CN102610583A - 封装载板及其制作方法 - Google Patents

封装载板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102610583A
CN102610583A CN2011100702496A CN201110070249A CN102610583A CN 102610583 A CN102610583 A CN 102610583A CN 2011100702496 A CN2011100702496 A CN 2011100702496A CN 201110070249 A CN201110070249 A CN 201110070249A CN 102610583 A CN102610583 A CN 102610583A
Authority
CN
China
Prior art keywords
carrier plate
metal layer
opening
encapsulating carrier
insulating barrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011100702496A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102610583B (zh
Inventor
孙世豪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Subtron Technology Co Ltd
Original Assignee
Subtron Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Subtron Technology Co Ltd filed Critical Subtron Technology Co Ltd
Publication of CN102610583A publication Critical patent/CN102610583A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102610583B publication Critical patent/CN102610583B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/142Metallic substrates having insulating layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201Structure
    • H01L2224/32012Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H01L2224/32013Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being larger than the bonding area, e.g. bond pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013Fully indexed content
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种封装载板及其制作方法。该制作方法提供一包括一第一金属层、一第二金属层及一配置于第一金属层与第二金属层之间的绝缘层的基板。第二金属层的厚度大于第一金属层的厚度。第二金属层具有彼此相对的一顶面以及一底面。形成一贯穿第一金属层与绝缘层的第一开口。第一开口暴露出第二金属层的部分顶面。图案化第一金属层,以形成一图案化导电层。形成多个第二开口于第二金属层的底面上。第二开口将第二金属层区分为多个散热区块。第二开口不连通第一开口。形成一表面保护层于图案化导电层以及第一开口所暴露出的第二金属层的部分顶面上。

Description

封装载板及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种半导体结构及其制作方法,且特别是涉及一种封装载板及其制作方法。
背景技术
芯片封装的目的是提供芯片适当的信号路径、导热路径及结构保护。传统的打线(wire bonding)技术通常采用导线架(leadframe)作为芯片的承载器(carrier)。随着芯片的接点密度逐渐提高,导线架已无法再提供更高的接点密度,故可利用具有高接点密度的封装基板(package substrate)来取代之,并通过金属导线或凸块(bump)等导电媒体,将芯片封装至封装基板上。
以目前常用的发光二极管封装结构来说,由于发光二极管芯片在使用前需先进行封装,且发光二极管芯片在发出光线时会产生大量的热能。倘若热能无法逸散而不断地堆积在发光二极管封装结构内,则发光二极管封装结构的温度会持续地上升。如此一来,发光二极管芯片可能会因为过热而导致亮度衰减及使用寿命缩短,严重者甚至造成永久性的损坏。因此,现今采用的发光二极管封装结构都会配置散热块(heat sink)以对发光二极管芯片进行散热。
现有的封装基板主要是由多层图案化导电层与至少一绝缘层所构成,其中绝缘层配置于相邻的二图案化导电层之间用以达到绝缘的效果。散热块是通过粘着层而固定于封装基板的下表面上。一般来说,发光二极管芯片与封装基板电连接,而发光二极管芯片所产生的热可经由图案化导电层、绝缘层而传递至散热块以进行导热。然而,由于粘着层与绝缘层的导热率较差,所以发光二极管芯片所产生的热经由绝缘层、粘着层而传递至散热块时,会造成热阻(thermal resistance)增加,进而导致导热不易。因此,如何使发光二极管芯片所产生热能够更有效率地传递至外界,俨然成为设计者在研发上关注的议题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种封装载板,适于承载一发热元件。
本发明提供一种封装载板的制作方法,用以制作上述的封装载板。
本发明提出一种封装载板的制作方法,其包括下列步骤。提供一基板。基板包括一第一金属层、一第二金属层以及一配置于第一金属层与第二金属层之间的绝缘层。第二金属层的厚度大于第一金属层的厚度,且第二金属层具有彼此相对的一顶面以及一底面。形成一贯穿第一金属层与绝缘层的第一开口,其中第一开口暴露出第二金属层的部分顶面。图案化第一金属层,以形成一图案化导电层。形成多个第二开口于第二金属层的底面上,其中第二开口将第二金属层区分为多个散热区块,且第二开口不连通第一开口。形成一表面保护层于图案化导电层以及第一开口所暴露出的第二金属层的部分顶面上。
在本发明的一实施例中,上述的提供基板的步骤,包括:提供绝缘层以及位于绝缘层相对两侧边的第一金属层以及第二金属层。进行一热压合制作工艺,以使第一金属层、绝缘层以及第二金属层结合为一体而构成基板。
在本发明的一实施例中,上述的形成第一开口的方法包括冲切、开槽(routing)或激光钻孔。
在本发明的一实施例中,上述的第二金属层的厚度为第一金属层的厚度的1倍至100倍之间。
在本发明的一实施例中,上述的第一金属层的材质为铜箔。
在本发明的一实施例中,上述的第二金属层的材质包括铜、铜合金、铝或铝合金。
在本发明的一实施例中,上述的绝缘层的材质包括树脂、液晶高分子(liquid crystal polymer,LCP)或聚亚酰胺(Polyimide,PI)。
在本发明的一实施例中,上述的形成第二开口的方法包括光刻蚀刻法、机械钻孔法或雷射钻孔法。
在本发明的一实施例中,上述的形成表面保护层的方法包括电镀法。
本发明还提出一种封装载板,其适于承载一发热元件。封装载板包括一绝缘层、一图案化导电层、一散热块以及一表面保护层。绝缘层具有一上表面、一相对于上表面的下表面以及一连通上表面与下表面的第一开口。图案化导电层配置于绝缘层的上表面上且暴露出第一开口。散热块配置于绝缘层的下表面上,且具有一顶面、一相对于顶面的底面以及多个第二开口。第一开口暴露出部分顶面,以定义出一元件接合区,而第二开口不连通第一开口。表面保护层配置于图案化导电层上以及第一开口所暴露出的部分顶面上。发热元件配置于对应元件接合区的上方的表面保护层上。
在本发明的一实施例中,上述的图案化导电层的材质为铜箔。
在本发明的一实施例中,上述的散热块的材质包括铜、铜合金、铝或铝合金。
在本发明的一实施例中,上述的绝缘层的材质包括树脂、液晶高分子或聚亚酰胺。
基于上述,由于本发明是采用具有两种不同金属层厚度的基板来制作封装载板,因此可将厚度较厚的金属层视为一种散热块,并通过开口来暴露出较厚金属层的表面来作为一元件接合区。当将一发热元件配置于封装载板上时,发热元件是配置于散热块的表面上(意即元件接合区中),所以发热元件所产生的热可直接通过散热块而快速地传递至外界,而不会被绝缘层与粘着层所阻挡。如此一来,本发明的封装载板可以有效地排除发热元件所产生的热,进而改善发热元件的使用效率与使用寿命。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1E为本发明的一实施例的一种封装载板的制作方法的剖面示意图;
图2为图1E的封装载板承载一发热元件的剖面示意图。
主要元件符号说明
20:发热元件
22:焊线
24:封装胶体
100:封装载板
101:基板
110:第一金属层
110’:图案化导电层
120:第二金属层
120’:散热块
122:顶面
123:元件接合区
124:底面
126:散热区块
130:绝缘层
132:上表面
134:下表面
140:表面保护层
S1:第一开口
S2:第二开口
T1、T2:厚度
具体实施方式
图1A至图1E为本发明的一实施例的一种封装载板的制作方法的剖面示意图。请先参考图1A,依照本实施例的封装载板的制作方法,首先,提供一第一金属层110、一第二金属层120以及一配置于第一金属层110与第二金属层120之间的绝缘层130。其中,第二金属层120具有彼此相对的一顶面122以及一底面124,而绝缘层130具有彼此相对的一上表面132以及一下表面134。特别是,在本实施例中,第二金属层120的厚度T2大于第一金属层110的厚度T1,较佳地,第二金属层120的厚度为第一金属层110的厚度的1倍至100倍之间。此外,第一金属层110的材质例如是铜箔,第二金属层120的材质例如是铜、铜合金、铝、铝合金或其他导热性佳的金属,而绝缘层130的材质例如是树脂、液晶高分子(liquid crystal polymer,LCP)或聚亚酰胺(Polyimide,PI)。
接着,请参考图1B,进行一热压合制作工艺,以使第一金属层110、绝缘层130以及第二金属层120结合为一体而构成一基板101。也就是说,通过热压合制作工艺,使第一金属层110固着于绝缘层130的上表面132上,而第二金属层120固着于绝缘层130的下表面134上。
接着,请参考图1C,形成一贯穿第一金属层110与绝缘层130的第一开口S1,其中第一开口S1暴露出第二金属层120的部分顶面122而定义出一元件接合区123。在本实施例中,形成第一开口S1的方法例如是冲切、开槽(routing)、激光钻孔或其他适当的方式。
接着,请参考图1D,图案化第一金属层110,以形成一图案化导电层110’,其中图案化导电层110’暴露出部分绝缘层130的上表面132。
然后,请再参考图1D,形成多个第二开口S2于第二金属层120的底面124上,其中第二开口S2将第二金属层120区分为多个散热区块126,且第二开口S2不连通第一开口S1。也就是说,第二开口S2并未连接第二金属层120的顶面122。在此,具有第二开口S2的第二金属层120可视为一种散热块120’,而第二开口S2可视为一种流体通道。此外,在本实施例中,形成第二开口S2的方法例如是光刻蚀刻法、机械钻孔法或激光钻孔法。
必须说明的是,本实施例并不限制形成图案化导电层110’与第二开口S2的形成步骤,虽然此处是先形成图案化导电层110’之后,再形成第二开口S2。在另一实施例中,也可先形成第二开口S2之后,在形成图案化导电层110’。在又一实施例中,也可通过蚀刻速率的控制,同时形成图案化导电层110’以及第二开口S2。简言之,上述依序形成图案化导电层110’与配置第二开口S2的步骤仅为举例说明,并不以此为限。
之后,请参考图1E,形成一表面保护层140于图案化导电层110’以及第一开口S1所暴露出的第二金属层120的部分顶面122上。也就是说,表面保护层140是位于图案化导电层110’上以及元件接合区123中。在此,表面保护层140主要是用以保护图案化导电层110’以及被第一开口S1所暴露出的第二金属层120的部分顶面122,以减缓氧化速率。在本实施例中,表面保护层140的材质例如是镍金,而形成表面保护层140的方法例如是电镀法。至此,已完成封装载板100的制作。
在结构上,本实施例的封装载板100包括图案化导电层110’、散热块120’、绝缘层130以及表面保护层140。绝缘层130具有上表面132、下表面134以及连通上表面132与下表面134的第一开口S1。图案化导电层110’配置于绝缘层130的上表面132上且暴露出第一开口S1。散热块120’配置于绝缘层130的下表面134上且具有顶面122、底面124以及多个第二开口S2。特别是,第一开口S1暴露出散热块120’的部分顶面122,以定义出元件接合区123,而第二开口S2不连通第一开口S1。表面保护层140配置于图案化导电层110′上以及第一开口S1所暴露出的散热块120’的部分顶面122上。也就是说,元件接合区123中也有配置表面保护层140。
图2为图1E的封装载板承载一发热元件的剖面示意图。请参考图2,在本实施例中,封装载板100适于承载一发热元件20,其中发热元件20配置于对应元件接合区123的上方的表面保护层140上,而发热元件20例如是一电子芯片或一光电元件,但并不以此为限。举例来说,电子芯片可以是一集成电路芯片,其例如为一绘图芯片、一存储器芯片、一半导体芯片等单一芯片或是一芯片模块。光电元件例如是一发光二极管(LED)、一激光二极管或一气体放电光源等。在此,发热元件20是以一发光二极管(LED)作为举例说明。
详细来说,发热元件20(例如是半导体芯片)可通过多条焊线22以打线接合的方式而电连接至表面保护层140,且也可通过一封装胶体24来包覆发热元件20、这些焊线22以及部分封装载板100,用以保护发热元件20与这些焊线22及封装载板100之间的电连接关系。此外,由于发热元件20可直接配置于对应元件接合区123的上方的表面保护层140上,也就是说,发热元件20是配置于散热块120’上方金属材质(例如是镍金)的表面保护层140上。因此,发热元件20所产生的热可通过金属材质的表面保护层140与散热块120’而快速地传递至外界。相较于现有技术而言,本实施例无须额外通过粘着层而将散热块贴附于封装载板的下方,且发热元件20所产生的热也不用经由绝缘层与粘着层来传递。因此,封装载板100除了可以有效地排除发热元件20所产生的热,进而改善发热元件20的使用效率与使用寿命之外,也可减少生产成本。
值得一提的是,本发明并不限定发热元件20与封装载板100的接合形态以及发热元件20的型态,虽然此处所提及的发热元件20具体化是通过打线接合而电连接至封装载板100的表面保护层140。不过,在另一实施例中,发热元件20也可通过多个凸块(未绘示)以覆晶接合的方式而电连接至位于元件接合区123上方的表面保护层140上。在另一实施例中,发热元件20可为一芯片封装体(未绘示),并以表面粘着技术(SMT)安装至封装载板100。上述的发热元件20与封装载板100的接合形态以及发热元件20的形态仅为举例说明之用,并非用以限定本发明。
综上所述,由于本发明是采用具有两种不同金属层厚度的基板来制作封装载板,因此可将厚度较厚的金属层视为一种散热块,并通过开口来暴露出较厚金属层的表面来作为一元件接合区。当将一发热元件配置于封装载板上时,发热元件是配置于散热块的表面上(意即元件接合区中),所以发热元件所产生的热可直接通过散热块而快速地传递至外界,而不会被绝缘层与粘着层所阻挡。如此一来,本发明的封装载板可以有效地排除发热元件所产生的热,进而改善发热元件的使用效率与使用寿命。
虽然结合以上实施例揭露了本发明,然而其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中熟悉此技术者,在不脱离本发明的精神和范围内,可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (13)

1.一种封装载板的制作方法,包括:
提供一基板,该基板包括第一金属层、第二金属层以及配置于该第一金属层与该第二金属层之间的绝缘层,其中该第二金属层的厚度大于该第一金属层的厚度,且该第二金属层具有彼此相对的顶面以及底面;
形成一贯穿该第一金属层与该绝缘层的第一开口,其中该第一开口暴露出该第二金属层的部分该顶面;
图案化该第一金属层,以形成一图案化导电层;
形成多个第二开口于该第二金属层的该底面上,其中该些第二开口将该第二金属层区分为多个散热区块,且该些第二开口不连通该第一开口;以及
形成一表面保护层于该图案化导电层以及该第一开口所暴露出的该第二金属层的部分该顶面上。
2.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中提供该基板的步骤,包括:
提供该绝缘层以及位于该绝缘层相对两侧边的该第一金属层以及该第二金属层;以及
进行一热压合制作工艺,以使该第一金属层、该绝缘层以及该第二金属层结合为一体而构成该基板。
3.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中形成该第一开口的方法包括冲切、开槽或激光钻孔。
4.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中该第二金属层的厚度为该第一金属层的厚度的1倍至100倍之间。
5.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中该第一金属层的材质为铜箔。
6.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中该第二金属层的材质包括铜、铜合金、铝或铝合金。
7.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中该绝缘层的材质包括树脂、液晶高分子或聚亚酰胺。
8.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中形成该第二开口的方法包括光刻蚀刻法、机械钻孔法或雷射钻孔法。
9.如权利要求1所述的封装载板的制作方法,其中形成该表面保护层的方法包括电镀法。
10.一种封装载板,适于承载一发热元件,该封装载板包括:
绝缘层,具有上表面、相对于该上表面的下表面以及连通该上表面与该下表面的第一开口;
图案化导电层,配置于该绝缘层的该上表面上且暴露出该第一开口;
散热块,配置于该绝缘层的该下表面上,且具有顶面、相对于该顶面的底面以及多个第二开口,其中该第一开口暴露出部分该顶面,以定义出一元件接合区,而该些第二开口不连通该第一开口;以及
表面保护层,配置于该图案化导电层上以及该第一开口所暴露出的部分该顶面上,且该发热元件配置于对应该元件接合区的上方的该表面保护层上。
11.如权利要求10所述的封装载板,其中该图案化导电层的材质为铜箔。
12.如权利要求10所述的封装载板,其中该散热块的材质包括铜、铜合金、铝或铝合金。
13.如权利要求10所述的封装载板,其中该绝缘层的材质包括树脂、液晶高分子或聚亚酰胺。
CN201110070249.6A 2011-01-19 2011-03-23 封装载板及其制作方法 Expired - Fee Related CN102610583B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100101971A TWI446495B (zh) 2011-01-19 2011-01-19 封裝載板及其製作方法
TW100101971 2011-01-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102610583A true CN102610583A (zh) 2012-07-25
CN102610583B CN102610583B (zh) 2015-06-24

Family

ID=46490002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110070249.6A Expired - Fee Related CN102610583B (zh) 2011-01-19 2011-03-23 封装载板及其制作方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8624388B2 (zh)
JP (1) JP5686672B2 (zh)
CN (1) CN102610583B (zh)
TW (1) TWI446495B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108962839A (zh) * 2017-05-26 2018-12-07 欣兴电子股份有限公司 封装结构
CN109390290A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 太阳诱电株式会社 半导体组件
CN110770897A (zh) * 2017-06-21 2020-02-07 亮锐控股有限公司 具有改进的热行为的照明组件以及制造该照明组件的方法
CN111331262A (zh) * 2020-03-23 2020-06-26 广州兴森快捷电路科技有限公司 封装载板及金属腔体内槽加工方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101049698B1 (ko) * 2010-11-02 2011-07-15 한국세라믹기술원 Led 어레이 모듈 및 이의 제조방법
KR101253247B1 (ko) * 2011-07-14 2013-04-16 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판
US9296607B2 (en) * 2013-07-22 2016-03-29 Invensense, Inc. Apparatus and method for reduced strain on MEMS devices
JP6317178B2 (ja) * 2013-11-27 2018-04-25 京セラ株式会社 回路基板および電子装置
CN112216658A (zh) * 2019-07-10 2021-01-12 恩智浦美国有限公司 具有适应各种管芯尺寸的引线框架的半导体器件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5081562A (en) * 1987-05-19 1992-01-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Circuit board with high heat dissipations characteristic
JPH05251602A (ja) * 1991-06-18 1993-09-28 Oki Electric Ind Co Ltd ハイブリッドicの製造方法
US5903052A (en) * 1998-05-12 1999-05-11 Industrial Technology Research Institute Structure for semiconductor package for improving the efficiency of spreading heat
US6329713B1 (en) * 1998-10-21 2001-12-11 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip carrier assembly comprising a stiffener attached to a dielectric substrate
CN101677116A (zh) * 2008-09-19 2010-03-24 上海科学院 一种led芯片的封装方法和封装模块

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3793064A (en) * 1971-11-15 1974-02-19 Du Pont Product and process for cavity metallization of semiconductor packages
JPS5762539A (en) * 1980-10-01 1982-04-15 Hitachi Ltd Mounting method for semiconductor element
JPH03244146A (ja) 1990-02-22 1991-10-30 Matsushita Electric Works Ltd 金属ベース配線基板
JP2828335B2 (ja) * 1990-11-06 1998-11-25 沖電気工業株式会社 駆動部品
JPH04192552A (ja) * 1990-11-27 1992-07-10 Nec Corp 半導体素子用パッケージ
US5945741A (en) * 1995-11-21 1999-08-31 Sony Corporation Semiconductor chip housing having a reinforcing plate
US5572405A (en) * 1995-06-07 1996-11-05 International Business Machines Corporation (Ibm) Thermally enhanced ball grid array package
JP2842378B2 (ja) * 1996-05-31 1999-01-06 日本電気株式会社 電子回路基板の高密度実装構造
US5729052A (en) * 1996-06-20 1998-03-17 International Business Machines Corporation Integrated ULSI heatsink
US6033787A (en) * 1996-08-22 2000-03-07 Mitsubishi Materials Corporation Ceramic circuit board with heat sink
US5838545A (en) * 1996-10-17 1998-11-17 International Business Machines Corporation High performance, low cost multi-chip modle package
DE19859119B4 (de) * 1997-12-22 2010-06-02 Kyocera Corp. Leiterplatte mit sehr guter Wärmeabstrahlung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JPH11284094A (ja) 1998-03-27 1999-10-15 Hitachi Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
US6117797A (en) * 1998-09-03 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant
US6541832B2 (en) * 2000-01-31 2003-04-01 Texas Instruments Incorporated Plastic package for micromechanical devices
US6395998B1 (en) * 2000-09-13 2002-05-28 International Business Machines Corporation Electronic package having an adhesive retaining cavity
US6853070B2 (en) * 2001-02-15 2005-02-08 Broadcom Corporation Die-down ball grid array package with die-attached heat spreader and method for making the same
US6858932B2 (en) * 2002-02-07 2005-02-22 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged semiconductor device and method of formation
JP3914458B2 (ja) * 2002-05-13 2007-05-16 日本メクトロン株式会社 放熱板を有する回路基板の製造法
DE10245930A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul
US7271034B2 (en) * 2004-06-15 2007-09-18 International Business Machines Corporation Semiconductor device with a high thermal dissipation efficiency
FI117814B (fi) * 2004-06-15 2007-02-28 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
FI119714B (fi) * 2005-06-16 2009-02-13 Imbera Electronics Oy Piirilevyrakenne ja menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
US8093713B2 (en) * 2007-02-09 2012-01-10 Infineon Technologies Ag Module with silicon-based layer
JP2011014890A (ja) 2009-06-02 2011-01-20 Mitsubishi Chemicals Corp 金属基板及び光源装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5081562A (en) * 1987-05-19 1992-01-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Circuit board with high heat dissipations characteristic
JPH05251602A (ja) * 1991-06-18 1993-09-28 Oki Electric Ind Co Ltd ハイブリッドicの製造方法
US5903052A (en) * 1998-05-12 1999-05-11 Industrial Technology Research Institute Structure for semiconductor package for improving the efficiency of spreading heat
US6329713B1 (en) * 1998-10-21 2001-12-11 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip carrier assembly comprising a stiffener attached to a dielectric substrate
CN101677116A (zh) * 2008-09-19 2010-03-24 上海科学院 一种led芯片的封装方法和封装模块

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108962839A (zh) * 2017-05-26 2018-12-07 欣兴电子股份有限公司 封装结构
CN108962839B (zh) * 2017-05-26 2021-02-19 欣兴电子股份有限公司 封装结构
CN110770897A (zh) * 2017-06-21 2020-02-07 亮锐控股有限公司 具有改进的热行为的照明组件以及制造该照明组件的方法
CN109390290A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 太阳诱电株式会社 半导体组件
CN111331262A (zh) * 2020-03-23 2020-06-26 广州兴森快捷电路科技有限公司 封装载板及金属腔体内槽加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120181290A1 (en) 2012-07-19
US20130137221A1 (en) 2013-05-30
US8746308B2 (en) 2014-06-10
TWI446495B (zh) 2014-07-21
CN102610583B (zh) 2015-06-24
JP2012151431A (ja) 2012-08-09
TW201232724A (en) 2012-08-01
JP5686672B2 (ja) 2015-03-18
US8624388B2 (en) 2014-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102610583B (zh) 封装载板及其制作方法
CN102629560B (zh) 封装载板及其制作方法
CN102769076B (zh) 封装载板的制作方法
CN102610709B (zh) 封装载板及其制作方法
CN103841750A (zh) 封装载板
CN103579011A (zh) 封装载板及其制作方法
US8669142B2 (en) Method of manufacturing package structure
KR101051488B1 (ko) 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛
CN102593313A (zh) 封装载板及其制作方法
CN101882606B (zh) 散热型半导体封装构造及其制造方法
TWI748371B (zh) 發光裝置
CN102610586B (zh) 封装载板
KR100923784B1 (ko) 방열 특성이 우수한 금속 회로 기판 및 그 제조 방법
CN203491305U (zh) 电子元件
TWI442526B (zh) 導熱基板及其製作方法
CN102769075B (zh) 封装载板及其制作方法
TWI433615B (zh) 散熱基板及其製作方法
KR101128991B1 (ko) 사이드 뷰 광 패키지 및 그 제조 방법
CN102022625A (zh) Led封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150624