JPS6223096Y2 - - Google Patents
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- JPS6223096Y2 JPS6223096Y2 JP1981058020U JP5802081U JPS6223096Y2 JP S6223096 Y2 JPS6223096 Y2 JP S6223096Y2 JP 1981058020 U JP1981058020 U JP 1981058020U JP 5802081 U JP5802081 U JP 5802081U JP S6223096 Y2 JPS6223096 Y2 JP S6223096Y2
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- sealing resin
- substrate
- resin
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- semiconductor device
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 42
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、封止樹脂と放熱板との接着強度とを
向上させ得るようにした樹脂封止型半導体装置の
改良に関する。
向上させ得るようにした樹脂封止型半導体装置の
改良に関する。
従来この種の樹脂封止型半導体装置は、概略第
１図に示すような構成とされていた。これを簡単
に説明すると、図中符号１は金属板材からなる基
板、２はこの基板１上に固着して設けられる半導
体素子、３は前記基板１に近接する位置から外部
に導出される複数本の外部導出リード、４は前記
半導体素子２とこれら各外部導出リード３とを接
続する金属細線、５は前記基板１上に導出リード
３の内方端部分を埋設した状態で形成される封止
樹脂、６は前記基板１と一体に形成された放熱
板、７は前記基板１の側縁部から封止樹脂５側に
折曲げ形成された折曲げ片である。そして、この
ような構成において、基板１上に半導体素子２を
装着して設け、この半導体素子２の電極と導出リ
ード３を金属細線４で接続した後、これら基板１
および導出リード３の内方端部分を封止樹脂５で
埋込むことにより、樹脂封止型半導体装置が構成
されていた。
１図に示すような構成とされていた。これを簡単
に説明すると、図中符号１は金属板材からなる基
板、２はこの基板１上に固着して設けられる半導
体素子、３は前記基板１に近接する位置から外部
に導出される複数本の外部導出リード、４は前記
半導体素子２とこれら各外部導出リード３とを接
続する金属細線、５は前記基板１上に導出リード
３の内方端部分を埋設した状態で形成される封止
樹脂、６は前記基板１と一体に形成された放熱
板、７は前記基板１の側縁部から封止樹脂５側に
折曲げ形成された折曲げ片である。そして、この
ような構成において、基板１上に半導体素子２を
装着して設け、この半導体素子２の電極と導出リ
ード３を金属細線４で接続した後、これら基板１
および導出リード３の内方端部分を封止樹脂５で
埋込むことにより、樹脂封止型半導体装置が構成
されていた。
ところで、この種装置において、特にパワート
ランジスタ、パワーIC等の大電力用半導体装置
である場合には、半導体素子２が装着される基板
１を、放熱性をよくするために放熱板６と一体的
に形成するとともに、樹脂封止した場合に半導体
素子２が装着されている基板１の裏面側を、前記
外部導出リード３との間に段差を持たせること
で、封止樹脂５の底面と同一平面上であつてこの
封止樹脂５の底面の一部に露出させるように構成
とされていた。
ランジスタ、パワーIC等の大電力用半導体装置
である場合には、半導体素子２が装着される基板
１を、放熱性をよくするために放熱板６と一体的
に形成するとともに、樹脂封止した場合に半導体
素子２が装着されている基板１の裏面側を、前記
外部導出リード３との間に段差を持たせること
で、封止樹脂５の底面と同一平面上であつてこの
封止樹脂５の底面の一部に露出させるように構成
とされていた。
そして、このような構成による半導体装置用基
板１においては、前記封止樹脂５と基板１との接
着強度を確保するために、半導体素子２が装着さ
れている基板１の上面の一部を封止樹脂５側に折
曲げて折曲げ片７を設け、これを封止樹脂５内に
埋設させる構成が一般に採用されていた。
板１においては、前記封止樹脂５と基板１との接
着強度を確保するために、半導体素子２が装着さ
れている基板１の上面の一部を封止樹脂５側に折
曲げて折曲げ片７を設け、これを封止樹脂５内に
埋設させる構成が一般に採用されていた。
すなわち、従来、このような折曲げ片７は、第
２図に示すように半導体素子２が装着される基板
１の上面に対して略々直角をなしある高さをもつ
ように折曲げられている。そして、このような折
曲げ片７は封止樹脂５と平面接合し、この平面接
合により基板１と封止樹脂５との接着強度がある
程度確保されるものであつた。
２図に示すように半導体素子２が装着される基板
１の上面に対して略々直角をなしある高さをもつ
ように折曲げられている。そして、このような折
曲げ片７は封止樹脂５と平面接合し、この平面接
合により基板１と封止樹脂５との接着強度がある
程度確保されるものであつた。
しかしながら、上述した基板１上に折曲げられ
た折曲げ片７を用いてなる封止樹脂５との接合構
造では、平面接合であるためにこの種基板１と封
止樹脂５との間に要求されている接着強度を得る
にはまだまだ不充分であるもので、たとえばこの
半導体装置を外部放熱器にねじ止めする際などに
おいてストレスが加えられると、第３図に示すよ
うに放熱板６と封止樹脂５との間に隙間８ができ
たり、クラツク９が入つたりし、極端な場合には
基板１の剥れ等の問題を招いてしまうものであつ
た。
た折曲げ片７を用いてなる封止樹脂５との接合構
造では、平面接合であるためにこの種基板１と封
止樹脂５との間に要求されている接着強度を得る
にはまだまだ不充分であるもので、たとえばこの
半導体装置を外部放熱器にねじ止めする際などに
おいてストレスが加えられると、第３図に示すよ
うに放熱板６と封止樹脂５との間に隙間８ができ
たり、クラツク９が入つたりし、極端な場合には
基板１の剥れ等の問題を招いてしまうものであつ
た。
本考案は上述した事情に鑑み、封止樹脂と放熱
板（基板）との接着強度をより一層向上させるこ
とが可能となる樹脂封止型半導体装置を得ること
を目的としている。
板（基板）との接着強度をより一層向上させるこ
とが可能となる樹脂封止型半導体装置を得ること
を目的としている。
本考案に係る樹脂封止型半導体装置は、半導体
素子が固着されかつ封止樹脂から外側面が外部に
露出される基板の一部に封止樹脂側に折曲げられ
てこの封止樹脂内に埋設される折曲げ片を形成す
るとともに、この折曲げ片の先端部側縁部分が幅
狭となるようにして切欠き部を形成し、かつこの
切欠き部内に前記封止樹脂の一部を充填形成する
ようにしたものである。
素子が固着されかつ封止樹脂から外側面が外部に
露出される基板の一部に封止樹脂側に折曲げられ
てこの封止樹脂内に埋設される折曲げ片を形成す
るとともに、この折曲げ片の先端部側縁部分が幅
狭となるようにして切欠き部を形成し、かつこの
切欠き部内に前記封止樹脂の一部を充填形成する
ようにしたものである。
本考案によれば、先端側が幅狭な切欠き部内に
充填して形成される封止樹脂の連結部によつて、
この封止樹脂を基板側に強固な接着強度をもつて
一体的に設けることが可能となるものである。
充填して形成される封止樹脂の連結部によつて、
この封止樹脂を基板側に強固な接着強度をもつて
一体的に設けることが可能となるものである。
以下、本考案を図面に示した実施例を用いて詳
細に説明する。
細に説明する。
第４図は本考案に係る樹脂封止型半導体装置の
一実施例を示すものであり、同図において前述し
た第１図ないし第３図と同一または相当する部分
には同一番号を付して説明は省略する。
一実施例を示すものであり、同図において前述し
た第１図ないし第３図と同一または相当する部分
には同一番号を付して説明は省略する。
さて、本考案によれば、半導体素子２が固着さ
れかつ封止樹脂５から外側面が外部に露出される
基板１の一部に封止樹脂５側に折曲げられてこの
封止樹脂５内に埋設される折曲げ片７を形成する
とともに、この折曲げ片７の先端部側縁部分が幅
狭となるようにして切欠き部を形成し、かつこの
切欠き部内に前記封止樹脂５の一部を充填させて
形成するようにしたところに特徴を有している。
れかつ封止樹脂５から外側面が外部に露出される
基板１の一部に封止樹脂５側に折曲げられてこの
封止樹脂５内に埋設される折曲げ片７を形成する
とともに、この折曲げ片７の先端部側縁部分が幅
狭となるようにして切欠き部を形成し、かつこの
切欠き部内に前記封止樹脂５の一部を充填させて
形成するようにしたところに特徴を有している。
そして、このような構成とすることにより、折
曲げ片７の切欠き部内に流入して固化する封止樹
脂５の連結部によつて、基板１と封止樹脂５との
強固な係止力を得ることが可能で、これによりこ
れら部材間での接着強度を従来に比べ増大させ得
るものである。
曲げ片７の切欠き部内に流入して固化する封止樹
脂５の連結部によつて、基板１と封止樹脂５との
強固な係止力を得ることが可能で、これによりこ
れら部材間での接着強度を従来に比べ増大させ得
るものである。
特に、従来構造では折曲げ片７の存在によつて
その両側の封止樹脂５が全く分断されていたた
め、薄い樹脂部分が剥れ易かつたものが、本考案
によれば、切欠き部で折曲げ片７両側の封止樹脂
５が連結されるため、樹脂部自身の強度も向上
し、これによる相乗効果によつて接着強度がより
一層向上するものである。
その両側の封止樹脂５が全く分断されていたた
め、薄い樹脂部分が剥れ易かつたものが、本考案
によれば、切欠き部で折曲げ片７両側の封止樹脂
５が連結されるため、樹脂部自身の強度も向上
し、これによる相乗効果によつて接着強度がより
一層向上するものである。
ここで、上述した折曲げ片７に形成される切欠
き部は、この半導体素子２を積載する基板１を形
成するための打抜き加工時において同時にしかも
簡単かつ適切に行なえるものであり、またその加
工後において折曲げ片７を折曲げ加工するだけで
全体を形成し得るため、特別な加工工程は何ら必
要なく、その実用上での利点は大きい。
き部は、この半導体素子２を積載する基板１を形
成するための打抜き加工時において同時にしかも
簡単かつ適切に行なえるものであり、またその加
工後において折曲げ片７を折曲げ加工するだけで
全体を形成し得るため、特別な加工工程は何ら必
要なく、その実用上での利点は大きい。
なお、上述した折曲げ片７における切欠き部形
状としては、上述した実施例に限定されず、たと
えば第５図または第６図に示すような形状で形成
してもよいものであり、充分な接合強度が得られ
ることは容易に理解されよう。
状としては、上述した実施例に限定されず、たと
えば第５図または第６図に示すような形状で形成
してもよいものであり、充分な接合強度が得られ
ることは容易に理解されよう。
以上説明したように、本考案に係る樹脂封止型
半導体装置によれば、半導体素子が固着されかつ
封止樹脂から外側面が放熱用として外部に露出さ
れる基板の一部に封止樹脂側に折曲げられてこの
封止樹脂内に埋設される折曲げ片を形成するとと
もに、この折曲げ片の先端部側縁部分が幅狭とな
るような切欠き部を形成し、かつこの切欠き部内
に前記封止樹脂の一部を充填形成するようにした
ので、簡単かつ安価な構成にもかかわらず、先端
側が幅狭な切欠き部内に充填して形成される封止
樹脂の連結部によつて、この封止樹脂を基板側に
強固な接着強度をもつて一体的に設けることが可
能で、これにより従来のような接着部分での間隙
やクラツクの発生がなく、半導体素子の特性劣化
が防止できる等の実用上種々優れた効果がある。
半導体装置によれば、半導体素子が固着されかつ
封止樹脂から外側面が放熱用として外部に露出さ
れる基板の一部に封止樹脂側に折曲げられてこの
封止樹脂内に埋設される折曲げ片を形成するとと
もに、この折曲げ片の先端部側縁部分が幅狭とな
るような切欠き部を形成し、かつこの切欠き部内
に前記封止樹脂の一部を充填形成するようにした
ので、簡単かつ安価な構成にもかかわらず、先端
側が幅狭な切欠き部内に充填して形成される封止
樹脂の連結部によつて、この封止樹脂を基板側に
強固な接着強度をもつて一体的に設けることが可
能で、これにより従来のような接着部分での間隙
やクラツクの発生がなく、半導体素子の特性劣化
が防止できる等の実用上種々優れた効果がある。
また、本考案によれば、接着強度を増大させる
ために折曲げ片に形成される切欠き部は、基板の
打抜き加工時において同時に加工し得るもので、
接着強度を得るために必要な加工としては折曲げ
片の折曲げ加工だけでよく、加工性の面で優れて
いる等の利点もある。
ために折曲げ片に形成される切欠き部は、基板の
打抜き加工時において同時に加工し得るもので、
接着強度を得るために必要な加工としては折曲げ
片の折曲げ加工だけでよく、加工性の面で優れて
いる等の利点もある。
第１図は一般の樹脂封止型半導体装置の透視
図、第２図はその−線断面図、第３図は従来
の樹脂封止型半導体装置の欠陥例を示す概略斜視
図、第４図は本考案による樹脂封止型半導体装置
の一実施例を示す透視図、第５図および第６図は
それぞれ本考案の他の実施例を示す一部断面図で
ある。 １……基板、２……半導体素子、３……外部導
出リード、４……金属細線、５……封止樹脂、６
……放熱板、７……折曲げ片。
図、第２図はその−線断面図、第３図は従来
の樹脂封止型半導体装置の欠陥例を示す概略斜視
図、第４図は本考案による樹脂封止型半導体装置
の一実施例を示す透視図、第５図および第６図は
それぞれ本考案の他の実施例を示す一部断面図で
ある。 １……基板、２……半導体素子、３……外部導
出リード、４……金属細線、５……封止樹脂、６
……放熱板、７……折曲げ片。
Claims (1)
- 半導体素子を固着しかつ封止樹脂が一体的に設
けられる基板の外側面を、前記封止樹脂の外側面
側に露出させて外部放熱器と接触させるようにし
た半導体装置において、前記基板の一部から封止
樹脂側に折曲げ形成され封止樹脂内に埋設される
折曲げ片を備え、この折曲げ片には、先端部側縁
部分が幅狭な状態で切欠き部が形成され、この切
欠き部内に前記封止樹脂の一部が充填されて形成
されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981058020U JPS6223096Y2 (ja) | 1981-04-20 | 1981-04-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981058020U JPS6223096Y2 (ja) | 1981-04-20 | 1981-04-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57170561U JPS57170561U (ja) | 1982-10-27 |
| JPS6223096Y2 true JPS6223096Y2 (ja) | 1987-06-12 |
Family
ID=29854459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981058020U Expired JPS6223096Y2 (ja) | 1981-04-20 | 1981-04-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6223096Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2569008B2 (ja) * | 1986-04-25 | 1997-01-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| WO2016016985A1 (ja) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5216864B2 (ja) * | 1973-09-17 | 1977-05-12 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5038257U (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-21 | ||
| JPS51131174U (ja) * | 1975-04-15 | 1976-10-22 | ||
| JPS5535807Y2 (ja) * | 1975-07-22 | 1980-08-23 |
-
1981
- 1981-04-20 JP JP1981058020U patent/JPS6223096Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5216864B2 (ja) * | 1973-09-17 | 1977-05-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57170561U (ja) | 1982-10-27 |
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