JP4313407B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体プラスチックパッケージの製造において、特に、ＢＧＡパッケージの構成部品の固定支持方式及び製造方法に関するものである。

半導体パッケージの構造は、高密度実装化を図るために小型・薄型化する方向に進んでいる。また、１チップ当りの情報処理量も増大する傾向にあり、１パッケージ当りの入出力用のピン数が増加する傾向にある。しかし、パッケージのサイズを余り大きくすることはできないため、ピン数の増加に伴って、各リードピン間隔が非常に狭くなる傾向にある。このため、回路基板上に実装する上で高度な実装技術が求められているのが現状である。この実装を容易にすべく、近年、パッケージの外部接続形態が従来の構造とは違うＰＧＡ（ピン グリッド アレイ）やＢＧＡ（ボール グリッド アレイ）といった外部接続構造をもつパッケージが見られるようになってきた。

このＢＧＡパッケージには、フェースアップタイプと、フェースダウンタイプとがある。

フェースアップタイプのＢＧＡパッケージの例として、米国特許５，２１６，２７８号明細書（特許文献１）に開示されているＢＧＡの構造概略を図４９〜図５１を用いて説明する。

図４９に、ＢＧＡパッケージの断面図を示す。ＩＣチップ１と基板２は、接着剤等により固定されている。この基板材質としては、有機物（例えばＢＴレジン）を用いている。ＩＣチップ１と基板上のパッド１２とは、ワイヤボンディング１３によって電気的に接続されている。

図５０に、図４９を上方より見たときの平面図を示す。ワイヤボンディング１３で接続された基板上のパッド１２からは、電極３と連絡するための配線１０５が設けられており、それぞれスルーホール１０６を通じて基板裏面との導通している。

図５１に、図４９を下方より見たときの平面図を示す。この電極３は、格子状に配置されておりここへ金属バンプ４を接合し電気配線は完了する。この構成品のＩＣチップ１を搭載した基板面をレジン１４で蓋うことで保護しパッケージ形状の完成となっている。

半導体パッケージを成形するときに生産性の面から見ると成形金型内に複数個のキャビティを設置してレジン充填を行うことが通常である。このため、この構造では金型内での位置決めが困難になること、成形品の取り出し工程が非常に複雑になる等の問題がある。これら要因により生産コストの上昇が考えられ高額品となる問題がある。

また、フェースダウンタイプのＢＧＡパッケージの例を、米国特許５，１４８，２６５号明細書（特許文献２）に開示されているＢＧＡの構造概略を、図５２〜図５３を用いて説明する。

図５２に、ＢＧＡパッケージの斜視図を示す。構成としては、ＩＣチップ１の回路面上にシリコーンゴムなどの挿入物３２を置きその上に配線パターンのある配線フィルム３１を置いたものから構成されている。ＩＣチップ１と配線フィルム３１はワイヤボンディング１３にて結線している。

図５３に、接続部の拡大断面図を示す。挿入物３２は、柔軟性のある例えばシリコーンレジン等を用いている。この構成品のＩＣチップ１と配線フィルム上の電極３３を除いた部分をシリコーンレジン等の柔軟なレジン１４で蓋うことで保護しパッケージ形状の完成となっている。この時、先のフェースアップタイプで述べたものと同様の問題点が考えられる。すなわち、生産性の面から見てみると成形をするときに金型内に複数個のキャビティを設置してレジン充填を行うことが通常である。このため、この構造では金型内での位置決めが困難になること、成形品の取り出し工程が非常に複雑になる等の問題がある。これらの要因により生産コストの上昇も考えられ高額品となる問題がある。

一方、基板を含んだ形での成形方式については、通常、上型と下型の間に基板を設置しその間に設けたキャビティ内にレジンを充填することが行われている。このため、基板上にレジンを充填するための流路であるランナやゲート部を設けなければならず電気回路を設計する上での制約となる。さらに、不必要となるランナ、ゲートを除去する工程において、基板にダメージを与えるなど信頼性の低下にもつながる恐れがある。

また、基板上にレジンを充填するための流路であるランナやゲート部のない成形方式としては、特公昭６１−４６０４９号公報（特許文献３）、特開平４−１８４９４４号公報（特許文献４）他多数の例が見られる。特公昭６１−４６０４９号公報では、キャビティ内にレジンを充填するための流路であるランナやゲート部を成形金型に作り、キャビティ部分を別の板部品（キャビティプレートと称す）で作り、基板とともに金型内に設置して成形する方式となっている。この方式においては、基板の電気回路を設計する上での制約はないが、薄型の製品を作るときは、キャビティプレートも薄くなるためプレート自体の変形や基板上に発生するレジンバリの除去など別の問題が生じる恐れがある。さらに、１回の成形毎にキャビティプレートを交換しなければならず成形工程の自動化が難しい等の問題点がある。

特開平４−１８４９４４号公報では、レジンを充填するための流路であるランナやゲート部を金型内に組み込んでこの部分が金型を開いたときに摺動する金型構造を記載している。しかしながら、摺動部上をレジンが流動するためこの摺動部にレジンが流入しやすく、レジンバリとなって摺動抵抗となり動作不良を起こしやすい欠点がある。また、この動作不良は生産上重大な問題となり得る。
米国特許５，２１６，２７８号明細書 米国特許５，１４８，２６５号明細書 特公昭６１−４６０４９号公報 特開平４−１８４９４４号公報

上記従来技術は、レジン成形に用いる成形金型内での上記部品の位置決めが困難である問題があった。また、成形工程が複雑になるなど自動化、省人化を図りにくいという問題があった。これらの要因により、製品が高価格化するという問題があった。

基板を含む成形では、金型内のレジン流路に摺動部がありこの部分にレジンが侵入してレジンバリとなり動作不良を起こしやすく生産効率が低下するという問題があった。そして、レジン流路であるランナやゲート部を成形金型に作りキャビティ部分を別の板部品（キャビティプレート）とし基板と共に金型内に設置して成形する方式では、薄型の製品を作るときは、キャビティプレートも薄くなるためプレート自体が変形するという問題があった。さらに、成形毎にキャビティプレートを交換する必要があり成形工程の自動化が難しく成形効率が低下し製品が高価格化するという問題があった。

本発明は、上記欠点をなくし、生産性が高く低価格となりえるＢＧＡパッケージ構造並びに製造法を提供することを目的とする。

本発明は、上記目的を達成するために、ＩＣチップ、基板又は配線フィルムを固定支持する支持フレームを用いたＢＧＡパッケージ構造とする。ＩＣチップ、基板又は配線フィルムをレジンで覆うＢＧＡパッケージ構造とする。

本発明のより具体的に述べれば以下のとおりとなる。

本発明の第１の態様としては、ＩＣチップとそれを搭載・接続する積層回路基板（以降、基板と略す）あるいは絶縁性基材上に配線パターンを形成した配線フィルム(以降、配線フィルムと略す)とそれらの電気回路部品を外部と接続する電極部を設け、その電極部に金属性バンプを形成してなる半導体装置において、前記ＩＣチップ、基板あるいは配線フィルムを固定支持する支持フレームを有し、電極部以外の少なくとも一部を有機物で封止したことを特徴とする半導体装置が提供される。

この場合、上記支持フレームを金属材料で構成することが好ましい。

上記支持フレームは、ＩＣチップ、基板又は、配線フィルムのいずれかを固定支持することが好ましい。

本発明の第２の態様としては、ＩＣチップとそれを搭載・接続する積層回路基板（以降、基板と略す）あるいは絶縁性基材上に配線パターンを形成した配線フィルム(以降、配線フィルムと略す)とそれらの電気回路部品を外部と接続する電極部を設け、その電極部に金属性バンプを形成してなる半導体装置において、前記ＩＣチップ、基板あるいは配線フィルムを固定支持する支持フレームを放熱板とすることを特徴とする半導体装置が提供される。

本発明の第３の態様としては、ＩＣチップとそれを搭載・接続する積層回路基板（以降、基板と略す）あるいは絶縁性基材上に配線パターンを形成した配線フィルム(以降、配線フィルムと略す)とそれらの電気回路部品を外部と接続する電極部を設け、その電極部に金属性バンプを形成してなる半導体装置において、前記ＩＣチップ、基板あるいは配線フィルムを固定支持する支持フレームの外枠を取外したことを特徴とした半導体装置が提供される。

上記各態様においては、ＩＣチップと基板を固定支持し、ＩＣチップと基板はボンディングワイヤで接続することが好ましい。

また、ＩＣチップと配線フィルムを固定支持し、ＩＣチップと配線フィルムはボンディングワイヤ、金属バンプでの接合あるいは導電性樹脂による接着接合で接続することが好ましい。

上記第１の態様においては、有機物で封止する形態は、ＩＣチップと基板をボンディングワイヤで接続したチップ搭載面並びに基板上の外部と接続する電極部を除く全ての構成部品を封止あるいはチップ搭載面並びに基板側面までの封止あるいはチップ搭載面のみを封止してもよい。

上記第１の態様においては、有機物で封止する形態は、ＩＣチップと配線フィルムを金属接合あるいは導電性樹脂で接続して構成したＩＣチップと配線フィルムの搭載面並びに配線フィルム上の外部電極部を除いた部分の封止あるいはＩＣチップと配線フィルムの接合面までの封止あるいは構成品の全てを封止するものであってもよい。

本発明の第４の態様としては、積層回路基板（以降、”基板”と略す）または絶縁性基材上に配線パターンを形成した配線フィルムと、ＩＣチップと、を支持フレーム上に搭載し、ＩＣチップと、上記基板または配線フィルムと、を電気的に接続し、上記ＩＣチップと、上記基板または上記配線フィルムと、上記支持フレームと、のうちの少なくとも一つについて、少なくともその一部を有機材料で、充填封止し、その後、はんだバンプを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

この場合、上記有機材料の充填封止は、成形金型を用いて行うことが好ましい。

さらには、上記成形金型は、上型と、上記はんだバンプの形成位置に対応して設けられ、上記はんだバンプを形成する部分の形状を成形するための突起物を有する下型と、からなるものであって、上記有機材料の充填封止は、上記互いに電気的に接続された、ＩＣチップと、基板または配線フィルムと、を搭載した支持フレームを、上記上型と上記下型との間に挟持し、該成形金型内に樹脂を押圧することで行うものであってもよい。

本発明の第５の態様としては、半導体装置の樹脂成形に用いられる成形金型において、上型と、キャビティを備えた下型と、からなり、上記下型は、上記半導体装置の外部に露出される電極部の配置パターンと同一のパターンで配置された突起物を、上記キャビティに有するものであること、を特徴とする成形金型が提供される。

この場合、上記下型は、上記突起物の設けられた面に、エアベントを有することが好ましい。

上記エアベントは、上記突起物の設けられている領域の略中央に設けられていることが好ましい。

上記下型は、複数の部品から構成されたものであり、上記エアベントは、該部品と部品との境界における隙間として形成されていることが好ましい。さらには、一部の上記部品は、上記キャビティ内へ突き出し可能に構成されていることが好ましい。

また、上記突起物の登頂部を被覆した、弾性を備えた柔軟物をさらに有することが好ましい。

上記柔軟物は、ゴム系樹脂であってもよい。

上記柔軟物は、シリコンゴム系、または、ポリ４フッ化エチレン系の、樹脂であってもよい。

上記突起物の設けられている面は、上記キャビティの底面であることが好ましい。

本発明の第６の態様としては、積層回路基板（以下、”基板”と略す）、または、絶縁性基材上に配線パターンを形成した配線フィルムと、上記基板または上記配線フィルムと、電気的に接続されたＩＣチップと、上記ＩＣチップと、上記基板または配線フィルムとを搭載した、支持フレームと、上記ＩＣチップと、上記基板または上記配線フィルムと、上記支持フレームとのうちの少なくとも一つについて、少なくともその一部を封止した封止材と、上記基板または配線フィルムを通じて、上記ＩＣチップと電気的に接続され、且つ、外部に露出した複数の電極部と、を有することを特徴とする半導体装置が提供される。

上記電極部は、格子状に配置されていてもよい。

上述の第１〜第３の態様について説明する。

上記した手段を用いれば、成形金型キャビティ内での位置決めが容易となり成形工程での多数個取りができる。支持フレームに放熱板としての作用を持たせること、基板強度を補強し反りを低減できる。また、ＩＣチップ、基板又は配線フィルムをレジンで封止することによる耐湿信頼性の向上やＢＧＡパッケージの反りの低減が図れる。併せて、支持フレームを用いることで各工程の自動化が容易となり生産性の効率向上ができる。

第４、第５、第６の態様についてまとめて説明する。

まず、基板または配線フィルムと、ＩＣチップと、を支持フレーム上に搭載し、電気的に接続する。そして、これらのうちの少なくとも一つについて、少なくともその一部を有機材料で、充填封止する。該封止は、ＩＣチップ等を搭載した支持フレームを、成形金型の上型と下型との間に挟持し、該成形金型内に樹脂を押圧することで行う。

この場合、上記有機材料の充填封止は、成形金型（上型／下型）を用いて行う。製作しようとしている半導体装置がＢＧＡタイプのものであるのならば、下型のキャビティ底面には、半導体装置の電極部配置パターンと同一のパターンで配置された突起物を設けておく。該突起物によって、電極パッド部の周辺の形状を形作る。

このような突起物を設けると、下型のキャビティ（特に、突起物が設けられている領域）では、上型のキャビティに比べて有機材料の流れが悪くなり、該突起物を設けている領域には空気（ボイド）が残りがちとなる。そのため、上記突起物の設けられた面にエアベントを設けることで、このようなボイトの残留を防止する。該エアベントは、下型を構成する複数の部品間の隙間として実現すれば、技術的に容易に実現可能である（下型を一つの部品で構成し、これに単独の孔を設けることで実現しても当然構わない）。ＢＧＡタイプでは、半導体装置の下側面の全体に電極パッドが配置されるため、最終的には、ボイドも該下側面の中央に集まってくる。従って、エアベントも、該下側面の中央（すなわち、突起物の設けられている領域の略中央）とすることで、最後まで確実に空気（ボイド）を排出できる。

上述したとおり、有機材料の流れは、上型のキャビティの方がよい。そのため、成形途中、支持フレーム等は、上型のキャビティを充填した有機材料によって、突起物の側に押された状態となる。これにより、突起物の登頂部に設けた柔軟物（例えば、ゴム系樹脂、特に、シリコンゴム系、ポリ４フッ化エチレン系）が弾性変形し、電極パッド部と該突起物の登頂部との間の隙間を埋める。これにより、該隙間でのバリの発生を防止できる。

下型を構成する部品のうちの一部を、キャビティ内へ突出可能にしておけば、成形品の離型を助ける突出しピンの役割をも果たさせることができる。

以上の様に有機材料で封止した後、電極パッド部にはんだバンプを形成することで、第６の態様として述べた半導体装置が完成する。

本発明によれば、支持フレームを用いることで生産性の向上、低価格化を図ることが容易となる。また、ＢＧＡ素子をレジン封止することで耐湿信頼性等の大幅な向上が図れる。また、第１１〜１３の実施例のように電極数が多くチップ外側にも電極を配置するような構造においても、支持フレームの構造の中でタブの形状を変更した拡張タブ形状とすることで容易に対応できる。これら、支持フレームを用いることで、通常行われている成形手法を取り入れることで成形工程の自動化、省人化が容易であり、生産効率の向上、安定生産が可能となる。

レジン成形時に発生するボイドや基板電極表面のレジンバリを防止する成形金型構造により生産効率の向上、安定生産が可能となる。

本発明の実施例を、図１〜図３７を用いて説明する。図１は、第１の実施例のＢＧＡパッケージ構造の概略を表す斜視図である。フェースアップタイプのＢＧＡパッケージの構成は、ＩＣチップ１、積層回路基板２、基板実装面上にある外部導通用の電極３とそれに接合して外部の電極となる金属バンプ４及びそれらを固定するための支持フレーム（i）５より成り立っている。すなわち、支持フレーム（i）５は、外枠６と基板固定用枠吊りリード７と基板固定用枠８とタブ吊りリード９とタブ１０より構成されている。このタブ１０を中心としてＩＣチップ１並びに基板２が上下から接着剤などにより固定された状態となる。基板２の基材としては絶縁物であれば良い。配線は、ＩＣチップ１のパッド１１部と基板２の配線パッド部１２とは金線１３等によるワイヤボンディングにて電気的に接続されている。ワイヤボンディングで接続された基板２表面のパッド１２からは基板２裏面にある電極３と導通を得るための配線（図示せず）がされている。これら電気配線は絶縁物（図示せず）で保護されていることは云うまでもない。基板２裏面へと導通したものはそれぞれの電極３へと配線されている。この状態で成形金型へ設置され基板２実装面にある電極３を除いた部分全体をレジン１４により封止して保護しパッケージ形状の完成となる。レジン封止後、この電極３へ金属バンプ例えばはんだボール等を接合し電気配線が完了となり製品となる。

図２〜図４に製造プロセスの概略とそれぞれの概略図を併せて示す。レジン成形は、多数個取りの成形が通常行われており、この場合の製造プロセスについて以降説明する。図２は、構成部品であるＩＣチップ１、基板２、支持フレーム（i）５を組み立てるときの工程の概略（ａ）を示したものである。すなわち、支持フレーム（i）５は複数個の成形ができるように多連となり（ｃ）に示すような構造となる。この多連支持フレーム（i）５（ｃ）上の各々のタブ１０部にＩＣチップ１（ｂ）を搭載し接着剤などにより固定する。次に、基板２（ｄ）を多連支持フレーム（i）５（ｃ）裏側よりタブ１０裏側並びに基板固定用枠８部へ接着剤などにより固定しタブ１０部を間に挟んだ三層構造を製造する。この多連支持フレーム（i）５（ｃ）の外枠上には各製造プロセスを自動的に行うためのガイド穴（図示せず）を設けている。その後、ＩＣチップ１上のパッド部（図示せず）と基板２上のパット部（図示せず）を金線１３等によるワイヤボンディングを行い基板２との導通を取りチップ／基板搭載多連支持フレーム１５（ｅ）を完成する。

図３に、チップ／基板搭載多連支持フレーム１５を用いてレジン成形する工程の概略（ａ）を示す。ここでは、熱硬化型樹脂であるエポキシレジンを用いてトランスファ成形する場合について説明する。成形金型（i）１６（ｃ）内に設けられたキャビティ１７内にチップ／基板搭載多連支持フレーム１５（ｂ）を設置する。この時、成形金型（i）１６は、エポキシレジンが硬化する温度に加熱した状態にある。次に、成型加工されたレジンタブレット（図示せず）を金型内のポット部（図示せず）に投入しプランジャ（図示せず）にて押圧する。プランジャ（図示せず）にて押圧されたレジン１４は加熱溶融し金型内のランナ１８→ゲート１９を流動しキャビティ１７内へと流入し硬化反応により硬化し成形品となる。キャビティ１７内の状態を拡大図（ｄ）にて説明する。すなわち、上型２０と下型２１の間に多連支持フレーム１５を挟みキャビティ１７内にチップ／基板を搭載したタブ１０部を設置する。この時、チップ／基板搭載多連支持フレーム１５の位置は、支持フレーム上に設けた位置決め穴（図示せず）と金型内の位置決めピン（図示せず）によりキャビティ１７内での位置決めをすることは云うまでもない。このように、キャビティ１７内に設置した状態でレジンを流入させ電極部以外を全て蓋いレジン封止を完成する。この時、下型２１のキャビティ部に設けた突起部２２により基板２実装面側にある電極３部へのレジン１４の侵入を阻止し電極３部のみを露出した状態でレジン成形を完了する。

図４に、成形品〜完成品までの工程の概略（ａ）を示す。レジン封止した成形品２３（ｂ）は、レジン成形後不用となる支持フレーム外枠６部分並びにゲート１９、ランナ１８部分は、切断金型２４（ｃ）にて切断され成形品２３から分離される。分離された切断成形品２５（ｄ）は次に、外部電極部を形成するための工程（ｅ）へと進む。すなわち、先に露出させておいた基板実装面の電極３部へ例えばボール状のはんだ４を供給し加熱接合し最終的な外部電極部２６を完成させて全ての工程を完了しレジン封止型のＢＧＡパッケージ（ｆ）を完成する。このように、チップ／基板搭載多連支持フレーム１５を用いることでレジン封止工程は、現状行われている一般的なトランスファ成形手法でできるため生産コストの低減、生産効率の向上が図れる。また、チップ／基板をレジン封止することで有機物で構成された基板の場合は、基板からの吸湿も防止できるため大幅な耐湿信頼性の向上が図れるものと考える。さらに、稼働時にチップ発熱が多く冷却する必要がある製品の場合には、チップ下のタブ部並びに基板固定枠部分を通して放熱効果が向上する特徴がある。さらに、高放熱性が必要となる場合は、先に切断した支持フレーム外枠６部分を切断せずに放熱板として用いることもできる特徴がある。

本発明の第２の実施例を図５に示す。図５は、支持フレーム構成部の中でタブ吊りリード部及びタブ部のない支持フレーム（ii）２７で構成したＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。すなわち、ＩＣチップ１と基板２を直接接着し支持フレーム（ii）２７との接着は、基板２と基板固定用枠８部分で行ったものである。このような構造とするとパッケージ厚さを薄くできるなどの効果がある。また、基板２上のパッド１２の配置は自由に設計できる特徴がある。さらに、チップと基板を接続するワイヤボンディング工程も容易となる特徴がある。また、レジン成形は、図３の（ｃ）、（ｄ）に示す成形金型１６を図２６に示す成形金型（ii）４０構造の物と入れ替えて行えば良い。また、図４の（ｃ）に示す切断金型２４は成形品形状により入れ替えることは云うまでもない。

本発明の第３の実施例を図６に示す。これは、基板固定用枠吊りリード７を曲げて基板固定用枠部分８を基板２の電極３がある実装面側で固定接着する支持フレーム（iii）２８で構成したＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。このような構造にすると基板２上のパッド配置は自由となり数が多い場合でも対応ができる特徴がある。さらに、チップと基板を接続するワイヤボンディング工程も容易となる特徴がある。また、レジン成形は、図３の（ｃ）、（ｄ）に示す成形金型１６を図２７に示す成形金型（iii）４１構造の物と入れ替えて行えば良い。また、図４の（ｃ）に示す切断金型２４は成形品形状により入れ替えることは云うまでもない。

以上第１〜３の実施例は、基板２の電極３部以外を全てレジンで封止した構造であり高い耐湿信頼性を確保できる効果がある。この封止は、無機物による密封方式を用いても同様の効果があることは云うまでもない。

次に、基板側面までレジン封止したパッケージ構造を説明する。この構造の第４の実施例を図７に示す。支持フレームの構造は、第１の実施例と同様のものである。第５の実施例を図８に示す。支持フレーム構造は、第２の実施例と同様なものである。

第４、５の実施例は、基板の電極３数が多くレジン封止が困難となる場合に容易に対応できる特徴がある。レジン成形は、図３の（ｃ）、（ｄ）に示す成形金型１６を第４の実施例では図２８に示す成形金型（iv）４２構造、第５の実施例では図２９に示す成形金型（v）４３構造の物と入れ替えて行えば良い。また、図４の（ｃ）に示す切断金型２４は成形品形状により入れ替えることは云うまでもない。そして、成形金型のキャビティ部の製作（下型キャビティ部の突起部不用）も容易になり生産コストも低減できる特徴がある。

次に、チップ／基板搭載面をレジン封止したパッケージ構造を説明する。この構造の第６の実施例を図９に示す。支持フレームの構造は、第１の実施例と同様のものである。第７の実施例を図１０に示す。支持フレーム構造は、第２の実施例と同様なものである。成形金型の製作も容易になり生産コストも低減できる特徴がある。

第６、７の実施例は、基板の電極３数が多くレジン封止が困難となる場合に容易に対応できる特徴がある。レジン成形は、図３の（ｃ）、（ｄ）に示す成形金型１６を第６の実施例では図３０に示す成形金型（vi）４６構造、第７の実施例では図３１に示す成形金型（vii）４７構造の物と入れ替えて行えば良い。また、図４の（ｃ）に示す切断金型２４は成形品形状により入れ替えることは云うまでもない。そして、成形金型のキャビティ部の製作（下型キャビティ部の突起部不用）も容易になり生産コストも低減できる特徴がある。

以上述べた第１〜７の実施例で使用した基板材質は有機物で構成されたものを中心に説明したが、目的に応じて無機物を用いてもなんら支障のないことは云うまでもない。さらに、第１〜７の実施例で共通していえることは、支持フレームを用いることで成形後不用となるランナ、ゲートの切断時にも基板へのダメージをなくすことができる。すなわち、レジン封止品は、支持フレーム外枠とは基板固定用枠吊りリードのみでつながっているので切断時に基板に加わる応力をなくすことができ信頼性を向上できる効果がある。さらに、稼働時にチップ発熱が多く高放熱性が必要となる場合は、先に切断した支持フレーム外枠６部分を切断せずに放熱板として用いることができる特徴がある。

第１〜７の実施例で用いた支持フレームの１成形品部分のパターンを図１１〜図１６に示す。図１１は、第１、４、６の実施例に用いた支持フレームを示したものである。外枠６と基板固定用枠８は、基板固定用枠吊りリード７により連結され、タブ１０は、タブ吊りリード９により基板固定用枠８と連結された構造となっている。図１２は、第２、５、７の実施例に用いた支持フレームを示したものである。外枠６と基板固定用枠８は、基板固定用枠吊りリード７により連結された構造となっている。図１３は、第３の実施例に用いた支持フレームを示したものである。外枠６と基板固定用枠８は、基板固定用枠吊りリード７により連結された構造となっている。その基板固定用枠吊りリード７は折り曲げられ、基板固定用枠８は外枠６より下の位置にある構造となっている。ここでは、各要素の連結を４ヶ所で行ったものについて述べたが必要に応じて連結するリード数を増減しても良い。

図１４〜図１６は、基板固定用枠８の形態でなく４点で接着するような基板固定用リード３０形状としたときの支持フレームの１成形品部分を示したものである。このような支持フレームを用いても先に述べたことと同様の効果があることは云うまでもない。これら図１１〜図１６の支持フレームは、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ合金等金属材料を用いても良い。また、各要素の連結を４ヶ所で行ったものについて述べたが必要に応じて連結するリード数を増減しても良い。

そして、図１４〜図１６で説明した支持フレームの外枠６には、各製造プロセスでの位置決めをするためのガイド穴２９を設けた構造となっている。

次に、本発明の第８の実施例であるフェースダウンタイプのＢＧＡパッケージ構造の斜視図を図１７に示す。ＢＧＡパッケージの構成は、ＩＣチップ１、耐熱絶縁性基材上に配線パターンを形成した配線フィルム３１（以降、配線フィルムと略す）、絶縁性の挿入物３２、配線フィルム３１上にある電極３３とそれに接合して外部への電極となる金属バンプ４及びそれらを固定するための支持フレーム（iv）３４より成り立っている。すなわち、支持フレーム（iv）３４は、外枠部６とタブ吊りリード９部とタブ部１０より構成されている。このタブ部１０にＩＣチップ１の裏面側を接着剤などにより固定する。配線は、ＩＣチップ１のパッド部（図示せず）と配線フィルム３１の配線パッド部（図示せず）を金属接合し電気的に接続されている。このフィルム３１上のパッドから各々の外部電極３３へと配線がつながっている。この状態で成形金型へ設置され外部電極３３部分、タブ１０の裏面側を除いた部分をレジン１４により封止して保護しパッケージ形状の完成となる。レジン封止後、この電極部３３へ金属バンプ４例えばはんだボール等を接合し電気配線が完了となり製品となる。

製造プロセスは、第１の実施例で説明したものと構成部材が異なるので図１８にその概略を示す。レジン成形は、多数個取りの成形が通常行われているのでこの場合について説明する。図１８は、構成部品であるＩＣチップ１、配線フィルム３１、挿入物３２、支持フレーム（iv）３４を組み立てるときの工程の概略（ａ）を示したものである。すなわち、支持フレーム（iv）３４は複数個の成形ができるように多連となり（ｅ）に示すような構造となる。この多連支持フレーム（iv）３４（ｅ）上のタブ部１０にＩＣチップ１（ｄ）を搭載接着する。次に、ＩＣチップ１のパッド部以外の部分に絶縁性の挿入物３２（ｃ）を置き接着する。最後に、配線フィルム３１（ｂ）のパッド部（図示せず）とチップパッド部（図示せず）の位置合わせをし、挿入物３２（ｃ）と接着する。この多連支持フレーム（iv）３４（ｅ）の外枠上には各製造プロセスを自動的に行うためのガイド穴（図示せず）を設けている。ＩＣチップ１と配線フィルム３１の導通は、例えば、Ａｕ、はんだ合金他の金属材料を加熱接合あるいは導電性樹脂例えば金属粉入りのエポキシ樹脂他を用いて接着接合する。これにより、チップ／配線フィルム搭載多連フレーム３５（ｆ）の完成となる。その後は、第１の実施例で説明した図３〜図４で示す工程と同様の経過を経る。この工程の中で、レジン成形は、図３の（ｃ）、（ｄ）に示す成形金型１６を図３２に示す成形金型（viii）４８の構造の物と入れ替えて行えば良い。また、図４（ｃ）に示す切断金型２４は成形品形状に合わせて入れ替えることは云うまでもない。このような構造にするとタブ１０裏面が露出していることより高放熱性を得られる特徴がある。さらに、冷却フィン等の強制冷却機構を容易に取り付けられる特徴がある。また、配線フィルム３１上の外部電極３３以外はレジンで封止されるので耐湿信頼性が向上する特徴がある。

次に、配線フィルム３１上の外部電極３３以外は全てレジン１４で封止した第９の実施例を図１９に示す。レジン成形は、図３の（ｃ）、（ｄ）に示す成形金型１６を図３３に示す成形金型（ix）４９の構造の物と入れ替えて行えば良い。また、図４（ｃ）に示す切断金型２４は成形品形状に合わせて入れ替えることは云うまでもない。このような構造にすると高い耐湿信頼性を要求されるものに適した特徴を有したものとなる。

次に、第１０の実施例を図２０に示す。これは、チップ／配線フィルムパッド部接合部分のみレジン封止したものである。レジン成形は、図３の（ｃ）、（ｄ）に示す成形金型１６を図３４に示す成形金型（x）５０の構造の物と入れ替えて行えば良い。また、図４（ｃ）に示す切断金型２４は成形品形状に合わせて入れ替えることは云うまでもない。このような構造にするとパッケージの薄型化に適した特徴を有するものとなる。

本構造において、外部電極数が多くなりチップサイズ内で配置しきれない場合のＢＧＡパッケージ構造を第１１の実施例として図２１に示す。支持フレーム（v）３６は、タブ部１０の４辺より拡張タブ３７を必要に応じて張り出させチップ外側電極設置用として用いる。この拡張タブ３７並びにタブ吊りリード９を折り曲げることでＩＣチップ１上に配される拡張配線フィルム３８上の電極部３９と同じ高さになるように予め高さ調整をしておく。これにより、拡張配線フィルム３８を接着固定した時の平面度を保持するようにする。この状態で、レジン封止を行いＢＧＡパッケージとする。製造プロセスは、図１８で説明した各構成部品の組立て工程を経て第１の実施例で説明した図３〜図４で示す工程と同様の経過を経る。この工程の中で、レジン成形は、図３（ｃ）、（ｄ）に示す成形金型１６を図３５に示す成形金型（xi）５１の構造の物と入れ替えて行えば良い。また、図４（ｃ）に示す切断金型２４は成形品形状に合わせて入れ替えることは云うまでもない。このように、支持フレーム（v）３６の拡張タブ部３７の形状を変更することで多数の電極数に容易に対応できる特徴がある。また、拡張配線フィルム３８の平面度も容易に確保できる特徴がある。そして、タブ部１０は露出した状態であるため、冷却機構を取付けも容易になる特徴がある。さらに、拡張タブ部３７を通しての放熱効果が大きい特徴もある。また、レジン封止による耐湿信頼性の向上は云うまでもない。

第１２の実施例を図２２に、第１３の実施例を図２３に示す。これは、製品の必要度に応じてレジン１４封止部分を変えたものである。レジン成形は、図３（ｃ）、（ｄ）に示す成形金型１６を第１２の実施例では図３６に示す成形金型（xii）５２の構造の物と、第１３の実施例では図３７に示す成形金型（xiii）５３の構造の物と入れ替えて行えば良い。また、図４（ｃ）に示す切断金型２４は成形品形状に合わせて入れ替えることは云うまでもない。これら、パッケージ構造も第１１の実施例で述べたと同様の特徴を備えていることは云うまでもない。

第８〜１３の実施例で共通していえることは、支持フレームを用いることで成形後不用となるランナ、ゲートの切断時にも基板へのダメージをなくすことができる。すなわち、レジン封止品は、支持フレーム外枠とはタブ吊りリードのみでつながっているので切断時にチップ，配線フィルムに加わる応力をなくすことができ信頼性を向上できる効果がある。さらに、稼働時にチップ発熱が多く高放熱性が必要となる場合は、拡張タブ部が放熱板となり冷却効率が高くなる特徴がある。そして、先に切断した支持フレーム外枠６部分を切断せずに放熱板として用いることもできる特徴がある。

第８〜１３の実施例で用いた支持フレームの１成形品部分のパターンを図２４、図２５にまとめた。図２４は、第８〜１０の実施例に用いた支持フレームを示したものである。外枠６とタブ１０はタブ吊りリード９で連結された構造となっている。図２５は、第１１〜１３の実施例に用いた支持フレームを示したものである。外枠６とタブ１０はタブ吊りリード９で連結され、タブ１０の４辺からは拡張タブ３７が張り出した構造となっている。その拡張タブ３７とタブ吊りリード９は折り曲げられ、拡張配線フィルム３８上の電極部３９が全て同じ高さになるように予め高さ調整された構造となっている。ここでは、各要素の連結を４ヶ所で行ったものについて述べたが必要に応じて連結するリードの数を増減しても良い。また、図２４、図２５の支持フレームは、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ合金他の金属材料を用いても良い。そして、図２４、図２５の支持フレームの外枠６には、各製造プロセスでの位置決めをするためのガイド穴２９を設けた構造となっている。

第１、２、３、８、９、１１、１２の実施例を成形する上では、（１）成形品にボイド等が発生する外観不良をなくすこと、（２）はんだバンプ等を接合する上で基板電極表面にレジンバリの発生がないこと、の２つの課題を解決することが必要である。そこで、以下において、該２つの問題を解決する方法をそれぞれ説明する。

（１）の問題を解決するための方法について説明する。

まず、上記実施例のパッケージを成形したときのレジン充填状態を、模式的に図３８〜図４０を用いて説明する。これは、課題（１）のボイド発生過程とそれを防ぐための方式を示したものである。

図３８は、成形時のレジン充填状態を模式的に表したものである。

図３８（ａ）はゲート１９を通過したレジン１４がキャビティ内を充填する過程を示す。図３８（ｂ）は、図３８（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。図３９（ａ）、図３９（ｂ）は、その後のレジン充填状態を示したものである。

実線５４は上型キャビティ部のレジン流動先端を、また、破線５４は、同時刻の下型キャビティ部のレジン流動先端を、模式的に示したものである。

図３９からわかるように、上型キャビティ５６部と下型キャビティ５７部とではレジン流路の形状が大きく異なる。このため、レジン流動時には上型キャビティ部５６の方が下型キャビティ５７部に比べ大幅に早く充填が完了する。流路が複雑である下型キャビティ５７部は、これに遅れて充填される。上型キャビティ５６部の充填が完了した後、下型キャビティ５７部では、４辺周囲より中央部に向かってレジンの充填が進んでいく。このため、図３９に示されているように、下型キャビティ５７部では、下型キャビティ内の空気（ボイド）５８が逃げ場を失い閉じ込められた状態となる。

そして、最終的にレジン充填が完了した状態でも、図４０に示すとおり、下型キャビティ５７の中央部に空気（ボイド）５８が残ったままとなり、成形不良となる。

本発明では成形金型の下型キャビティ部にエアベントを設けることで、ボイド５８を無くして成形不良を防いでいる。以下、該成形金型を、第１４の実施例として図４１〜図４２を用いて説明する。

図４１は、下型キャビティ部５７の中央部分を拡大したものである。本実施例では、ボイドとなる空気を逃がすための通路（以降、エアベントと呼ぶ）５９を、下型キャビティ部５７に設けている。

エアベントは、空気のみを逃し、レジンは侵入できないような大きさとしなければならない。このような大きさの孔を直接形成することは技術的に困難であるため、本発明では、下型を複数の部品に分割し、これら部品同士の境界においてエアベントを形成している。具体的には、下型キャビティ部５７にある程度の大きさの孔を設け、該孔に、分割部品６０を栓のごとく嵌合させている。そして、両者の境界面６１に所定のすきまを残すことで、該すきまをエアベント５９としている。従って、ボイドは、該エアベント５９をとおって、下型キャビティ５７の厚さ方向へと逃げることになる。

下型キャビティ部５７には、既に述べたとおり、電極部を残すための突起部２２が格子状に設けられている。分割部品６０の上面にも、同様に、突起部２２を設けている。

さらに、本実施例では、この分割部品６０に突出しピンも兼ねさせている。つまり、該分割部品６０を必要に応じてキャビティ５７の内側方向へ突き出すようにすることで、成形品２３の離型を助ける。該分割部品６０の突出し動作は、分割部品６０の外側端部を、上下方向に移動可能に構成された固定板６３に取り付けることで実現している。これにより、固定板６３の上下方向への移動に伴って、分割部品６０はキャビティ内へ突出可能となっている。

このような金型を用いた場合の一連の成形工程を図４２を用いて説明する。

図４２（ａ）は、金型キャビティ内に設置した支持フレーム５（ここでは、実施例１を例に取る。）、基板２、ＩＣチップ１のキャビティ中央部を拡大した断面を示したものである。

図４２（ｂ）はレジン１４の充填過程を示したものである。閉じ込められたボイド５８は、エアベント５９を通じて、下型キャビティの厚さ方向に流れて、キャビティの外へと排出される。図中、該ボイト５８の流れを矢印で示した。

図４２（ｃ）は、レジン１４の充填および加熱硬化完了後に成形品を離型する際の様子を示したものである。固定板６３を金型に接近するように移動させると、分割部品６０はキャビティ内部へ突出した状態となる。これにより成形品２３は金型から離型される。また、エアベント５９にわずかにレジンが侵入することで生じたレジンバリ６４も、分割部品６０の該摺動動作に伴って剥がれ落ちる。従って、次の成形時にはエアベント５９は再び正常な状態に戻る。

ここでは下型キャビティ部を２分割した場合について述べたが必要に応じて複数個の分割をしてもなんら差し支えないことは云うまでもない。

さらに、分割部品６０の形状は矩形であったが他の形状（長方形、円形他）でもなんら差し支えないことは云うまでもない。

また、レジンバリの除去を容易にするための表面処理、例えば、ポリ４フッ化エチレンコーティング他の処理を行ってもなんら差し支えないことは云うまでもない。

このように下型キャビティ部にエアベントを設けることによりボイドをなくすことができる。さらに、エアベントを設けるための構成部品（ここでは、分割部品６０）に突出しピンを兼ねさせることで、エアベント部に付着したレジンバリを自動的に除去できる。そのため、モールド工程の自動化が容易である。

次に、上記課題（２）の基板電極表面上のレジンバリ発生過程とそれを防ぐための方法を説明する。

その前に、レジンバリの発生過程について図４３を用いて説明する。

図４３（ａ）は、基板電極部と下型キャビティ突起部を拡大した断面を示したものである。

基板２の電極３の周辺や配線（図示せず）は、絶縁物６５で覆われている。キャビティ内では、基板２の電極表面６６と、下型キャビティの突起部２２の登頂部６７と、が接した状態となっている。つまり、固体表面同士が接している。該接触部分をさらに拡大し模式的に描いたのが図４３（ｂ）である。電極表面６６および登頂部６７は、共にその表面に微細な凹凸がある。そのため、両者の接触部には、隙間６８が存在する。このような隙間６８のある状態でレジン成形を行うと、図４３（ｃ）のように、この隙間６８へレジン１４が侵入し、レジンバリ６４として電極表面６６に残ることになる。

さらに、基板全体から見ると、基板自体の反り変形や厚さバラツキに起因したレジンバリの発生も考えられる。

これら要因に起因したレジンバリの発生を防止する方法としては、基板を下型キャビティの突起部に強制的に押し付けることで隙間を無くす方法が考えられる。しかし、この方法では、押し付ける力によって基板が損傷すること等が考えられる。そのため、本発明では、離型剤あるいはゴム系樹脂を用いてこの隙間を埋めることで、レジンバリを防ぐ方法を提案する。以下、離型剤を用いる方法を第１５の実施例として、また、ゴム系樹脂を用いる方法を第１６の実施例として説明する。

第１５の実施例を図４４〜図４５を用いて説明する。

まず、基板２の電極３と同一のパターンで配置されたダミー突起物６９を備えた、ダミーの型７１を用意する。そして、該ダミー突起物６９の登頂部に離型剤７０を塗布する（図４４（ａ）参照）。ダミー突起物６９への離型剤の塗布は、例えば、離型剤を塗布した板等に、該ダミー突起物６９を当てることで容易に可能である。離型剤としては、例えば、溶剤に分散させた、シリコーン樹脂系のものあるいはポリ４フッ化エチレン樹脂系のものがよい。また、成形温度付近で液状に近い状態となるものであれば、ワックス系のものでも良い。

次に、基板２を、ダミーの型７１に乗せる（図４４（ｂ）参照）。この場合、ダミー突起物６９と、電極３との位置あわせを行っておく。これにより、電極３の表面（電極表面６６）へ離型剤７０を転写することができる（図４４（ｃ）参照）。

このようにして電極表面６６に離型剤７０を転写された基板２を、レジン成形用の金型に入れる。すると、基板２の電極表面６６と、下型キャビティの突起部２２の登頂部６７とは、離型剤７０を介して接触した状態となる（図４５（ａ）参照）。

電極表面６６と突起部２２の表面との間の隙間は、離型剤７０によって埋められる。これにより、成形時に該隙間にレジンが侵入することは妨げられ、レジンバリの発生を防ぐことができる（図４５（ｂ）参照）。

成形後、電極表面６６並びに登頂部６７には離型剤７０が付着している（図４５（ｃ）参照）。従って、これを除去した後、電極表面６６にはんだバンプ他の外部電極を形成することで、パッケージが完成する。

第１６の実施例を図４６〜図４７を用いて説明する。

該方法では、予め特別の金型を準備しておく必要がある。先ず、金型の準備段階を説明する。

先ず、基板２の電極３に、熱硬化型のゴム系樹脂７２を塗布する（図４６（ａ））。熱硬化型のゴム系樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂系やポリ４フッ化エチレン系のものが良い。該ゴム系樹脂７２の塗布は、実施例１５における離型剤の塗布方法と同様の方法を適用可能である。

続いて、該基板２を成形用の金型に載せる（図４６（ｂ）参照）ことで、下型キャビティの突起部２２にゴム系樹脂７２を転写する（図４６（ｃ）参照）。この後、所定の硬化条件にてゴム系樹脂７２を硬化させる。

このようにして突起部２２にゴム系樹脂７２を備えた金型を作製することができる。次に、この金型を用いてのレジン成形の様子を図４７を用いて説明する。

基板２を先の金型にいれると、基板２の電極表面６６と、下型キャビティの突起部２２とは、ゴム系樹脂硬化物７３を介して接触した状態となる（図４７（ａ）参照））。先に述べたとおり、レジン成形時には、下型キャビティ部よりも早い時期に上型キャビティの方にレジンが充填される（図３８〜図４０参照）。従って、下型キャビティ部へのレジン充填が起こっている時、上型キャビティ部に充填されているレジンによって、基板２は、下型キャビティの突起部２２側へ押し付けられている。このように基板２が下側に押しつけられることで、電極表面６６とゴム系樹脂硬化物７３とは密着する。さらに、これに伴って該ゴム系樹脂硬化物７３が突起物２２の表面凹凸に倣って弾性変形することで、電極表面６６と、ゴム系樹脂硬化物７３との隙間は埋められる（図４７（ｂ）参照）。これにより成形時に両者の間にレジンが侵入し、レジンバリが発生するのを防ぐことができる。

成形終了後に成形品２３を離型すれば、弾性変形していたゴム系樹脂硬化物７３は元の状態に復元する（図４７（ｃ）参照）。従って、該金型は、そのまま次回の成形に用いることができる。

この後、基板２の電極３上にはんだバンプ他の外部電極を形成することで、パッケージは完成する。

第１５の実施例および第１６の実施例の効果を説明する。

電極表面６６にレジンバリができていると、当該電極表面にははんだバンプを形成することができない。従って、ここでははんだバンプの形成時の歩留まりに基づいて効果を検討する。はんだバンプ形成可能率を図４８に示した。ここに示したデータは、ここでは、電極数が４００個の場合の例である。

基板電極表面と金型突起部との間に柔軟物がない方式においては、はんだバンプ形成率は、約５０％であった。これに対して柔軟物（上述の離型剤７０あるいはゴム系樹脂硬化物７２）を金型突起部に設けた第１５、１６の実施例では、ほぼ１００％の値となっていた。従って、第１５、１６の実施例のように基板電極表面と金型突起部との間に柔軟物を介在させることで、基板の反りや厚さのバラツキを吸収し、また、両表面の密着性も向上させて、レジンバリの発生を防止できる。

ここでは、離型剤、ゴム系硬化物について述べたが、成形温度にて変形する柔軟物であれば同様の効果があることは云うまでもない。

第１の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 チップ／基板搭載多連フレーム完成までの工程図である。 レジン成形するまでの工程図である。 成形品から完成までの工程図である。 第２の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 第３の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 第４の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 第５の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 第６の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 第７の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 第１、４、６の実施例で用いた支持フレームの形状図である。 第２、５、７の実施例で用いた支持フレームの形状図である。 第３の実施例で用いた支持フレームの形状図である。 支持フレームの形状を変えたときの形状図である。 支持フレームの形状を変えたときの形状図である。 支持フレームの形状を変えたときの形状図である。 第８の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 チップ／配線フィルム搭載多連フレーム完成までの工程図である。 第９の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 第１０の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 第１１の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 第１２の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 第１３の実施例のＢＧＡパッケージ構造の斜視図である。 第８、９、１０の実施例で用いた支持フレームの形状図である。 第１１、１２、１３の実施例で用いた支持フレームの形状図である。 第２の実施例を成形するときの成形金型の斜視図である。 第３の実施例の成形するときの成形金型の斜視図である。 第４の実施例の成形するときの成形金型の斜視図である。 第５の実施例の成形するときの成形金型の斜視図である。 第６の実施例の成形するときの成形金型の斜視図である。 第７の実施例の成形するときの成形金型の斜視図である。 第８の実施例の成形するときの成形金型の斜視図である。 第９の実施例の成形するときの成形金型の斜視図である。 第１０の実施例の成形するときの成形金型の斜視図である。 第１１の実施例の成形するときの成形金型の斜視図である。 第１２の実施例の成形するときの成形金型の斜視図である。 第１３の実施例の成形するときの成形金型の斜視図である。 レジン充填過程の状態模式図である。 レジン充填過程の状態模式図である。 レジン充填過程終了時の状態模式図である。 本発明の実施例１４の下型キャビティ中央部の拡大図である。 本発明の実施例１４の作用を示す金型キャビティ中央部の模式図である。 基板電極部と下型キャビティ突起部との接触状態を模式的に示した図である。 本発明の実施例１５の基板電極表面に離型剤を塗布する工程を示す図である。 離型剤付き基板の成形過程を表す図である。 本発明の実施例１６の突起物２２に熱硬化型ゴム系樹脂を付着させる工程を示す図である。 ゴム系樹脂硬化物７３の付着された突起物２２を備えた金型を用いて成形する過程を表す図である。 はんだバンプ形成率の比較図である。 従来のフェースアップタイプのＢＧＡパッケージの断面図である。 図４９を上側から見た平面図である。 図４９を下側から見た平面図である。 従来のフェースダウンタイプのＢＧＡパッケージの斜視図である。 図４１の接続部分を拡大した断面図である。

符号の説明

１・・・ＩＣチップ、２・・・積層回路基板、４・・・金属バンプ、５・・・支持フレーム（i）、７・・・基板固定用枠、１５・・・チップ／板搭載多連支持フレーム、２７・・・支持フレーム（ii）、２８・・・支持フレーム（iii）、２９・・・ガイド穴、３０・・・基板固定用リード、３１・・・配線フィルム、３２・・・絶縁性挿入物、３４・・・支持フレーム（iv）、３５・・・チップ／配線フィルム搭載支持フレーム、３６・・・支持フレーム（v）、３７・・・拡張タブ、３８・・・拡張配線フィルム、５８・・・ボイド、６０・・・分割部品、６２・・・突出しピン、６４・・・レジンバリ、６６・・・電極表面、６９・・・ダミー突起物、７０・・・離型剤、７１・・・離型剤付き基板、７２・・・熱硬化型のゴム系樹脂、７３・・・ゴム系樹脂硬化物

Claims (10)

1. 半導体装置の製造方法であって、
   配線基板又は配線フィルムである複数の基体部材を一のフレームに固定する工程と、
   複数の半導体チップと前記基体部材とを各々電気的に接続する工程と、
   前記複数の半導体チップが各々設置された複数のキャビティを有する金型を用いて前記半導体チップを樹脂封止する工程とを有し、
   前記樹脂封止する工程では、前記フレームを用いて前記金型内で位置決めを行い、前記複数の半導体チップを樹脂封止し、
   前記金型は、上型と下型を有し、前記下型のキャビティには、前記基体部材の電極に対向する位置に突起物が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記下型は、前記突起物の設けられた面にエアベントを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記エアベントは、前記突起物を有する領域の略中央に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項２又は３記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記下型は、複数の部品から構成されるものであり、前記エアベントは前記部品と部品との隙間として形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４記載の半導体装置の製造方法であって、
   一部の前記部品は、前記複数のキャビティ内へ突き出し可能に構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記下型は、前記突起物の頭頂部を被覆した弾性を備えた柔軟物を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項６記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記柔軟物は、ゴム系樹脂であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項６記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記柔軟物は、シリコンゴム系の樹脂であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項６記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記柔軟物は、ポリ４フッ化エチレン系の樹脂であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記突起物の設けられている面は、前記キャビティの底面であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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