JP2710207B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2710207B2 JP2710207B2 JP6168794A JP6168794A JP2710207B2 JP 2710207 B2 JP2710207 B2 JP 2710207B2 JP 6168794 A JP6168794 A JP 6168794A JP 6168794 A JP6168794 A JP 6168794A JP 2710207 B2 JP2710207 B2 JP 2710207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- chip
- semiconductor device
- mold resin
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置およびその製
造方法に関し、特に封止構造を改良した半導体パッケー
ジおよびその製造方法に関する。
造方法に関し、特に封止構造を改良した半導体パッケー
ジおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣチップを内蔵した半導体パッ
ケージ（ＰＫＧ）には、セラミックを用いて封止したセ
ラミックＰＫＧやモールド樹脂により封止したプラスチ
ックＰＫＧ等がある。特に、プラスチックＰＫＧは、セ
ラミックＰＫＧに比べて廉価であり、モールド樹脂をチ
ップ表面あるいはチップ裏面に充填することにより、耐
湿性等の信頼性を確保している。
ケージ（ＰＫＧ）には、セラミックを用いて封止したセ
ラミックＰＫＧやモールド樹脂により封止したプラスチ
ックＰＫＧ等がある。特に、プラスチックＰＫＧは、セ
ラミックＰＫＧに比べて廉価であり、モールド樹脂をチ
ップ表面あるいはチップ裏面に充填することにより、耐
湿性等の信頼性を確保している。
【０００３】図５は従来の一例を示すプラスチックＰＫ
Ｇの断面図である。図５に示すように、従来の半導体プ
ラスチックＰＫＧは、ピン・グリッド・アレイ（ＰＧ
Ａ）構造の半導体装置に多用されており、プリント基板
１に銅板４を介してＩＣチップ２が搭載される。このＩ
Ｃチップ２はボンディングワイヤ３により基板１のパッ
ドと回路接続された後、枠５内部に充填される封止用の
樹脂によりモールドされ、モールド樹脂部７を形成す
る。その上からはプラスチックケース９を被せる。一
方、基板１はピン穴１０にピン１１が植立され、また銅
板４には放熱用の放熱板１２が固定される。
Ｇの断面図である。図５に示すように、従来の半導体プ
ラスチックＰＫＧは、ピン・グリッド・アレイ（ＰＧ
Ａ）構造の半導体装置に多用されており、プリント基板
１に銅板４を介してＩＣチップ２が搭載される。このＩ
Ｃチップ２はボンディングワイヤ３により基板１のパッ
ドと回路接続された後、枠５内部に充填される封止用の
樹脂によりモールドされ、モールド樹脂部７を形成す
る。その上からはプラスチックケース９を被せる。一
方、基板１はピン穴１０にピン１１が植立され、また銅
板４には放熱用の放熱板１２が固定される。
【０００４】この場合のモールド樹脂部７はＩＣチップ
２およびボンディングワイヤ３も覆っているため、樹脂
部７とＩＣチップ２の熱膨張係数の相違により、温度変
化とともにＩＣチップ２およびボンディングワイヤ３に
応力が加わり、やがてチップ２のクラックあるいはワイ
ヤ３の断線を引起こし易い。また、かかるＩＣチップ２
を樹脂部７で覆った半導体装置は、チップ表面およびワ
イヤ部の電気特性が中空状態に比べ、樹脂の誘電率（Ｅ
ｒ）分だけ劣化する。
２およびボンディングワイヤ３も覆っているため、樹脂
部７とＩＣチップ２の熱膨張係数の相違により、温度変
化とともにＩＣチップ２およびボンディングワイヤ３に
応力が加わり、やがてチップ２のクラックあるいはワイ
ヤ３の断線を引起こし易い。また、かかるＩＣチップ２
を樹脂部７で覆った半導体装置は、チップ表面およびワ
イヤ部の電気特性が中空状態に比べ、樹脂の誘電率（Ｅ
ｒ）分だけ劣化する。
【０００５】従来、これらの問題を回避するため、キャ
ップの封止や充填樹脂等を改良したものが提案されてい
る。その一つとして、特開平２−１７４１４２号公報に
代表されるキャップの封止構造を提案したものにおいて
は、キャップにねじを備えた回転保護キャップを用いて
封止を行なっているものがある。しかし、このようなモ
ノリシックＩＣ等の半導体装置においては、温度変化が
激しいとき、ねじに緩みが生じたり、気密性が劣化する
という問題が残ってしまう。
ップの封止や充填樹脂等を改良したものが提案されてい
る。その一つとして、特開平２−１７４１４２号公報に
代表されるキャップの封止構造を提案したものにおいて
は、キャップにねじを備えた回転保護キャップを用いて
封止を行なっているものがある。しかし、このようなモ
ノリシックＩＣ等の半導体装置においては、温度変化が
激しいとき、ねじに緩みが生じたり、気密性が劣化する
という問題が残ってしまう。
【０００６】また、充填樹脂等を改良したものにおいて
は、特開昭５７−１７４１４２号公報等にあるように、
混成集積回路装置において、フレームに蓋を挿入後、充
填樹脂をカバー表面に流し込むことにより、気密性を高
めたものもある。
は、特開昭５７−１７４１４２号公報等にあるように、
混成集積回路装置において、フレームに蓋を挿入後、充
填樹脂をカバー表面に流し込むことにより、気密性を高
めたものもある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のモノリ
シックＩＣ等の半導体装置においては、混成集積回路装
置の封止構造をそのまま適用しようとすると、モノリシ
ックＩＣ等の半導体装置の外形が混成集積回路装置に比
べて小型のため、樹脂の厚さを充分厚くできず、気密性
が劣化しやすいという問題が残ってしまう。特に、耐湿
性に関しては、樹脂そのものに吸湿性があるため、一層
劣化し易い。従って、かかる構造のままでは、高信頼性
を要求される半導体集積回路装置には適用不可能である
という欠点がある。
シックＩＣ等の半導体装置においては、混成集積回路装
置の封止構造をそのまま適用しようとすると、モノリシ
ックＩＣ等の半導体装置の外形が混成集積回路装置に比
べて小型のため、樹脂の厚さを充分厚くできず、気密性
が劣化しやすいという問題が残ってしまう。特に、耐湿
性に関しては、樹脂そのものに吸湿性があるため、一層
劣化し易い。従って、かかる構造のままでは、高信頼性
を要求される半導体集積回路装置には適用不可能である
という欠点がある。
【０００８】本発明の目的は、セラミックパッケージ並
の高信頼性を実現するとともに、良好な電気特性を有す
る半導体装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
の高信頼性を実現するとともに、良好な電気特性を有す
る半導体装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
基板上に固定されるＩＣチップと、前記ＩＣチップを取
囲むことによりその周辺に中空部を形成するための第一
のキャップと、前記第一のキャップの外側に配置する枠
状部材と、前記第一のキャップおよび前記枠状部材によ
り仕切られた領域に充填されるモールド樹脂部と、前記
枠状部材および前記モールド樹脂部を覆う第二のキャッ
プとを有して構成される。
基板上に固定されるＩＣチップと、前記ＩＣチップを取
囲むことによりその周辺に中空部を形成するための第一
のキャップと、前記第一のキャップの外側に配置する枠
状部材と、前記第一のキャップおよび前記枠状部材によ
り仕切られた領域に充填されるモールド樹脂部と、前記
枠状部材および前記モールド樹脂部を覆う第二のキャッ
プとを有して構成される。
【００１０】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
基板上のＩＣチップをボンディング接続する工程と、前
記ＩＣチップの周辺に中空部を形成するための第一のキ
ャップを被せる工程と、前記第一のキャップの上からモ
ールド樹脂を滴下する工程と、前記モールド樹脂の上か
ら第二のキャップを被せる工程と、しかる後にベークす
ることにより前記モールド樹脂を硬化させる工程とを含
んで構成される。
基板上のＩＣチップをボンディング接続する工程と、前
記ＩＣチップの周辺に中空部を形成するための第一のキ
ャップを被せる工程と、前記第一のキャップの上からモ
ールド樹脂を滴下する工程と、前記モールド樹脂の上か
ら第二のキャップを被せる工程と、しかる後にベークす
ることにより前記モールド樹脂を硬化させる工程とを含
んで構成される。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の半導体装置の一実施例を示
すプラスチックＰＫＧの断面図である。図１に示すよう
に、本実施例はプラスチックＰＧＡの断面を表わし、プ
リント基板１に銅板４を介してＩＣチップ２が搭載され
る。このＩＣチップ２はボンディングワイヤ３により基
板１のパッドと回路接続した後、従来例（図５）よりも
高さの高い枠５をプリント基板５に固定し、その内側に
Ｎｉ合金の表面を絶縁物で覆ったほぼ四角形状の第一の
キャップ６を装着する。このため、ＩＣチップ２を取囲
むことによりその周辺に中空部８が形成される。また、
第一のキャップ６の外側および枠状部材５により仕切ら
れた領域には樹脂が充填され、モールド樹脂部７を形成
する。更に、枠状部材５およびモールド樹脂部７を覆う
ほぼ四角形状の第二のキャップ９がプリント基板１に装
着されるが、この第二のキャップ９はプラスチック系の
絶縁材で形成される。尚、プリント基板１は従来例と同
様、ピン穴１０にピン１１が植立され、銅板４には放熱
用の放熱板１２が固定される。
て説明する。図１は本発明の半導体装置の一実施例を示
すプラスチックＰＫＧの断面図である。図１に示すよう
に、本実施例はプラスチックＰＧＡの断面を表わし、プ
リント基板１に銅板４を介してＩＣチップ２が搭載され
る。このＩＣチップ２はボンディングワイヤ３により基
板１のパッドと回路接続した後、従来例（図５）よりも
高さの高い枠５をプリント基板５に固定し、その内側に
Ｎｉ合金の表面を絶縁物で覆ったほぼ四角形状の第一の
キャップ６を装着する。このため、ＩＣチップ２を取囲
むことによりその周辺に中空部８が形成される。また、
第一のキャップ６の外側および枠状部材５により仕切ら
れた領域には樹脂が充填され、モールド樹脂部７を形成
する。更に、枠状部材５およびモールド樹脂部７を覆う
ほぼ四角形状の第二のキャップ９がプリント基板１に装
着されるが、この第二のキャップ９はプラスチック系の
絶縁材で形成される。尚、プリント基板１は従来例と同
様、ピン穴１０にピン１１が植立され、銅板４には放熱
用の放熱板１２が固定される。
【００１２】図２は図１に示す半導体装置の封止完了状
態を説明するための平面図である。図２に示すように、
本実施例のプラスチックＰＧＡの裏面からみた平面を表
わし、モールド樹脂部を介在させた二重のキャップ構造
を表わしている。このように、本実施例によれば、チッ
プ２やワイヤ３の表面にモールド樹脂７が付着しないよ
うにキャップ６，９を二重構造にすることにより、温度
サイクルによる樹脂の応力をチップ２の表面やボンディ
ングワイヤ３に受けずに済むので、ＩＣチップ２のクラ
ックを防止し、ボンディングワイヤ３の断線を防止でき
る。また、本実施例によれば、樹脂部７を覆う第二のキ
ャップ９を有することにより、中空パッケージを実現す
ることができるので、モールド樹脂７の誘電率（Ｅｒ）
分だけパッケージのＬ，Ｃ成分を減少させ、電気特性を
向上させることができる。
態を説明するための平面図である。図２に示すように、
本実施例のプラスチックＰＧＡの裏面からみた平面を表
わし、モールド樹脂部を介在させた二重のキャップ構造
を表わしている。このように、本実施例によれば、チッ
プ２やワイヤ３の表面にモールド樹脂７が付着しないよ
うにキャップ６，９を二重構造にすることにより、温度
サイクルによる樹脂の応力をチップ２の表面やボンディ
ングワイヤ３に受けずに済むので、ＩＣチップ２のクラ
ックを防止し、ボンディングワイヤ３の断線を防止でき
る。また、本実施例によれば、樹脂部７を覆う第二のキ
ャップ９を有することにより、中空パッケージを実現す
ることができるので、モールド樹脂７の誘電率（Ｅｒ）
分だけパッケージのＬ，Ｃ成分を減少させ、電気特性を
向上させることができる。
【００１３】図３（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明の半
導体装置の製造方法の一実施例を説明するための工程順
に示したプラスチックＰＫＧの断面図である。まず、図
３（ａ）に示すように、本実施例の製造方法はピン穴１
０が形成されたプリント基板１に銅板４が接着され、そ
の銅板４にＩＣチップ２をマウントする。ついで、基板
１上のＩＣチップ２をボンディングワイヤ３により回路
接続する。
導体装置の製造方法の一実施例を説明するための工程順
に示したプラスチックＰＫＧの断面図である。まず、図
３（ａ）に示すように、本実施例の製造方法はピン穴１
０が形成されたプリント基板１に銅板４が接着され、そ
の銅板４にＩＣチップ２をマウントする。ついで、基板
１上のＩＣチップ２をボンディングワイヤ３により回路
接続する。
【００１４】次に図３（ｂ）に示すように、四角形状を
した枠５を接着剤等によりプリント基板１に接着する。
さらに、図３（ｃ）に示すように、ＩＣチップ２の周辺
に中空部８を形成するための第一のキャップ６を枠５の
内側に沿って被せる。ついで、第一のキャップ６の上か
らモールド樹脂７を滴下（ポッティング）する。
した枠５を接着剤等によりプリント基板１に接着する。
さらに、図３（ｃ）に示すように、ＩＣチップ２の周辺
に中空部８を形成するための第一のキャップ６を枠５の
内側に沿って被せる。ついで、第一のキャップ６の上か
らモールド樹脂７を滴下（ポッティング）する。
【００１５】更に、図３（ｄ）に示すように、モールド
樹脂７の上から第二のキャップ９を被せる。この時、枠
５も第二のキャップ９の内側になるように置く。しかる
後、ベーキングを行ない、モールド樹脂部７を硬化させ
る。以上により、ＩＣチップの封止工程が完了するが、
第一のキャップ６および第二のキャップ９は、モールド
樹脂の硬化とともにモールド樹脂部７と接着され、固定
される。
樹脂７の上から第二のキャップ９を被せる。この時、枠
５も第二のキャップ９の内側になるように置く。しかる
後、ベーキングを行ない、モールド樹脂部７を硬化させ
る。以上により、ＩＣチップの封止工程が完了するが、
第一のキャップ６および第二のキャップ９は、モールド
樹脂の硬化とともにモールド樹脂部７と接着され、固定
される。
【００１６】以上の封止工程が完了した後、ピン（図示
省略）をシリコン基板１のピン穴１０に差し込み、ろう
付してから放熱板（図示省略）をシリコン系樹脂で銅板
４に接着し、半導体装置が完成する。
省略）をシリコン基板１のピン穴１０に差し込み、ろう
付してから放熱板（図示省略）をシリコン系樹脂で銅板
４に接着し、半導体装置が完成する。
【００１７】図４は本発明の半導体装置の他の実施例を
示す表面実装ＰＫＧの断面図である。図４に示すよう
に、本実施例は表面実装タイプのＰＫＧ（ＱＦＰ）であ
り、プリント基板に直接実装する代りにリードフレーム
１３に装着する例である。まず、リードフレーム１３の
チップ載置部にＩＣチップ２を固定し、ボンディングワ
イヤ３で回路接続を行なってから、チップ表面が中空部
８を形成し且つリードフレーム１３の上下面を覆うよう
な第一のキャップ６を被せる。また、その第一のキャッ
プ６の周囲はモールド樹脂部７で覆う。この場合、モー
ルド樹脂部７がリードフレーム１３の上下面を覆うた
め、枠５はリードフレーム１３の上下面に形成される。
さらに、モールド樹脂部７のまわりを金属材で形成した
第二のキャップ９で覆う。
示す表面実装ＰＫＧの断面図である。図４に示すよう
に、本実施例は表面実装タイプのＰＫＧ（ＱＦＰ）であ
り、プリント基板に直接実装する代りにリードフレーム
１３に装着する例である。まず、リードフレーム１３の
チップ載置部にＩＣチップ２を固定し、ボンディングワ
イヤ３で回路接続を行なってから、チップ表面が中空部
８を形成し且つリードフレーム１３の上下面を覆うよう
な第一のキャップ６を被せる。また、その第一のキャッ
プ６の周囲はモールド樹脂部７で覆う。この場合、モー
ルド樹脂部７がリードフレーム１３の上下面を覆うた
め、枠５はリードフレーム１３の上下面に形成される。
さらに、モールド樹脂部７のまわりを金属材で形成した
第二のキャップ９で覆う。
【００１８】かかる表面実装タイプのＰＫＧ（ＱＦＰ）
は、パッケージの表面がモールド樹脂に比べて熱放散性
の良い金属キャップにより覆われているため、通常のプ
ラスチックパッケージに比べて、熱抵抗が３〜４割改善
される。
は、パッケージの表面がモールド樹脂に比べて熱放散性
の良い金属キャップにより覆われているため、通常のプ
ラスチックパッケージに比べて、熱抵抗が３〜４割改善
される。
【００１９】尚、上述した実施例はプラスチックＰＧＡ
や表面実装タイプのＱＦＰパッケージについて説明した
が、本発明はリードがＪタイプのＱＦＪパッケージにつ
いても同様に適用可能である。
や表面実装タイプのＱＦＰパッケージについて説明した
が、本発明はリードがＪタイプのＱＦＪパッケージにつ
いても同様に適用可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置およびその製造方法は、チップやワイヤの表面にモー
ルド樹脂が付着しないようにキャップを二重構造にする
ことにより、温度サイクルによる樹脂の応力をチップ表
面やボンディングワイヤに受けずに済むので、ＩＣチッ
プのクラックを防止するとともに、ボンディングワイヤ
の断線を防止でき、高信頼性を実現できるという効果が
ある。また、本発明の半導体装置およびその製造方法
は、樹脂部を覆う第二のキャップを有することにより、
中空パッケージを実現することができるので、モールド
樹脂の誘電率（Ｅｒ）分だけパッケージのＬ，Ｃ成分を
減少させ、電気特性を向上させることができるという効
果がある。
置およびその製造方法は、チップやワイヤの表面にモー
ルド樹脂が付着しないようにキャップを二重構造にする
ことにより、温度サイクルによる樹脂の応力をチップ表
面やボンディングワイヤに受けずに済むので、ＩＣチッ
プのクラックを防止するとともに、ボンディングワイヤ
の断線を防止でき、高信頼性を実現できるという効果が
ある。また、本発明の半導体装置およびその製造方法
は、樹脂部を覆う第二のキャップを有することにより、
中空パッケージを実現することができるので、モールド
樹脂の誘電率（Ｅｒ）分だけパッケージのＬ，Ｃ成分を
減少させ、電気特性を向上させることができるという効
果がある。
【図１】本発明の半導体装置の一実施例を示すプラスチ
ックＰＫＧの断面図である。
ックＰＫＧの断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の封止完了状態を説明す
るための平面図である。
るための平面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を説
明するための工程順に示したプラスチックＰＫＧの断面
図である。
明するための工程順に示したプラスチックＰＫＧの断面
図である。
【図４】本発明の半導体装置の他の実施例を示す表面実
装ＰＫＧの断面図である。
装ＰＫＧの断面図である。
【図５】従来の一例を示すプラスチックＰＫＧの断面図
である。
である。
１ プリント基板 ２ ＩＣチップ ３ ボンディングワイヤ ４ 銅板 ５ 枠 ６ 第一のキャップ ７ モールド樹脂部 ８ 中空部 ９ 第二のキャップ １０ ピン穴 １１ ピン １２ 放熱板 １３ リードフレーム
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に固定されるＩＣチップと、前記
ＩＣチップを取囲むことによりその周辺に中空部を形成
するための第一のキャップと、前記第一のキャップの外
側に配置する枠状部材と、前記第一のキャップおよび前
記枠状部材により仕切られた領域に充填されるモールド
樹脂部と、前記枠状部材および前記モールド樹脂部を覆
う第二のキャップとを有することを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 前記第一のキャップはＮｉ合金の表面を
絶縁物で覆い、前記第二のキャップはプラスチック系の
絶縁材で形成するとともに、前記第一および第二のキャ
ップは共にほぼ四角形状をした請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 前記ＩＣチップは、ボンディングワイヤ
接続された請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 基板上のＩＣチップをボンディング接続
する工程と、前記ＩＣチップの周辺に中空部を形成する
ための第一のキャップを被せる工程と、前記第一のキャ
ップの上からモールド樹脂を滴下する工程と、前記モー
ルド樹脂の上から第二のキャップを被せる工程と、しか
る後にベークすることにより前記モールド樹脂を硬化さ
せる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6168794A JP2710207B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6168794A JP2710207B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273237A JPH07273237A (ja) | 1995-10-20 |
| JP2710207B2 true JP2710207B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=13178431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6168794A Expired - Lifetime JP2710207B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2710207B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3858801B2 (ja) | 2002-10-10 | 2006-12-20 | 株式会社日立製作所 | 車載ミリ波レーダ装置，ミリ波レーダモジュールおよびその製造方法 |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP6168794A patent/JP2710207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07273237A (ja) | 1995-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6432750B2 (en) | Power module package having insulator type heat sink attached to rear surface of lead frame and manufacturing method thereof | |
| US5677575A (en) | Semiconductor package having semiconductor chip mounted on board in face-down relation | |
| US6537856B2 (en) | Method of attaching a semiconductor chip to a leadframe with a footprint of about the same size as the chip and packages formed thereby | |
| US5834835A (en) | Semiconductor device having an improved structure for storing a semiconductor chip | |
| KR19980032479A (ko) | 표면 설치 to-220 패키지 및 그의 제조 공정 | |
| JP3764687B2 (ja) | 電力半導体装置及びその製造方法 | |
| US4012768A (en) | Semiconductor package | |
| JP2959480B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| CN114649271A (zh) | 半导体封装件及形成半导体封装件的方法 | |
| EP1396886A2 (en) | Semiconductor device having the inner end of connector leads placed onto the surface of semiconductor chip | |
| US10964627B2 (en) | Integrated electronic device having a dissipative package, in particular dual side cooling package | |
| EP2545584B1 (en) | Package having spaced apart heat sink | |
| JP2710207B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR101239117B1 (ko) | 전력 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| US9230874B1 (en) | Integrated circuit package with a heat conductor | |
| JP3454192B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4688647B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| US20060108681A1 (en) | Semiconductor component package | |
| JP2954112B2 (ja) | Ｂｇａ型半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100431501B1 (ko) | 고전력 패키지 구조 및 제조 방법 | |
| JP2814006B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2939094B2 (ja) | 電力用半導体装置の製造方法 | |
| JPS61240664A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11289031A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0334561A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970924 |