JPH0412679Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0412679Y2 JPH0412679Y2 JP1987082402U JP8240287U JPH0412679Y2 JP H0412679 Y2 JPH0412679 Y2 JP H0412679Y2 JP 1987082402 U JP1987082402 U JP 1987082402U JP 8240287 U JP8240287 U JP 8240287U JP H0412679 Y2 JPH0412679 Y2 JP H0412679Y2
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- JP
- Japan
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- heat sink
- resin
- lead wire
- semiconductor chip
- plate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は樹脂密封型半導体装置の構造に関する
もので特に半導体チツプ或は回路基板等が固着さ
れた板状放熱体の保持構造に関するものである。
もので特に半導体チツプ或は回路基板等が固着さ
れた板状放熱体の保持構造に関するものである。
第１図はこの種の従来装置の構造を示す断面図
で図においてＩは板状放熱体、Iaはリード線部で
立上り部１′及び折曲げ部１″を介して放熱体と一
体に形成され、又リード線部形成端と反対側の端
部にはリード線部とほぼ同様な立上り部１ｃと折
曲部１ｄが形成されている。２はトランジスタ或
いはダイオード等の半導体チツプで一電極部を板
状放熱体１に半田等により固着される。
で図においてＩは板状放熱体、Iaはリード線部で
立上り部１′及び折曲げ部１″を介して放熱体と一
体に形成され、又リード線部形成端と反対側の端
部にはリード線部とほぼ同様な立上り部１ｃと折
曲部１ｄが形成されている。２はトランジスタ或
いはダイオード等の半導体チツプで一電極部を板
状放熱体１に半田等により固着される。
次に３ａは接続線、４は前記リード線の折曲げ
部、放熱体、半導体チツプ及び接続線を封止する
樹脂部、８は前記立上り部Icの右側及び左側に設
けた樹脂部形成用の支持部である。
部、放熱体、半導体チツプ及び接続線を封止する
樹脂部、８は前記立上り部Icの右側及び左側に設
けた樹脂部形成用の支持部である。
係る構造の装置は樹脂封止用ケースを使用しな
い所謂フルパツケージ型半導体装置として量産性
に富み、しかも図示しない、金属放熱体に取付け
る際に絶縁体を介すことなく螺子等により直接取
付が可能であり、しかも放熱体１の端部１ｂは樹
脂封止されるためにこの部分での絶縁耐圧向上で
き、又支持部８は放熱体１の夫々凹部に設けられ
ているために、該支持部８と図示しない金属放熱
体又は螺子頭との間隔を大きくできるので夫々こ
の間の絶縁耐圧が向上し沿面放電等を完全に防止
できるなどの利点があるが、一方係る装置をスイ
ツチング電源回路等を構成する混成集積回路装置
（所謂HIC）等に適用する場合には該板状放熱体
１の端部全体が折曲げられているために部品の実
装面積の縮小を招き、又、樹脂部のワレ（クラツ
ク）等の点で問題があつた。本考案は係る点を鑑
み、特にHICに好適な装置を提供するものであ
る。第２図は本考案の一実施例構造図でａ図は平
面図、ｂ図、ｃ図は夫々内部構造を示す平面図及
び側面図、ｄ図は樹脂部形成用説明図で夫々従来
例と同一符号は同等部分を示す。図中９はセラミ
ツク等の四角状絶縁基板で上面にトランジスタ
Ｔ、ダイオードＤ、抵抗Ｒ、及びコンデンサＣ等
が固着され、接続線３ａ等を通して回路基体を形
成し一方下面は板状放熱体１に固着されている。
なお該基板９はほぼ長方形をなし、夫々角状尖端
部をカツトともしくば円形加工を施し、丸味ｓを
もたせている。又該基板９は放熱体１の側面に設
けた突部１ｆにより位置決めされる。又半導体チ
ツプ２はパワー用トランジスタチツプを用い放熱
体１に直接固着されている。本考案装置は従来例
と対比して明らかなように板状放熱体１の折曲部
をリード線形成端と反対側端部においてその両端
１ｄ，１d′のみに設け、該端部における平面（面
積）を増し、これにより放熱体１の有効実装面積
の増大をはかり基板、チツプ等回路部品の実装率
の向上を計ると共に金属放熱体に取付けた時の該
端部での放熱効果の向上をはかるようにしたもの
である。又、基板９は角部が略円形加工されてい
るので樹脂部４の形成時、或は装置の稼働時樹脂
（例えばエポキシ）と基板９の熱膨腸係数の差に
起因する熱的ストレスにより該樹脂にヒビ等の亀
裂が生じる恐れがなく装置の信頼度が向上する。
（なお、基板９に円形加工のない場合には該角状
部を中心に略放射状に亀裂が生じ易く、この亀裂
を通して内部回路部品が外部雰囲気に晒され、信
頼性低下の原因になる。）因みに樹脂部形成は第
２図ｄに示すように上型（モールド）金具Ａと下
型金具Ｂの夫々凸部a′，a″及びb′，b″でリード線
部１ａ及び板状放熱体１を固定して成形すること
で樹脂部４を形成するものである。一般に板状放
熱体１は上下左右の４点で指示することにより成
形時の樹脂圧力によりその位置が変化することな
く設定位置で樹脂封止される。以上の説明から明
らかなように本考案によれば放熱体の実装面積の
向上をはかると共にリード線部又は放熱体と金属
放熱体間の耐電圧を満足できしかも、樹脂部の亀
裂を防止できるので装置の信頼性が向上し特性が
安定する等実用上の効果は大きい。
い所謂フルパツケージ型半導体装置として量産性
に富み、しかも図示しない、金属放熱体に取付け
る際に絶縁体を介すことなく螺子等により直接取
付が可能であり、しかも放熱体１の端部１ｂは樹
脂封止されるためにこの部分での絶縁耐圧向上で
き、又支持部８は放熱体１の夫々凹部に設けられ
ているために、該支持部８と図示しない金属放熱
体又は螺子頭との間隔を大きくできるので夫々こ
の間の絶縁耐圧が向上し沿面放電等を完全に防止
できるなどの利点があるが、一方係る装置をスイ
ツチング電源回路等を構成する混成集積回路装置
（所謂HIC）等に適用する場合には該板状放熱体
１の端部全体が折曲げられているために部品の実
装面積の縮小を招き、又、樹脂部のワレ（クラツ
ク）等の点で問題があつた。本考案は係る点を鑑
み、特にHICに好適な装置を提供するものであ
る。第２図は本考案の一実施例構造図でａ図は平
面図、ｂ図、ｃ図は夫々内部構造を示す平面図及
び側面図、ｄ図は樹脂部形成用説明図で夫々従来
例と同一符号は同等部分を示す。図中９はセラミ
ツク等の四角状絶縁基板で上面にトランジスタ
Ｔ、ダイオードＤ、抵抗Ｒ、及びコンデンサＣ等
が固着され、接続線３ａ等を通して回路基体を形
成し一方下面は板状放熱体１に固着されている。
なお該基板９はほぼ長方形をなし、夫々角状尖端
部をカツトともしくば円形加工を施し、丸味ｓを
もたせている。又該基板９は放熱体１の側面に設
けた突部１ｆにより位置決めされる。又半導体チ
ツプ２はパワー用トランジスタチツプを用い放熱
体１に直接固着されている。本考案装置は従来例
と対比して明らかなように板状放熱体１の折曲部
をリード線形成端と反対側端部においてその両端
１ｄ，１d′のみに設け、該端部における平面（面
積）を増し、これにより放熱体１の有効実装面積
の増大をはかり基板、チツプ等回路部品の実装率
の向上を計ると共に金属放熱体に取付けた時の該
端部での放熱効果の向上をはかるようにしたもの
である。又、基板９は角部が略円形加工されてい
るので樹脂部４の形成時、或は装置の稼働時樹脂
（例えばエポキシ）と基板９の熱膨腸係数の差に
起因する熱的ストレスにより該樹脂にヒビ等の亀
裂が生じる恐れがなく装置の信頼度が向上する。
（なお、基板９に円形加工のない場合には該角状
部を中心に略放射状に亀裂が生じ易く、この亀裂
を通して内部回路部品が外部雰囲気に晒され、信
頼性低下の原因になる。）因みに樹脂部形成は第
２図ｄに示すように上型（モールド）金具Ａと下
型金具Ｂの夫々凸部a′，a″及びb′，b″でリード線
部１ａ及び板状放熱体１を固定して成形すること
で樹脂部４を形成するものである。一般に板状放
熱体１は上下左右の４点で指示することにより成
形時の樹脂圧力によりその位置が変化することな
く設定位置で樹脂封止される。以上の説明から明
らかなように本考案によれば放熱体の実装面積の
向上をはかると共にリード線部又は放熱体と金属
放熱体間の耐電圧を満足できしかも、樹脂部の亀
裂を防止できるので装置の信頼性が向上し特性が
安定する等実用上の効果は大きい。
第１図は、従来装置の構造図、第２図は本考案
の実施例構造図である。図において１は板状放熱
体、１ａはリード線部、１ｂは端部、１′，１ｃ
は立上り部、１″，１ｄ，１d′は折曲げ部、１ｆ
は位置決部、２は半導体チツプ、３はリード線、
３ａは接続線、４は樹脂部、８，８′は支持部、
９は絶縁基板、Ｓは円形部である。
の実施例構造図である。図において１は板状放熱
体、１ａはリード線部、１ｂは端部、１′，１ｃ
は立上り部、１″，１ｄ，１d′は折曲げ部、１ｆ
は位置決部、２は半導体チツプ、３はリード線、
３ａは接続線、４は樹脂部、８，８′は支持部、
９は絶縁基板、Ｓは円形部である。
Claims (1)
- 板状放熱体と前記放熱体の一端に連なる立上り
部及び折曲げ部を有するリード線部と、前記放熱
体に固着された四角状絶縁性回路基板及び半導体
チツプと前記リード線部の折曲げ部、四角状絶縁
性回路基板、半導体チツプ及び放熱体を封止する
樹脂部よりなる半導体装置において、前記放熱体
の他端の両端に夫々立上り部と折曲げ部を設ける
と共に前記四角状絶縁基板の夫々角状先端部をカ
ツトもしくは円形加工を施したことを特徴とする
樹脂密封形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987082402U JPH0412679Y2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987082402U JPH0412679Y2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63191644U JPS63191644U (ja) | 1988-12-09 |
| JPH0412679Y2 true JPH0412679Y2 (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=30935026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987082402U Expired JPH0412679Y2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412679Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP1987082402U patent/JPH0412679Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63191644U (ja) | 1988-12-09 |
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