JPH1187594A - 半導体装置及び半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置及び半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH1187594A JPH1187594A JP23862697A JP23862697A JPH1187594A JP H1187594 A JPH1187594 A JP H1187594A JP 23862697 A JP23862697 A JP 23862697A JP 23862697 A JP23862697 A JP 23862697A JP H1187594 A JPH1187594 A JP H1187594A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高放熱性を要求される半導体装置において、長
ワイヤ組立が実現かつ２倍の放熱性を得ることができる
半導体装置及び半導体装置用リードフレームを提供す
る。 【解決手段】表面及び裏面の必要部分を絶縁テープもし
くは絶縁物にてコーテイング処理し、かつワイヤ組み立
て時のワイヤ通路部に相当する部分の一部に貫通口を設
けた放熱板を用いる。
ワイヤ組立が実現かつ２倍の放熱性を得ることができる
半導体装置及び半導体装置用リードフレームを提供す
る。 【解決手段】表面及び裏面の必要部分を絶縁テープもし
くは絶縁物にてコーテイング処理し、かつワイヤ組み立
て時のワイヤ通路部に相当する部分の一部に貫通口を設
けた放熱板を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及び半導
体装置用リードフレームに関する。
体装置用リードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術を図８及び図９を参照して説
明する。図８において、フレーム部１から多数のリード
１３がデバイスホール内に突出し、リード１３はそのイ
ンナーリード３とアウターリード２の境においてタイバ
ー５によって互いに連結している。
明する。図８において、フレーム部１から多数のリード
１３がデバイスホール内に突出し、リード１３はそのイ
ンナーリード３とアウターリード２の境においてタイバ
ー５によって互いに連結している。
【０００３】インナーリード３の先端部分は、絶縁テー
プあるいは絶縁物質の絶縁材１５により放熱板１４に固
着され、半導体素子７の裏面はマウント材９により放熱
板１４に固着されている。
プあるいは絶縁物質の絶縁材１５により放熱板１４に固
着され、半導体素子７の裏面はマウント材９により放熱
板１４に固着されている。
【０００４】そして半導体素子７の表面側に形成された
それぞれの電極１６がボンディングワイヤ６によって対
応するリード１３のインナーリード３の部分に接続され
ている。
それぞれの電極１６がボンディングワイヤ６によって対
応するリード１３のインナーリード３の部分に接続され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の第１の
問題点は、組立上、長ワイヤ組立が不可能でありボンデ
ィングワイヤ長が例えば３．２ｍｍ未満に制限されるこ
とである。
問題点は、組立上、長ワイヤ組立が不可能でありボンデ
ィングワイヤ長が例えば３．２ｍｍ未満に制限されるこ
とである。
【０００６】その理由は、リードフレームのボンディン
グ部のインナーリード下面に絶縁テープもしくは絶縁物
を介して放熱板が貼り付けられているため、ボンディン
グ時に超音波振動エネルギーが有効に作用しない。した
がって、ワイヤ変形を生じるためである。
グ部のインナーリード下面に絶縁テープもしくは絶縁物
を介して放熱板が貼り付けられているため、ボンディン
グ時に超音波振動エネルギーが有効に作用しない。した
がって、ワイヤ変形を生じるためである。
【０００７】第２の問題点は、放熱特性が片方側のみの
一放熱板にて制限されることである。
一放熱板にて制限されることである。
【０００８】その理由は、従来、半導体素子裏面をリー
ドフレームに固定しており、表面側はワイヤが放熱板貼
り付けを阻害していたため、半導体素子表面側には放熱
板貼り付けが不可能であったためである。
ドフレームに固定しており、表面側はワイヤが放熱板貼
り付けを阻害していたため、半導体素子表面側には放熱
板貼り付けが不可能であったためである。
【０００９】本発明は高熱放散型半導体装置およびその
半導体装置用リードフレームにおいて、長ワイヤ組立化
を実現し、リードフレームの標準化によるコストダウン
を実現するとともに、半導体装置においては半導体装置
の表裏面に放熱板取り付けを可能とすることで従来の半
導体装置の２倍の熱放散性を可能にする半導体装置を提
供することを目的とする。
半導体装置用リードフレームにおいて、長ワイヤ組立化
を実現し、リードフレームの標準化によるコストダウン
を実現するとともに、半導体装置においては半導体装置
の表裏面に放熱板取り付けを可能とすることで従来の半
導体装置の２倍の熱放散性を可能にする半導体装置を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、表面に
複数の電極を設けた半導体素子と、中央部の下面が前記
半導体素子の表面に固着され、貫通口が前記電極上の位
置に形成され、かつ前記貫通口から端辺に至る上面上に
絶縁膜を設けた第１の放熱板と、先端の部分が前記第１
の放熱板の周辺部の下面に固着された複数のリードと、
前記複数の電極のそれぞれに接続され、前記貫通口を通
過し、前記絶縁膜上を延在して対応する前記リードのイ
ンナーリードの部分に接続するボンディングワイヤとを
有する半導体装置にある。
複数の電極を設けた半導体素子と、中央部の下面が前記
半導体素子の表面に固着され、貫通口が前記電極上の位
置に形成され、かつ前記貫通口から端辺に至る上面上に
絶縁膜を設けた第１の放熱板と、先端の部分が前記第１
の放熱板の周辺部の下面に固着された複数のリードと、
前記複数の電極のそれぞれに接続され、前記貫通口を通
過し、前記絶縁膜上を延在して対応する前記リードのイ
ンナーリードの部分に接続するボンディングワイヤとを
有する半導体装置にある。
【００１１】あるいは本発明の特徴は、表面に複数の電
極を設けた半導体素子と、中央部の下面が前記半導体素
子の表面に固着され、第１の貫通口が前記電極上の位置
に形成され、前記第１の貫通口の外側に第２の貫通口が
形成され、かつ前記第１の貫通口と前記第２の貫通口と
の間の上面上に絶縁膜を設けた第１の放熱板と、先端か
ら所定距離離れた部分が前記第１の放熱板の周辺部の下
面に固着された複数のリードと、前記複数の電極のそれ
ぞれに接続され、前記第１の貫通口を通過し、前記絶縁
膜上を延在し、前記第２の貫通口を通過して対応する前
記リードの前記第２の貫通口下に位置する前記インナー
リードの部分に接続するボンディングワイヤとを有する
半導体装置にある。この場合、前記インナーリードの１
接続部分上に１個の小貫通口が形成され、この小貫通口
の集合が前記第２の貫通口とすることができる。
極を設けた半導体素子と、中央部の下面が前記半導体素
子の表面に固着され、第１の貫通口が前記電極上の位置
に形成され、前記第１の貫通口の外側に第２の貫通口が
形成され、かつ前記第１の貫通口と前記第２の貫通口と
の間の上面上に絶縁膜を設けた第１の放熱板と、先端か
ら所定距離離れた部分が前記第１の放熱板の周辺部の下
面に固着された複数のリードと、前記複数の電極のそれ
ぞれに接続され、前記第１の貫通口を通過し、前記絶縁
膜上を延在し、前記第２の貫通口を通過して対応する前
記リードの前記第２の貫通口下に位置する前記インナー
リードの部分に接続するボンディングワイヤとを有する
半導体装置にある。この場合、前記インナーリードの１
接続部分上に１個の小貫通口が形成され、この小貫通口
の集合が前記第２の貫通口とすることができる。
【００１２】さらに上記いずれの半導体装置において
も、前記半導体素子の裏面に第２の放熱板を固着するこ
とができる。また、前記絶縁膜は絶縁テープであること
ができる。あるいは、前記絶縁膜はコーテイィングされ
た樹脂膜、好ましくはポリイミド膜であることができ
る。もしくは、前記絶縁膜はコーテイィングされたアル
ミナ膜であることができる。
も、前記半導体素子の裏面に第２の放熱板を固着するこ
とができる。また、前記絶縁膜は絶縁テープであること
ができる。あるいは、前記絶縁膜はコーテイィングされ
た樹脂膜、好ましくはポリイミド膜であることができ
る。もしくは、前記絶縁膜はコーテイィングされたアル
ミナ膜であることができる。
【００１３】本発明の他の特徴は、前記第１の放熱板が
前記複数のリードに固着して前記半導体装置を製造する
ために用いる半導体装置用リードフレームにある。
前記複数のリードに固着して前記半導体装置を製造する
ために用いる半導体装置用リードフレームにある。
【００１４】このように本発明では、放熱板に絶縁テー
プもしくは絶縁物にて絶縁処理を施し、かつ組立時のワ
イヤ通過用の貫通口を設けることで、半導体装置組立時
に放熱板でのワイヤ支持が可能となり、長ワイヤ組立が
可能となる他、半導体素子表面を本発明のリードフレー
ムにて固定し、ワイヤ組立を行うことで、半導体素子裏
面への放熱板固定を追加することができ、半導体装置の
放熱特性を２倍に引き上げることが可能となる。
プもしくは絶縁物にて絶縁処理を施し、かつ組立時のワ
イヤ通過用の貫通口を設けることで、半導体装置組立時
に放熱板でのワイヤ支持が可能となり、長ワイヤ組立が
可能となる他、半導体素子表面を本発明のリードフレー
ムにて固定し、ワイヤ組立を行うことで、半導体素子裏
面への放熱板固定を追加することができ、半導体装置の
放熱特性を２倍に引き上げることが可能となる。
【００１５】すなわち半導体装置の放熱性は半導体素子
に電力が印加された際に発熱を供うが、この熱を放熱板
にて放散する。この放熱板の面積を広く取ることで熱放
散性は向上する。また、この放熱板を利用し、ワイヤを
支持することで従来、制限があったワイヤの長さが大幅
に長尺化し、かつその後の封止工程を含めた後工程での
ワイヤ変形も含め、ワイヤ変形を防止することが可能と
なる。
に電力が印加された際に発熱を供うが、この熱を放熱板
にて放散する。この放熱板の面積を広く取ることで熱放
散性は向上する。また、この放熱板を利用し、ワイヤを
支持することで従来、制限があったワイヤの長さが大幅
に長尺化し、かつその後の封止工程を含めた後工程での
ワイヤ変形も含め、ワイヤ変形を防止することが可能と
なる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を説
明する。
明する。
【００１７】図１は本発明の第１の実施の形態の半導体
装置用リードフレームを示す平面図であり、図２は図１
のリードフレームを用いて製造された本発明の第１の実
施の形態の半導体装置を示す断面図であり、図３は図１
のリードフレームを用いて製造された本発明の第１の実
施の形態の他の半導体装置を示す断面図である。
装置用リードフレームを示す平面図であり、図２は図１
のリードフレームを用いて製造された本発明の第１の実
施の形態の半導体装置を示す断面図であり、図３は図１
のリードフレームを用いて製造された本発明の第１の実
施の形態の他の半導体装置を示す断面図である。
【００１８】まず図１を参照して、フレーム部１から多
数のリード１３がデバイスホール内に突出し、リード１
３はそのインナーリード３とアウターリード２の境にお
いてタイバー５によって互いに連結している。またそれ
ぞれのインナーリード３の先端部分は放熱板（第１の放
熱板）４に固定されてる。さらに放熱板４には４個の貫
通口が形成されて全体の貫通口１０を構成している。こ
の貫通口１０は幅Ｗが、例えば１〜３ｍｍでありこれを
通して半導体素子の電極にボンディングワイヤがボンデ
ィング結線される。
数のリード１３がデバイスホール内に突出し、リード１
３はそのインナーリード３とアウターリード２の境にお
いてタイバー５によって互いに連結している。またそれ
ぞれのインナーリード３の先端部分は放熱板（第１の放
熱板）４に固定されてる。さらに放熱板４には４個の貫
通口が形成されて全体の貫通口１０を構成している。こ
の貫通口１０は幅Ｗが、例えば１〜３ｍｍでありこれを
通して半導体素子の電極にボンディングワイヤがボンデ
ィング結線される。
【００１９】次に図２を参照して、１５０〜２００μｍ
の厚さのインナーリード３の先端の部分にそれと同じ厚
さもしくはそれ以上の厚さを有する放熱板４の周辺部の
下面が絶縁材１５、例えば厚さ５０〜１００μｍの絶縁
テープもしくは他の絶縁物によって固着固定されてい
る。
の厚さのインナーリード３の先端の部分にそれと同じ厚
さもしくはそれ以上の厚さを有する放熱板４の周辺部の
下面が絶縁材１５、例えば厚さ５０〜１００μｍの絶縁
テープもしくは他の絶縁物によって固着固定されてい
る。
【００２０】さらに、アルミや銅等の金属板からなる放
熱板４の貫通口１０から端辺４Ｔに至る上面（表面）に
は、絶縁テープもしくは絶縁物の表面処理による絶縁膜
８が形成されている。絶縁膜８を形成するための絶縁物
の表面処理としてはポリイミド膜等の樹脂膜のコーティ
ング又はアルミナ等のコーティングを用いることができ
る。
熱板４の貫通口１０から端辺４Ｔに至る上面（表面）に
は、絶縁テープもしくは絶縁物の表面処理による絶縁膜
８が形成されている。絶縁膜８を形成するための絶縁物
の表面処理としてはポリイミド膜等の樹脂膜のコーティ
ング又はアルミナ等のコーティングを用いることができ
る。
【００２１】また、放熱板４の中央部の下面（裏面）が
絶縁テープあるいは絶縁物質によるマウント材９により
半導体素子７の表面側に固着固定されている。
絶縁テープあるいは絶縁物質によるマウント材９により
半導体素子７の表面側に固着固定されている。
【００２２】そして、ボンディングワイヤ６が貫通口１
０下に位置する半導体素子の表面側の電極１６のそれぞ
れと貫通口１０を通して接続される。このボンディング
ワイヤ６は貫通口１０を通して引き出され、放熱板上の
絶縁膜８上をこの絶縁膜８に支持されながら延在し、対
応するリードのインナーリード３の接続箇所にボンディ
ング接続されている。
０下に位置する半導体素子の表面側の電極１６のそれぞ
れと貫通口１０を通して接続される。このボンディング
ワイヤ６は貫通口１０を通して引き出され、放熱板上の
絶縁膜８上をこの絶縁膜８に支持されながら延在し、対
応するリードのインナーリード３の接続箇所にボンディ
ング接続されている。
【００２３】このように、予め放熱板４に施されていた
貫通口１０を通して半導体素子７とリードフレームのイ
ンナーリード３がワイヤ６にて結線され、かつボンディ
ングワイヤ６が絶縁膜８によって絶縁されながら放熱板
４にて支持されるため、長ワイヤでの組立が実現でき
る。
貫通口１０を通して半導体素子７とリードフレームのイ
ンナーリード３がワイヤ６にて結線され、かつボンディ
ングワイヤ６が絶縁膜８によって絶縁されながら放熱板
４にて支持されるため、長ワイヤでの組立が実現でき
る。
【００２４】また図３に示すように、絶縁物質によるマ
ウント材９により半導体素子７の裏面側にもアルミや銅
等の金属板からなる裏面放熱板（第２の放熱板）１４を
固着固定することにより、半導体装置の放熱性をさらに
向上させることができる。
ウント材９により半導体素子７の裏面側にもアルミや銅
等の金属板からなる裏面放熱板（第２の放熱板）１４を
固着固定することにより、半導体装置の放熱性をさらに
向上させることができる。
【００２５】次に図４乃至図７を参照して本発明の第２
の実施の形態を説明する。
の実施の形態を説明する。
【００２６】尚、図４乃至図７において図１乃至図３と
同一もしくは類似の箇所は同じ符号を付してあるから重
複する説明は省略する。
同一もしくは類似の箇所は同じ符号を付してあるから重
複する説明は省略する。
【００２７】図４は第２の実施の形態の半導体装置用リ
ードフレームを示す平面図である。図１の貫通口１０と
同様の第１の貫通口１１が形成され、さらにその外側に
４個の貫通口が形成されて全体の第２の貫通口１２を構
成しており、この第２の貫通口１２の下にインナーリー
ド３のワイヤボンディング接続箇所が位置している。
ードフレームを示す平面図である。図１の貫通口１０と
同様の第１の貫通口１１が形成され、さらにその外側に
４個の貫通口が形成されて全体の第２の貫通口１２を構
成しており、この第２の貫通口１２の下にインナーリー
ド３のワイヤボンディング接続箇所が位置している。
【００２８】また第１の貫通口と前記第２の貫通口との
間の放熱板（第１の放熱板）４の上面上に絶縁膜８が形
成されている。
間の放熱板（第１の放熱板）４の上面上に絶縁膜８が形
成されている。
【００２９】図６を参照して、図４のリードフレームを
用いた半導体装置では、ボンディングワイヤ６が半導体
素子の表面側の電極１６のそれぞれと第１の貫通口１１
を通して接続され、この第１の貫通口１１を通して引き
出され、放熱板上の絶縁膜８上をこの絶縁膜８に支持さ
れながら延在し、第２の貫通口１２を通して対応するリ
ードの第２の貫通口１２下に位置するインナーリードの
部分にボンディング接続されている。
用いた半導体装置では、ボンディングワイヤ６が半導体
素子の表面側の電極１６のそれぞれと第１の貫通口１１
を通して接続され、この第１の貫通口１１を通して引き
出され、放熱板上の絶縁膜８上をこの絶縁膜８に支持さ
れながら延在し、第２の貫通口１２を通して対応するリ
ードの第２の貫通口１２下に位置するインナーリードの
部分にボンディング接続されている。
【００３０】このようにワイヤボンド領域に相当するエ
リアに第２の貫通口１２を設けることで、放熱板４をさ
らに拡大させ、放熱性を向上させることが可能である。
リアに第２の貫通口１２を設けることで、放熱板４をさ
らに拡大させ、放熱性を向上させることが可能である。
【００３１】図５は図４の第２の貫通口１２を変更させ
たリードフレームである。図４では４個の貫通口により
第２の貫通口１２を構成しているが、図５では１本のイ
ンナーリードの１接続部分上にそれぞれ１個の小貫通口
１２Ｓが形成され、この小貫通口１２Ｓの集合が第２の
貫通口１２となっている。
たリードフレームである。図４では４個の貫通口により
第２の貫通口１２を構成しているが、図５では１本のイ
ンナーリードの１接続部分上にそれぞれ１個の小貫通口
１２Ｓが形成され、この小貫通口１２Ｓの集合が第２の
貫通口１２となっている。
【００３２】このようにインナーリード３のワイヤボン
ド領域に相当するエリアのみに限定的に貫通口１２Ｓを
設けることで、放熱板面積を広く確保でき放熱性をさら
に向上させることができる。
ド領域に相当するエリアのみに限定的に貫通口１２Ｓを
設けることで、放熱板面積を広く確保でき放熱性をさら
に向上させることができる。
【００３３】図５のリードフレームを用いた半導体装置
も図６のようになる。
も図６のようになる。
【００３４】また図７に示すように、第１の実施の形態
と同様に、絶縁物質によるマウント材９により半導体素
子７の裏面側にもアルミや銅等の金属板からなる裏面放
熱板（第２の放熱板）１４を固着固定することにより、
さらに高い放熱特性が得られる。
と同様に、絶縁物質によるマウント材９により半導体素
子７の裏面側にもアルミや銅等の金属板からなる裏面放
熱板（第２の放熱板）１４を固着固定することにより、
さらに高い放熱特性が得られる。
【００３５】
【発明の効果】本発明の第１の効果は、半導体装置にお
いて長いボンディングワイヤによる組立が可能であるこ
とである。
いて長いボンディングワイヤによる組立が可能であるこ
とである。
【００３６】その理由は、絶縁膜で電気的な絶縁を維持
しながら放熱板を利用してボンディングワイヤを支持す
ることができるため、組立時のワイヤ長の制限は不要と
なるためである。
しながら放熱板を利用してボンディングワイヤを支持す
ることができるため、組立時のワイヤ長の制限は不要と
なるためである。
【００３７】第２の効果は、半導体装置の放熱特性が２
倍に向上できることである。
倍に向上できることである。
【００３８】その理由は、半導体素子の表面及び裏面の
双方に放熱板を取り付けた構造の半導体装置を構成する
ことが可能であるからである。
双方に放熱板を取り付けた構造の半導体装置を構成する
ことが可能であるからである。
【図１】本発明の第１の実施の形態のリードフレームを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】図１のリードフレームを用いた本発明の第１の
実施の形態の半導体装置を示す断面図である。
実施の形態の半導体装置を示す断面図である。
【図３】図１のリードフレームを用いた本発明の第１の
実施の形態の他の半導体装置を示す断面図である。
実施の形態の他の半導体装置を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態のリードフレームを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の他のリードフレー
ムを示す平面図である。
ムを示す平面図である。
【図６】図４、図５ののリードフレームを用いた本発明
の第２の実施の形態の半導体装置を示す断面図である。
の第２の実施の形態の半導体装置を示す断面図である。
【図７】図４、図５ののリードフレームを用いた本発明
の第２の実施の形態の他の半導体装置を示す断面図であ
る。
の第２の実施の形態の他の半導体装置を示す断面図であ
る。
【図８】従来技術のリードフレームを示す平面図であ
る。
る。
【図９】従来技術の半導体装置を示す断面図である。
１ フレーム部 ２ アウターリード ３ インナーリード ４ 放熱板（第１の放熱板） ５ タイバー ６ ボンディングワイヤ ７ 半導体素子 ８ 絶縁膜 ９ マウント材 １０ 貫通口 １１ 第１の貫通口 １２ 第２の貫通口 １２Ｓ 小貫通口 １４ 裏面放熱板（第２の放熱板） １５ 絶縁材 １６ 電極
Claims (10)
- 【請求項１】 表面に複数の電極を設けた半導体素子
と、中央部の下面が前記半導体素子の表面に固着され、
貫通口が前記電極上の位置に形成され、かつ前記貫通口
から端辺に至る上面上に絶縁膜を設けた第１の放熱板
と、先端の部分が前記第１の放熱板の周辺部の下面に固
着された複数のリードと、前記複数の電極のそれぞれに
接続され、前記貫通口を通過し、前記絶縁膜上を延在し
て対応する前記リードのインナーリードの部分に接続す
るボンディングワイヤとを有することを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 前記半導体素子の裏面に第２の放熱板を
固着したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 表面に複数の電極を設けた半導体素子
と、中央部の下面が前記半導体素子の表面に固着され、
第１の貫通口が前記電極上の位置に形成され、前記第１
の貫通口の外側に第２の貫通口が形成され、かつ前記第
１の貫通口と前記第２の貫通口との間の上面上に絶縁膜
を設けた第１の放熱板と、先端から所定距離離れた部分
が前記第１の放熱板の周辺部の下面に固着された複数の
リードと、前記複数の電極のそれぞれに接続され、前記
第１の貫通口を通過し、前記絶縁膜上を延在し、前記第
２の貫通口を通過して対応する前記リードの前記第２の
貫通口下に位置する前記インナーリードの部分に接続す
るボンディングワイヤとを有することを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項４】 それぞれの前記インナーリードの接続部
分にそれぞれ小貫通口が形成され、この小貫通口の集合
が前記第２の貫通口であることを特徴とする請求項３記
載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記半導体素子の裏面に第２の放熱板を
固着したことを特徴とする請求項３又は請求項４記載の
半導体装置。 - 【請求項６】 前記絶縁膜は絶縁テープであることを特
徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導
体装置。 - 【請求項７】 前記絶縁膜はコーテイィングされた樹脂
膜であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいず
れかに記載の半導体装置。 - 【請求項８】 前記樹脂膜はポリイミド膜であることを
特徴とする請求項７記載の半導体装置。 - 【請求項９】 前記絶縁膜はコーテイィングされたアル
ミナ膜であることを特徴とする請求項１乃至請求項５の
いずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 前記第１の放熱板が前記複数のリード
に固着して、前記請求項１乃至請求項９のいずれかに記
載の半導体装置を製造するために用いる半導体装置用リ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9238626A JP2944588B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体装置及び半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9238626A JP2944588B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体装置及び半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187594A true JPH1187594A (ja) | 1999-03-30 |
| JP2944588B2 JP2944588B2 (ja) | 1999-09-06 |
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ID=17032949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9238626A Expired - Fee Related JP2944588B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体装置及び半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2944588B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142226A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法、およびその半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 |
-
1997
- 1997-09-03 JP JP9238626A patent/JP2944588B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142226A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法、およびその半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 |
| JP4688647B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-05-25 | パナソニック株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2944588B2 (ja) | 1999-09-06 |
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