄部（１
１ｂＪ馨肉厚１（１１ａＪよりも高クシ、二の下面に絶
縁僚覆泗Ｌ１６ａ）を設け、ここを金型３ｖにビン状突
起（２ｔ２）で支持し、且つ支持板Ｕυの上面にも絶に
破６１層ｔ１６ｂ）馨設け、ここを金力■のビン拭災起
（２ＵａＪで押え付けるようにしてもよ一部。これによ
り、成形樹脂体国突起（２）＋３ハ２）ａ）に対しＥ、
した孔が生じるが、成形樹脂体の上面及び下面からの孔
の深さが大になり、絶縁性が良くなる。 （ｂｌ 第９図に示す如く、支持板Ｕυの肉薄部１ｂ
）の下面１ＩｌＩｌにのみ絶縁僚檀層Ｕ−を設け、ここ
ケ矢起（２）ａＪで支持し、上の突起（２０ａ） ｋＺ
肉薄５（１１ｂＪに直接に接するようにしてもよい。筐
た、第１図〜第７図の場合えお−・でも、肉薄部（１ｘ
ｂＪの下面九のみ絶縁被榎ｍｕ−を設け、と而には設け
な−゛ようにしてもよ一部。二の碌な場＠、成形樹脂体
内の底面に密着配置される外部放熱体九対して支持板ａ
υの下面側は絶鰍核ａ＃（１−のため九十分な杷鍬注を
有する。支持板Ｕυの上面九−出部分が生じるが、ここ
と外部放熱体との沿面距ｇＩは十分に大さくすることが
出来るので、必要なＩｅ鍬耐圧ン容易に得ることが出来
る。 ［ｃｌ 絶縁被覆層９口１布によって形成せず罠、ポ
リイミド系樹脂フィルムを接看剤にて貼り付けることに
よって設けてもよ１ｍ’。 ＋ｄｌ 絶嫌被榎層霞を、支持板（Ｉｌｌに対するチ
ップＵηの固！、及び内部リード（１８ａハ１８ｂ）の
ボンディングの後で形成してもよ−゛。 （ｅｌ 金型を３以上に分割した構成としてもより・
。 ｌｆｌ 樹脂注入時における支持＆αυの偏りの方向
が特定されて−・る場合には、支持＆ａυの型刃又は地
方の主面の内の１つの主面の位置のみを制限するように
金型乞形成してもよ−・。 〔発明の効果〕 上述から明らかな如（、本発明によれば、放熱支持板・
を成形用ルに支持するための細条を設けることが不要に
なり、且つ二の細条を切断した伏の残Ｓによる絶縁性低
下の問題も生じな−゛。囲ち、絶縁被橿層ケ設け、ここ
を型で支持するので、型で支持した部分がａ出しても、
ｅ鍬性の低下が少な−１゜
場合ありノも含めて称するものとする。 曲は本発明に係わる絶縁被覆層であり、支持板（１１１
の他端の肉薄部（１１ｂＪに第２因に示す９０く塗布さ
れたポリイミド系樹脂層から成る。ポリイミド系樹脂は
、金属との接着力、エポキシ衝脂との接着力、絶縁耐圧
、耐熱性の−・ずれにも優れた！ＩＢ脂であり、本発明
の目的に合致した絶縁物である。 なお、ポリイミドｊＶ１１樹脂とは１分子式がで表わさ
れるポリイミド系樹脂と、こ几を変形させた分子式で表
わさ几ろ樹脂の総称である。換言すると、ポリイミド系
樹脂は、主鎖中にイミド結台を有する鎖状構造高分子物
質である。二の梅の物質の１櫓である信越シリコーン（
株）製のＫＪＲ−６５１Ｌ曲品名ノのプレポリマー溶液
（ワニス状で未硬化の溶液］を支持板ｑυの肉薄部（ｌ
ｌｂ）に塗布し、１５０℃１時間、続いて２５０℃３時
間の熱処理をすると、ポリマー化して硬化し、装置の【
ラバー状やゲル状ではない】樹脂層（厚さ約０．０５
ｍｍ ）から成るＩＩＡ緑倭桝層唆を得ることが出来る
。二の庫さは、支持板αυの肉薄部（１１ｂ）がｈｔば
０．６ｍｍであるので、これに比べると膜状の薄いもの
である。ＫＪＲ−６５１から得られた樹脂は、分子式が
矢のように表わされ、ポリイミド樹脂とシリコーン樹脂
の両方の性質奪合わゼもったようなポリイミド系の樹脂
である。 二の他に１日立化成工業を株ノ製のＰＩＱ＋商品名ノや
、デュポン社製のバイヤーＭＬ（部品名）なと、権々の
ポリイミド系樹脂が絶縁＠ １ ｍ ｕｔｉの形成のた
めに使用できる。 ＰＩＱの分子式は次の通りである。 バイヤーＭＬの分子式（ポリイミド樹脂そのもの）は次
の通りである。 なお、Ｒ（Ｒ，、Ｒ，、Ｒ１）は有機基で、芳香族基が
選ばれることが多い。 久ＶＣ，上面にペース及びエミッタ電極を有し、下面に
コレクタ電極を有するシリコンパワートランジスタチッ
プαηを第３図に示すよう九半田（図示せず）により支
持＆Ｕυに固着する。続−・て、チップＱ７）のベース
電極と外部リードＢ２ｂ）の間、及びチップＱηのエミ
ッタ電極と外部リードＬ１２ｃ）の間ヲ、超ｔａワイヤ
ーボンダーを用−・てそれぞｎＡｌ線から成る内部リー
ド（１８ａ）（１８ｂＪにより接続する。更に、千ツブ
αηをジャンクションフーティングレジン（１９（チッ
プ保護用の樹脂で、二の例ではシリコン樹脂〕で僅覆す
る。これにより、チップ・リード部材組立体四が完成す
る。 久に、第４図（Ａｌ６に示すように樹脂モールド用の金
型（樹脂封止用型）にチップ・リード部材組室体（ｌｌ
’ｔ−セットする。ＣＡＪは上部金型、 （Ｊｕｌは下
部金型で、これらを型締めするとキャビティ即ち５ｉ形
用空Ｆ９ＴＱ２が生じる。不実施ガでは、支持板Ｕυの
−熾側の外部リード（１２３月１２ｂ月１２ｃＪを金型
（４）（２）で挾持するのみでな（、支持板ａυの他鴻
の肉薄部（１１ｂＪに設けられた絶縁被覆層叫の部分も
金型（４）２ｖで挾持する。絶縁１４ｊＥ層四を挟持す
るために。 金型■の内壁の上面およびｇＩ４面からつい立伏に突出
する突起（２ｕａ）と金型Ｑυの内壁の下面および側面
からつい立伏に突出する突起（２）ａＪとが設けられて
いる。なお、肉薄部（１１ｂＪが二叉に分かれて−・る
ので、二の二叉の両方九対応丁べ（突起（２０ａＪ（２
）ａ）もそ几ぞれ２カ所に形成されて−・る。要するに
、第６図の凹部（２５１（至）＠（至）に対応するよう
に４つの突起１１！Ｑｃ２）ａ）が設けられて−゛る。 支持板ａυの−ｍ ’ａｌの外部リードＬ１２ａＪ（１
２ｂＪ［１２ｃ）と他端側の絶縁被榎層叫の部分とを金
型（４）ＱＤで叉持丁れば。 両持ち状態になるので、支持板Ｉの肉厚部ｔｌｌａ）は
成形空Ｆ９Ｔの中に浮（・た状態となり、成形空所−の
底（下部金型Ｔ２Ｄの凹部の底面〕と肉厚部（１１ａＪ
の下面との間に１ｍｍ以下の例えば約０．４ ｍｍの間
隙を安定的に得ることが出来、後の工程で樹脂を注入し
ても上記間隙のｆ動が殆んど生じな−・０金型（４）に
は％第６因の取付孔（至）を形成するための円柱状ビン
Ｌ２ｕｂＪが形成されており、支持板の凹部（１５１χ
Ｘ通して−゛る。また金型−には仕切り状の突出部（２
Ｕｃ）が形成されており、二の突出部（２ｕｃ）は、後
の樹脂注入の際に支持板の肉厚部（１１ａＪの裏面側に
樹脂の来光てんが発生するのを防止するように働（。■
はゲート（成形樹脂の注入口］である。 次ニ、公知のトランスファモールド法に基ツー゛て、加
熱されて粘液状となった熱硬化性エポキシ樹脂をゲート
Ω′ｌｔ通じて成形空所の内に圧入・光てんする。金ｍ
ｗ ２）＋は樹脂χ熱硬化させる温度【１５０〜２０
０℃）九加熱さ几ており、圧入・充てんされた樹脂は短
時間（数分以内）の内に熱硬化し、第５図［Ａｌ （８
１に示すように成形樹脂体（２４が形成される。 次に、金型ＣＡＪｕυの型締めを解−・て、成形樹脂体
ｃ！４１を有するチットリード部材組立体を金型ｃｑｃ
ｉ＋から収り外し、成形樹脂体ＣＩ’４１を完全に熱硬
化させるために更に長時間の熱処理ン行い、′Ｒ後にタ
イバーａ３および共通接続細条ｕ４１’ｖプレス切断で
除去して、 第６図のパワートランジスタχ完成させる
。 ＋２５１＠は、金型（４）の２カ所に形成された突起（
２０ａＪにそれぞれ対応して形成された凹部である。面
間は、金型のの２カ所に形成された突起［２）ａ）にそ
ｎぞｎ対応して形成された凹部である。これ等の凹部四
〜（至）の中に支持板肉薄部［１１ｂＪの上下両面の絶
縁被覆層ａｅの一部が露出している。肉薄部分（１１ｂ
Ｊの先端には成形樹脂体（至）が付着されて−・る。 （支）は金型■の突出部（２０ＣＪに対応して形成され
た溝状の凹部である。田は、金型■の円筒状ビン（２０
ｂ）に対応して形成さｎたもので、二のパワートランジ
スタを外部放熱体に取付けるときにネジ等を通すための
取付孔である。 二のパワートランジスタでは、成形樹脂体！２４１は、
凹部■〜＠にお−・て、支持板の肉薄部口ｌｂ）を完全
に被僅していＴ（ｖ。しかし、ここには第７図から明ら
かな如（絶縁耐圧の優ｎたポリイミド系樹脂層から成る
絶縁被覆層叫が投げら几て−・るので。 支持板の肉薄部（１１ｂＪが外部に直接に露出せず。 杷鰍小良や慢絡ル故が生じな−・。しかも、支角板の肉
ｉ導部Ｂ１ｂＪ’を金型で挾持するよ５ＶＬｌ、たため
。 凹部５〜露に４出する絶縁破１１すから成形樹脂体＠の
下口に至るまでの距廂がある程度【例えば２ｍｍＪ確保
されており、支持仮住υと成形樹脂体ｃ！４１の底部に
接するように配される外部放熱体（図示せず）との間に
十分な１１ｇ縁耐圧が得らｎる。 本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、９１
１えば、久の変形例をとり得るものである。 Ｉａｌ 第８図に示す如（、支持＆μυの肉薄部（１
１ｂＪ馨肉厚１（１１ａＪよりも高クシ、二の下面に絶
縁僚覆泗Ｌ１６ａ）を設け、ここを金型３ｖにビン状突
起（２ｔ２）で支持し、且つ支持板Ｕυの上面にも絶に
破６１層ｔ１６ｂ）馨設け、ここを金力■のビン拭災起
（２ＵａＪで押え付けるようにしてもよ一部。これによ
り、成形樹脂体国突起（２）＋３ハ２）ａ）に対しＥ、
した孔が生じるが、成形樹脂体の上面及び下面からの孔
の深さが大になり、絶縁性が良くなる。 （ｂｌ 第９図に示す如く、支持板Ｕυの肉薄部１ｂ
）の下面１ＩｌＩｌにのみ絶縁僚檀層Ｕ−を設け、ここ
ケ矢起（２）ａＪで支持し、上の突起（２０ａ） ｋＺ
肉薄５（１１ｂＪに直接に接するようにしてもよい。筐
た、第１図〜第７図の場合えお−・でも、肉薄部（１ｘ
ｂＪの下面九のみ絶縁被榎ｍｕ−を設け、と而には設け
な−゛ようにしてもよ一部。二の碌な場＠、成形樹脂体
内の底面に密着配置される外部放熱体九対して支持板ａ
υの下面側は絶鰍核ａ＃（１−のため九十分な杷鍬注を
有する。支持板Ｕυの上面九−出部分が生じるが、ここ
と外部放熱体との沿面距ｇＩは十分に大さくすることが
出来るので、必要なＩｅ鍬耐圧ン容易に得ることが出来
る。 ［ｃｌ 絶縁被覆層９口１布によって形成せず罠、ポ
リイミド系樹脂フィルムを接看剤にて貼り付けることに
よって設けてもよ１ｍ’。 ＋ｄｌ 絶嫌被榎層霞を、支持板（Ｉｌｌに対するチ
ップＵηの固！、及び内部リード（１８ａハ１８ｂ）の
ボンディングの後で形成してもよ−゛。 （ｅｌ 金型を３以上に分割した構成としてもより・
。 ｌｆｌ 樹脂注入時における支持＆αυの偏りの方向
が特定されて−・る場合には、支持＆ａυの型刃又は地
方の主面の内の１つの主面の位置のみを制限するように
金型乞形成してもよ−・。 〔発明の効果〕 上述から明らかな如（、本発明によれば、放熱支持板・
を成形用ルに支持するための細条を設けることが不要に
なり、且つ二の細条を切断した伏の残Ｓによる絶縁性低
下の問題も生じな−゛。囲ち、絶縁被橿層ケ設け、ここ
を型で支持するので、型で支持した部分がａ出しても、
ｅ鍬性の低下が少な−１゜
第１図は本発明の実施例に係わる樹脂封止型子４体装置
のリードフレームケ示すｆ＋視図、第２図は第１１にの
一部を示す拡大断面図、第３図は第１図のリードフレー
ムに牛得体チップケ固漸し且つ内部リードをボンディン
グすることによって得られたチップ・リード部材組立体
の−ｓ”ｒ示す平１図、第４因（Ａｌｋｓ第３図＜７”
） ＩＶ Ａ −ＩＶ Ａ＃ＫＮ”ＴｈＴｂ部分のチッ
プ・リード部材組立体と金型との断面図、＠４図（Ｂｌ
は第３図のＩＶＢ−ＩＶＢ巌に相当する部分のチップ・
リード部材組立体と金型との断面図、第５図（Ｎは金力
に樹脂乞注入した状態を示す第４図（Ｎに対応する部分
の断面図、第５図（Ｂｌは金型に樹脂を注入した状態を
示す第４図（８１に対応する部分の断面図、第６図は完
成したトランジスタを示す斜視図、第７図は第６図のト
ランジスタの−ｓ馨示す平面図、第８図及び第９因は変
形例の金製とチップ・リード部材組立体とを示す断面図
。 第１０図は従来のトランジスタな示す斜視図であるＯ ａＯ・・・チップ・リード部材組立体、ａＯ・・・支持
板、（１１ｂＪ・・・肉薄部、 ＋１２ａＪ−支持体
接続用外部リード、 （１２ｂＪ（１２Ｃノ・・・チッ
プ接続用外部リード、ｔｉＩｊ・・・絶縁ｉｓｍ、（ｌ
η・・・チップ、 （１８ａｌＬ１８ｂ）・・・内部リ
ード、四（Ｊｌ） −・・金１！ｌ 、 （２０ａＪ
（２）ａＪ・・・突起、■・・・成形空所、（２）・・
・成形樹脂体、（２５１１〜漫・・・凹部。 代 理 人 高 野 則 久第５図（Ａ）
のリードフレームケ示すｆ＋視図、第２図は第１１にの
一部を示す拡大断面図、第３図は第１図のリードフレー
ムに牛得体チップケ固漸し且つ内部リードをボンディン
グすることによって得られたチップ・リード部材組立体
の−ｓ”ｒ示す平１図、第４因（Ａｌｋｓ第３図＜７”
） ＩＶ Ａ −ＩＶ Ａ＃ＫＮ”ＴｈＴｂ部分のチッ
プ・リード部材組立体と金型との断面図、＠４図（Ｂｌ
は第３図のＩＶＢ−ＩＶＢ巌に相当する部分のチップ・
リード部材組立体と金型との断面図、第５図（Ｎは金力
に樹脂乞注入した状態を示す第４図（Ｎに対応する部分
の断面図、第５図（Ｂｌは金型に樹脂を注入した状態を
示す第４図（８１に対応する部分の断面図、第６図は完
成したトランジスタを示す斜視図、第７図は第６図のト
ランジスタの−ｓ馨示す平面図、第８図及び第９因は変
形例の金製とチップ・リード部材組立体とを示す断面図
。 第１０図は従来のトランジスタな示す斜視図であるＯ ａＯ・・・チップ・リード部材組立体、ａＯ・・・支持
板、（１１ｂＪ・・・肉薄部、 ＋１２ａＪ−支持体
接続用外部リード、 （１２ｂＪ（１２Ｃノ・・・チッ
プ接続用外部リード、ｔｉＩｊ・・・絶縁ｉｓｍ、（ｌ
η・・・チップ、 （１８ａｌＬ１８ｂ）・・・内部リ
ード、四（Ｊｌ） −・・金１！ｌ 、 （２０ａＪ
（２）ａＪ・・・突起、■・・・成形空所、（２）・・
・成形樹脂体、（２５１１〜漫・・・凹部。 代 理 人 高 野 則 久第５図（Ａ）
Claims (2)
- （１）放熱機能および電気伝導機能を有するように形成
された支持板と、前記支持板の一方の主表面上に固着さ
れた半導体チップと、前記支持板の一端に連結された支
持板接続用外部リードと、前記半導体チップに内部リー
ドを介して又は介さずに接続された少なくとも１本のチ
ップ接続用外部リードとを少なくとも具備しているチッ
プ・リード部材組立体を構成し、二の組立体における前
記支持板接続用及びチップ接続用外部リードの導出部を
除いた部分の全部又はほぼ全部を成形樹脂体で被覆し、
前記支持体の他方の主面側にも薄い成形樹脂層を設ける
構造の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 前記支持板の一方及び１／又は他方の主面の少なくとも
一部に絶縁被覆層を予め設けた前記チップ・リード部材
・組立体を用意する工程と、 前記組立体を樹脂封止用型の成形空所内に配置すると共
に、前記支持板接続用及びチップ接続用外部リードの一
部を前記型で支持し且つ前記支持板の他方の主面に前記
絶縁被覆層を介して前記型の一部を当接させ、前記支持
板の一方の主面に前記絶縁被覆層を介して又は介さずに
前記型の一部を当接させるか、又は前記支持板の一方及
び他方の主面の内の１つの主面にのみ前記絶縁被覆層を
介して前記型を接触させる工程と、 前記成形空所内に液状の樹脂を注入して固化させること
によつて成形樹脂体を形成する工程とを有することを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （２）前記成形樹脂体は、前記支持体の他方の表面側の
樹脂層が厚み１ｍｍ以下となるように形成されたもので
ある特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207727A JPS6185828A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207727A JPS6185828A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1062951A Division JPH0744195B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185828A true JPS6185828A (ja) | 1986-05-01 |
| JPH0213461B2 JPH0213461B2 (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=16544539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207727A Granted JPS6185828A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6185828A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100759A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| CN102672141A (zh) * | 2012-05-31 | 2012-09-19 | 昆山拓安塑料制品有限公司 | 一种多功能led散热支撑架铝合金压铸模具 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP59207727A patent/JPS6185828A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100759A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| JP4549171B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-09-22 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置 |
| CN102672141A (zh) * | 2012-05-31 | 2012-09-19 | 昆山拓安塑料制品有限公司 | 一种多功能led散热支撑架铝合金压铸模具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213461B2 (ja) | 1990-04-04 |
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