JP2007142226A - 半導体装置とその製造方法、およびその半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法、およびその半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007142226A JP2007142226A JP2005335092A JP2005335092A JP2007142226A JP 2007142226 A JP2007142226 A JP 2007142226A JP 2005335092 A JP2005335092 A JP 2005335092A JP 2005335092 A JP2005335092 A JP 2005335092A JP 2007142226 A JP2007142226 A JP 2007142226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- heat radiating
- radiating member
- semiconductor element
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 171
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 75
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 75
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims description 7
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 19
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 241000272168 Laridae Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体素子4が載置される下側放熱板5をリード10のインナーリード部6底面に設置するとともに、インナーリード部6の先端部の領域と半導体素子4を載置する領域が開放された上側放熱板14aをインナーリード部6の上面に設置する。
【選択図】図1
Description
図18(a)は従来の半導体装置に用いるリードフレームを示す平面図であり、図18(b)は同リードフレームの一部拡大断面図であり、図19は同リードフレームを用いた半導体装置の断面図である。図19は図18(a)におけるA−A1箇所の断面を示している。
図1(a)は本実施の形態における半導体装置に用いるリードフレームの第1の例を示す平面図であり、図1(b)は同リードフレームの一部拡大平面図であり、図2は同リードフレームの底面図であり、図3は同リードフレームを用いた半導体装置の断面図である。図3は図1(a)におけるA−A1箇所の断面を示している。
2 外枠
3 内枠
4 半導体素子
5 下側放熱板
6 インナーリード部
7 吊りリード部
8 ボンディングワイヤ
9 アウターリード部
10 リード
11 タイバー部
12 封止樹脂体
13 開口部
14a〜14d 上側放熱板
15 収縮応力の強さを表した矢印
16 ステージ
17 接着剤
18 ディスペンサ
19 コレット
20 ヒートステージ
21 キャピラリ
22 上金型
23 下金型
24 上位キャビティ
25 下位キャビティ
26 ポット
27 プランジャ
28 カル
29 ランナ
30 ゲート
31 逃がし部
Claims (11)
- 半導体素子を樹脂で封止した封止樹脂体から前記半導体素子に電気的に接続する複数本のリードのアウターリード部が突出している半導体装置であって、前記封止樹脂体内に、
前記各リードのインナーリード部と、
前記各インナーリード部を前記半導体素子と電気的に接続するための複数本の金属細線と、
前記半導体素子が載置された下側放熱部材と、
少なくとも前記半導体素子が載置される領域と前記各金属細線が前記各インナーリード部に接続される領域が開放された上側放熱部材と、
を具備し、前記下側放熱部材は前記各インナーリード部の底面に接着され、前記上側放熱部材は前記各インナーリード部の上面に接着されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置であって、前記上側放熱部材は、少なくとも前記各金属細線が前記各インナーリード部に接続される箇所より前記半導体素子側の領域が開放されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1もしくは2のいずれかに記載の半導体装置であって、前記上側放熱部材は複数枚の放熱板からなり、それぞれが離されて設置されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置であって、前記上側放熱部材は内側がリング状に開放されており、前記下側放熱部材より外側に設置されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置であって、前記上側放熱部材で覆われた前記各リードの間は予め樹脂で充填されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置であって、前記下側放熱部材で覆われた前記各リードの間は予め樹脂で充填されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置であって、前記上側放熱部材と前記下側放熱部材で挟み込まれた前記各リードの間は予め樹脂で充填されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体装置であって、前記上側放熱部材は、前記下側放熱部材と材質が同じで厚みが異なることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体装置であって、前記上側放熱部材は、前記下側放熱部材と厚みが同じで、線形膨張係数が前記下側放熱部材よりも大きい材質であることを特徴とする半導体装置。
- 半導体素子を樹脂で封止した封止樹脂体から前記半導体素子に電気的に接続する複数本のリードのアウターリード部が突出している半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体素子が載置される下側放熱部材が前記各リードのインナーリード部の底面に接着され、かつ所定の領域が開放されている上側放熱部材が前記各インナーリード部の上面に接着されているリードフレームの前記下側放熱部材に前記半導体素子を載置する工程と、
前記半導体素子の各ボンディングパッドと前記各インナーリード部を金属細線でそれぞれ接続する工程と、
前記各リードのアウターリード部が前記封止樹脂体から突出するように樹脂で封止する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子を樹脂で封止した封止樹脂体から前記半導体素子に電気的に接続する複数本のリードのアウターリード部が突出している半導体装置に用いるリードフレームを製造する方法であって、
複数本のリードを形成する工程と、
前記各リードのインナーリード部の底面に、前記半導体素子が載置される下側放熱部材を、粘着性の樹脂を介して接着する工程と、
前記各インナーリード部の上面に、所定の領域が開放された上側放熱部材を、粘着性の樹脂を介して接着する工程と、
を具備し、前記下側放熱部材あるいは前記上側放熱部材を接着する工程の少なくとも一方に際し、前記上側放熱部材あるいは前記下側放熱部材で覆われる前記各リードの間、または前記上側放熱部材と前記下側放熱部材で挟み込まれる前記各リードの間を、粘着性の樹脂で充填することを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005335092A JP4688647B2 (ja) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005335092A JP4688647B2 (ja) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007142226A true JP2007142226A (ja) | 2007-06-07 |
JP4688647B2 JP4688647B2 (ja) | 2011-05-25 |
Family
ID=38204721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005335092A Active JP4688647B2 (ja) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4688647B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102593081A (zh) * | 2011-01-12 | 2012-07-18 | 英飞凌科技股份有限公司 | 包括散热器的半导体器件 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58196038A (ja) * | 1982-05-11 | 1983-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JPH03161957A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH03185853A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JPH04249353A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH05152487A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Yamada Seisakusho Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 |
JPH06209062A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JPH0766348A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
JPH07506935A (ja) * | 1992-11-17 | 1995-07-27 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
JPH08316395A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造に使用されるリードフレーム |
JPH08335655A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-12-17 | Anam Ind Co Inc | 半導体パッケージ |
JPH1187594A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置及び半導体装置用リードフレーム |
-
2005
- 2005-11-21 JP JP2005335092A patent/JP4688647B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58196038A (ja) * | 1982-05-11 | 1983-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JPH03161957A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH03185853A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JPH04249353A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH05152487A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Yamada Seisakusho Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 |
JPH07506935A (ja) * | 1992-11-17 | 1995-07-27 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
JPH06209062A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JPH0766348A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
JPH08335655A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-12-17 | Anam Ind Co Inc | 半導体パッケージ |
JPH08316395A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造に使用されるリードフレーム |
JPH1187594A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置及び半導体装置用リードフレーム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102593081A (zh) * | 2011-01-12 | 2012-07-18 | 英飞凌科技股份有限公司 | 包括散热器的半导体器件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4688647B2 (ja) | 2011-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI419243B (zh) | 一種積體電路封裝體及其製造方法 | |
TWI521658B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
US20200185338A1 (en) | Semiconductor package structure for improving die warpage and manufacturing method thereof | |
TWI292213B (ja) | ||
JPH11307592A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2003170465A (ja) | 半導体パッケージの製造方法およびそのための封止金型 | |
CN107305879B (zh) | 半导体器件及相应的方法 | |
US7572674B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP4688647B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP3404438B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100487135B1 (ko) | 볼그리드어레이패키지 | |
JPH0846084A (ja) | 表面実装型半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置 | |
JP2002100710A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US7436060B2 (en) | Semiconductor package and process utilizing pre-formed mold cap and heatspreader assembly | |
JPH10112519A (ja) | 熱放散手段を有する集積回路装置及びその製造方法 | |
JP4679991B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008147267A (ja) | 半導体装置とその製造方法、および放熱板付きリードフレーム | |
JP2000124401A (ja) | 半導体装置 | |
JP2710207B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100459820B1 (ko) | 칩스케일패키지및그제조방법 | |
JP3541751B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JP4313407B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4065889B2 (ja) | Bgaパッケージ構造を有する半導体装置の製造方法 | |
JPH07326690A (ja) | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 | |
JP4601656B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080430 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080804 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100928 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110215 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4688647 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |