JPS61219143A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61219143A JPS61219143A JP5996085A JP5996085A JPS61219143A JP S61219143 A JPS61219143 A JP S61219143A JP 5996085 A JP5996085 A JP 5996085A JP 5996085 A JP5996085 A JP 5996085A JP S61219143 A JPS61219143 A JP S61219143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- semiconductor device
- distance
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
第3図及び第4図に従来の樹脂封止形半導体装置の平面
図及び第3図A−A’線による断面図を示した。第4図
から明らかなように樹脂封止形半導体装置の絶縁部1は
リードフレーム2の直下に樹脂が一様な厚みを持たせた
構造とし、樹脂による絶縁性を図っている。絶縁部1と
して一様な樹脂厚を達成するために、リードフレーム2
の前部3(支持部と略記する)及び外部リード4を成型
金製で圧接させる方法を採用している。第5図は従来技
術により半導体装置を搭載したリードフレームを成形金
型内に設置した断面図である。リードフレーム2の前部
3にあたる金属部と一体成形されているリードフレーム
支持体7及び外部リード4とを上部、下部の両金凰8,
9にて固定しているこの状態で樹脂封止すると第2図に
示す樹脂封止形半導体装置が得られる。
図及び第3図A−A’線による断面図を示した。第4図
から明らかなように樹脂封止形半導体装置の絶縁部1は
リードフレーム2の直下に樹脂が一様な厚みを持たせた
構造とし、樹脂による絶縁性を図っている。絶縁部1と
して一様な樹脂厚を達成するために、リードフレーム2
の前部3(支持部と略記する)及び外部リード4を成型
金製で圧接させる方法を採用している。第5図は従来技
術により半導体装置を搭載したリードフレームを成形金
型内に設置した断面図である。リードフレーム2の前部
3にあたる金属部と一体成形されているリードフレーム
支持体7及び外部リード4とを上部、下部の両金凰8,
9にて固定しているこの状態で樹脂封止すると第2図に
示す樹脂封止形半導体装置が得られる。
上述した従来の樹脂封止形半導体装置はリードフレーム
支持体7と外部リード4の固定によりリードフレーム直
下の樹脂の厚さを一様にすることができるが、支持部7
は成製後樹脂の外側部で切断された形となっているので
、その端部は樹脂外に露出することになる。従って、放
熱板取付時に支持部と放熱板との間で沿面距離が不十分
に原因し、絶縁耐圧を確保することが困難であるという
欠点があっ念。
支持体7と外部リード4の固定によりリードフレーム直
下の樹脂の厚さを一様にすることができるが、支持部7
は成製後樹脂の外側部で切断された形となっているので
、その端部は樹脂外に露出することになる。従って、放
熱板取付時に支持部と放熱板との間で沿面距離が不十分
に原因し、絶縁耐圧を確保することが困難であるという
欠点があっ念。
本発明は前記従来技術の欠点を除去し、支持部と放熱板
との沿面距離を確保し、電子機器装着時に要求される絶
縁耐圧を保証する樹脂封止形半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
との沿面距離を確保し、電子機器装着時に要求される絶
縁耐圧を保証する樹脂封止形半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法は、半導体素
子を搭載した樹脂封止形半導体装置用のリードフレーム
の側面部に凹状のくぼみ部を形成し、成形金型内に摺動
可能なる如く設置された支持体により前記、リードフレ
ームの凹状のくぼみ部を支持し、かつリードフレームの
端部、すなわち外部リードの端部を成形金型にて固定し
て樹脂封止成形することを特徴として構成される。
子を搭載した樹脂封止形半導体装置用のリードフレーム
の側面部に凹状のくぼみ部を形成し、成形金型内に摺動
可能なる如く設置された支持体により前記、リードフレ
ームの凹状のくぼみ部を支持し、かつリードフレームの
端部、すなわち外部リードの端部を成形金型にて固定し
て樹脂封止成形することを特徴として構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を説明するための成型金製の
内部断面図である。
内部断面図である。
第1図に示すように、リードフレーム2の前部3にあた
る金属部の側面に形成された凹部に対し、成形金型に設
置された摺動可能なる支持体10を装着する。支持体は
棒でも板でもよく、また複数個であってもよい。なお外
部リード4は従来技術と同様に金製にて支持する。
る金属部の側面に形成された凹部に対し、成形金型に設
置された摺動可能なる支持体10を装着する。支持体は
棒でも板でもよく、また複数個であってもよい。なお外
部リード4は従来技術と同様に金製にて支持する。
これによす樹脂による絶縁部1は一様なる厚みが確保で
き、底面部からの放熱性が維持できる。
き、底面部からの放熱性が維持できる。
第2図は本発明による製造方法によって、製造された樹
脂封止形半導体装置の断面図である。第2図においてt
は底面から外部リードまでの距離。
脂封止形半導体装置の断面図である。第2図においてt
は底面から外部リードまでの距離。
t、は底面からリードフレームの開口部までの距離、t
、は樹脂端面からリードフレームまでの横方向の距離で
ある。すなわち1.とt、特にt、を加減することによ
り樹脂底面からリードフレームまでの距離を底面から外
部リードまでの距離と同等もしくはそれ以上にすること
が可能である。
、は樹脂端面からリードフレームまでの横方向の距離で
ある。すなわち1.とt、特にt、を加減することによ
り樹脂底面からリードフレームまでの距離を底面から外
部リードまでの距離と同等もしくはそれ以上にすること
が可能である。
以上説明したように、本発明によれば、外部リード以外
の金属露出部に対し沿面距離を十分に確保できる構造を
有する樹脂封止形半導体装置の製造が可能となり、電子
機器に装着された際に要求される絶縁性を十分に保証し
得る樹脂封止形半導体装置の供給が可能となる。
の金属露出部に対し沿面距離を十分に確保できる構造を
有する樹脂封止形半導体装置の製造が可能となり、電子
機器に装着された際に要求される絶縁性を十分に保証し
得る樹脂封止形半導体装置の供給が可能となる。
第1図は本発明の一実施例を説明するための成型金型に
半導体装置を装着したものの断面図、第2図は本発明の
一実施例に↓り製造された樹脂封止半導体装置の断面図
、第3図及び第4図はそれぞれ従来の樹脂封止形半導体
装置の平面図及び第3図A−A’線による断面図、第5
図は従来の半導体装置を搭載したリードフレームを成製
金製内に装着したものの断面図である≧ 1・・・・・・樹脂絶縁部、2・・・・・・リードフレ
ーム、3・・・・・・リードフレームの前部、4・・・
・・・外部リード、5・・・・−・ベレツト、6・・・
・・・内部結線、7・・・・・・リードフレーム支持体
、8・・・・・・下部金型、9・・・・・・上部金型、
10・・・・・・成形金型に設置した支持体。 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛″゛゛コリ11
テ゛・ ゝ\二、二゛・
半導体装置を装着したものの断面図、第2図は本発明の
一実施例に↓り製造された樹脂封止半導体装置の断面図
、第3図及び第4図はそれぞれ従来の樹脂封止形半導体
装置の平面図及び第3図A−A’線による断面図、第5
図は従来の半導体装置を搭載したリードフレームを成製
金製内に装着したものの断面図である≧ 1・・・・・・樹脂絶縁部、2・・・・・・リードフレ
ーム、3・・・・・・リードフレームの前部、4・・・
・・・外部リード、5・・・・−・ベレツト、6・・・
・・・内部結線、7・・・・・・リードフレーム支持体
、8・・・・・・下部金型、9・・・・・・上部金型、
10・・・・・・成形金型に設置した支持体。 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛″゛゛コリ11
テ゛・ ゝ\二、二゛・
Claims (1)
- 半導体素子を搭載した樹脂封止形半導体装置用のリード
フレームの側面部に凹状のくぼみを形成し、成形金型内
に摺動可能なる如く設置された支持体により前記リード
フレームの凹状のくぼみ部を支持し、かつリードフレー
ムの端部、すなわち外部リードの端部を成形金型にて固
定して樹脂封止成形することを特徴とする樹脂封止形半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5996085A JPS61219143A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5996085A JPS61219143A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61219143A true JPS61219143A (ja) | 1986-09-29 |
Family
ID=13128231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5996085A Pending JPS61219143A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61219143A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5367766A (en) * | 1990-08-01 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method |
US6806120B2 (en) | 2001-03-27 | 2004-10-19 | Staktek Group, L.P. | Contact member stacking system and method |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP5996085A patent/JPS61219143A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5367766A (en) * | 1990-08-01 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method |
US6806120B2 (en) | 2001-03-27 | 2004-10-19 | Staktek Group, L.P. | Contact member stacking system and method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20080054438A1 (en) | Semiconductor package structure having multiple heat dissipation paths and method of manufacture | |
JPS63233555A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
EP0069390B1 (en) | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device | |
KR100428271B1 (ko) | 집적회로패키지와그제조방법 | |
JPH03108744A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH06151657A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS61219143A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
JP2525555Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム組立体 | |
JPS60240150A (ja) | 集積回路チツプ用リードフレーム支持体の製造方法 | |
JP3097842B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム | |
JPS647496B2 (ja) | ||
JPS61194861A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS61194755A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0135478Y2 (ja) | ||
JPS6246268Y2 (ja) | ||
JPH0325409Y2 (ja) | ||
JPS62235763A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JP2527803Y2 (ja) | 樹脂封止型電子部品用リードフレーム | |
JP2597768Y2 (ja) | 電力半導体装置 | |
JP2506933Y2 (ja) | 樹脂密封型半導体装置 | |
JPH01207936A (ja) | 樹脂封止型半導体素子の製造方法 | |
JPH0349399Y2 (ja) | ||
JPH01135032A (ja) | 樹脂封止半導体装置の製造方法 | |
JPH0338837Y2 (ja) | ||
CA1213678A (en) | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |