JPH03161957A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に、半導体ペレットの
外部端子とインナーリードとをワイヤで接続する半導体
装置に適用して有効な技術に関するものである。

〔従来の技術〕

実装密度が高い樹脂封止型半導体装置としてＱＦ　Ｐ　
（ｑｕａｄ　Ｆ　ｌａｔ　Ｐ　ａｃｋａｇｅ）構造が採
用された所謂面実装型がある。この樹脂封止型半導体装
置はタブ表面に搭載された半導体ペレットを樹脂封止体
（レジン）で封止する。前記半導体ペレットの外部端子
（ボンディングパッド）、リードのインナーリードの一
端側の夫々はボンディングワイヤで電気的に接続される
。リードのアウターリードは、前記インナーリードの他
端側に一体に接続され、前記樹脂封止体の外部に突出す
る。

この種のＱＦＰ構造の樹脂封止型半導体装置はアウター
リードの本数（入出力端子数）が増加する傾向にある。

このため、樹脂封止型半導体装置は、リード間ピッチの
制約に基づき、樹脂封止体の外形サイズが大型化される
と共に、リードが微細化（ファインピッチ化）される。

ファインピッチ化されたリードは、リード長に対して断
面積が小さくなるので、機械的強度が低下する。特に、
リードのうちアウターリードは、樹脂封止体の外部に自
由な状態で突出されるので、変形し易く、ファインピッ
チ化の妨げになる。

このような課題を解決する技術が、日経マグロウヒル社
発行、日経エレクトロニクス、１９８８年工２月２６日
号（Ｎｏ．４　６　３）、第７５頁に記載される。この
技術は、樹脂封止型半導体装置のリドの表面上に絶縁性
摺脂フイルムを重ね合せた２層構造で構成するものであ
る。アウターリードの表面上の絶縁性樹脂フイルムはこ
のアウターリドとほぼ同一形状で構成される。半導体ペ
レットは前記絶縁性樹脂フイルムの下面にリードと同一
層の金属膜を介在させて搭載される。すなわち、この技
術が適用された樹脂封止型半導体装置は、リード特にア
ウターリードの機械的強度を前記絶縁性樹脂フィルムで
補強できるので、ファインピッチ化を図れる。

この樹脂封止型半導体装置は例えばプリント配線基板（
ＰＣＢ）の実装面上に実装される。実装は樹脂封止型半
導体装置のアウターリード、プリント配線基板の端子の
夫々を半田で接着することで行われる。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記ＱＦＰ構造の樹脂封止型半導体装置はファインピッ
チ化で隣接するアウターリード間スペースが微細になる
。このため、プリント配線基板の実装面上に樹脂封止型
半導体装置を実装する際に、−３− 半田とアウターリードとの間のわずかな位置ずれで、ア
ウターリード間スペースに半田ブリッジが生じる。この
半田ブリッジはアウターリード間を電気的に短絡するの
で、樹脂封止型半導体装置の実装不良が生じるという問
題点があった。

また、前述のように、前記アウターリードはその表面上
に絶縁性樹脂フィルムを設けた２層構造で構威される。

つまり、アウターリード間スペースに対するアウターリ
ードの実効的な高さ（実装面からフィルム表面までの高
さ）が高くなる。このため、前記実装する際に、アウタ
ーリード間スペースの半田フラックスガスの排出経路が
狭くなり、アウターリードの浮きや半田の濡れ不足を生
じるので、樹脂封止型半導体装置の実装不良が生じると
いう問題点があった。

また、前記ファインピッチ化に基づき、リードの断面積
が小さくなるので、リードのインピーダンスが高くなる
。このため、リードに伝達される信号や電源にノイズが
発生するので、樹脂封止型半導体装置に誤動作が生じる
という問題点があつ−４ た。

また、前記ファインピッチ化に基づき、リードの断面積
が小さくなるので、半導体ペレットの動作で発生する熱
の放出経路が縮小される（熱放出経路の熱抵抗が増大す
る）。このため、樹脂封止型半導体装置の熱放出効率が
低下するので、半導体ペレットや樹脂封止体の発熱に基
づく損傷や破壊を生じるという問題点があった。

本発明の目的は、半導体ペレットとインナーリードとを
ワイヤで接続する半導体装置において、実装時の半田ブ
リッジに基づく実装不良を防止することが可能な技術を
提供することにある。

本発明の他の目的は、前記半導体装置において、実装時
の半田フラックスガスに基づく実装不良を防止すること
が可能な技術を提供することにある。

本発”明の他の目的は、前記半導体装置において、信号
や電源ノイズに基づく誤動作を防止することが可能な技
術を提供することにある。

本発明の他の目的は、前記半導体装置において、放熱効
率を向上することが可能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

（１）複数本のリードのインナーリードの一端と半導体
ペレットの外部端子とをワイヤで接続し、この半導体ペ
レット及びインナーリードを封止体で封止する半導体装
置において、前記リードの封止体から突出する隣接する
アウターリード間に絶縁材を設ける。

（２）複数本のリードのインナーリードの一端と半導体
ペレットの外部端子とをワイヤで接続し、この半導体ペ
レット及びインナーリードを封止体で封止する半導体装
置において、前記リードの封止体から突出するアウター
リードの半田による実装部分を除き、該アウターリード
の上面又は下面＝７〜 又は両面と前記アウターリード間とに絶縁材を設ける。

（３）前記（１）又は（２）の複数本のリードのうち、
少なくとも一部のリードは前記絶縁材を介在させて複数
層で構成される。

（４）前記（１）乃至（３）の夫々の半導体ペレットの
裏面には、前記リードと絶縁材を介在させて対向し、か
つ前記封止体の外部に突出する放熱板を設ける。

〔作　　用〕

上述した手段（１）によれば、前記アウターリードの機
械的強度を前記絶縁材で補強し、アウターリードをファ
インピッチ化できるので、半導体装置の多端子化を図る
ことができると共に、前記半導体装置の半田による実装
時、前記絶縁材を半田に対するダム部として使用し、前
記隣接するアウターリード間の半田ブリッジの発生を防
止できるので、前記アウターリード間の電気的短絡を防
止し、半導体装置の実装不良を防止できる。

上述した手段（２）によれば、前記アウターリ−ドの機
械的強度を前記絶縁材で補強し、アウターリードをファ
インピッチ化できるので、半導体装置の多端子化を図る
ことができると共に、前記半導体装置の半田による実装
時、半田フラックスガスの排出経路を確保し、半田フラ
ックスガスに基づくアウターリードの浮きや半田の濡れ
不足を防止できるので、半導体装置の実装不良を防止で
きる。

上述した手段（３）によれば、前記複数層で構成された
リードは信号伝達経路や電源供給経路の断面積を増加で
き、このリードのインピーダンスを低減できるので、ノ
イズによる半導体装置の動作不良を防止できる。

上述した手段（４）によれば、前記半導体ペレットの動
作で発生する熱を前記放熱板を通して封止体の外部に放
出し、半導体装置の放熱効率を向上できるので、半導体
ペレットや封止体の損傷、破壊を防止できる。

以下、本発明の構成について、ＱＦＰ構造を採用する樹
脂封止型半導体装置に本発明を適用した８− 一実施例とともに説明する。

なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。

〔発明の実施例〕

（実施例■） 本発明の実施例■であるＱＦＰ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置の概要を第１図（部分断面斜視図）で示す
。

ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１は、第↓
図に示すように、半導体ペレット２及びリード３のイン
ナーリード３Ａを樹脂封止体６で気密封止する。

前記半導体ペレット２は例えば単結晶珪素で構威され、
この単結晶珪素の表面には複数個の半導体素子で形或さ
れた回路が構成される。この半導体ペレット２は接着剤
を介在させて絶縁性樹脂フィルム（絶縁材）４の表面上
に搭載される。この絶縁性樹脂フィルム４の材質及び形
或方法については後述する。

前記半導体ペレット２の表面の周辺部には外部端子（ボ
ンディングパッド）が配置され、この外部端子は前記イ
ンナーリード３Ａの一端側と電気的に接続される。外部
端子とインナーリード３Ａとの接続はボンディングワイ
ヤ５で行われる。ボンディングワイヤ５はこれに限定さ
れないが例えばＡｕワイヤやＡＱワイヤを使用する。

前記インナーリード３Ａは、一端側が半導体ペレット２
の周囲に対向して配置され、他端側が樹脂封止体６の外
部に向って放射状に延在しかつアウターリード３Ｂに一
体に構威される。インナリード３Ａ、アウターリード３
Ｂの夫々は、例えばＣｕ．Ｃｕ合金又はＦｅ−Ｎｉ合金
（例えばＮｉの含有量４２［％］）で形威され、例えば
５０〜２００［μｍ］程度の厚さで形或される。第１図
に示すリード３はリードフレームから切断及び或型され
た後の形状である。このリードフレームは板材にエッチ
ング加工又は打抜き加工を施すことにより形威される。

前記隣接するリード３間、つまりインナーリード３Ａ間
及びアウターリード３Ｂ間には前記絶縁性樹脂フィルム
４が設けられる。この絶縁性樹脂フィルム４は、樹脂封
止体６内において、インナーリード３Ａの配置部分を除
く、全域に設けられる。この絶縁性樹脂フィルム４は、
リード３の両面を金型で扶持し、この金型及びリード３
で形成される空間内に液状樹脂を流し込み硬化させるこ
とにより形或する。リード３特にアウターリード３Ｂの
リードフレームからの切断及び戊型は前記絶縁性樹脂フ
ィルム４を形威した後に行われる。

前記液状樹脂としては例えば熱硬化性樹脂或は熱可塑性
樹脂を使用する。この絶縁性樹脂フィルム４は、リード
３の厚さに律則されるので、リード３の厚さとほぼ同様
の５０〜２００［μｍ］程度の厚さで形威される。

前記絶縁性樹脂フィルム４は少なくともリード特にイン
ナーリード３Ａの一端側の表面及びアウターリード３Ｂ
の実装部分に設けられない。つまり、絶縁性樹脂フィル
ム４はインナーリード３Ａの一端側とボンディングワイ
ヤ５とのボンダビリ一ｌ１一 ティを向上し、かつアウターリード３Ｂと実装面とのソ
ルダービリティを向上することができる。

前記樹脂封止体６はトランスファーモールド法で形威さ
れる。この樹脂封止体６は例えばエボキシ系樹脂で構威
される。

このように構成されるＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型
半導体装置１は例えばプリント配線基板（ＰＣＢ）の実
装面上に実装される。この実装は、樹脂封止型半導体装
置１のアウターリード３Ｂとプリント配線基板の実装面
上の端子とを半田で接着することにより行われる。

このように、複数本のリード３のインナーリード３Ａの
一端と半導体ペレット２の外部端子とをボンディングワ
イヤ５で接続し、この半導体ペレット２及びインナーリ
ード３Ａを樹脂封止体６で封止するＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置１において、前記リード３の樹
脂封止体６から突出する隣接するアウターリード３Ｂ間
に絶縁性樹脂フィルム（絶縁材）４を設ける。この構成
により、前記アウターリード３Ｂの機械的強度を前−１
２ 記絶縁性樹脂フィルム４で補強し、アウターリード３Ｂ
をファインピッチ化できるので、樹脂封止型半導体装置
１の多端子化を図ることができると共に、前記樹脂封止
型半導体装置１の半田による実装時，前記絶縁性樹脂フ
ィルム４を半田に対するダム部として使用し、前記隣接
するアウターリード３Ｂ間の半田ブリッジの発生を防止
できるので、前記アウターリード３Ｂ間の電気的短絡を
防止し、樹脂封止型半導体装置１の実装不良を防止でき
る。

また、前記樹脂封止型半導体装置１の実装時の熱歪、プ
リント配線基板の熱変形等に基づく，アウターリードに
加わる応力を絶縁性樹脂フィルム４で吸収できるので、
アウターリード３Ｂとプリント配線基板の実装面上の端
子との接着部の損傷や破壊を防止できる。

また、前記樹脂封止型半導体装置ｌのアウタリード３Ｂ
の機械的強度が補強され、アウターリード３Ｂの外力に
対する変形が低減されるので、実装時、アウターリード
３、プリント配線基板の端子の夫々の位置合せ精度を向
上することができる。

なお、前述の樹脂封止型半導体装置１のリ一ド３及び絶
縁性樹脂フィルム４は、絶縁性樹脂フィルム４のリード
形或領域に熱や光又は圧力を選択的に与えて導電性を発
生させ、この導電性を発生した領域をリード３とする技
術で形威してもよい。

この特殊な絶縁性樹脂フィルム４としては例えば異方性
導電膜などを使用する。

（実施例■） 本実施例■は、前記ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置において，実装時の半田フラックスガスの排出
効率を向上し、実装不良を防止した、本発明の第２実施
例である。

本発明の実施例■のＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置１の概要を第２図（要部平面図）及び第３図（
要部断面図）で示す。

ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１は、第２
図及び第３図に示すように、リード３の上面及びリード
３間を含むほぼ全域に絶縁性樹脂フィルム４が設けられ
る。樹脂封止体６から突出するアウターリード３Ｂの上
面の絶縁性樹脂フィルム４は半田による実装部分を除い
て設けられる。

前記絶縁性樹脂フィルム４の実装部分には開口４Ａが設
けられる。この間口４Ａは、平面円形状で形成され、実
装時、主に半田フラックスガスの排出経路として使用さ
れる。

前記絶縁性樹脂フィルム４は、前述の実施例Ｉの絶縁性
樹脂フィルム４のように液状樹脂を使用しそれを硬化さ
せる必要がなく、例えばポリイミド系樹脂フィルムを使
用する。したがって、前記リード３は、予じめエッチン
グ加工又は打抜き加工を施した後、絶縁性樹脂フィルム
４の表面上に貼付けられる。

また、リード３は、絶縁性樹脂フィルム４の表面上に金
属膜（金属箔）を貼付け、この金属膜をエッチング加工
でパターンニングすることにより形威してもよい。また
、リード３は、絶縁性樹脂フィルム４の表面上にメッキ
法或は蒸着法或はスパッタリング法により金属膜を堆積
することにより形威してもよい。また、絶縁性樹脂フィ
ルム４はリード３の片面側にモールド法で樹脂を設ける
ことにより形威してもよい。また、絶縁性樹脂フィルム
４は透明な樹脂で形威してもよい。この場合、半田によ
る実装部分が絶縁性樹脂フィルム４を通して確認できる
ので、外観不良検査を簡単化できると共に、外観不良検
査効率を向上することができる。

また、第４図（要部平面図）に示すように、ＱＦＰ構造
を採用する樹脂封止型半導体装置１の絶縁性樹脂フィル
ム４の実装部分は複数個の開口を一体化した開口４Ｂで
形或してもよい。この開口４Ｂはこの形状に限定されな
いが平面長方形状で構威される。

このように、複数本のりード３のインナーリード３Ａの
一端と半導体ペレット２の外部端子とをボンディングワ
イヤ５で接続し、この半導体ペレット２及びインナーリ
ード３Ａを樹脂封止体６で封止するＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置１において、前記リード３の樹
脂封止体６から突出するアウターリード３Ｂの半田によ
る実装部分を除き、このアウターリード３Ｂの上面と前
記アウターリード３Ｂ間とに絶縁性樹脂フィルム４を設
ける。この構成により、前記アウターリード３Ｂの機械
的強度を前記絶縁性樹脂フィルム４で補強し、アウター
リード３Ｂをファインピッチ化できるので、樹脂封止型
半導体装置１の多端子化を図ることができると共に、前
記樹脂封止型半導体装置１の半田による実装時、半田フ
ラックスガスの排出経路を確保し、半田フラックスガス
に基づくアウターリード３Ｂの浮きや半田の濡れ不足を
防止できるので、樹脂封止型半導体装置１の実装不良を
防止できる。

（実施例■） 本実施例■は、前記ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置１のプリント配線基板への実装構造を簡単化し
た、本発明の第３実施例である。

本発明の実施例■であるＱＦＰ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置の概要を第５図（要部断面図）で示す。

ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１は、第５
図に示すように、リード３の下面（及びリード３間）の
ほぼ全域に絶縁性樹脂フィルム４０が設けられる。この
絶縁性樹脂フィルム４０は、前述の実施例■乃至実施例
■の夫々と同様に、主に、リード３特にアウターリード
３Ｂの機械的強度の補強を行い、かつ半田ブリッジを防
止することができると共に、実装時の接着剤として使用
される。

つまり、絶縁性樹脂フィルム４０は絶縁性樹脂フイルム
内に針状或は球状の導電材が混入された所謂異方性導電
フィルムで構成される。異方性導電フィルムは、圧着又
は熱圧着された部分のみ、アウターリード３Ｂとプリン
ト配線基板の実装面の端子との間を電気的に接続しかつ
接着できる。つまり、実装時に半田を使用しない。

このように、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装
置１において、リード３の下面に異方性導電フィルムで
ある絶縁性樹脂フイルム４０を設ける。この構成により
、実装時に、半田を使用せず（半田の塗布工程及びリフ
ロー工程を廃止し）、圧着又は熱圧着のみで樹脂封止型
半導体装置１を実装できるので、樹脂封止型半導体装置
１の実装構造を簡単化できる。

（実施例■） 本実施例■は、前記実施例■のＱＦＰ構造を採用する樹
脂封止型半導体装置１において、絶縁性樹脂フィルム４
の構造を変えた、本発明の第４実施例である。

本発明の実施例■であるＱＦＰ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置の概要を第６図（要部側面図）及び第７図
（要部側面図）で示す。

ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１は、第６
図に示すように、アウターリード３Ｂの実装部分を除き
、アウターリード３Ｂの下面に絶縁性樹脂フィルム４を
設ける。この絶縁性樹脂フィルム４は、アウターリード
３Ｂの下面のみに、或はアウターリード３Ｂの下面及び
アウターリード３Ｂ間に設けられる。

また、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１は
、第７図に示すように、アウターリード−ｌ９ー ３Ｂの実装部分を除き、アウターリード３Ｂの下面に絶
縁性樹脂フィルム４Ｄ及び上面に絶縁性樹脂フィルム４
Ｃを設ける。この絶縁性樹脂フィルム４Ｃ及び４Ｄは、
アウターリード３Ｂの上面及び下面のみに、或はアウタ
ーリード３Ｂの上面、下面及びアウターリード３Ｂ間に
設けられる。このアウターリード３Ｂの上面及び下面の
両面に絶縁性樹脂フィルム４（４Ｃ及び４Ｄ）を設けた
樹脂封止型半導体装置１はリード３特にアウターリード
３Ｂの機械的強度をより一層高めることができる。

（実施例■） 本実施例■は、前記ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置において、ノイズを低減し、動作不良を防止し
た、本発明の第５実施例である。

本発明の実施例ＶのＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置の概要を第８図（要部断面図）で示す。

ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１は、第８
図に示すように、リード３ｌ及びその上にー２０ 重ね合されたりード３２からなる２層リード構造で構成
される。リード３１はインナーリード３１Ａ及びアウタ
ーリード３１Ｂで構成される。リード３２は同様にイン
ナーリード３２Ａ及び３２Ｂで構成される。

リード３１．　３２の夫々には前記実施例■と同様に絶
縁性樹脂フィルム４が設けられ、リード３１．　３２の
夫々の間はリード３１の上面に設けられた絶縁性樹脂フ
ィルム４で電気的に分離される。リード３１の全部又は
一部の上側に配置されたリード３２は、その下側と同一
の信号又は電源が印加される。つまり、リード３１の信
号伝達経路又は電源供給経路の断面積はりード３２によ
り増加される。なお、り−ド３１とリード３２は前述の
構成と逆の構成にしてもよい。

このように、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装
置１において、複数本のりード３１（又は３２）のうち
、少なくとも一部のりード３１（又は３２）は前記絶縁
性樹脂フイルム４を介在させてリード３２（又は３１）
により複数層に構威される。この構成により、前記複数
層で構成されたりード３１及び３２は信号伝達経路又は
電源供給経路の断面積を増加でき、このリード３１及び
３２のインピーダンスを低減できるので、信号ノイズ又
は電源ノイズを低減し、ＱＦＰ構造を採用する欄脂封止
型半導体装置１の動作不良を防止できる。

（実施例■） 本実施例■は、前記ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置において、放熱効率を向上した、本発明の第６
実施例である。

本発明の実施例■のＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置の概要を第９図（要部断面図）で示す。

ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１は、第９
図に示すように、半導体ペレット２の裏面（素子形成面
と対向する裏面）に放熱板７が設けられる。この放熱板
７は半導体ペレット２の裏面に例えば熱伝導性の良好な
樹脂接着剤やＡｇペーストを介在させて接着される。放
熱板７は、り一ド３のインナーリード３Ａに絶縁性樹脂
フイルム４を介在させて対向し、一部を樹脂封止体６か
ら外部に突出させる。放熱板７は、熱伝達性が良好な例
えばＣｕ．Ｃｕ合金又はＦｅ−Ｎｉ合金で形威される。

この放熱板７は、半導体ペレッ１・２と樹脂封止体６の
外部との間の放熱経路の熱抵抗を小さくし、半導体ペレ
ット２の回路動作で発生する熱を樹脂封止体６の外部に
効率良く放出できる。

このように、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装
置１において、半導体ペレット２の裏面に、前記リード
３と絶縁性樹脂フィルム４を介在させて対向し、かつ前
記樹脂封止体６の外部に突出する放熱板７を設ける。こ
の構成により、前記半導体ペレット２の動作で発生する
熱を前記放熱板７を通して樹脂封止体６の外部に放出し
、樹脂封止型半導体装置１の放熱効率を向上できるので
、半導体ペレット２や樹脂封止体６の損傷、破壊を防止
できる。

（実施例■） 本実施例■は、前記ＱＦＰ構造を採用する欄脂封止型半
導体装置の実装精度を向上した、本発明の第７実施例で
ある。

−　　Ｚｊ　− 本発明の実施例■のＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置の概要を第１０図（要部側面図）で示す。

ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１の実装は
、第１０図に示すように、プリント配線基板８の実装面
上の端子とアウターリード３Ｂとを予じめ仮付けし、こ
の後半田１０で本付けする。

仮付けは粘着テープ９で行う。また、仮付けは、リード
３やプリント配線基板８側に磁性を設け、この磁性体の
吸引力で行ってもよい。また、仮付けは前述の異方性導
電フィルムで行ってもよい。

このように、ＱＦＰ構造を採用する捌脂封止型半導体装
置１の実装に際し、予じめアウターリード３Ｂとプリン
ト配線基板８とを仮付けし、この後本付けにより固着す
る。この構成により、樹脂封止型半導体装置１の半田１
０による実装の際に、アウターリード３Ｂとプリント配
線基板８の実装面上の端子との位置のずれを低減できる
ので、実装精度を向上できる。

（実施例■） 本実施例■は、前記ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置の絶縁性樹脂フィルム４の形成方法について説
明した、本発明の第８実施例である。

本発明の実施例■のＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置の絶縁性樹脂フィルムの概要を第１１図（要部
斜視図）及び第１２図（要部斜視図）で示す。

ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１の絶縁性
樹脂フィルム４は、第１１図に示すように、リール４０
に巻き回された長尺（テープ）状のものを所定の長さに
切断することにより形成される。

前記長尺状の絶縁性樹脂フィルム４は図示しないがリー
ド３が重ね合され、この長尺状のまま半導体ペレット２
の搭載、ワイヤボンディング、樹脂封止体６による封止
の夫々の組立工程が行われる。

つまり、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１
の生産効率を高くすることができる。

また、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１の
絶縁性樹脂フィルム４は、第１２図に示すように、複数
個の樹脂封止型半導体装置１を形或できる短冊状の多連
型のものを個々に切断することにより形威される。前記
多連型の絶縁性樹脂フイルム４は、複数個単位で組立工
程を行えるので、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導
体装置１の生産効率を高くすることができる。

なお、本発明は、前記実施例に限定されず、例えば、Ｑ
ＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置１のインナー
リード３Ａ及び絶縁性樹脂フィルム４の上側、下側の夫
々の樹脂封止体６の材質を変えることができる。半導体
ペレット２の素子形或面が」二側の場合、Ｌ側の樹脂封
止体６は低応力樹脂で形或し、素子の破壊、パッシベー
ション膜のクラックの発生等を防止する。半導体ペレッ
ト２の裏面が下側の場合、下側の樹脂封止体６は高熱伝
導樹脂で形成し、半導体ペレット２の回路動作で発生す
る熱の樹脂封止体６の外部への放熱効率を向上する。

また、本発明は、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導
体装置ｌの樹脂封止体６をトランスファモールド法で形
或する場合、インナーリード３及び絶縁性樹脂フィルム
４の」二側、下側の夫々のレジンゲートを別々に設けて
もよい。樹脂封止型半導体装置１に絶縁性樹脂フィルム
４を設けたことにより上側と下側との間の樹脂封止体６
の流入経路が小さくなるので、前記方法は樹脂封止体６
にボイドを発生させない点において有効である。なお、
この方法は前述の上側、下側の樹脂封止体６の材質を変
える場合、同質の場合のいずれにも適用できる。

また、本発明は、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導
体装置１の樹脂封止体６をトランスファモールド法で形
或する場合、金型と接触する絶縁性樹脂フィルム４の表
面上、或はリード３間に隙間が生じる部分の絶縁性樹脂
フィルム４の表面上に、前記金型との密着材を設けても
よい。この密着材は例えば絶縁性樹脂フィルム４に比べ
て柔らかいシリコーンゴム等で形戒する。密着材は、金
型の外部への樹脂の流出によるパリの発生、金型内への
樹脂の流入時の圧力低下等を防止できる。

ー２７ー また、本発明は、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導
体装置１の絶縁性樹脂フィルム４に貫通穴を設け，絶縁
性樹脂フィルム４の上側、下側の夫々の樹脂封止体６の
結合度を高めてもよい。

また、本発明は、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導
体装置１の半導体ペレット２の裏面側の樹脂封止体６を
排除し、半導体ペレット２の回路動作で発生する熱の放
熱効率を向上してもよい。

また、本発明は、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導
体装置１のアウターリード３Ｂの根本つまり樹脂封止体
６との境界部分にさらに樹脂等を設け、アウターリード
３Ｂの機械的強度を補強してもよい。

また、本発明は、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導
体装置１の絶縁性樹脂フィルム４のりード３と反対側の
表面に耐吸湿膜（例えば金属膜）を設け、絶縁性樹脂フ
ィルム４の吸湿を低減できる。

以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨２８− を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿
論である。

例えば、本発明は、前記ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置に限定されず、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ　Ｉ　ｎ
−１ｉｎｅ　Ｐ　ａｃｋａｇｅ）構造、ＳＯＰ（Ｓｍａ
ｌｌ○Ｕｔ−１ｉｎｅ　Ｐ　ａｃｋａｇｅ）構造、Ｓ　
Ｏ　Ｊ　（　Ｓ　ｍａｉｌ　Ｏｕｔ−１ｉｎｅ　Ｊ　ｂ
ａｎｄ）構造、Ｚ　Ｉ　Ｐ（Ｚｉｇｚａｇ　Ｉｎ−ｌｉ
ｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造、Ｍ　Ｓ　Ｐ　（Ｍｉｎｉ
　Ｓｑｕａｒｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造、Ｓ　Ｏ　Ｉ　
（Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔ−ｌｉｎｅ　Ｉ　ｌｅａｄｅｄ　
Ｐａｃｋａｇｅ）構造の夫々に適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

半導体ペレットとインナーリードとをワイヤで接続する
半導体装置において、実装時の半田ブリッジに基づく実
装不良を防止することができる。

前記半導体装置において、実装時の半田フラックスガス
に基づく実装不良を防止することができる。

前記半導体装置において、信号や電源ノイズに基づく誤
動作を防止することができる。

前記半導体装置において、放熱効率を向上することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例■であるＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置の概要を示す部分断面斜視図、 第２図は、本発明の実施例■のＱＦＰ構造を採用する樹
脂封止型半導体装置の概要を示す要部平面図、 第３図は、前記樹脂封止型半導体装置の要部断面図、 第４図は、前記樹脂封止型半導体装置の他の例を示す要
部平面図、 第５図は、本発明の実施例■であるＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置１の概要を示す要部断面図、 第６図は、本発明の実施例■であるＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置の概要を示す要部側面図、 第７図は、前記樹脂封止型半導体装置の要部側面図、 第８図は、本発明の実施例ＶのＱ　ｌ？　Ｐ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の概要を示す要部断面図、 第９図は、本発明の実施例■のＱＦＰ構造を採用する樹
脂封止型半導体装置の概要を示す要部断面図、 第１０図は、本発明の実施例■のＱＦＰ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置の概要を示す要部側面図、 第１１図及び第１２図は、本発明の実施例■のＱＦＰ構
造を採用する樹脂封止型半導体装置の絶縁性樹脂フィル
ムの概要を示す要部斜視図である。 図中、１・・・樹脂封止型半導体装置、２・・・半導体
ペレット、３，３１．３２・・・リード、３Ａ・・・イ
ンナリード、３Ｂ・・・アウターリード、４・・・絶縁
性樹脂フィルム、４Ａ，４Ｂ・・・開口、５・・・ボン
デイングワイヤ、６・・・樹脂封止体である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数本のリードのインナーリードの一端と半導体ペ
   レットの外部端子とをワイヤで接続し、この半導体ペレ
   ット及びインナーリードを封止体で封止する半導体装置
   において、前記リードの封止体から突出する隣接するア
   ウターリード間に絶縁材を設けたことを特徴とする半導
   体装置。 ２、複数本のリードのインナーリードの一端と半導体ペ
   レットの外部端子とをワイヤで接続し、この半導体ペレ
   ット及びインナーリードを封止体で封止する半導体装置
   において、前記リードの封止体から突出するアウターリ
   ードの半田による実装部分を除き、該アウターリードの
   上面又は下面又は両面と前記アウターリード間とに絶縁
   材を設けたことを特徴とする半導体装置。 ３、前記複数本のリードのうち、少なくとも一部のリー
   ドは前記絶縁材を介在させて複数層で構成されたことを
   特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。 ４、前記半導体ペレットの裏面には、前記リードと絶縁
   材を介在させて対向し、かつ前記封止体の外部に突出す
   る放熱板が設けられたことを特徴とする請求項１乃至請
   求項３に記載の夫々の半導体装置。