JPH0213461B2 - - Google Patents
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- JPH0213461B2 JPH0213461B2 JP59207727A JP20772784A JPH0213461B2 JP H0213461 B2 JPH0213461 B2 JP H0213461B2 JP 59207727 A JP59207727 A JP 59207727A JP 20772784 A JP20772784 A JP 20772784A JP H0213461 B2 JPH0213461 B2 JP H0213461B2
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パワートランジスタ、電力用ダイオ
ード等の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
ード等の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
従来の一般的な電力用樹脂封止型半導体装置に
おいては、半導体チツプが固着された支持板の裏
面には成形樹脂が形成されていない。このため、
この半導体装置を外部放熱体に取付けるに際して
は、外部放熱体との間にマイカ板等の絶縁シート
を介在させなければならず、取付作業が煩雑にな
つた。この種の欠点を解決するために、支持板の
裏面にも成形樹脂を形成する方法が提案されてい
る（特開昭57−147260号公報）。ここに開示され
ている方法によれば、金型によつて外部リードを
保持するのみでなく、外部リードの反対側に導出
された細条も金型で支持する。この結果、金型の
成形空所内におけるチツプ支持板の位置が安定
し、チツプ支持板の裏面に封止樹脂層を形成する
ことが出来る。
おいては、半導体チツプが固着された支持板の裏
面には成形樹脂が形成されていない。このため、
この半導体装置を外部放熱体に取付けるに際して
は、外部放熱体との間にマイカ板等の絶縁シート
を介在させなければならず、取付作業が煩雑にな
つた。この種の欠点を解決するために、支持板の
裏面にも成形樹脂を形成する方法が提案されてい
る（特開昭57−147260号公報）。ここに開示され
ている方法によれば、金型によつて外部リードを
保持するのみでなく、外部リードの反対側に導出
された細条も金型で支持する。この結果、金型の
成形空所内におけるチツプ支持板の位置が安定
し、チツプ支持板の裏面に封止樹脂層を形成する
ことが出来る。
しかし、上記公報に開示されている方法では、
支持のために導出した細条を、成形後に切断する
と、第１０図に示す如く、細条残部１が成形樹脂
体２から突出し、ここが成形樹脂体２内のチツプ
支持板と同電位になるので、絶縁不良、短絡事故
が発生し易い。この細条残部１の突出部をエツチ
ングで除去する方法等も考えられるが、根本的な
解決策とならない。
支持のために導出した細条を、成形後に切断する
と、第１０図に示す如く、細条残部１が成形樹脂
体２から突出し、ここが成形樹脂体２内のチツプ
支持板と同電位になるので、絶縁不良、短絡事故
が発生し易い。この細条残部１の突出部をエツチ
ングで除去する方法等も考えられるが、根本的な
解決策とならない。
そこで、本発明の目的は、支持板の裏面に成形
樹脂層を薄く形成することが出来ると共に、外部
リードの導出部以外の部分の絶縁性が高い樹脂封
止型半導体装置を容易に製造することが出来る方
法を提供することにある。
樹脂層を薄く形成することが出来ると共に、外部
リードの導出部以外の部分の絶縁性が高い樹脂封
止型半導体装置を容易に製造することが出来る方
法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、放熱機能
および電気伝導機能を有するように形成された支
持板と、前記支持板の一方の主表面上に固着され
た半導体チツプと、前記支持板の一端に連結され
た支持板接続用外部リードと、前記半導体チツプ
に内部リードを介して又は介さずに接続された少
なくとも１本のチツプ接続用外部リードとを少な
くとも具備しているチツプ・リード部材組立体を
構成し、この組立体における前記支持板接続用及
びチツプ接続用外部リードの導出部を除いた部分
の全部又はほぼ全部を成形樹脂体で被覆し、前記
支持体の他方の主面側にも薄い成形樹脂層を設け
る構造の樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、前記支持板の一方及び／又は他方の主面の少
なくとも一部にポリイミド系の樹脂から成る絶縁
被覆層を予め設けた前記チツプ・リード部材組立
体を用意する工程と、前記組立体を樹脂封止用型
の成形空所内に配置すると共に、前記支持板接続
用及びチツプ接続用外部リードの一部を前記型で
支持し且つ前記支持板の他方の主面に前記絶縁被
覆層を介して前記型の一部を当接させ、前記支持
板の一方の主面に前記絶縁被覆層を介して又は介
さずに前記型の一部を当接させるか、又は前記支
持板の一方及び他方の主面の内の１つの主面にの
み前記絶縁被覆層を介して前記型を接触させる工
程と、前記成形空所内に液状の樹脂を注入して固
化させることによつて成形樹脂体を形成する工程
とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装
置の製造方法に係わるものである。
および電気伝導機能を有するように形成された支
持板と、前記支持板の一方の主表面上に固着され
た半導体チツプと、前記支持板の一端に連結され
た支持板接続用外部リードと、前記半導体チツプ
に内部リードを介して又は介さずに接続された少
なくとも１本のチツプ接続用外部リードとを少な
くとも具備しているチツプ・リード部材組立体を
構成し、この組立体における前記支持板接続用及
びチツプ接続用外部リードの導出部を除いた部分
の全部又はほぼ全部を成形樹脂体で被覆し、前記
支持体の他方の主面側にも薄い成形樹脂層を設け
る構造の樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、前記支持板の一方及び／又は他方の主面の少
なくとも一部にポリイミド系の樹脂から成る絶縁
被覆層を予め設けた前記チツプ・リード部材組立
体を用意する工程と、前記組立体を樹脂封止用型
の成形空所内に配置すると共に、前記支持板接続
用及びチツプ接続用外部リードの一部を前記型で
支持し且つ前記支持板の他方の主面に前記絶縁被
覆層を介して前記型の一部を当接させ、前記支持
板の一方の主面に前記絶縁被覆層を介して又は介
さずに前記型の一部を当接させるか、又は前記支
持板の一方及び他方の主面の内の１つの主面にの
み前記絶縁被覆層を介して前記型を接触させる工
程と、前記成形空所内に液状の樹脂を注入して固
化させることによつて成形樹脂体を形成する工程
とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装
置の製造方法に係わるものである。
成形時に、支持板を外部リード部分のみで支持
せず、支持板の一方及び他方の主面の内の少なく
とも１つの面の位置を型によつて制限するので、
支持板の安定的支持が達成される。従つて、チツ
プ支持面と反対の面に薄い成形樹脂層を形成する
ことが出来る。また、支持板の位置を制限する部
分には樹脂が注入されないが、支持板の型当接面
に予め絶縁被覆層を設けるので、絶縁不良や短絡
事故が防止される。絶縁被覆層は、ポリイミド系
樹脂から成るので、絶縁耐圧の優れた層である
し、支持板及び成形樹脂体との接着力も良好であ
り、半導体チツプのボンデイング工程やワイヤボ
ンデイング工程や樹脂封止の工程などで行われる
加熱処理によつて劣化しないだけの耐熱性も有し
ている。したがつて、絶縁被覆層によつて絶縁不
良や短絡事故を防止する効果が大きく且つ確実で
ある。
せず、支持板の一方及び他方の主面の内の少なく
とも１つの面の位置を型によつて制限するので、
支持板の安定的支持が達成される。従つて、チツ
プ支持面と反対の面に薄い成形樹脂層を形成する
ことが出来る。また、支持板の位置を制限する部
分には樹脂が注入されないが、支持板の型当接面
に予め絶縁被覆層を設けるので、絶縁不良や短絡
事故が防止される。絶縁被覆層は、ポリイミド系
樹脂から成るので、絶縁耐圧の優れた層である
し、支持板及び成形樹脂体との接着力も良好であ
り、半導体チツプのボンデイング工程やワイヤボ
ンデイング工程や樹脂封止の工程などで行われる
加熱処理によつて劣化しないだけの耐熱性も有し
ている。したがつて、絶縁被覆層によつて絶縁不
良や短絡事故を防止する効果が大きく且つ確実で
ある。
次に、第１図〜第７図を参照して本発明の実施
例に係わる樹脂封止型パワートランジスタ及びそ
の製造方法について説明する。
例に係わる樹脂封止型パワートランジスタ及びそ
の製造方法について説明する。
まず、第１図に示すリードフレーム（トランジ
スタ１個分を示す、実際には多数個分が並列）を
用意する。図において、１１はNi被覆Cu板から
成る放熱支持板、１２ａは支持板１１の一端に連
結された支持板接続用外部リード、１２ｂ，１２
ｃはチツプのベースとエミツタに接続されるチツ
プ接続用外部リードである。なお、各外部リード
１２ａ，１２ｂ，１２ｃは支持板１１と同一材料
で形成されている。１３はリード同志を連結する
タイバー、１４はリード端を共通して連結する共
通接続細条、１５は取付孔を形成するために支持
板１１に設けられているＵ字状の凹部である。支
持板１１の凹部１５側の他端部は、肉薄部１１ｂ
となつており、主要な放熱経路となるのは肉厚部
１１ａである。なお、本発明における支持板と
は、肉厚部１１ａに相当する部分のみを指すので
はなく、これに続く肉薄部１１ｂに相当する部分
（リード状に引き出されたり、上方に偏位してい
る場合あり）も含めて称するものとする。
スタ１個分を示す、実際には多数個分が並列）を
用意する。図において、１１はNi被覆Cu板から
成る放熱支持板、１２ａは支持板１１の一端に連
結された支持板接続用外部リード、１２ｂ，１２
ｃはチツプのベースとエミツタに接続されるチツ
プ接続用外部リードである。なお、各外部リード
１２ａ，１２ｂ，１２ｃは支持板１１と同一材料
で形成されている。１３はリード同志を連結する
タイバー、１４はリード端を共通して連結する共
通接続細条、１５は取付孔を形成するために支持
板１１に設けられているＵ字状の凹部である。支
持板１１の凹部１５側の他端部は、肉薄部１１ｂ
となつており、主要な放熱経路となるのは肉厚部
１１ａである。なお、本発明における支持板と
は、肉厚部１１ａに相当する部分のみを指すので
はなく、これに続く肉薄部１１ｂに相当する部分
（リード状に引き出されたり、上方に偏位してい
る場合あり）も含めて称するものとする。
１６は本発明に係わる絶縁被覆層であり、支持
板１１の他端の肉薄部１１ｂに第２図に示す如く
塗布されたポリイミド系樹脂層から成る。ポリイ
ミド系樹脂は、金属との接着力、エポキシ樹脂と
の接着力、絶縁耐圧、耐熱性のいずれにも優れた
樹脂であり、本発明の目的に合致した絶縁物であ
る。
板１１の他端の肉薄部１１ｂに第２図に示す如く
塗布されたポリイミド系樹脂層から成る。ポリイ
ミド系樹脂は、金属との接着力、エポキシ樹脂と
の接着力、絶縁耐圧、耐熱性のいずれにも優れた
樹脂であり、本発明の目的に合致した絶縁物であ
る。
なお、ポリイミド系樹脂とは、分子式が
で表わされるポリイミド樹脂と、これを変形させ
た分子式で表わされる樹脂の総称である。換言す
ると、ポリイミド系樹脂は、主鎖中にイミド結合 を有する鎖状構造高分子物質である。この種の物
質の１種である信越シリコーン(株)製のKJR−651
（商品名）のプレポリマー溶液（ワニス状で未硬
化の溶液）を支持板１１の肉薄部１１ｂに塗布
し、150℃１時間、続いて250℃３時間の熱処理を
すると、ポリマー化して硬化し、硬質の（ラバー
状やゲル状ではない）樹脂層（厚さ約0.05mm）か
ら成る絶縁被覆層１６を得ることが出来る。この
厚さは、支持板１１の肉薄部１１ｂが例えば0.6
mmであるので、これに比べると膜状の薄いもので
ある。KJR−651から得られた樹脂は、分子式が
次のように表わされ、ポリイミド樹脂とシリコー
ン樹脂の両方の性質を合わせもつたようなポリイ
ミド系の樹脂である。
た分子式で表わされる樹脂の総称である。換言す
ると、ポリイミド系樹脂は、主鎖中にイミド結合 を有する鎖状構造高分子物質である。この種の物
質の１種である信越シリコーン(株)製のKJR−651
（商品名）のプレポリマー溶液（ワニス状で未硬
化の溶液）を支持板１１の肉薄部１１ｂに塗布
し、150℃１時間、続いて250℃３時間の熱処理を
すると、ポリマー化して硬化し、硬質の（ラバー
状やゲル状ではない）樹脂層（厚さ約0.05mm）か
ら成る絶縁被覆層１６を得ることが出来る。この
厚さは、支持板１１の肉薄部１１ｂが例えば0.6
mmであるので、これに比べると膜状の薄いもので
ある。KJR−651から得られた樹脂は、分子式が
次のように表わされ、ポリイミド樹脂とシリコー
ン樹脂の両方の性質を合わせもつたようなポリイ
ミド系の樹脂である。
この他に、日立化成工業(株)製のPIQ（商品名）
や、デユポン社製のパイヤーML（商品名）など、
種々のポリイミド系樹脂が絶縁被覆層１６の形成
のために使用できる。
や、デユポン社製のパイヤーML（商品名）など、
種々のポリイミド系樹脂が絶縁被覆層１６の形成
のために使用できる。
PIQの分子式は次の通りである。
パイヤーMLの分子式（ポリイミド樹脂そのも
の）は次の通りである。
の）は次の通りである。
なお、Ｒ（R1、R2、R3）は有機基で、芳香族基
が選ばれることが多い。
が選ばれることが多い。
次に、上面にベース及びエミツタ電極を有し、
下面にコレクタ電極を有するシリコーンパワート
ランジスタチツプ１７を第３図に示すように半田
（図示せず）により支持板１１に固着する。続い
て、チツプ１７のベース電極と外部リード１２ｂ
の間、及びチツプ１７のエミツタ電極と外部リー
ド１２ｃの間を、超音波ワイヤーボンダーを用い
てそれぞれAl線から成る内部リード１８ａ，１
８ｂにより接続する。更に、チツプ１７をジヤン
クシヨンコーテイングレジン１９（チツプ保護用
の樹脂で、この例ではシリコン樹脂）で被覆す
る。これにより、チツプ・リード部材組立体１０
が完成する。
下面にコレクタ電極を有するシリコーンパワート
ランジスタチツプ１７を第３図に示すように半田
（図示せず）により支持板１１に固着する。続い
て、チツプ１７のベース電極と外部リード１２ｂ
の間、及びチツプ１７のエミツタ電極と外部リー
ド１２ｃの間を、超音波ワイヤーボンダーを用い
てそれぞれAl線から成る内部リード１８ａ，１
８ｂにより接続する。更に、チツプ１７をジヤン
クシヨンコーテイングレジン１９（チツプ保護用
の樹脂で、この例ではシリコン樹脂）で被覆す
る。これにより、チツプ・リード部材組立体１０
が完成する。
次に、第４図Ａ，Ｂに示すように樹脂モールド
用の金型（樹脂封止用型）にチツプ・リード部材
組立体１０をセツトする。２０は上部金型、２１
は下部金型で、これらを型締めするとキヤビテイ
即ち成形用空所２２が生じる。本実施例では、支
持板１１の一端側の外部リード１２ａ，１２ｂ，
１２ｃを金型２０，２１で挾持するのみでなく、
支持板１１の他端の肉薄部１１ｂに設けられた絶
縁被覆層１６の部分も金型２０，２１で挾持す
る。絶縁被覆層１６を挾持するために、金型２０
の内壁の上面および側面からつい立状に突出する
突起２０ａと金型２１の内壁の下面および側面か
らつい立状に突出する突起２１ａとが設けられて
いる。なお、肉薄部１１ｂが二又に分かれている
ので、この二又の両方に対応すべく突起２０ａ，
２１ａもそれぞれ２ケ所に形成されている。要す
るに、第６図の凹部２５，２６，２７，２８に対
応するように４つの突起２０，２１ａが設けられ
ている。支持板１１の一端側の外部リード１２
ａ，１２ｂ，１２ｃと他端側の絶縁被覆層１６の
部分とを金型２０，２１で支持すれば、両持ち状
態になるので、支持板１１の肉厚部１１ａは成形
空所２２中に浮いた状態となり、成形空所２２の
底（下部金型２１の凹部の底面）と肉薄部１１ａ
の下面との間に１mm以下の例えば約0.4mmの間隙
を安定的に得ることが出来、後の工程で樹脂を注
入しても上記間隙の変動が殆んど生じない。
用の金型（樹脂封止用型）にチツプ・リード部材
組立体１０をセツトする。２０は上部金型、２１
は下部金型で、これらを型締めするとキヤビテイ
即ち成形用空所２２が生じる。本実施例では、支
持板１１の一端側の外部リード１２ａ，１２ｂ，
１２ｃを金型２０，２１で挾持するのみでなく、
支持板１１の他端の肉薄部１１ｂに設けられた絶
縁被覆層１６の部分も金型２０，２１で挾持す
る。絶縁被覆層１６を挾持するために、金型２０
の内壁の上面および側面からつい立状に突出する
突起２０ａと金型２１の内壁の下面および側面か
らつい立状に突出する突起２１ａとが設けられて
いる。なお、肉薄部１１ｂが二又に分かれている
ので、この二又の両方に対応すべく突起２０ａ，
２１ａもそれぞれ２ケ所に形成されている。要す
るに、第６図の凹部２５，２６，２７，２８に対
応するように４つの突起２０，２１ａが設けられ
ている。支持板１１の一端側の外部リード１２
ａ，１２ｂ，１２ｃと他端側の絶縁被覆層１６の
部分とを金型２０，２１で支持すれば、両持ち状
態になるので、支持板１１の肉厚部１１ａは成形
空所２２中に浮いた状態となり、成形空所２２の
底（下部金型２１の凹部の底面）と肉薄部１１ａ
の下面との間に１mm以下の例えば約0.4mmの間隙
を安定的に得ることが出来、後の工程で樹脂を注
入しても上記間隙の変動が殆んど生じない。
金型２０には、第６図の取付孔３０を形成する
ための円柱状ピン２０ｂが形成されており、支持
板の凹部１５を貫通している。また金型２０には
仕切り状の突出部２０ｃが形成されており、この
突出部２０ｃは、後の樹脂注入の際に支持板の肉
厚部１１ａの裏面側に樹脂の未充てんが発生する
のを防止するように働く。２３はゲート（成形樹
脂の注入口）である。
ための円柱状ピン２０ｂが形成されており、支持
板の凹部１５を貫通している。また金型２０には
仕切り状の突出部２０ｃが形成されており、この
突出部２０ｃは、後の樹脂注入の際に支持板の肉
厚部１１ａの裏面側に樹脂の未充てんが発生する
のを防止するように働く。２３はゲート（成形樹
脂の注入口）である。
次に、公知のトランスフアモールド法に基づい
て、加熱されて粘液状となつた熱硬化性エポキシ
樹脂をゲート２３を通じて成形空所２２内に圧
入・充てんする。金型２０，２１は樹脂を熱硬化
させる温度（150〜200℃）に加熱されており、圧
入・充てんされた樹脂は短時間（数分以内）の内
に熱硬化し、第５図Ａ，Ｂに示すように成形樹脂
体２４が形成される。
て、加熱されて粘液状となつた熱硬化性エポキシ
樹脂をゲート２３を通じて成形空所２２内に圧
入・充てんする。金型２０，２１は樹脂を熱硬化
させる温度（150〜200℃）に加熱されており、圧
入・充てんされた樹脂は短時間（数分以内）の内
に熱硬化し、第５図Ａ，Ｂに示すように成形樹脂
体２４が形成される。
次に、金型２０，２１の型締めを解いて、成形
樹脂体２４を有するチツプ・リード部材組立体を
金型２０，２１から取り外し、成形樹脂体２４を
完全に熱硬化させるために更に長時間の熱処理を
行い、最後にタイバー１３および共通接続細条１
４をプレス切断で除去して、第６図のパワートラ
ンジスタを完成させる。２５，２６は、金型２０
の２ケ所に形成された突起２０ａにそれぞれ対応
して形成された凹部である。２７，２８は、金型
２１の２ケ所に形成された突起２１ａにそれぞれ
対応して形成された凹部である。これ等の凹部２
５〜２８の中に支持板肉薄部１１ｂの上下両面の
絶縁被覆層１６の一部が露出している。肉薄部分
１１ｂの先端には成形樹脂体２４が付着されてい
る。２９は金型２０の突出部２０ｃに対応して形
成された溝状の凹部である。３０は金型２０の円
筒状ピン２０ｂに対応して形成されたもので、こ
のパワートランジスタを外部放熱体に取付けると
きにネジ等を通すための取付孔である。
樹脂体２４を有するチツプ・リード部材組立体を
金型２０，２１から取り外し、成形樹脂体２４を
完全に熱硬化させるために更に長時間の熱処理を
行い、最後にタイバー１３および共通接続細条１
４をプレス切断で除去して、第６図のパワートラ
ンジスタを完成させる。２５，２６は、金型２０
の２ケ所に形成された突起２０ａにそれぞれ対応
して形成された凹部である。２７，２８は、金型
２１の２ケ所に形成された突起２１ａにそれぞれ
対応して形成された凹部である。これ等の凹部２
５〜２８の中に支持板肉薄部１１ｂの上下両面の
絶縁被覆層１６の一部が露出している。肉薄部分
１１ｂの先端には成形樹脂体２４が付着されてい
る。２９は金型２０の突出部２０ｃに対応して形
成された溝状の凹部である。３０は金型２０の円
筒状ピン２０ｂに対応して形成されたもので、こ
のパワートランジスタを外部放熱体に取付けると
きにネジ等を通すための取付孔である。
このパワートランジスタでは、成形樹脂体２４
は、凹部２５〜２８において、支持板の肉薄部１
１ｂを完全に被覆していない。しかし、ここには
第７図から明らかな如く絶縁耐圧の優れたポリイ
ミド系樹脂層から成る絶縁被覆層１６が設けられ
ているので、支持板の肉薄部１１ｂが外部に直接
に露出せず、絶縁不良や短絡事故が生じない。し
かも、支持板の肉薄部１１ｂを金型で挾持するよ
うにしたため、凹部２５〜２８に露出する絶縁被
覆層１６から成形樹脂体２４の下面に至るまでの
距離がある程度（例えば２mm）確保されており、
支持板１１と成形樹脂体２４の底部に接するよう
に配される外部放熱体（図示せず）との間に十分
な絶縁耐圧が得られる。
は、凹部２５〜２８において、支持板の肉薄部１
１ｂを完全に被覆していない。しかし、ここには
第７図から明らかな如く絶縁耐圧の優れたポリイ
ミド系樹脂層から成る絶縁被覆層１６が設けられ
ているので、支持板の肉薄部１１ｂが外部に直接
に露出せず、絶縁不良や短絡事故が生じない。し
かも、支持板の肉薄部１１ｂを金型で挾持するよ
うにしたため、凹部２５〜２８に露出する絶縁被
覆層１６から成形樹脂体２４の下面に至るまでの
距離がある程度（例えば２mm）確保されており、
支持板１１と成形樹脂体２４の底部に接するよう
に配される外部放熱体（図示せず）との間に十分
な絶縁耐圧が得られる。
本発明は上述の実施例に限定されるものではな
く、例えば、次の変形例をとり得るものである。
く、例えば、次の変形例をとり得るものである。
(a) 第８図に示す如く、支持板１１の肉薄部１１
ｂを肉厚部１１ａよりも高くし、この下面に絶
縁被覆層１６ａを設け、ここを金型２１にピン
状突起２１ａで支持し、且つ支持板１１の上面
にも絶縁被覆層１６ｂを設け、ここを金型２０
のピン状突起２０ａで押え付けるようにしても
よい。これにより、成形樹脂体に突起２０ａ，
２１ａに対応した孔が生じるが、成形樹脂体の
上面及び下面からの孔の深さが大になり、絶縁
性が良くなる。
ｂを肉厚部１１ａよりも高くし、この下面に絶
縁被覆層１６ａを設け、ここを金型２１にピン
状突起２１ａで支持し、且つ支持板１１の上面
にも絶縁被覆層１６ｂを設け、ここを金型２０
のピン状突起２０ａで押え付けるようにしても
よい。これにより、成形樹脂体に突起２０ａ，
２１ａに対応した孔が生じるが、成形樹脂体の
上面及び下面からの孔の深さが大になり、絶縁
性が良くなる。
(b) 第９図に示す如く、支持板１１の肉薄部１１
ｂの下面側にのみ絶縁被覆層１６を設け、ここ
を突起２１ａで支持し、上の突起２０ａは肉薄
部１１ｂに直接に接するようにしてもよい。ま
た、第１図〜第７図の場合においても、肉薄部
１１ｂの下面にのみ絶縁被覆層１６を設け、上
面には設けないようにしてもよい。この様な場
合、成形樹脂体２４の底面に密着配置される外
部放熱体に対して支持板１１の下面側は絶縁被
覆層１６のために十分な絶縁性を有する。支持
板１１の上面に露出部分が生じるが、ここと外
部放熱体との沿面距離は十分に大きくすること
が出来るので、必要な絶縁耐圧を容易に得るこ
とが出来る。
ｂの下面側にのみ絶縁被覆層１６を設け、ここ
を突起２１ａで支持し、上の突起２０ａは肉薄
部１１ｂに直接に接するようにしてもよい。ま
た、第１図〜第７図の場合においても、肉薄部
１１ｂの下面にのみ絶縁被覆層１６を設け、上
面には設けないようにしてもよい。この様な場
合、成形樹脂体２４の底面に密着配置される外
部放熱体に対して支持板１１の下面側は絶縁被
覆層１６のために十分な絶縁性を有する。支持
板１１の上面に露出部分が生じるが、ここと外
部放熱体との沿面距離は十分に大きくすること
が出来るので、必要な絶縁耐圧を容易に得るこ
とが出来る。
(c) 絶縁被覆層１６を塗布によつて形成せずに、
ポリイミド系樹脂フイルムを接着剤にて貼り付
けることによつて設けてもよい。
ポリイミド系樹脂フイルムを接着剤にて貼り付
けることによつて設けてもよい。
(d) 絶縁被覆層１６を、支持板１１に対するチツ
プ１７の固着、及び内部リード１８ａ，１８ｂ
のボンデイングの後で形成してもよい。
プ１７の固着、及び内部リード１８ａ，１８ｂ
のボンデイングの後で形成してもよい。
(e) 金型を３以上に分割した構成としてもよい。
(f) 樹脂注入時における支持板１１の偏りの方向
が特定されている場合には、支持板１１の一方
又は他方の主面の内の１つの主面の位置のみを
制限するように金型を形成してもよい。
が特定されている場合には、支持板１１の一方
又は他方の主面の内の１つの主面の位置のみを
制限するように金型を形成してもよい。
上述から明らかな如く、本発明によれば、支持
板の位置を安定させるための細条を支持板に形成
しなくても支持板の裏面に薄い樹脂層を厚み精度
良く形成できる。また、外部リードの導出部以外
の部分において支持板と外部との絶縁性が高い樹
脂封止型半導体装置を容易に提供することができ
る。
板の位置を安定させるための細条を支持板に形成
しなくても支持板の裏面に薄い樹脂層を厚み精度
良く形成できる。また、外部リードの導出部以外
の部分において支持板と外部との絶縁性が高い樹
脂封止型半導体装置を容易に提供することができ
る。
第１図は本発明の実施例に係わる樹脂封止型半
導体装置のリードフレームを示す斜視図、第２図
は第１図の一部を示す拡大断面図、第３図は第１
図のリードフレームに半導体チツプを固着し且つ
内部リードをボンデイングすることによつて得ら
れたチツプ・リード部材組立体の一部を示す平面
図、第４図Ａは第３図Ａ−Ａ線に相当する部
分のチツプ・リード部材組立体と金型との断面
図、第４図Ｂは第３図のＢ−Ｂ線に相当する
部分のチツプ・リード部材組立体と金型との断面
図、第５図Ａは金型に樹脂を注入した状態を示す
第４図Ａに対応する部分の断面図、第５図Ｂは金
型に樹脂を注入した状態を示す第４図Ｂに対応す
る部分の断面図、第６図は完成したトランジスタ
を示す斜視図、第７図は第６図のトランジスタの
一部を示す平面図、第８図及び第９図は変形例の
金型とチツプ・リード部材組立体とを示す断面
図、第１０図は従来のトランジスタを示す斜視図
である。 １０……チツプ・リード部材組立体、１１……
支持板、１１ｂ……肉薄部、１２ａ……支持体接
続用外部リード、１２ｂ，１２ｃ……チツプ接続
用外部リード、１６……絶縁被覆層、１７……チ
ツプ、１８ａ，１８ｂ……内部リード、２０，２
１……金型、２０ａ，２１ａ……突起、２２……
成形空所、２４……成形樹脂体、２５〜２８……
凹部。
導体装置のリードフレームを示す斜視図、第２図
は第１図の一部を示す拡大断面図、第３図は第１
図のリードフレームに半導体チツプを固着し且つ
内部リードをボンデイングすることによつて得ら
れたチツプ・リード部材組立体の一部を示す平面
図、第４図Ａは第３図Ａ−Ａ線に相当する部
分のチツプ・リード部材組立体と金型との断面
図、第４図Ｂは第３図のＢ−Ｂ線に相当する
部分のチツプ・リード部材組立体と金型との断面
図、第５図Ａは金型に樹脂を注入した状態を示す
第４図Ａに対応する部分の断面図、第５図Ｂは金
型に樹脂を注入した状態を示す第４図Ｂに対応す
る部分の断面図、第６図は完成したトランジスタ
を示す斜視図、第７図は第６図のトランジスタの
一部を示す平面図、第８図及び第９図は変形例の
金型とチツプ・リード部材組立体とを示す断面
図、第１０図は従来のトランジスタを示す斜視図
である。 １０……チツプ・リード部材組立体、１１……
支持板、１１ｂ……肉薄部、１２ａ……支持体接
続用外部リード、１２ｂ，１２ｃ……チツプ接続
用外部リード、１６……絶縁被覆層、１７……チ
ツプ、１８ａ，１８ｂ……内部リード、２０，２
１……金型、２０ａ，２１ａ……突起、２２……
成形空所、２４……成形樹脂体、２５〜２８……
凹部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放熱機能および電気伝導機能を有するように
形成された支持板と、前記支持板の一方の主表面
上に固着された半導体チツプと、前記支持板の一
端に連結された支持板接続用外部リードと、前記
半導体チツプに内部リードを介して又は介さずに
接続された少なくとも１本のチツプ接続用外部リ
ードとを少なくとも具備しているチツプ・リード
部材組立体を構成し、この組立体における前記支
持板接続用及びチツプ接続用外部リードの導出部
を除いた部分の全部又はほぼ全部を成形樹脂体で
被覆し、前記支持体の他方の主面側にも薄い成形
樹脂層を設ける構造の樹脂封止型半導体装置の製
造方法において、 前記支持板の一方及び／又は他方の主面の少な
くとも一部にポリイミド系樹脂から成る絶縁被覆
層を予め設けた前記チツプ・リード部材組立体を
用意する工程と、 前記組立体を樹脂封止用型の成形空所内に配置
すると共に、前記支持板接続用及びチツプ接続用
外部リードの一部を前記型で支持し且つ前記支持
板の他方の主面に前記絶縁被覆層を介して前記型
の一部を当接させ、前記支持板の一方の主面に前
記絶縁被覆層を介して又は介さずに前記型の一部
を当接させるか、又は前記支持板の一方及び他方
の主面の内の１つの主面にのみ前記絶縁被覆層を
介して前記型を接触させる工程と、 前記成形空所内に液状の樹脂を注入して固化さ
せることによつて成形樹脂体を形成する工程とを
有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 ２ 前記成形樹脂体は、前記支持体の他方の表面
側の樹脂層が厚み１mm以下となるように形成され
たものである特許請求の範囲第１項記載の樹脂封
止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207727A JPS6185828A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207727A JPS6185828A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1062951A Division JPH0744195B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185828A JPS6185828A (ja) | 1986-05-01 |
| JPH0213461B2 true JPH0213461B2 (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=16544539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207727A Granted JPS6185828A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6185828A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4549171B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-09-22 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置 |
| CN102672141B (zh) * | 2012-05-31 | 2014-02-26 | 昆山拓安塑料制品有限公司 | 一种多功能led散热支撑架铝合金压铸模具 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP59207727A patent/JPS6185828A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6185828A (ja) | 1986-05-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |