JPS6246268Y2 - - Google Patents
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- JPS6246268Y2 JPS6246268Y2 JP1982159987U JP15998782U JPS6246268Y2 JP S6246268 Y2 JPS6246268 Y2 JP S6246268Y2 JP 1982159987 U JP1982159987 U JP 1982159987U JP 15998782 U JP15998782 U JP 15998782U JP S6246268 Y2 JPS6246268 Y2 JP S6246268Y2
- Authority
- JP
- Japan
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- resin
- heat sink
- lead wire
- semiconductor chip
- heat
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は樹脂密封型半導体装置の構造に関する
もので特に半導体チツプが固着された板状放熱体
の保持構造に関するものである。第１図ａ，ｂ，
ｃ及びｄはこの種の従来装置の構造を示す平面
図、正面図、同ｂ図Ａ−A′断面及び取付説明図
で図において１は板状放熱体、１ａはリード線部
で立上り部１′及び折曲げ部１″を介して放熱体と
一体に形成され、他端には樹脂成形時の治具保持
部１ｅを有している。２はトランジスタ或はダイ
オード等の半導体チツプで一電極部を放熱体１に
半田等により固着される。３は前記リード線部１
ａとほぼ平行状態に導出される他のリード線で
夫々接続線３ａを介して半導体チツプ２の他の電
極部に接続されている。４は前記リード線の折曲
げ部、放熱体、半導体チツプ及び接続線を封止す
る樹脂部で治具等を用いて成形後放熱体１の他端
１ｂで切断される。５は前記樹脂部４及び放熱体
１を貫通して形成される取付螺子用孔５ａは螺子
用孔５の周縁に形成された絶縁層である。係る構
造の装置は樹脂封止用ケースを使用しない所謂フ
ルパツケージ型半導体装置として量産性に富み、
しかも金属放熱体６に取付ける際に絶縁材を介す
ことなく螺子７により直接取付が可能である等優
れた構造である。しかし乍らその反面後述する理
由により放熱体１の他端１ｂが露出し、第１図ｄ
の如く金属放熱体６に取付けた時に上記露出部１
ｂと金属放熱体６の間隔が少くこの間の絶縁耐圧
が低いため所謂沿面放電を生ずる欠点がある。こ
の改善のため露出部を他の絶縁樹脂で覆うことが
行われているが、この方法は生産工程が増し量産
面で難点があり、又露出部を樹脂部の上方に位置
せしめて間隔を大きくすることも可能であるがこ
れでは放熱体１の樹脂部からの放熱効果が悪くな
るばかりか上方部で螺子頭７との間隔が少くこの
間で放電を生じる恐れがある。本考案は上記欠点
を解消した半導体装置を提供するもので以下図面
を用いて説明する。第２図ａ，ｂ，ｃ及びｄは本
考案の一実施例構造を示す平面図、正面図、同ｂ
図のＡ−A′断面図及び取付説明図、ｅ図は樹脂
部形成用説明図で夫々従来例と同一符号は同等部
分を示す。本考案は従来例と対比して明らかなよ
うに放熱体１のリード線部形成端と反対側の端部
をリード線部とほぼ同様な立上り部１ｃと折曲部
１ｄにより形成すると共に立上り部１ｃの右側及
び左側に夫々樹脂部成形用の支持部８を設けて樹
脂封止したことを特徴とするものである。係る構
造によれば放熱体１の端部１ｂは樹脂封止される
ためにこの部分での絶縁耐圧を向上でき、又支持
部８は放熱体１の夫々凹部に設けられているため
に、該支持部８と金属放熱体６又は螺子頭７との
間隔を大きくできるので夫々この間の絶縁耐圧が
向上し沿面放電等を完全に防止できる。又、金属
放熱体６への取付時に放熱体１と金属放熱体６間
の樹脂部を薄く形成できるため装置の放熱効果が
良い等の利点がある。因みに樹脂部形成は第２図
ｅに示すように上型（モールド）金具Ａと下型金
具Ｂの夫々凸部a′，a″及びb′，b″でリード線部１
ａ，３及び放熱体１を固定して成形することで樹
脂部４を形成するものである。一般に放熱体１は
上下左右の４点で支持することにより成形時の樹
脂圧力によりその位置が変化することなく設定位
置で樹脂封止される。従つて前述の従来装置（第
１図ｃ）ではリード線部１ａ３の上下及び放熱体
１の他端部の樹脂成形時の治具保持部１ｅの上下
を金具により支持し、樹脂部成形後放熱体の端部
１ｂで切断するため上記端部が露出する。第３図
ａ，ｂは本考案の他の実施例を示す平面図及び正
面断面図で放熱体１の折曲げ部１ｄを露出せし
め、これを一方の支持部８′としたものでこれに
よつても上記と同様な効果を達成できる。なお、
支持部はこの他テーパー状、円柱状或は全周面を
樹脂部で囲まない等の任意に変形し得るものであ
る。以上の説明から明らかなように本考案によれ
ばリード線部又は放熱体と金属放熱体間の耐電圧
を満足できしかも、樹脂部の金属放熱体との厚さ
を薄く一定にできるので放熱効果が良く特性が安
定する等実用上の効果は大きい。
もので特に半導体チツプが固着された板状放熱体
の保持構造に関するものである。第１図ａ，ｂ，
ｃ及びｄはこの種の従来装置の構造を示す平面
図、正面図、同ｂ図Ａ−A′断面及び取付説明図
で図において１は板状放熱体、１ａはリード線部
で立上り部１′及び折曲げ部１″を介して放熱体と
一体に形成され、他端には樹脂成形時の治具保持
部１ｅを有している。２はトランジスタ或はダイ
オード等の半導体チツプで一電極部を放熱体１に
半田等により固着される。３は前記リード線部１
ａとほぼ平行状態に導出される他のリード線で
夫々接続線３ａを介して半導体チツプ２の他の電
極部に接続されている。４は前記リード線の折曲
げ部、放熱体、半導体チツプ及び接続線を封止す
る樹脂部で治具等を用いて成形後放熱体１の他端
１ｂで切断される。５は前記樹脂部４及び放熱体
１を貫通して形成される取付螺子用孔５ａは螺子
用孔５の周縁に形成された絶縁層である。係る構
造の装置は樹脂封止用ケースを使用しない所謂フ
ルパツケージ型半導体装置として量産性に富み、
しかも金属放熱体６に取付ける際に絶縁材を介す
ことなく螺子７により直接取付が可能である等優
れた構造である。しかし乍らその反面後述する理
由により放熱体１の他端１ｂが露出し、第１図ｄ
の如く金属放熱体６に取付けた時に上記露出部１
ｂと金属放熱体６の間隔が少くこの間の絶縁耐圧
が低いため所謂沿面放電を生ずる欠点がある。こ
の改善のため露出部を他の絶縁樹脂で覆うことが
行われているが、この方法は生産工程が増し量産
面で難点があり、又露出部を樹脂部の上方に位置
せしめて間隔を大きくすることも可能であるがこ
れでは放熱体１の樹脂部からの放熱効果が悪くな
るばかりか上方部で螺子頭７との間隔が少くこの
間で放電を生じる恐れがある。本考案は上記欠点
を解消した半導体装置を提供するもので以下図面
を用いて説明する。第２図ａ，ｂ，ｃ及びｄは本
考案の一実施例構造を示す平面図、正面図、同ｂ
図のＡ−A′断面図及び取付説明図、ｅ図は樹脂
部形成用説明図で夫々従来例と同一符号は同等部
分を示す。本考案は従来例と対比して明らかなよ
うに放熱体１のリード線部形成端と反対側の端部
をリード線部とほぼ同様な立上り部１ｃと折曲部
１ｄにより形成すると共に立上り部１ｃの右側及
び左側に夫々樹脂部成形用の支持部８を設けて樹
脂封止したことを特徴とするものである。係る構
造によれば放熱体１の端部１ｂは樹脂封止される
ためにこの部分での絶縁耐圧を向上でき、又支持
部８は放熱体１の夫々凹部に設けられているため
に、該支持部８と金属放熱体６又は螺子頭７との
間隔を大きくできるので夫々この間の絶縁耐圧が
向上し沿面放電等を完全に防止できる。又、金属
放熱体６への取付時に放熱体１と金属放熱体６間
の樹脂部を薄く形成できるため装置の放熱効果が
良い等の利点がある。因みに樹脂部形成は第２図
ｅに示すように上型（モールド）金具Ａと下型金
具Ｂの夫々凸部a′，a″及びb′，b″でリード線部１
ａ，３及び放熱体１を固定して成形することで樹
脂部４を形成するものである。一般に放熱体１は
上下左右の４点で支持することにより成形時の樹
脂圧力によりその位置が変化することなく設定位
置で樹脂封止される。従つて前述の従来装置（第
１図ｃ）ではリード線部１ａ３の上下及び放熱体
１の他端部の樹脂成形時の治具保持部１ｅの上下
を金具により支持し、樹脂部成形後放熱体の端部
１ｂで切断するため上記端部が露出する。第３図
ａ，ｂは本考案の他の実施例を示す平面図及び正
面断面図で放熱体１の折曲げ部１ｄを露出せし
め、これを一方の支持部８′としたものでこれに
よつても上記と同様な効果を達成できる。なお、
支持部はこの他テーパー状、円柱状或は全周面を
樹脂部で囲まない等の任意に変形し得るものであ
る。以上の説明から明らかなように本考案によれ
ばリード線部又は放熱体と金属放熱体間の耐電圧
を満足できしかも、樹脂部の金属放熱体との厚さ
を薄く一定にできるので放熱効果が良く特性が安
定する等実用上の効果は大きい。
第１図ａ乃至ｄは従来装置の構造図。第２図ａ
乃至ｅ第３図ａ，ｂは本考案の実施例構造図であ
る。図において１は放熱体、１ａはリード線部、
１ｂは端部、１′，１ｃは立上り部、１″，１ｄは
折曲げ部、１ｅは他端の樹脂成形時の治具保持
部、２は半導体チツプ、３はリード線、３ａは接
続線、４は樹脂部、５は螺子用孔、６は金属放熱
体、７は螺子、８，８′は支持部である。
乃至ｅ第３図ａ，ｂは本考案の実施例構造図であ
る。図において１は放熱体、１ａはリード線部、
１ｂは端部、１′，１ｃは立上り部、１″，１ｄは
折曲げ部、１ｅは他端の樹脂成形時の治具保持
部、２は半導体チツプ、３はリード線、３ａは接
続線、４は樹脂部、５は螺子用孔、６は金属放熱
体、７は螺子、８，８′は支持部である。
Claims (1)
- 板状放熱体と前記放熱体の一端に連なる立上り
部及び折曲げ部を有するリード線部と前記放熱体
に電極部が固着された半導体チツプと前記半導体
チツプの他の電極部に接続され、前記リード線部
とほぼ平行に導出される他のリード線と少くとも
前記リード線部の折曲げ部半導体チツプ及び放熱
体を封止する樹脂部よりなる半導体装置におい
て、前記放熱体の他端に立上り部と折曲げ部を設
けると共に前記放熱体を支持するために上型及び
下型に設けた凸状部により前記樹脂部の上面及び
下面に形成された凹状部を設けたことを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982159987U JPS5965546U (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 樹脂密封型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982159987U JPS5965546U (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 樹脂密封型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965546U JPS5965546U (ja) | 1984-05-01 |
| JPS6246268Y2 true JPS6246268Y2 (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=30352023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982159987U Granted JPS5965546U (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 樹脂密封型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965546U (ja) |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP1982159987U patent/JPS5965546U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5965546U (ja) | 1984-05-01 |
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