JPH03276788A - 集積回路搭載用セラミックス基板 - Google Patents
集積回路搭載用セラミックス基板Info
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- JPH03276788A JPH03276788A JP7730590A JP7730590A JPH03276788A JP H03276788 A JPH03276788 A JP H03276788A JP 7730590 A JP7730590 A JP 7730590A JP 7730590 A JP7730590 A JP 7730590A JP H03276788 A JPH03276788 A JP H03276788A
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- Japan
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- ceramic substrate
- integrated circuit
- metallized
- heat sink
- substrate
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置、混成集積回路装置等の集積回路
を搭載するセラミックス基板に関し、特に放熱版やリー
ドフレームに半田或はロウ材等の接合剤で接合するため
のメタライズ部を有する集積回路搭載用セラミックス基
板に関する。
を搭載するセラミックス基板に関し、特に放熱版やリー
ドフレームに半田或はロウ材等の接合剤で接合するため
のメタライズ部を有する集積回路搭載用セラミックス基
板に関する。
［従来の技術］
第３図に示されるように、半導体装置等の集積回路を搭
載するセラミックス基板を放熱版やリードフレームに半
田あるいはロウ材等で接合することは、従来より行われ
ている。
載するセラミックス基板を放熱版やリードフレームに半
田あるいはロウ材等で接合することは、従来より行われ
ている。
即ち、セラミックス基板１の表面には、パッド２、半導
体装置３、外部接続リード４、配線５、ポンディングパ
ッド６及びボンディングワイヤ９を有し、この裏面には
メタライズ部を有し、このメタライズ部は、放熱版が半
田あるいはロウ材等の接合剤で接合されている。
体装置３、外部接続リード４、配線５、ポンディングパ
ッド６及びボンディングワイヤ９を有し、この裏面には
メタライズ部を有し、このメタライズ部は、放熱版が半
田あるいはロウ材等の接合剤で接合されている。
この場合、セラミックス基板１の裏面に設けられている
メタライズ部のパターンは、その裏面全体に形成されて
いる。
メタライズ部のパターンは、その裏面全体に形成されて
いる。
［発明が解決しようとする課題］
このように、従来では集積回路を搭載したセラミックス
基板１は、該基板の周辺部を含む裏面全体に形成された
メタライズ部と放熱版やリードフレームとを半田あるい
はロウ材等の接合剤を用いて接合しているために、セラ
ミックス基板１と放熱版８等との熱膨張係数の違いによ
り熱応力が発生し、セラミックス基板の縁部からクラッ
クが生じることがしばしばあった。このクラックの発生
は、セラミックス基板の機能である耐絶縁性を損なうと
いう問題を引き起こした。
基板１は、該基板の周辺部を含む裏面全体に形成された
メタライズ部と放熱版やリードフレームとを半田あるい
はロウ材等の接合剤を用いて接合しているために、セラ
ミックス基板１と放熱版８等との熱膨張係数の違いによ
り熱応力が発生し、セラミックス基板の縁部からクラッ
クが生じることがしばしばあった。このクラックの発生
は、セラミックス基板の機能である耐絶縁性を損なうと
いう問題を引き起こした。
そこで、本発明者等は、鋭意研究を行った結果、セラミ
ックス基板の周辺部にメタライズ部を形成せず、周辺部
を除く部分のメタライズ部で接合したとき、放熱性、接
合強度等の他の特性に殆ど影響を与えることなく、熱応
力によるクラックの発生が大幅に減少することを見出し
た。
ックス基板の周辺部にメタライズ部を形成せず、周辺部
を除く部分のメタライズ部で接合したとき、放熱性、接
合強度等の他の特性に殆ど影響を与えることなく、熱応
力によるクラックの発生が大幅に減少することを見出し
た。
したかって、本発明の目的は、基板縁部の熱応力による
クランクの発生を防止した集積回路搭載用セラミックス
基板を提供することにある。
クランクの発生を防止した集積回路搭載用セラミックス
基板を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の上記目的は、基板裏面の周辺部を除く部分に、
メタライズ部か形成されていることを特徴とする集積回
路搭載用セラミックス基板によって達成された。
メタライズ部か形成されていることを特徴とする集積回
路搭載用セラミックス基板によって達成された。
即ち、本発明は、放熱板やリードフレームに半田あるい
はロウ材等で接合される集積回路搭載用セラミックス基
板において、セラミックス基板の裏面のメタライズ部か
セラミックス基板の周辺部を除く部分に形成されている
ことを特徴とし、これによりセラミックス基板の縁部に
発生するクラックを防止することかてきる。
はロウ材等で接合される集積回路搭載用セラミックス基
板において、セラミックス基板の裏面のメタライズ部か
セラミックス基板の周辺部を除く部分に形成されている
ことを特徴とし、これによりセラミックス基板の縁部に
発生するクラックを防止することかてきる。
［発明の作用］
このように、集積回路搭載用セラミックス基板裏面のメ
タライズ部を省いたことにより、セラミックス基板の受
ける熱応力がその縁部にかかるのを回避することができ
、その結果、縁部におりるクラックの発生が防止される
。
タライズ部を省いたことにより、セラミックス基板の受
ける熱応力がその縁部にかかるのを回避することができ
、その結果、縁部におりるクラックの発生が防止される
。
なお、セラミックス基板裏面周辺部のメタライズ部を省
いても、セラミックス基板と放熱板やリードフレームと
の間には十分な接着強度が確保される。
いても、セラミックス基板と放熱板やリードフレームと
の間には十分な接着強度が確保される。
また、セラミックス基板に搭載された半導体装置等の発
生する熱は、セラミックス基板を通してメタライズ部か
ら放熱板やり−トフレームへと伝達されるが、セラミッ
クス基板の周辺部からの熱伝達は、半導体装置等がセラ
ミックス基板の縁部から離れた部位に搭載されることが
常であることからすれは、周辺部のメタライズ部を省い
ても、放熱効果に格別影響を与えるものではない。
生する熱は、セラミックス基板を通してメタライズ部か
ら放熱板やり−トフレームへと伝達されるが、セラミッ
クス基板の周辺部からの熱伝達は、半導体装置等がセラ
ミックス基板の縁部から離れた部位に搭載されることが
常であることからすれは、周辺部のメタライズ部を省い
ても、放熱効果に格別影響を与えるものではない。
Ｕ実施例コ
第１図および第２図は本発明の実施例を示すもので、第
１図は放熱板に接合された半導体装置塔載セラミックス
基板の断面図てあり、第２図はセラミックス基板裏面の
正面図である。
１図は放熱板に接合された半導体装置塔載セラミックス
基板の断面図てあり、第２図はセラミックス基板裏面の
正面図である。
第１図において、アルミナ等のセラミックス基板１の表
面には、厚膜技術あるいは薄膜技術等によってパッド２
が形成され、このパット２には半田、ロウ材、導電性樹
脂等を用いて半導体装置３が搭載されている。半導体装
置３はボンディングワイヤ９により、外部接続リード４
を接続するための配線５およびワイヤポンデイグパット
６に接続されている。
面には、厚膜技術あるいは薄膜技術等によってパッド２
が形成され、このパット２には半田、ロウ材、導電性樹
脂等を用いて半導体装置３が搭載されている。半導体装
置３はボンディングワイヤ９により、外部接続リード４
を接続するための配線５およびワイヤポンデイグパット
６に接続されている。
セラミックス基板１の裏面には、第２図に示されるよう
に、セラミックス基板１の周辺部を除く部位に厚膜技術
により、Ａｕ、八ｕ−Ｐｔ 、Δｇ−Ｐｄ 、へｇ等か
らなるメタライズ部７が形成されている。
に、セラミックス基板１の周辺部を除く部位に厚膜技術
により、Ａｕ、八ｕ−Ｐｔ 、Δｇ−Ｐｄ 、へｇ等か
らなるメタライズ部７が形成されている。
このメタライズ部を用いて、セラミックス基板１をＣｕ
等の放熱板８に、半田、ロウ材、導電性樹脂等を用いて
接合する。なお、放熱板としてリードフレームを用いる
こともできる。
等の放熱板８に、半田、ロウ材、導電性樹脂等を用いて
接合する。なお、放熱板としてリードフレームを用いる
こともできる。
セラミックス基板裏面のメタライズ部を省く程度は、放
熱効果、接合強度に影響を与えない範囲で適宜設計変更
することができる。
熱効果、接合強度に影響を与えない範囲で適宜設計変更
することができる。
［発明の効果］
前記したように、集積回路搭載用セラミックス基板の裏
面に、周辺部を除いてメタライズ部を形成し、該セラミ
ックス基板を放熱板あるいはリードフレームに接合した
ので、セラミックス基板の縁部に加わる熱応力が緩和さ
れ、縁部でのクラックの発生が防止される。
面に、周辺部を除いてメタライズ部を形成し、該セラミ
ックス基板を放熱板あるいはリードフレームに接合した
ので、セラミックス基板の縁部に加わる熱応力が緩和さ
れ、縁部でのクラックの発生が防止される。
第１図は放熱板に接合された半導体装置搭載セラミック
ス基板を示す断面図であり、第２図はセラミックス基板
裏面を示す正面図であり、第３図は従来の放熱板に接合
された半導体装置搭載セラミックス基板を示す断面図で
ある。 符号の説明 １・・セラミックス基板 ２・・パッド３・・半導体
装置 ４・・外部接続リード５・・配線 ６・・ポ
ンディングパッド７・・メタライズ部 ８・・放熱板 ９・・ボンディングワイヤ
ス基板を示す断面図であり、第２図はセラミックス基板
裏面を示す正面図であり、第３図は従来の放熱板に接合
された半導体装置搭載セラミックス基板を示す断面図で
ある。 符号の説明 １・・セラミックス基板 ２・・パッド３・・半導体
装置 ４・・外部接続リード５・・配線 ６・・ポ
ンディングパッド７・・メタライズ部 ８・・放熱板 ９・・ボンディングワイヤ
Claims (1)
- 基板裏面の周辺部を除く部分に、メタライズ部が形成さ
れていることを特徴とする集積回路搭載用セラミックス
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7730590A JPH03276788A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 集積回路搭載用セラミックス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7730590A JPH03276788A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 集積回路搭載用セラミックス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276788A true JPH03276788A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13630201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7730590A Pending JPH03276788A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 集積回路搭載用セラミックス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03276788A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0798195A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-04-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 冷却モジュール |
| JP2000124559A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
| KR20220008932A (ko) * | 2017-08-17 | 2022-01-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 통신 모듈 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62203354A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS63288091A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Toshiba Corp | 回路基板 |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP7730590A patent/JPH03276788A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62203354A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS63288091A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Toshiba Corp | 回路基板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0798195A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-04-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 冷却モジュール |
| JP2000124559A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
| KR20220008932A (ko) * | 2017-08-17 | 2022-01-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 통신 모듈 |
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