JPH03185853A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH03185853A JPH03185853A JP32379989A JP32379989A JPH03185853A JP H03185853 A JPH03185853 A JP H03185853A JP 32379989 A JP32379989 A JP 32379989A JP 32379989 A JP32379989 A JP 32379989A JP H03185853 A JPH03185853 A JP H03185853A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止型半導体装置、特に高速・高周波等
の半導体素子を搭載し、放熱効果を有する半導体パッケ
ージに関する。
の半導体素子を搭載し、放熱効果を有する半導体パッケ
ージに関する。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば特開昭６
０−２６３４４９号に記載されるものがあった。
０−２６３４４９号に記載されるものがあった。
第３図はかかる従来の樹脂封止型半導体装置の断面図、
第４図は従来の樹脂封止型半導体装置の熱放散の状態を
示す断面図である。
第４図は従来の樹脂封止型半導体装置の熱放散の状態を
示す断面図である。
これらの図において、ｌはリード、２は半導体チップが
固着される（放熱）基板、３は半導体チップ、４はワイ
ヤ、５は封止樹脂、６は放熱用金属片である。
固着される（放熱）基板、３は半導体チップ、４はワイ
ヤ、５は封止樹脂、６は放熱用金属片である。
これらの図に示すように、半導体チップ３の搭載側の熱
伝達スピードを上げるため、封止樹脂５中に放熱用金属
片６を設ける。このような構成によれば、半導体チップ
３より発生した熱は、封止樹脂５中を伝わり、放熱用金
属片６に到達する。
伝達スピードを上げるため、封止樹脂５中に放熱用金属
片６を設ける。このような構成によれば、半導体チップ
３より発生した熱は、封止樹脂５中を伝わり、放熱用金
属片６に到達する。
そして、放熱用金属片６内の熱伝達スピードが速いため
、これが発熱源のようになり、更に外傷の封止樹７１１
５に熱を伝達するため放熱を行うことができる。
、これが発熱源のようになり、更に外傷の封止樹７１１
５に熱を伝達するため放熱を行うことができる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記構成の樹脂封止型半導体装置におい
ては、半導体チップ３の上部に設けられる放熱用金属片
６は、封止樹脂５中に浮いた状態でモールドされている
。
ては、半導体チップ３の上部に設けられる放熱用金属片
６は、封止樹脂５中に浮いた状態でモールドされている
。
そこで、放熱用金属片６を取り付けるには、その作業性
、接続強度、封止樹脂の充填性等を考慮しなければなら
ず、従来、これらの点についてコスト的にも技術的にも
満足できるものではなかった。
、接続強度、封止樹脂の充填性等を考慮しなければなら
ず、従来、これらの点についてコスト的にも技術的にも
満足できるものではなかった。
本発明は、上記問題点を除去するために、放熱板の脚片
を各インナリードに対応して絶縁性物質を介して接続し
、放熱性の優れた樹脂封止型半導体装置及びその製造方
法を提供することを目的とする。
を各インナリードに対応して絶縁性物質を介して接続し
、放熱性の優れた樹脂封止型半導体装置及びその製造方
法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を遠戚するために、リードフレーム
を有し、半導体素子の樹脂封止を行う半導体装置におい
て、前記リードフレームのインナリード部に、絶縁物質
を介して固定搭載される脚片を有する放熱板を設けるよ
うにしたものである。
を有し、半導体素子の樹脂封止を行う半導体装置におい
て、前記リードフレームのインナリード部に、絶縁物質
を介して固定搭載される脚片を有する放熱板を設けるよ
うにしたものである。
また、リードフレームを有し、半導体素子の樹脂封止を
行う半導体装置の製造方法において、前記リードフレー
ムのインナリード部に絶縁性物質を形成する工程と、該
絶縁性物質上に放熱板の脚片を接触させ、樹脂封止され
る半導体素子上に前記放熱板を被着させる工程と、該放
熱板を埋設するように樹脂封止を行う工程とを施すよう
にしたものである。
行う半導体装置の製造方法において、前記リードフレー
ムのインナリード部に絶縁性物質を形成する工程と、該
絶縁性物質上に放熱板の脚片を接触させ、樹脂封止され
る半導体素子上に前記放熱板を被着させる工程と、該放
熱板を埋設するように樹脂封止を行う工程とを施すよう
にしたものである。
（作用）
本発明によれば、上記のように、樹脂封止型半導体装置
の内部に脚片を有する放熱板を埋設し、その放熱板の脚
片を各インナリードの対応する箇所に絶縁性物質を介し
て接続するので、放熱板を介して半導体素子から発生す
る熱の放熱性を向上させることができる。
の内部に脚片を有する放熱板を埋設し、その放熱板の脚
片を各インナリードの対応する箇所に絶縁性物質を介し
て接続するので、放熱板を介して半導体素子から発生す
る熱の放熱性を向上させることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の要部拡大斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図
である。
置の要部拡大斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図
である。
これらの図に示すように、半導体素子１２は、アイラン
ド１１上に樹脂ペースト等の固着剤によって固定されて
いる。インナリード１３は外方に向かって放射状に形成
されると共に、その内方端と半導体素子１２の外部引出
電極（＠示なし）とが金属細線１４によって配線接続さ
れている。放熱板１５は半導体素子１２を覆い、かつそ
の脚片１６は絶縁性物質１７を介してインナリード１３
の所定位置に接続される。前記金属細線１４は放熱板１
５に接触しない程度の高さに配線され、もちろん放熱板
１５の高さ（半導体素子１２との隙間）もできるだけ高
くなるように設計されている。前記放熱板１５としては
銅、金。
ド１１上に樹脂ペースト等の固着剤によって固定されて
いる。インナリード１３は外方に向かって放射状に形成
されると共に、その内方端と半導体素子１２の外部引出
電極（＠示なし）とが金属細線１４によって配線接続さ
れている。放熱板１５は半導体素子１２を覆い、かつそ
の脚片１６は絶縁性物質１７を介してインナリード１３
の所定位置に接続される。前記金属細線１４は放熱板１
５に接触しない程度の高さに配線され、もちろん放熱板
１５の高さ（半導体素子１２との隙間）もできるだけ高
くなるように設計されている。前記放熱板１５としては
銅、金。
銀等の伝熱性の良い金属が好適である。放熱板１５は、
それ自身がパッケージの中に入ること、放熱板１５を打
ち抜き曲げ加工されること、及びその取扱性等を鑑み、
その厚さは限定しないが、比較的薄い方がよく、概ね０
．１５ｍ＋程度が好適である。ｌｉ片１６の高さも前述
した通り、パッケージ内の種々の部材形状や、封止樹脂
１８の外部からの機械的強度等を考慮して決定されるが
、インナリード１３と封止樹脂１８外殻との寸法が１．
６ｍ程度、金属細線１４の高さがインナリード１３又は
アイランド１１表面から０．２〜０．３ａｍ程度である
ので、概ね０．８５ｇ＋ａ程度の内側高さ寸法で形成さ
れる。放熱板１５は、各材質の表面をメツキ加工するこ
とにより形成してもよい、この放熱板１５の高さを保持
する脚片１６は、各インナリード１３と接触するが、電
気的にはエポキシ樹脂等の絶縁性物質１７で絶縁固定さ
れている。
それ自身がパッケージの中に入ること、放熱板１５を打
ち抜き曲げ加工されること、及びその取扱性等を鑑み、
その厚さは限定しないが、比較的薄い方がよく、概ね０
．１５ｍ＋程度が好適である。ｌｉ片１６の高さも前述
した通り、パッケージ内の種々の部材形状や、封止樹脂
１８の外部からの機械的強度等を考慮して決定されるが
、インナリード１３と封止樹脂１８外殻との寸法が１．
６ｍ程度、金属細線１４の高さがインナリード１３又は
アイランド１１表面から０．２〜０．３ａｍ程度である
ので、概ね０．８５ｇ＋ａ程度の内側高さ寸法で形成さ
れる。放熱板１５は、各材質の表面をメツキ加工するこ
とにより形成してもよい、この放熱板１５の高さを保持
する脚片１６は、各インナリード１３と接触するが、電
気的にはエポキシ樹脂等の絶縁性物質１７で絶縁固定さ
れている。
脚片１６の形状は、以下に示すように、種々の変形が可
能である。
能である。
第５図は本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
この図に示すように、放熱板２０の脚片２１は、インナ
リード１３との接触部がインナリード１３に沿って延び
ているので、接触による伝導熱、即ち半導体素子からの
発熱を、放熱板２０を通してインナリード１３に伝達す
ることができる。これにより、放熱効率の向上を図るこ
とができると共に、接続強度の向上も図ることができる
。なお、２２は脚片２１とインナリード１３の接触部に
形成される絶縁物質である。
リード１３との接触部がインナリード１３に沿って延び
ているので、接触による伝導熱、即ち半導体素子からの
発熱を、放熱板２０を通してインナリード１３に伝達す
ることができる。これにより、放熱効率の向上を図るこ
とができると共に、接続強度の向上も図ることができる
。なお、２２は脚片２１とインナリード１３の接触部に
形成される絶縁物質である。
第６図は本発明の第３実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
この図に示すように、放熱板３０の脚片３１には、イン
ナリード１３との接触部に円弧状の窪み部３２が形成さ
れている。また、インナリード１３の所定位置には、ス
クリーン印刷により樹脂３３が形成されている。従って
、放熱板３０をインナリード１３に搭載するにあたり、
脚片３１の先端部が曲面加工されているので、一種のセ
ルフアライメントによる位置決めを行うことができる。
ナリード１３との接触部に円弧状の窪み部３２が形成さ
れている。また、インナリード１３の所定位置には、ス
クリーン印刷により樹脂３３が形成されている。従って
、放熱板３０をインナリード１３に搭載するにあたり、
脚片３１の先端部が曲面加工されているので、一種のセ
ルフアライメントによる位置決めを行うことができる。
また、その位置決めを正確に行うことができる。
第７図は本発明の第４実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
この図に示すように、放熱板４０の脚片４１には、イン
ナリード１３との接触部に凹形状の窪み部４２を形成す
るようにしたので、インナリード１３の横ずれを防止で
きると共に、所定の位置以外には放熱板４０が搭載でき
ないことから、正確な位置出しを行うことができる。当
然インナリード１３と放熱板４０の脚片４１間には絶縁
物を介在させる。
ナリード１３との接触部に凹形状の窪み部４２を形成す
るようにしたので、インナリード１３の横ずれを防止で
きると共に、所定の位置以外には放熱板４０が搭載でき
ないことから、正確な位置出しを行うことができる。当
然インナリード１３と放熱板４０の脚片４１間には絶縁
物を介在させる。
第８図は本発明の第５実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
この図に示すように、放熱板部分５０と窪み部５２を有
する脚片部５１とを分割加工し、これらをＡ部で溶接或
いは接着することにより固定する。従って、寸法精度の
向上を図ることができると同時に直角度の安定化をも図
ることもがきる。
する脚片部５１とを分割加工し、これらをＡ部で溶接或
いは接着することにより固定する。従って、寸法精度の
向上を図ることができると同時に直角度の安定化をも図
ることもがきる。
第９図は本発明の第６実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
この実施例においては、放熱板６０の脚片６１の鉤部６
２に、インナリード１３の厚さと同程度のスリット６２
ａが形成されている。そこで、この鉤部６２をインナリ
ード１３の各リード間に位置決めして、回転させると、
鉤部６２がインナリード１３をくわえ込む形となり、放
熱板６０の固定が簡略化される。
２に、インナリード１３の厚さと同程度のスリット６２
ａが形成されている。そこで、この鉤部６２をインナリ
ード１３の各リード間に位置決めして、回転させると、
鉤部６２がインナリード１３をくわえ込む形となり、放
熱板６０の固定が簡略化される。
第１Ｏ図は本発明の第７実施例を示す樹脂封止型半導体
装置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
装置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。
この実施例においては、放熱板７０の脚片７１の先端部
に凹んだ挟み部７２が形成されており、その挟み部７２
をインナリード１３上に位置決めして上から押すことに
より、凹んだ挟み部７２がインナリード１３をくわえ、
強嵌合により固定される。つまり、脚片７１の先端部に
はインナリード１３よりも狭い寸法で凹んだ挾み部７２
が形成され、その内部が広くなっているため、インナリ
ード１３をくわえて固定される。
に凹んだ挟み部７２が形成されており、その挟み部７２
をインナリード１３上に位置決めして上から押すことに
より、凹んだ挟み部７２がインナリード１３をくわえ、
強嵌合により固定される。つまり、脚片７１の先端部に
はインナリード１３よりも狭い寸法で凹んだ挾み部７２
が形成され、その内部が広くなっているため、インナリ
ード１３をくわえて固定される。
なお、これらの実施例において、放熱板と脚片とはプレ
ス等によって打ち抜き曲げ加工することにより、一体内
に製造してもよいし、第８図に示すように、放熱板部と
脚片とを別々に加工して後で一体に組み立てるようにし
てもよい。
ス等によって打ち抜き曲げ加工することにより、一体内
に製造してもよいし、第８図に示すように、放熱板部と
脚片とを別々に加工して後で一体に組み立てるようにし
てもよい。
また、放熱板の中央部は平板でもよいが、凹凸加工、パ
ンチング加工することにより放熱面積を増大させるよう
に構成してもよい。更に、放熱板に波板状の加工を施す
ようにしてもよい。
ンチング加工することにより放熱面積を増大させるよう
に構成してもよい。更に、放熱板に波板状の加工を施す
ようにしてもよい。
更に、前記した絶縁性物質は、脚片の先端部に予め形成
することもできるし、予定されるインナリードの上に印
刷などにより予め形成しておくこともできる。
することもできるし、予定されるインナリードの上に印
刷などにより予め形成しておくこともできる。
上記実施例では、第２図に示すように、各インナリード
と放熱板は接触している。ここで、放熱板に取り付けら
れた脚片の取付角度を略封止樹脂１８外殻の傾斜角度と
したので、放熱板の外部面の封止樹脂１８の厚さが均一
化し、放熱性が均一化されると同時に内部の容積も増加
し、取付作業を容易に行うことができる。
と放熱板は接触している。ここで、放熱板に取り付けら
れた脚片の取付角度を略封止樹脂１８外殻の傾斜角度と
したので、放熱板の外部面の封止樹脂１８の厚さが均一
化し、放熱性が均一化されると同時に内部の容積も増加
し、取付作業を容易に行うことができる。
また、封止工程の金型内において、金型と放熱板との隙
間が一定しているので、樹脂の流れが均一化し、充填性
が向上する。
間が一定しているので、樹脂の流れが均一化し、充填性
が向上する。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、放熱板
を各インナリードに接触させて搭載したので、半導体素
子からの発熱を各リードに効率良く伝導させることがで
き、放熱効果の向上を図ることができる。
を各インナリードに接触させて搭載したので、半導体素
子からの発熱を各リードに効率良く伝導させることがで
き、放熱効果の向上を図ることができる。
また、絶縁性物質を介して放熱板を各インナリードに接
触させることができ、その搭載も容易に、しかも正確に
行うことができる。
触させることができ、その搭載も容易に、しかも正確に
行うことができる。
第１図は本発明の第１実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の要部拡大斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図
、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面図、第４
図は従来の樹脂封止型半導体装置の熱放散の状態を示す
断面図、第５図は本発明の第２実施例を示す樹脂封止型
半導体装置の放熱板の脚片の拡大斜視図、第６図は本発
明の第３実施例を示す樹脂封止型半導体装置の放熱板の
脚片の拡大斜視図、第７図は本発明の第４実施例を示す
樹脂封止型半導体装置の放熱板の脚片の拡大斜視図、第
８図は本発明の第５実施例を示す樹脂封止型半導体装置
の放熱板の脚片の拡大斜視図、第９図は本発明の第６実
施例を示す樹脂封止型半導体装置の放熱板の脚片の拡大
斜視図、第１０図は本発明の第７実施例を示す樹脂封止
型半導体装置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。 １１・・・アイランド、１２・・・半導体素子、１３・
・・インナリード、１４・・・金属細線、１５．２０．
３０．４０．６０．７０・・・放熱板、１６．２１．３
１．４１．６１．７１・・・脚片、１７゜２２・・・絶
縁性物質、１８・・・封止樹脂、３２．４２．５２・・
・窪み部、３３・・・樹脂、５０・・・放熱板部分、５
１・・・脚片部、６２・・・鉤部、６２ａ・・・スリッ
ト、７２・・・凹んだ挟み部。
置の要部拡大斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図
、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面図、第４
図は従来の樹脂封止型半導体装置の熱放散の状態を示す
断面図、第５図は本発明の第２実施例を示す樹脂封止型
半導体装置の放熱板の脚片の拡大斜視図、第６図は本発
明の第３実施例を示す樹脂封止型半導体装置の放熱板の
脚片の拡大斜視図、第７図は本発明の第４実施例を示す
樹脂封止型半導体装置の放熱板の脚片の拡大斜視図、第
８図は本発明の第５実施例を示す樹脂封止型半導体装置
の放熱板の脚片の拡大斜視図、第９図は本発明の第６実
施例を示す樹脂封止型半導体装置の放熱板の脚片の拡大
斜視図、第１０図は本発明の第７実施例を示す樹脂封止
型半導体装置の放熱板の脚片の拡大斜視図である。 １１・・・アイランド、１２・・・半導体素子、１３・
・・インナリード、１４・・・金属細線、１５．２０．
３０．４０．６０．７０・・・放熱板、１６．２１．３
１．４１．６１．７１・・・脚片、１７゜２２・・・絶
縁性物質、１８・・・封止樹脂、３２．４２．５２・・
・窪み部、３３・・・樹脂、５０・・・放熱板部分、５
１・・・脚片部、６２・・・鉤部、６２ａ・・・スリッ
ト、７２・・・凹んだ挟み部。
Claims (8)
- （１）リードフレームを有し、半導体素子の樹脂封止を
行う半導体装置において、 前記リードフレームのインナリード部に絶縁物質を介し
て固定搭載される脚片を有する放熱板を具備することを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （２）請求項１記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記放熱板の脚片の側面形状が略Ｌ字状であることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （３）請求項１記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記放熱板の脚片の先端は前記インナリード部の横断方
向に窪み部を有することを特徴とする樹脂封止型半導体
装置。 - （４）請求項１記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記放熱板の脚片の先端部を鉤状加工してなることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （５）請求項１記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記放熱板の脚片の先端部に前記インナリードに強嵌合
する凹んだ挟み部を形成したことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 - （６）請求項１記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記放熱板の脚片の傾斜角度は封止樹脂外殻の傾斜角と
略同一であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （７）リードフレームを有し、半導体素子の樹脂封止を
行う半導体装置の製造方法において、（ａ）前記リード
フレームのインナリード部に絶縁性物質を形成する工程
と、 （ｂ）該絶縁性物質上に放熱板の脚片を接触させ、樹脂
封止される半導体素子上に前記放熱板を被着させる工程
と、 （ｃ）該放熱板を埋設するように樹脂封止を行う工程と
を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （８）リードフレームを有し、半導体素子の樹脂封止を
行う半導体装置の製造方法において、（ａ）放熱板の脚
片に絶縁性物質を形成する工程と、（ｂ）前記リードフ
レームのインナリード部に前記放熱板の脚片を接触させ
、樹脂封止される半導体素子上に前記放熱板を被着させ
る工程と、 （ｃ）該放熱板を埋設するように樹脂封止を行う工程と
を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32379989A JPH03185853A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32379989A JPH03185853A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185853A true JPH03185853A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18158743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32379989A Pending JPH03185853A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03185853A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142226A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法、およびその半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 |
| EP1851799A1 (en) * | 2005-02-03 | 2007-11-07 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit chip package and method |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32379989A patent/JPH03185853A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1851799A1 (en) * | 2005-02-03 | 2007-11-07 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit chip package and method |
| EP1851799A4 (en) * | 2005-02-03 | 2012-09-12 | Texas Instruments Inc | CHIP CAPSULATION FOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD |
| JP2007142226A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法、およびその半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 |
| JP4688647B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-05-25 | パナソニック株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
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