JPH05251602A - ハイブリッドｉｃの製造方法 - Google Patents
ハイブリッドｉｃの製造方法Info
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- JPH05251602A JPH05251602A JP14507791A JP14507791A JPH05251602A JP H05251602 A JPH05251602 A JP H05251602A JP 14507791 A JP14507791 A JP 14507791A JP 14507791 A JP14507791 A JP 14507791A JP H05251602 A JPH05251602 A JP H05251602A
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- hybrid
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハイブリッドＩＣの製造工程において、ワイ
ヤボンディングを放熱フィンの取り付け以前に行ない、
どのような構造の放熱フィンでも基板の裏面に容易に接
着できるようにする。 【構成】 基板の裏面に放熱フィンを具備するハイブリ
ッドＩＣにおいて、穴部１１を有する基板１０の裏面に
耐熱粘着テープ１２を貼付し、基板１０の穴部１１に部
品１３を搭載して耐熱粘着テープ１２に貼付し、部品１
３と基板１０とをワイヤ１４により電気的に接続し、部
品１３の搭載部を樹脂１５で封止した後に、耐熱粘着テ
ープ１２を剥がし、放熱フィン１６を接着する。
ヤボンディングを放熱フィンの取り付け以前に行ない、
どのような構造の放熱フィンでも基板の裏面に容易に接
着できるようにする。 【構成】 基板の裏面に放熱フィンを具備するハイブリ
ッドＩＣにおいて、穴部１１を有する基板１０の裏面に
耐熱粘着テープ１２を貼付し、基板１０の穴部１１に部
品１３を搭載して耐熱粘着テープ１２に貼付し、部品１
３と基板１０とをワイヤ１４により電気的に接続し、部
品１３の搭載部を樹脂１５で封止した後に、耐熱粘着テ
ープ１２を剥がし、放熱フィン１６を接着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハイブリッドＩＣの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては特
開昭６１−２１２０４５号に記載されるものがあった。
図４はかかる従来のハイブリッドＩＣの断面図である。
この図に示すように、基板上１に高発熱部品であるＩＣ
などの部品２を搭載する場合には、その基板１の底面に
は放熱フィン３が設けられるようになっていた。また、
基板自体、熱伝導率の高いものを用いるなどの手段を施
してきた。
開昭６１−２１２０４５号に記載されるものがあった。
図４はかかる従来のハイブリッドＩＣの断面図である。
この図に示すように、基板上１に高発熱部品であるＩＣ
などの部品２を搭載する場合には、その基板１の底面に
は放熱フィン３が設けられるようになっていた。また、
基板自体、熱伝導率の高いものを用いるなどの手段を施
してきた。
【０００３】しかしながら、前者では搭載部品と放熱フ
ィンとの間に基板が介在することから放熱に限界があっ
た。後者では基板のコストが高いという欠点があった。
また、両者ともに、基板の温度上昇が避けられないとい
う欠点もあった。図５は従来の他のハイブリッドＩＣの
断面図である。上記した欠点を解決するため、上記特開
昭６１−２１２０４５号に提案されているように、半導
体素子５の搭載部を穴明けしたセラミック多層配線基板
４と、該セラミック多層配線基板４の穴に嵌合する凸部
７を有し、金属にて成形した放熱フィン６とからなり、
放熱フィン６の凸部７をセラミック多層配線基板４の穴
に嵌合した状態でロウ着などにより両者を一体にし、そ
の一体にした放熱フィン６の凸部７に半導体素子５を搭
載する。
ィンとの間に基板が介在することから放熱に限界があっ
た。後者では基板のコストが高いという欠点があった。
また、両者ともに、基板の温度上昇が避けられないとい
う欠点もあった。図５は従来の他のハイブリッドＩＣの
断面図である。上記した欠点を解決するため、上記特開
昭６１−２１２０４５号に提案されているように、半導
体素子５の搭載部を穴明けしたセラミック多層配線基板
４と、該セラミック多層配線基板４の穴に嵌合する凸部
７を有し、金属にて成形した放熱フィン６とからなり、
放熱フィン６の凸部７をセラミック多層配線基板４の穴
に嵌合した状態でロウ着などにより両者を一体にし、そ
の一体にした放熱フィン６の凸部７に半導体素子５を搭
載する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示すようなハイブリッドＩＣの製造方法においては、ま
ず、放熱フィンに基板及び部品を接着した後、ワイヤボ
ンディングなどの電気的接続を施すため、ワイヤボンデ
ィング時に放熱フィンの底面より熱や超音波を加えなけ
ればならないことから、複雑な形状の放熱フィンは採用
に難があることや放熱フィンの材料に制限があるといっ
た問題点があった。また、単純な構造の放熱フィンを用
いても、放熱フィンを介して熱が放散するために、ヒー
タや超音波印加装置に大きなパワーが必要になる等の問
題があった。
示すようなハイブリッドＩＣの製造方法においては、ま
ず、放熱フィンに基板及び部品を接着した後、ワイヤボ
ンディングなどの電気的接続を施すため、ワイヤボンデ
ィング時に放熱フィンの底面より熱や超音波を加えなけ
ればならないことから、複雑な形状の放熱フィンは採用
に難があることや放熱フィンの材料に制限があるといっ
た問題点があった。また、単純な構造の放熱フィンを用
いても、放熱フィンを介して熱が放散するために、ヒー
タや超音波印加装置に大きなパワーが必要になる等の問
題があった。
【０００５】本発明は、以上述べた放熱フィン形状及び
材料選択の制限と、ヒータ及び超音波印加装置の大容量
化という問題点を除去し、構造が簡単で、かつ薄型であ
り、しかも放熱性が高いハイブリッドＩＣの製造方法を
提供することを目的とする。
材料選択の制限と、ヒータ及び超音波印加装置の大容量
化という問題点を除去し、構造が簡単で、かつ薄型であ
り、しかも放熱性が高いハイブリッドＩＣの製造方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板の裏面に放熱フィンを具備するハイ
ブリッドＩＣにおいて、穴部を有する基板の裏面に耐熱
粘着テープを貼付する工程と、前記基板の穴部に部品を
搭載し耐熱粘着テープに貼付する工程と、前記ＩＣと基
板とを導体により電気的に接続する工程と、前記ＩＣの
搭載部を封止する工程と、前記耐熱粘着テープを剥が
し、放熱フィンを接着する工程とを順に施すようにした
ものである。
成するために、基板の裏面に放熱フィンを具備するハイ
ブリッドＩＣにおいて、穴部を有する基板の裏面に耐熱
粘着テープを貼付する工程と、前記基板の穴部に部品を
搭載し耐熱粘着テープに貼付する工程と、前記ＩＣと基
板とを導体により電気的に接続する工程と、前記ＩＣの
搭載部を封止する工程と、前記耐熱粘着テープを剥が
し、放熱フィンを接着する工程とを順に施すようにした
ものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば、上記したように、ハイブリッ
ドＩＣの製造方法において、予め部品搭載部に部品搭載
用穴を施した基板の裏面に耐熱粘着テープを貼付し、そ
の後基板表面より部品を搭載し、耐熱粘着テープに接着
し、ワイヤボンディング及び樹脂によるジャンクション
コートを行なった後、耐熱粘着テープを剥がし、その箇
所に放熱フィンを接着する。
ドＩＣの製造方法において、予め部品搭載部に部品搭載
用穴を施した基板の裏面に耐熱粘着テープを貼付し、そ
の後基板表面より部品を搭載し、耐熱粘着テープに接着
し、ワイヤボンディング及び樹脂によるジャンクション
コートを行なった後、耐熱粘着テープを剥がし、その箇
所に放熱フィンを接着する。
【０００８】従って、ハイブリッドＩＣの製造工程にお
いて、放熱フィンの取り付け以前にワイヤボンディング
を行なうようにしたので、どんな形状や材料の放熱フィ
ンでも容易に取り付けることができる。つまり、従来の
ように、ワイヤボンディング時に特に、大きな出力のヒ
ータや超音波印加装置が必要でなく、通常のワイヤボン
ダでワイヤボンディングすることができる。
いて、放熱フィンの取り付け以前にワイヤボンディング
を行なうようにしたので、どんな形状や材料の放熱フィ
ンでも容易に取り付けることができる。つまり、従来の
ように、ワイヤボンディング時に特に、大きな出力のヒ
ータや超音波印加装置が必要でなく、通常のワイヤボン
ダでワイヤボンディングすることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すハ
イブリッドＩＣの製造工程断面図、図２は本発明の実施
例を示す部品が実装され、部品搭載部の樹脂によるコー
ティング前の状態〔図１（ｂ）に対応〕を示す斜視図、
図３は本発明の実施例を示すハイブリッドＩＣの斜視図
である。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すハ
イブリッドＩＣの製造工程断面図、図２は本発明の実施
例を示す部品が実装され、部品搭載部の樹脂によるコー
ティング前の状態〔図１（ｂ）に対応〕を示す斜視図、
図３は本発明の実施例を示すハイブリッドＩＣの斜視図
である。
【００１０】以下、本発明のハイブリッドＩＣの製造工
程を図１を参照しながら説明する。まず、図１（ａ）に
示すように、部品搭載部に予め穴部１１を施した基板１
０の裏面に、穴部１１のすべてが覆われるように、ま
た、基板１０との間に空気が入らないよう耐熱粘着テー
プ１２を貼付する。次に、図１（ｂ）に示すように、基
板１０の表面より穴部１１に部品１３を平滑な台の上で
搭載し、耐熱粘着テープ１２に押し付け貼付する。この
時、基板１０の裏面と部品１３の裏面は同一面になる。
そこで、部品１３のＩ／Ｏパッドと基板１０のパターン
とをワイヤ１４を用いてワイヤボンディングする。この
状態が、図２に示されている。なお、１７は基板１０の
Ｉ／Ｏ端子部である。
程を図１を参照しながら説明する。まず、図１（ａ）に
示すように、部品搭載部に予め穴部１１を施した基板１
０の裏面に、穴部１１のすべてが覆われるように、ま
た、基板１０との間に空気が入らないよう耐熱粘着テー
プ１２を貼付する。次に、図１（ｂ）に示すように、基
板１０の表面より穴部１１に部品１３を平滑な台の上で
搭載し、耐熱粘着テープ１２に押し付け貼付する。この
時、基板１０の裏面と部品１３の裏面は同一面になる。
そこで、部品１３のＩ／Ｏパッドと基板１０のパターン
とをワイヤ１４を用いてワイヤボンディングする。この
状態が、図２に示されている。なお、１７は基板１０の
Ｉ／Ｏ端子部である。
【００１１】次に、図１（ｃ）に示すように、硬化後に
耐熱粘着テープ１２の粘着力より強くなるような樹脂１
５で部品の搭載部、つまり部品１３の表面やワイヤ１４
を覆う。これにより、部品１３やワイヤ１４の信頼性が
向上されると同時に部品１３がある程度の強度で固定さ
れる。次に、図１（ｄ）に示すように、耐熱粘着テープ
１２を基板１０の裏面より引き剥がし、熱伝導性接着剤
を用いて放熱フィン１６を基板１０の裏面及び部品１３
の裏面に貼付する。
耐熱粘着テープ１２の粘着力より強くなるような樹脂１
５で部品の搭載部、つまり部品１３の表面やワイヤ１４
を覆う。これにより、部品１３やワイヤ１４の信頼性が
向上されると同時に部品１３がある程度の強度で固定さ
れる。次に、図１（ｄ）に示すように、耐熱粘着テープ
１２を基板１０の裏面より引き剥がし、熱伝導性接着剤
を用いて放熱フィン１６を基板１０の裏面及び部品１３
の裏面に貼付する。
【００１２】最後に、図１（ｅ）に示すように、基板１
０のＩ／Ｏ端子部１７にリード端子１８を挿入し、半田
ディップ槽などで半田付けし、ハイブリッドＩＣを得
る。この状態が、図３に示されている。図６は本発明の
第２の実施例を示すハイブリッドＩＣの製造工程斜視図
である。
０のＩ／Ｏ端子部１７にリード端子１８を挿入し、半田
ディップ槽などで半田付けし、ハイブリッドＩＣを得
る。この状態が、図３に示されている。図６は本発明の
第２の実施例を示すハイブリッドＩＣの製造工程斜視図
である。
【００１３】まず、図６（ａ）に示すように、部品搭載
部に予め穴部２１を施したガラスエポキシ樹脂からなる
基板２０の裏面に、穴部２１のすべてが覆われるよう
に、また、基板２０との間に空気が入らないよう耐熱粘
着テープ２２を貼付する。そこで、穴部２１内にアルミ
ナ基板からなる厚膜抵抗ネットワーク（以下ＲＮ基板２
３という。）を搭載する。なお、２７は基板２０のＩ／
Ｏ端子部である。そこで、部品のＩ／Ｏパッド２７と基
板２０のパターンとをワイヤ２４を用いてワイヤボンデ
ィングする。
部に予め穴部２１を施したガラスエポキシ樹脂からなる
基板２０の裏面に、穴部２１のすべてが覆われるよう
に、また、基板２０との間に空気が入らないよう耐熱粘
着テープ２２を貼付する。そこで、穴部２１内にアルミ
ナ基板からなる厚膜抵抗ネットワーク（以下ＲＮ基板２
３という。）を搭載する。なお、２７は基板２０のＩ／
Ｏ端子部である。そこで、部品のＩ／Ｏパッド２７と基
板２０のパターンとをワイヤ２４を用いてワイヤボンデ
ィングする。
【００１４】次に、図６（ｂ）に示すように、部品、つ
まりＲＮ基板２３搭載部やＩＣ搭載部に樹脂２５で封止
し、耐熱粘着テープ２２を基板２０の裏面より引き剥が
し、熱伝導性接着剤を用いて放熱フィン２６を基板２０
の裏面及び部品の裏面に貼付する。その後、基板２０の
Ｉ／Ｏ端子部２７にリード端子２８を挿入し、半田ディ
ップ槽などで半田付けし、ハイブリッドＩＣを得る。
まりＲＮ基板２３搭載部やＩＣ搭載部に樹脂２５で封止
し、耐熱粘着テープ２２を基板２０の裏面より引き剥が
し、熱伝導性接着剤を用いて放熱フィン２６を基板２０
の裏面及び部品の裏面に貼付する。その後、基板２０の
Ｉ／Ｏ端子部２７にリード端子２８を挿入し、半田ディ
ップ槽などで半田付けし、ハイブリッドＩＣを得る。
【００１５】図７図は本発明の第３の実施例を示す両面
実装型のハイブリッドＩＣの斜視図である。この実施例
においては、上記したように、部品が搭載され、ワイヤ
ボンディングが施され、部品搭載部が樹脂で封止された
第１の基板３０と、同様にして製造された第２の基板４
０とを作成し、いずれの基板も耐熱粘着テープを剥がし
た後、放熱フィン５０の表裏にそれぞれ基板３０，４０
を接着することにより、両面実装のハイブリッドＩＣを
得ることができる。なお、図７において、３５は部品の
搭載部を封止する樹脂、３８は基板のＩ／Ｏ端子部に接
続されるリード端子である。
実装型のハイブリッドＩＣの斜視図である。この実施例
においては、上記したように、部品が搭載され、ワイヤ
ボンディングが施され、部品搭載部が樹脂で封止された
第１の基板３０と、同様にして製造された第２の基板４
０とを作成し、いずれの基板も耐熱粘着テープを剥がし
た後、放熱フィン５０の表裏にそれぞれ基板３０，４０
を接着することにより、両面実装のハイブリッドＩＣを
得ることができる。なお、図７において、３５は部品の
搭載部を封止する樹脂、３８は基板のＩ／Ｏ端子部に接
続されるリード端子である。
【００１６】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）ハイブリッドＩＣの製造工程において、放熱フィ
ンの取り付け以前にワイヤボンディングを行なうように
したので、どんな形状や材料の放熱フィンでも容易に取
り付けることができる。つまり、従来のように、ワイヤ
ボンディング時に特に大きな出力のヒータや超音波印加
装置が必要でなく、通常のワイヤボンダでワイヤボンデ
ィングすることができる。 （２）更に、複数の種類の基板を複合したハイブリッド
ＩＣや、両面実装のハイブリッドＩＣも容易に製造する
ことができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）ハイブリッドＩＣの製造工程において、放熱フィ
ンの取り付け以前にワイヤボンディングを行なうように
したので、どんな形状や材料の放熱フィンでも容易に取
り付けることができる。つまり、従来のように、ワイヤ
ボンディング時に特に大きな出力のヒータや超音波印加
装置が必要でなく、通常のワイヤボンダでワイヤボンデ
ィングすることができる。 （２）更に、複数の種類の基板を複合したハイブリッド
ＩＣや、両面実装のハイブリッドＩＣも容易に製造する
ことができる。
【図１】本発明の実施例を示すハイブリッドＩＣの製造
工程断面図である。
工程断面図である。
【図２】本発明の実施例を示す部品が実装され、部品搭
載部の樹脂によるコーティング前の状態を示す斜視図で
ある。
載部の樹脂によるコーティング前の状態を示す斜視図で
ある。
【図３】本発明の実施例を示すハイブリッドＩＣの斜視
図である。
図である。
【図４】従来のハイブリッドＩＣの断面図である。
【図５】従来の他のハイブリッドＩＣの断面図である。
【図６】本発明の第２の実施例を示すハイブリッドＩＣ
の製造工程斜視図である。
の製造工程斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施例を示す両面実装型のハイ
ブリッドＩＣの斜視図である。
ブリッドＩＣの斜視図である。
１０，２０，３０，４０ 基板 １１，２１ 穴部 １２，２２ 耐熱粘着テープ １３ 部品 １４，２４ ワイヤ １５，２５，３５ 樹脂 １６，２６，５０ 放熱フィン １７，２７ Ｉ／Ｏ端子部 １８，２８，３８ リード端子 ２３ ＲＮ基板
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の裏面に放熱フィンを具備するハイ
ブリッドＩＣにおいて、 （ａ）穴部を有する基板の裏面に耐熱粘着テープを貼付
する工程と、 （ｂ）前記基板の穴部に部品を搭載し耐熱粘着テープに
貼付する工程と、 （ｃ）前記ＩＣと基板とを導体により電気的に接続する
工程と、 （ｄ）前記ＩＣの搭載部を封止する工程と、 （ｅ）前記耐熱粘着テープを剥がし、放熱フィンを接着
する工程とを順に施すことを特徴とするハイブリッドＩ
Ｃの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14507791A JPH05251602A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | ハイブリッドｉｃの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14507791A JPH05251602A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | ハイブリッドｉｃの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251602A true JPH05251602A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=15376855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14507791A Withdrawn JPH05251602A (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | ハイブリッドｉｃの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251602A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187662A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体パッケージ、基板、電子部品、及び半導体パッケージの実装方法 |
| CN102610583A (zh) * | 2011-01-19 | 2012-07-25 | 旭德科技股份有限公司 | 封装载板及其制作方法 |
| WO2014034245A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
-
1991
- 1991-06-18 JP JP14507791A patent/JPH05251602A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187662A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体パッケージ、基板、電子部品、及び半導体パッケージの実装方法 |
| CN102610583A (zh) * | 2011-01-19 | 2012-07-25 | 旭德科技股份有限公司 | 封装载板及其制作方法 |
| JP2012151431A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Kyokutoku Kagi Kofun Yugenkoshi | パッケージキャリアおよびその製造方法 |
| US8624388B2 (en) | 2011-01-19 | 2014-01-07 | Subtron Technology Co., Ltd. | Package carrier and manufacturing method thereof |
| US8746308B2 (en) | 2011-01-19 | 2014-06-10 | Subtron Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of package carrier |
| WO2014034245A1 (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
| US9615442B2 (en) | 2012-08-31 | 2017-04-04 | Mitsubishi Materials Corporation | Power module substrate and power module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |