JP2562789B2 - 半導体装置用放熱板 - Google Patents
半導体装置用放熱板Info
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- resin
- semiconductor device
- semiconductor
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の半導
体を搭載する放熱板の改良に関するものである。
体を搭載する放熱板の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図５に示すように、半導体装置
は、放熱板１の周縁部をリード２に接着剤３で接着し、
半導体Ｓを載せて接着剤４で接着し、ボンディングワイ
ヤＷでリード２と半導体Ｓを接続して、樹脂５で封止し
ている。放熱板１は、通常Ｃｕ系金属素材から成り、Ａ
ｇやＮｉメッキを施したものもある。また、半導体装置
によっては、図６に示すように、放熱板１の底面６ａを
樹脂５から露出させて封止するものもある。
は、放熱板１の周縁部をリード２に接着剤３で接着し、
半導体Ｓを載せて接着剤４で接着し、ボンディングワイ
ヤＷでリード２と半導体Ｓを接続して、樹脂５で封止し
ている。放熱板１は、通常Ｃｕ系金属素材から成り、Ａ
ｇやＮｉメッキを施したものもある。また、半導体装置
によっては、図６に示すように、放熱板１の底面６ａを
樹脂５から露出させて封止するものもある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体装置
は、封止樹脂５との接着力が弱く、密着しないので、耐
湿性が低下したり、熱サイクルで樹脂にクラックが生じ
るという問題がある。特に、半導体装置における樹脂パ
ッケージが益々薄型化される傾向にあるため、放熱板と
樹脂との密着性の確保が重要性を増している。一方、封
止樹脂との接着力を向上させるように、封止樹脂に埋没
する放熱板の表面に銅の黒化処理膜を形成したものがあ
る（特開平３−２３６２６７号）が、放熱板のほぼ全面
に一律に黒化処理膜が形成されてしまうので、ヒートシ
ンクにアースをとる場合に、この膜により導電性が阻害
されてしまったり、放熱効果を高めるために放熱板の底
面を露出させる場合に、底面から樹脂バリがはみ出て、
これを除去する工程を別途必要とするという問題があ
る。そこで、本発明は、封止樹脂とよく密着して、耐湿
性が高く、樹脂クラックが生じることがなく、しかも必
要な部分へのＣｕＯ膜の形成を阻止して導電性を確保
し、また底面からはみ出た樹脂バリを容易に除去できる
半導体装置用放熱板を提供することを課題としている。
は、封止樹脂５との接着力が弱く、密着しないので、耐
湿性が低下したり、熱サイクルで樹脂にクラックが生じ
るという問題がある。特に、半導体装置における樹脂パ
ッケージが益々薄型化される傾向にあるため、放熱板と
樹脂との密着性の確保が重要性を増している。一方、封
止樹脂との接着力を向上させるように、封止樹脂に埋没
する放熱板の表面に銅の黒化処理膜を形成したものがあ
る（特開平３−２３６２６７号）が、放熱板のほぼ全面
に一律に黒化処理膜が形成されてしまうので、ヒートシ
ンクにアースをとる場合に、この膜により導電性が阻害
されてしまったり、放熱効果を高めるために放熱板の底
面を露出させる場合に、底面から樹脂バリがはみ出て、
これを除去する工程を別途必要とするという問題があ
る。そこで、本発明は、封止樹脂とよく密着して、耐湿
性が高く、樹脂クラックが生じることがなく、しかも必
要な部分へのＣｕＯ膜の形成を阻止して導電性を確保
し、また底面からはみ出た樹脂バリを容易に除去できる
半導体装置用放熱板を提供することを課題としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、第１の発明においては、半導体Ｓを搭載し、周縁部
がリード１２に接着され、半導体Ｓ及びリード１２と共
に樹脂１５にて封止される半導体装置用放熱板１１にお
いて、封止樹脂１５との接合部となる表面の全部又は一
部にＣｕＯ膜１７を形成し、またヒートシンクにアース
をとるように、導電性を確保すると共に、ＣｕＯ膜を形
成しないように半導体Ｓの搭載部にＡｇメッキ１６を施
した。第２の発明においては、さらに放熱板１１の底面
にＮｉメッキ１８を施し、この部分を露出させるように
した。
め、第１の発明においては、半導体Ｓを搭載し、周縁部
がリード１２に接着され、半導体Ｓ及びリード１２と共
に樹脂１５にて封止される半導体装置用放熱板１１にお
いて、封止樹脂１５との接合部となる表面の全部又は一
部にＣｕＯ膜１７を形成し、またヒートシンクにアース
をとるように、導電性を確保すると共に、ＣｕＯ膜を形
成しないように半導体Ｓの搭載部にＡｇメッキ１６を施
した。第２の発明においては、さらに放熱板１１の底面
にＮｉメッキ１８を施し、この部分を露出させるように
した。
【０００５】
【作用】本発明の放熱板１１は、封止樹脂１５との接合
面となる表面にＣｕＯ膜１７を形成したので、樹脂１５
との食い付きがよく、密着するので、耐湿性が高く、熱
サイクルによっても樹脂のクラックが生じない。Ａｇメ
ッキ１６を施した場合、ヒートシンクにアースをとるな
ど必要なときにはＣｕＯ膜の形成を妨げて半導体Ｓの搭
載部の導電性が確保される。底面にＮｉメッキ１８を施
すと、底面を露出させて樹脂封止する際の樹脂バリを除
去し易くなる。
面となる表面にＣｕＯ膜１７を形成したので、樹脂１５
との食い付きがよく、密着するので、耐湿性が高く、熱
サイクルによっても樹脂のクラックが生じない。Ａｇメ
ッキ１６を施した場合、ヒートシンクにアースをとるな
ど必要なときにはＣｕＯ膜の形成を妨げて半導体Ｓの搭
載部の導電性が確保される。底面にＮｉメッキ１８を施
すと、底面を露出させて樹脂封止する際の樹脂バリを除
去し易くなる。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例を図面について説明する。図
１は半導体装置の縦断面図、図２は放熱板の一部拡大断
面図、図３は他の実施例の半導体装置の縦断面図、図４
は放熱板の一部拡大断面図である。図１において、１１
は半導体Ｓを載せる放熱板である。半導体Ｓは接着剤１
３で放熱板１１に接着される。また、放熱板１１の周縁
部は接着剤１４でリード１２に接着される。接着剤１３
は、従来同様、放熱板１１とリード１２とを絶縁する。
接着剤１４は導電性を有する。リード１２はボンディン
グワイヤＷで半導体Ｓと接続される。半導体Ｓ、放熱板
１１、リード１２の内側端部は樹脂１５で封止される。
１は半導体装置の縦断面図、図２は放熱板の一部拡大断
面図、図３は他の実施例の半導体装置の縦断面図、図４
は放熱板の一部拡大断面図である。図１において、１１
は半導体Ｓを載せる放熱板である。半導体Ｓは接着剤１
３で放熱板１１に接着される。また、放熱板１１の周縁
部は接着剤１４でリード１２に接着される。接着剤１３
は、従来同様、放熱板１１とリード１２とを絶縁する。
接着剤１４は導電性を有する。リード１２はボンディン
グワイヤＷで半導体Ｓと接続される。半導体Ｓ、放熱板
１１、リード１２の内側端部は樹脂１５で封止される。
【０００７】放熱板１１は、図２に示すように、矩形板
状のＣｕ系金属から成る。放熱板１１の上面１１ａに
は、Ａｇメッキ１６が施されている。また、放熱板１１
の側面１１ｂ及び底面１１ｃには、ＣｕＯ膜１７が形成
されている。Ａｇメッキ１６は、ヒートシンクにアース
をとる場合に、導電性を確保してＣｕＯ膜の形成を阻止
する。
状のＣｕ系金属から成る。放熱板１１の上面１１ａに
は、Ａｇメッキ１６が施されている。また、放熱板１１
の側面１１ｂ及び底面１１ｃには、ＣｕＯ膜１７が形成
されている。Ａｇメッキ１６は、ヒートシンクにアース
をとる場合に、導電性を確保してＣｕＯ膜の形成を阻止
する。
【０００８】この半導体装置の放熱板１１は、封止樹脂
１５との接触面にＣｕＯ膜１７が形成されているので、
樹脂１５に対する食い付きがよく、密着するので、耐湿
性が高く、熱サイクルによっても樹脂のクラックが生じ
ない。なお、放熱板１１の上面１１ａにＡｇメッキ１６
を必要としない場合には、ＣｕＯ膜１７を形成すること
とし、同様に樹脂１５に対する上面１１ａの密着性を高
めることができる。
１５との接触面にＣｕＯ膜１７が形成されているので、
樹脂１５に対する食い付きがよく、密着するので、耐湿
性が高く、熱サイクルによっても樹脂のクラックが生じ
ない。なお、放熱板１１の上面１１ａにＡｇメッキ１６
を必要としない場合には、ＣｕＯ膜１７を形成すること
とし、同様に樹脂１５に対する上面１１ａの密着性を高
めることができる。
【０００９】他の実施例における放熱板１１は、図３に
示すように、底面１１ｃが樹脂１５から露出した状態で
封止されている。そして、図４に示すように、放熱板１
１の上面１１ａにはＡｇメッキ１６が施されており、側
面１１ｂにはＣｕＯ膜１７が形成されている。この放熱
板１１の底面１１ｃには、Ｎｉメッキ１８が施されてい
る。Ｎｉメッキ１８は、底面１１ｃからはみ出た樹脂バ
リを除去し易くする。
示すように、底面１１ｃが樹脂１５から露出した状態で
封止されている。そして、図４に示すように、放熱板１
１の上面１１ａにはＡｇメッキ１６が施されており、側
面１１ｂにはＣｕＯ膜１７が形成されている。この放熱
板１１の底面１１ｃには、Ｎｉメッキ１８が施されてい
る。Ｎｉメッキ１８は、底面１１ｃからはみ出た樹脂バ
リを除去し易くする。
【００１０】
【発明の効果】以上のように、第１の発明は、半導体Ｓ
を搭載し、周縁部がリード１２に接着され、半導体Ｓ及
びリード１２と共に樹脂１５にて封止される半導体装置
用放熱板１１において、封止樹脂１５との接合部となる
表面にＣｕＯ１７膜を形成し、半導体Ｓの搭載部に導電
性を確保すると共にＣｕＯ膜が形成されないようにＡｇ
メッキ１６を施したため、放熱板と樹脂が密着し、耐湿
性が高く、樹脂のクラックを防止することができ、特
に、半導体装置における樹脂パッケージが益々薄型化さ
れる傾向にあり、放熱板と樹脂との密着性の確保が重要
性を増している現状において、本発明の意義は大きく、
しかもヒートシンクにアースをとる場合に、Ａｇメッキ
によりＣｕＯ膜の形成を阻止して導電性を確保すること
ができる。第２の発明は、放熱板１１の底面にＮｉメッ
キ１８を施して、この部分を露出させるようにしたた
め、底面からはみ出た樹脂バリを容易に除去することが
できるという効果を有する。
を搭載し、周縁部がリード１２に接着され、半導体Ｓ及
びリード１２と共に樹脂１５にて封止される半導体装置
用放熱板１１において、封止樹脂１５との接合部となる
表面にＣｕＯ１７膜を形成し、半導体Ｓの搭載部に導電
性を確保すると共にＣｕＯ膜が形成されないようにＡｇ
メッキ１６を施したため、放熱板と樹脂が密着し、耐湿
性が高く、樹脂のクラックを防止することができ、特
に、半導体装置における樹脂パッケージが益々薄型化さ
れる傾向にあり、放熱板と樹脂との密着性の確保が重要
性を増している現状において、本発明の意義は大きく、
しかもヒートシンクにアースをとる場合に、Ａｇメッキ
によりＣｕＯ膜の形成を阻止して導電性を確保すること
ができる。第２の発明は、放熱板１１の底面にＮｉメッ
キ１８を施して、この部分を露出させるようにしたた
め、底面からはみ出た樹脂バリを容易に除去することが
できるという効果を有する。
【図１】半導体装置の縦断面図である。
【図２】放熱板の一部拡大断面図である。
【図３】他の実施例の半導体装置の縦断面図である。
【図４】放熱板の一部拡大断面図である。
【図５】従来の半導体装置の縦断面図である。
【図６】従来の他の半導体装置の縦断面図である。
１１ 放熱板 １２ リード １５ 樹脂 １６ Ａｇメッキ １７ Ｃｕ膜 １８ Ｎｉメッキ Ｓ 半導体
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体を搭載し、周縁部がリードに接着
され、半導体及びリードと共に樹脂封止される半導体装
置用放熱板において、表面の封止樹脂との接合面にＣｕ
Ｏ膜が形成され、半導体搭載部に、ヒートシンクにアー
スをとるために導電性を確保すると共にＣｕＯ膜を形成
しないようにＡｇメッキが施されていることを特徴とす
る半導体装置用放熱板。 - 【請求項２】 請求項１に記載の放熱板の底面にＮｉメ
ッキが施され、底面が前記封止樹脂から露出されること
を特徴とする半導体装置用放熱板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227812A JP2562789B2 (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 半導体装置用放熱板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227812A JP2562789B2 (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 半導体装置用放熱板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766328A JPH0766328A (ja) | 1995-03-10 |
| JP2562789B2 true JP2562789B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=16866770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5227812A Expired - Fee Related JP2562789B2 (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 半導体装置用放熱板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2562789B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6166446A (en) * | 1997-03-18 | 2000-12-26 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and fabrication process thereof |
| KR100306230B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2001-12-17 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 패키지 구조 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03236267A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-22 | Ibiden Co Ltd | 半導体装置を構成するためのスラッグ |
-
1993
- 1993-08-23 JP JP5227812A patent/JP2562789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766328A (ja) | 1995-03-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |