JPS5844636Y2 - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPS5844636Y2 JPS5844636Y2 JP5247779U JP5247779U JPS5844636Y2 JP S5844636 Y2 JPS5844636 Y2 JP S5844636Y2 JP 5247779 U JP5247779 U JP 5247779U JP 5247779 U JP5247779 U JP 5247779U JP S5844636 Y2 JPS5844636 Y2 JP S5844636Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metallized
- alumina substrate
- integrated circuit
- ground terminal
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、高周波高出力の混成集積回路装置（以下、
ＨＩＣと略称する）の組立加工時間が短縮され、かつ、
寄生インダクタンスが小さく良好な接地効果が得られる
改良に関するものである。
ＨＩＣと略称する）の組立加工時間が短縮され、かつ、
寄生インダクタンスが小さく良好な接地効果が得られる
改良に関するものである。
第１図は従来の高周波高出力ＨＩＣのこの考案に関連あ
る要部の斜視図である。
る要部の斜視図である。
第１図においては、アルミナ基板に取り付ける各電子素
子および封止用樹脂の図示を省略している。
子および封止用樹脂の図示を省略している。
第１図において、１は銅などからなる放熱フィン、２は
放熱フィンに接着されたアルミナ基板、３は高周波入力
端子、４はアース端子、５，６は電源端子、７は高周波
出力端子、これらはアルミナ基板２の表面に形成された
メタライズ電極８，９，１０，１１．１２にそれぞれ半
田付けされている。
放熱フィンに接着されたアルミナ基板、３は高周波入力
端子、４はアース端子、５，６は電源端子、７は高周波
出力端子、これらはアルミナ基板２の表面に形成された
メタライズ電極８，９，１０，１１．１２にそれぞれ半
田付けされている。
この内、アース端子４が半田付けされるメタライズ電極
９は、通常、アルミナ基板２に形成されたスルーホール
により放熱フィン１と接続されている。
９は、通常、アルミナ基板２に形成されたスルーホール
により放熱フィン１と接続されている。
その理由は、一般にアルミナ基板２上に形成される高周
波電力増幅回路（図示せず）の各部のアースメタライズ
配線はスルーホールによって放熱フィン１に接続するこ
とにより、アースメタライズ配線相互間の電位差を極小
となし、寄生発振などが生じないよう配慮されているか
らである。
波電力増幅回路（図示せず）の各部のアースメタライズ
配線はスルーホールによって放熱フィン１に接続するこ
とにより、アースメタライズ配線相互間の電位差を極小
となし、寄生発振などが生じないよう配慮されているか
らである。
しかし、このような構造のアース端子４の場合、個々の
アース端子４を対応するアースメタライズ電極９に半田
付けする必要があり、アース端子４の数が多くなった場
合、組立時間が長くなる上に、アースメタライズ電極９
の総面積が増大し、アルミナ基板２の表面の有効面積を
減少させるという欠点がある。
アース端子４を対応するアースメタライズ電極９に半田
付けする必要があり、アース端子４の数が多くなった場
合、組立時間が長くなる上に、アースメタライズ電極９
の総面積が増大し、アルミナ基板２の表面の有効面積を
減少させるという欠点がある。
また、アース端子４自体がアースメタライズ電極９の大
きさに制限されて細い棒状のものが使用されるため、電
子装置にこのＨＩＣが装着された場合、大きなインダク
タンスを有することとなり、このＨＩＣに対する電子装
置の入出力回路のアース電極との間に電位差を生じ、不
安定動作を生じるという欠点を有している。
きさに制限されて細い棒状のものが使用されるため、電
子装置にこのＨＩＣが装着された場合、大きなインダク
タンスを有することとなり、このＨＩＣに対する電子装
置の入出力回路のアース電極との間に電位差を生じ、不
安定動作を生じるという欠点を有している。
この考案は、上記の点に鑑みてなされたものであり、周
縁から突出しているリボン状のアース端子を有する金属
製フレームを放熱フィンに取り付けることによって、組
立時間が短縮され、寄生インダクタンスが少なく良好な
接地効果が得られる混成集積回路装置を提供することを
目的としたものである。
縁から突出しているリボン状のアース端子を有する金属
製フレームを放熱フィンに取り付けることによって、組
立時間が短縮され、寄生インダクタンスが少なく良好な
接地効果が得られる混成集積回路装置を提供することを
目的としたものである。
以下、実施例に基づいてこの考案を説明する。
第３図はこの考案によるＨＩＣの一実施例に用いる金属
製フレームの斜視図、第３図は第２図に示す金属製フレ
ームを用いて組み立てた実施例のＨＩＣのこの考案に関
連ある要部の斜視図である。
製フレームの斜視図、第３図は第２図に示す金属製フレ
ームを用いて組み立てた実施例のＨＩＣのこの考案に関
連ある要部の斜視図である。
第３図においては、アルミナ基板に取り付ける各電子素
子および封止用樹脂の図示は省略している。
子および封止用樹脂の図示は省略している。
第２図において、１３はコバールなどからなりその内部
にアルミナ基板２が丁度穴るような空間を有する金属製
フレーム、１４は金属製フレーム１３と一体に形成され
その周縁から突出しているリボン状のアース端子である
。
にアルミナ基板２が丁度穴るような空間を有する金属製
フレーム、１４は金属製フレーム１３と一体に形成され
その周縁から突出しているリボン状のアース端子である
。
第３図において交差斜線を施した金属製フレーム１３は
、アルミナ基板２を放熱フィン１に半田付けするときに
、同時に半田付けされる。
、アルミナ基板２を放熱フィン１に半田付けするときに
、同時に半田付けされる。
従って、アルミナ基板２の半田付けの際にリボン状のア
ース端子１４の組み立ては完了することになる。
ース端子１４の組み立ては完了することになる。
このリボン状のアース端子１４はアルミナ基板２に形成
されたスルーホールを通じてアルミナ基板２の表面の電
子回路のアースメタライズ配線と接続される。
されたスルーホールを通じてアルミナ基板２の表面の電
子回路のアースメタライズ配線と接続される。
すなわち、アース端子１４の接続が極めて簡単にできる
。
。
次に、第３図に示すように、高周波入力端子３、電源端
子５，６、高周波出力端子７をそれぞれメタライズ電極
８，１０，１１．１２に半田付けする。
子５，６、高周波出力端子７をそれぞれメタライズ電極
８，１０，１１．１２に半田付けする。
実施例のＨＩＣにおいては、アース端子１４は必要に応
じて多数形成することが可能であり、かつ、アルミナ基
板２上の各電子素子との位置合わせを考慮する必要がな
い。
じて多数形成することが可能であり、かつ、アルミナ基
板２上の各電子素子との位置合わせを考慮する必要がな
い。
さらに、アース端子１４がリボン状であるため、寄生イ
ンダクタンスが極めて小さくなり、実施例のＨＩＣを電
子装置に実装した場合、良好な接地効果が得られ、安定
な高周波動作が得られる。
ンダクタンスが極めて小さくなり、実施例のＨＩＣを電
子装置に実装した場合、良好な接地効果が得られ、安定
な高周波動作が得られる。
上記の実施例においては、アルミナ基板を用いたが、所
要の特性を満足するものであれば、他の絶縁基板であっ
てもよい。
要の特性を満足するものであれば、他の絶縁基板であっ
てもよい。
以上詳述したように、この考案によるＨＩＣにおいては
、リボン状のアース端子が周縁より突出している金属製
フレームが放熱フィンに接着され、両生面にメタライズ
層を形成され一方の主面のメタライズ層に電子素子が取
り付けられて電子回路が形成され他方の主面のメタライ
ズ層が上記放熱フィンに接着されている絶縁基板の上記
電子回路のアース配線が上記リボン状のアース端子に接
続されているので、アース端子を個々に絶縁基板のアー
スメタライズ電極に接着する必要がないがら、組立時間
が短縮される。
、リボン状のアース端子が周縁より突出している金属製
フレームが放熱フィンに接着され、両生面にメタライズ
層を形成され一方の主面のメタライズ層に電子素子が取
り付けられて電子回路が形成され他方の主面のメタライ
ズ層が上記放熱フィンに接着されている絶縁基板の上記
電子回路のアース配線が上記リボン状のアース端子に接
続されているので、アース端子を個々に絶縁基板のアー
スメタライズ電極に接着する必要がないがら、組立時間
が短縮される。
また、アース端子がリボン状であり寄生インダクタンス
が極めて小さいから、このＨＩＣを電子装置に実装した
場合、良好な接地効果が得られ、安定な高周波動作が得
られる。
が極めて小さいから、このＨＩＣを電子装置に実装した
場合、良好な接地効果が得られ、安定な高周波動作が得
られる。
第１図は従来の高周波高出力ＨＩＣのこの考案に関連の
ある要部の斜視図、第２図はこの考案によるＨＩＣの一
実施例に用いる金属製フレームの斜視図、第３図はこの
考案の一実施例のＨＩＣのこの考案に関連のある要部の
斜視図である。 図において、１は放熱フィン、２はアルミナ基板（絶縁
基板）、１３は金属製フレーム、１４はリボン状のアー
ス端子である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
ある要部の斜視図、第２図はこの考案によるＨＩＣの一
実施例に用いる金属製フレームの斜視図、第３図はこの
考案の一実施例のＨＩＣのこの考案に関連のある要部の
斜視図である。 図において、１は放熱フィン、２はアルミナ基板（絶縁
基板）、１３は金属製フレーム、１４はリボン状のアー
ス端子である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- 放熱フィン、両型面にメタライズ層が形成され一方の主
面のメタライズ層に電子素子が取り付けられ他方の主面
のメタライズ層が上記放熱フィンに接着された絶縁基板
、および周縁より突出するノボン状のアース端子を有し
上記絶縁基板の外側において上記放熱フィンに接着され
た金属製フレームを備えた混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5247779U JPS5844636Y2 (ja) | 1979-04-18 | 1979-04-18 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5247779U JPS5844636Y2 (ja) | 1979-04-18 | 1979-04-18 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55152099U JPS55152099U (ja) | 1980-11-01 |
| JPS5844636Y2 true JPS5844636Y2 (ja) | 1983-10-08 |
Family
ID=28943742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5247779U Expired JPS5844636Y2 (ja) | 1979-04-18 | 1979-04-18 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844636Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-04-18 JP JP5247779U patent/JPS5844636Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55152099U (ja) | 1980-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0786460A (ja) | 半導体装置 | |
| US4314270A (en) | Hybrid thick film integrated circuit heat dissipating and grounding assembly | |
| KR100771262B1 (ko) | 고전력 애플리케이션에 사용하기 위한 다중칩 모듈 | |
| JPS5844636Y2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH0595212A (ja) | 高周波半導体混成集積回路装置 | |
| JPH05315467A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH03238852A (ja) | モールド型半導体集積回路 | |
| JP2001274278A (ja) | マイクロ波半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3259217B2 (ja) | ノイズ低減パッケージ | |
| JPS59112701A (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JP3450465B2 (ja) | 高周波パワーモジュール | |
| JP2554040Y2 (ja) | 電子部品取付構造 | |
| JPH06112361A (ja) | 混成集積回路 | |
| JP2778790B2 (ja) | 半導体装置の実装構造及び実装方法 | |
| JP2879503B2 (ja) | 面実装型電子回路装置 | |
| JPH0627956Y2 (ja) | 電子回路モジュール | |
| JP2812107B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2800605B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2583507B2 (ja) | 半導体実装回路装置 | |
| JPH06140535A (ja) | テープキャリアパッケージ型半導体装置 | |
| JPS5840339B2 (ja) | 高周波トランジスタ | |
| JPH0697686A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS60206673A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS6257105B2 (ja) | ||
| JPS61113251A (ja) | トランジスタ装置 |