JPH0720921Y2 - 樹脂密封型半導体装置 - Google Patents
樹脂密封型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0720921Y2 JPH0720921Y2 JP1986198845U JP19884586U JPH0720921Y2 JP H0720921 Y2 JPH0720921 Y2 JP H0720921Y2 JP 1986198845 U JP1986198845 U JP 1986198845U JP 19884586 U JP19884586 U JP 19884586U JP H0720921 Y2 JPH0720921 Y2 JP H0720921Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiator
- resin
- lead wire
- semiconductor device
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 本考案は樹脂密封型半導体装置の構造に関するもので特
に半導体チップが固着された板状放熱体の保持構造に関
するものである。第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）及び（ｄ）
はこの種の従来装置の構造を示す平面図、正面図、同
（ｂ）図Ａ−Ａ′断面図及び取付説明図で図において１
は板状放熱体、1aはリード線部で立上り部１′及び折曲
げ部１″を介して放熱体と一体に形成され、他端には樹
脂成形時の治具保持部1eを有している。２はトランジス
タ或はダイオード等の半導体チップで一電極部を放熱体
１に半田等により固着される。３は前記リード線部1aと
ほぼ平行状態に導出される他のリード線で夫々接続線3a
を介して半導体チップ２の他の電極部に接続されてい
る。４は前記リード線の折曲げ部、放熱体、半導体チッ
プ及び接続線を封止する樹脂部で治具等を用いて成形後
放熱体１の他端1bで切断される。５は前記樹脂部４及び
放熱体１を貫通して形成される取付螺子用孔5aは螺子用
孔５の周縁に形成された絶縁層である。係る構造の装置
は樹脂封止用ケースを使用しない所謂フルパッケージ型
半導体装置として量産性に富み、しかも金属放熱体６に
取付ける際に絶縁材を介すことなく螺子７により直接取
付が可能である等優れた構造である。しかし乍らその反
面後述する理由により放熱体１の他端1bが露出し、第１
図（ｄ）の如く金属放熱体６に取付けた時に上記露出部
1bと金属放熱体６の間隔が少くこの間の絶縁耐圧が低い
ため所謂沿面放電を生ずる欠点がある。この改善のため
露出部を他の絶縁樹脂で覆うことが行われているが、こ
の方法は生産工程が増し量産面で難点があり、又露出部
を樹脂部の上方に位置せしめて間隔を大きくすることも
可能であるがこれでは放熱体１の樹脂部からの放熱効果
が悪くなるばかりか上方部で螺子頭７との間隔が少くこ
の間で放電を生じる恐れがある。そこで本考案出願人は
上記欠点を解消すべく先に第２図に示すように放熱体１
のリード線部形成端と反対側の端部をリード線部とほぼ
同様な立上り部1cと折曲部1dにより形成すると共に立上
り部1cの右側及び左側に夫々樹脂部成形用の支持部８を
設けて樹脂封止した装置を提案した。（実願昭57-15998
7号）この構造によれば放熱体１の端部1bは樹脂封止さ
れるためにこの部分での絶縁耐圧を向上でき、又支持部
８は放熱体１の夫々凹部に設けられているために、該支
持部８と金属放熱体６又は螺子頭７との間隔を大きくで
きるので夫々この間の絶縁耐圧が向上し沿面放電等を完
全に防止できる。又、金属放熱体６への取付時に放熱体
１と金属放熱体６間の樹脂部を薄く形成できるため装置
の放熱効果が良い等の利点があるが、一方係る装置をス
イッチング電源回路等を構成する混成集積回路装着（所
謂HIC）等に適用する場合には該放熱体１の端部全体が
折曲げられているために部品の実装面積の縮少を招き、
又、折曲部における放熱効果の点で問題があった。本考
案は係る点に鑑み、特にHICに好適な装置を提供するも
のである。第３図は本考案の一実施例構造図で（ａ）図
は平面図、（ｂ）図、（ｃ）図は夫々内部構造を示す平
面図及び側面図、（ｄ）図は樹脂部形成用説明図で夫々
従来例と同一符号は同等部分を示す。図中９はセラミッ
ク等の絶縁基板で上面にトランジスタＴ、ダイオード
Ｄ、抵抗Ｒ、及びコンデンサＣ等が固着され、接続線3a
等を通して回路基体を形成し一方下面は放熱体１に固着
されている。なお該基板９は放熱体１の側面に設けた突
部1fにより位置決めされる。又半導体チップ２はパワー
用トランジスタチップを用い放熱体１に直接固着されて
いる。本考案装置は従来例と対比して明らかなように放
熱体１の折曲部をリード線形成端と反対側端部において
その両端（1d、1d′）のみに設け、該端部における平面
（面積）を増し、これにより放熱体１の有効実装面積の
増大をはかり基板、チップ等回路部品の実装率の向上を
計かると共に金属放熱体６に取付けた時の該端部での放
熱効果の向上をはかるようにしたものである。因みに樹
脂部形成は第３図（ｄ）に示すように上型（モールド）
金具Ａと下型金具Ｂの夫々凸部ａ′ａ″及びｂ′ｂ″で
リード線部1a及び放熱体１を固定して成形することで樹
脂部４を形成するものである。一般に放熱体１は上下左
右の４点で支持することにより成形時の樹脂圧力により
その位置が変化することなく設定位置で樹脂封止され
る。なお、支持部ａ″、ｂ″はテーパー状、円柱状或は
全周面を樹脂部で囲まない等の任意に変形し得るもので
ある。以上の説明から明らかなように本考案によれば放
熱体の実装面積の向上をはかると共にリード線部又は放
熱体と金属放熱体間の耐電圧を満足できしかも、樹脂部
の金属放熱体との厚さを薄く一定にできるので放熱効果
が良く特性が安定する等実用上の効果は大きい。
に半導体チップが固着された板状放熱体の保持構造に関
するものである。第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）及び（ｄ）
はこの種の従来装置の構造を示す平面図、正面図、同
（ｂ）図Ａ−Ａ′断面図及び取付説明図で図において１
は板状放熱体、1aはリード線部で立上り部１′及び折曲
げ部１″を介して放熱体と一体に形成され、他端には樹
脂成形時の治具保持部1eを有している。２はトランジス
タ或はダイオード等の半導体チップで一電極部を放熱体
１に半田等により固着される。３は前記リード線部1aと
ほぼ平行状態に導出される他のリード線で夫々接続線3a
を介して半導体チップ２の他の電極部に接続されてい
る。４は前記リード線の折曲げ部、放熱体、半導体チッ
プ及び接続線を封止する樹脂部で治具等を用いて成形後
放熱体１の他端1bで切断される。５は前記樹脂部４及び
放熱体１を貫通して形成される取付螺子用孔5aは螺子用
孔５の周縁に形成された絶縁層である。係る構造の装置
は樹脂封止用ケースを使用しない所謂フルパッケージ型
半導体装置として量産性に富み、しかも金属放熱体６に
取付ける際に絶縁材を介すことなく螺子７により直接取
付が可能である等優れた構造である。しかし乍らその反
面後述する理由により放熱体１の他端1bが露出し、第１
図（ｄ）の如く金属放熱体６に取付けた時に上記露出部
1bと金属放熱体６の間隔が少くこの間の絶縁耐圧が低い
ため所謂沿面放電を生ずる欠点がある。この改善のため
露出部を他の絶縁樹脂で覆うことが行われているが、こ
の方法は生産工程が増し量産面で難点があり、又露出部
を樹脂部の上方に位置せしめて間隔を大きくすることも
可能であるがこれでは放熱体１の樹脂部からの放熱効果
が悪くなるばかりか上方部で螺子頭７との間隔が少くこ
の間で放電を生じる恐れがある。そこで本考案出願人は
上記欠点を解消すべく先に第２図に示すように放熱体１
のリード線部形成端と反対側の端部をリード線部とほぼ
同様な立上り部1cと折曲部1dにより形成すると共に立上
り部1cの右側及び左側に夫々樹脂部成形用の支持部８を
設けて樹脂封止した装置を提案した。（実願昭57-15998
7号）この構造によれば放熱体１の端部1bは樹脂封止さ
れるためにこの部分での絶縁耐圧を向上でき、又支持部
８は放熱体１の夫々凹部に設けられているために、該支
持部８と金属放熱体６又は螺子頭７との間隔を大きくで
きるので夫々この間の絶縁耐圧が向上し沿面放電等を完
全に防止できる。又、金属放熱体６への取付時に放熱体
１と金属放熱体６間の樹脂部を薄く形成できるため装置
の放熱効果が良い等の利点があるが、一方係る装置をス
イッチング電源回路等を構成する混成集積回路装着（所
謂HIC）等に適用する場合には該放熱体１の端部全体が
折曲げられているために部品の実装面積の縮少を招き、
又、折曲部における放熱効果の点で問題があった。本考
案は係る点に鑑み、特にHICに好適な装置を提供するも
のである。第３図は本考案の一実施例構造図で（ａ）図
は平面図、（ｂ）図、（ｃ）図は夫々内部構造を示す平
面図及び側面図、（ｄ）図は樹脂部形成用説明図で夫々
従来例と同一符号は同等部分を示す。図中９はセラミッ
ク等の絶縁基板で上面にトランジスタＴ、ダイオード
Ｄ、抵抗Ｒ、及びコンデンサＣ等が固着され、接続線3a
等を通して回路基体を形成し一方下面は放熱体１に固着
されている。なお該基板９は放熱体１の側面に設けた突
部1fにより位置決めされる。又半導体チップ２はパワー
用トランジスタチップを用い放熱体１に直接固着されて
いる。本考案装置は従来例と対比して明らかなように放
熱体１の折曲部をリード線形成端と反対側端部において
その両端（1d、1d′）のみに設け、該端部における平面
（面積）を増し、これにより放熱体１の有効実装面積の
増大をはかり基板、チップ等回路部品の実装率の向上を
計かると共に金属放熱体６に取付けた時の該端部での放
熱効果の向上をはかるようにしたものである。因みに樹
脂部形成は第３図（ｄ）に示すように上型（モールド）
金具Ａと下型金具Ｂの夫々凸部ａ′ａ″及びｂ′ｂ″で
リード線部1a及び放熱体１を固定して成形することで樹
脂部４を形成するものである。一般に放熱体１は上下左
右の４点で支持することにより成形時の樹脂圧力により
その位置が変化することなく設定位置で樹脂封止され
る。なお、支持部ａ″、ｂ″はテーパー状、円柱状或は
全周面を樹脂部で囲まない等の任意に変形し得るもので
ある。以上の説明から明らかなように本考案によれば放
熱体の実装面積の向上をはかると共にリード線部又は放
熱体と金属放熱体間の耐電圧を満足できしかも、樹脂部
の金属放熱体との厚さを薄く一定にできるので放熱効果
が良く特性が安定する等実用上の効果は大きい。
第１図、第２図は従来装置の構造図、第３図は本考案の
実施例構造図である。図において１は放熱体、1aはリー
ド線部、1bは端部、1c1c′は立上り部、１″1d、1d′は
折曲げ部、1eは他端の樹脂成形時の治具保持部、1fは位
置決部、２は半導体チップ、３はリード線、3aは接続
線、４は樹脂部、５は螺子用孔、６は金属放熱体、７は
螺子、８、８′は支持部、９は絶縁基板である。
実施例構造図である。図において１は放熱体、1aはリー
ド線部、1bは端部、1c1c′は立上り部、１″1d、1d′は
折曲げ部、1eは他端の樹脂成形時の治具保持部、1fは位
置決部、２は半導体チップ、３はリード線、3aは接続
線、４は樹脂部、５は螺子用孔、６は金属放熱体、７は
螺子、８、８′は支持部、９は絶縁基板である。
Claims (1)
- 【請求項１】板状放熱体１上に絶縁性回路基板９及び半
導体チップ２を搭載し、前記絶縁性回路基板９はリード
線1aと接続され、前記板状放熱体１は前記リード線1aと
反対方向両側端近傍に切り込みが設けられ、かつその切
れ込みの外側に形成された細状片には立ち上がり部1c1
c′及び折り曲げ部1d1d′を設け、前記折れ曲げ部1d1
d′はその下側を下金型Ｂの凸状部ｂ″で押え、上側を
上側の半導体チップ及び絶縁性回路基板のない部分を上
金型Ａの凸上部ａ″で押えて樹脂密封したことを特徴と
する樹脂密封型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986198845U JPH0720921Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 樹脂密封型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986198845U JPH0720921Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 樹脂密封型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63105348U JPS63105348U (ja) | 1988-07-08 |
| JPH0720921Y2 true JPH0720921Y2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=31159915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986198845U Expired - Lifetime JPH0720921Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 樹脂密封型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720921Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856359A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6115744U (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-29 | ロ−ム株式会社 | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP1986198845U patent/JPH0720921Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63105348U (ja) | 1988-07-08 |
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