JPH06120403A - 電子回路素子搭載用リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】独立電極が形成された配線基板をダイパッドに
その平坦性を確保させて接合できるようにして、ワイヤ
のボンダビリティを向上させるとともに、ダイパッドと
配線基板との接続信頼性を向上する。 【構成】リードフレーム部材２のダイパッド６はウィン
ドホール６ａ,６ｂにより所定の形状パターンに形成さ
れたリード状のフレーム６ｃからなる。配線基板３は、
熱可塑性ポリイミド樹脂フィルム７と、この熱可塑性ポ
リイミド樹脂フィルム７の表面に形成された銅箔からな
る所定数の独立電極８とから構成されている。この配線
基板３をダイパッド６のフレーム６ｃ上に載置し、熱可
塑性ポリイミド樹脂７をフレーム６ｃに加熱、圧着す
る。こうして、熱可塑性ポリイミド樹脂７が接着剤とな
って、配線基板３がダイパッド６に接合される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、独立電極が形成されて
いるとともに、半導体素子等の所定数の電子回路素子を
搭載する配線基板をダイパッドに張り付けることにより
形成されている電子回路素子搭載用リードフレームに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、図７に示すように半導体パッケー
ジの組立用部材として用いられるリードフレーム２０１
は、アウターリード２０２、インナーリード２０３及び
ダイパッド２０４から構成されているのが一般的であ
る。このようなリードフレーム２０１においては、例え
ばコバール、４２合金、銅系合金などの、導電性がよ
く、かつ強度の大きい金属材料を用いて、フォトエッチ
ング法あるいはスタンピング法などによって、アウター
リード２０２、インナーリード２０３及びダイパッド２
０４が一体に形成されている。これらの方法によって製
造されたリードフレーム２０１は、ダイパッド２０４に
半導体素子が搭載されるとともに、この半導体素子の電
極（パッド）とインナーリード２０３とを後述するよう
にワイヤーによりボンディングすることにより用いられ
る。そのために、通常インナーリード２０３のボンディ
ング位置に、金、銀等の貴金属のメッキを施して、ワイ
ヤボンディングを確実に行うことができるようにしてい
る。

【０００３】一方、近年半導体チップはそのＩ／Ｏ端子
が増加する傾向にあり、これに伴い、種々のサイズの半
導体チップが製造されている。特に電子機器においては
小型・軽量化が強く要求されており、このような要望に
対応するために、半導体パッケージのより一層の小型化
及び同一サイズ内での多ピン化が行われてきた。このよ
うなことから、半導体素子用リードフレームに対して
は、加工サイズの微細化が求められている。

【０００４】ところで従来のリードフレーム２０１にお
いては、インナーリード２０３はダイパッド２０４の方
へ大きく突出するようにして形成され、しかもそれらの
先端は自由端となっている。したがって、フォトエッチ
ング法及びスタンピング法によってこのリードフレーム
２０１を製造する場合には、これらのインナーリード２
０３が互いに他のインナーリード２０３と接触すること
のないようにして形成しなければならない。しかしなが
ら、このように形成することはきわめて困難であり、こ
のためインナーリード２０３を所定の寸法内に無制限に
形成することができなく、その加工に限界が生じてい
た。

【０００５】その上、前述の多ピン化の要求に応えよう
とすると、各インナーリード２０３間の間隔を小さくし
なければならないばかりでなく、インナーリード２０３
の線も細くしなければならない。このため、リードフレ
ーム２０１の製造がより一層難しくなる。また、仮によ
り多くのインナーリード２０３を製造することができた
としても、リードフレーム２０１を輸送したり、取り扱
ったりしているうちにインナーリード２０３が曲がっ
て、インナーリード２０３どうしが互いに接触してしま
い、信頼性が損なわれる。そこでこの接触を防止するた
めに、従来は同図に示すようなテーピング２０５を行っ
て各インナーリード２０３を固定し、その強度を上げる
ようにしているが、そのテーピング作業のための余計な
労力が必要となっている。

【０００６】一方、半導体パッケージを製造する際に、
インナーリード２０３とダイパッド２０４上の半導体素
子の電極とをワイヤーによって連結するワイヤーボンデ
ィングが行われる。しかし、前述のように一定の範囲内
に形成可能なインナーリード２０３の数に限界があるの
で、チップを多ピン化するには、インナーリード形成部
分の範囲を大きくする必要がある。しかし、その範囲を
大きくすると、インナーリード２０３とダイパッド２０
４との距離が大きくなってしまう。このため、必然的に
ワイヤーの長さも長くなって、樹脂封止時にワイヤーど
うしが接触してしまう。したがって、この方法によって
も、依然としてチップの多ピン化に十分対応することが
できない。

【０００７】このようなことから、加工サイズの微細化
を簡単にできるようにするとともに、信頼性を向上する
ことのできる半導体素子用リードフレームの開発が必要
となってきている。

【０００８】そこで、図８に示すように、リードフレー
ム部材３０１と所定数の独立電極３０７を有する配線基
板３０６とから構成された半導体素子搭載用リードフレ
ームが考えられている。リードフレーム部材３０１は、
図７に示すリードフレームと同じ材料、すなわち例えば
コバール、４２合金、銅系合金などの、導電性がよく、
かつ強度の大きい金属材料を用いて同様の製造方法で形
成される。このリードフレーム部材３０１は、図７に示
すリードフレームと同様にアウターリード３０２、イン
ナーリード３０３及びベタ状のダイパッド３０４から構
成されている。

【０００９】また配線基板３０６は、その表面に、半導
体素子とインナーリード３０３との間の配線を中継する
ための、相互に独立した電極である多数の独立電極３０
７を備えている。独立電極３０７を有する配線基板３０
６の材料としては、銅箔と銅箔とを接着剤により接合し
たもの、銅箔と金属基板とを接着剤により接合したも
の、および銅箔とポリイミド樹脂フィルムとを接合した
もの等の材料が使用されている。そして、ダイパッド３
０４上に、配線基板３０６をその全面にわたって張り付
けることにより、半導体素子搭載用リードフレームが形
成される。

【００１０】このリードフレームにおいては、半導体素
子とインナーリード３０３とを直接結線することなく、
例えば図９に示すように、ダイパッド３０４上の配線基
板３０６上に配設した独立電極３０７を介して半導体素
子３１１とインナーリード３０３とがワイヤー３０８
ａ,３０８ｂでボンディングされるようになる。したが
って、インナーリード３０３とダイパッド３０４との間
のワイヤー長をそれほど長く延長することなく、インナ
ーリード３０３をダイパッド３０４から離間させること
が可能となる。したがって、インナーリード３０３の形
成領域を拡張することができ、インナーリード３０３の
数を増やして、容易に超多ピン化が可能となる。

【００１１】ところで、このようなリードフレームを製
造する場合、リードフレーム部材３０１のダイパッド３
０４に接着剤を介して配線基板３０６を重ね合わせた
後、加熱・圧着治具により、ダイパッド３０４と配線基
板３０６とを加熱、圧着して張り合わせることにより、
リードフレーム３０１を製造している。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体素子搭載用リードフレームにおいて
は、リードフレーム部材３０１の材料、配線基板３０６
の材料および接着剤のそれぞれの熱膨張係数あるいは加
熱収縮率が異なるため、ダイパッド３０４と配線基板３
０６との張り合わせ工程における加熱後の冷却時に、配
線基板３０６がダイパッド３０４より大きく収縮する。
その場合、ベタ状のダイパッド３０４上に配線基板３０
６の全面が張り付けられているので、図１０に示すよう
にダイパッド３０４と配線基板３０６とは凹形に変形し
てしまう。

【００１３】したがって、配線基板３０６の平坦性を確
保することが非常に困難となる。このため、ワイヤーボ
ンディング工程において、配線基板３０６とダイパッド
３０４とをクランプするための従来のクランパーでは、
配線基板３０６を充分に押さえつけることができなく、
その結果ワイヤーボンディングを確実に行うことができ
ないという問題がある。

【００１４】また、ダイパッド３０４と配線基板３０６
とを接着剤で全面にわたって接合しているため、リード
フレームに半導体素子を搭載した後樹脂によりパッケー
ジしたとき、ダイパッド３０４、配線基板３０６および
接着剤の熱膨張係数の違い等により、この樹脂パッケー
ジにクラックが発生することがある。

【００１５】そこで、ダイパッドをなくすとともに、リ
ードフレームに独立電極用配線基板の吊りリードを形成
し、この吊りリードに配線基板を支持することにより、
配線基板の接着面積を小さくするとともに、接着剤の使
用を少なくすることが考えられている。

【００１６】しかし、配線基板を単にこのような吊りリ
ードに支持させるようにしたのでは、配線基板が比較的
薄く曲がりやすいので、配線基板の平坦性を確保するこ
とが難しい。このため、ワイヤボンディング時に配線基
板を安定させることができない。したがって、前述と同
様にワイヤーボンディングを確実に行うことができない
という問題がある。

【００１７】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、独立電極が形成された配
線基板をダイパッドにその平坦性を確保させて接合でき
るようにして、ワイヤのボンダビリティを向上させるこ
とができるとともに、ダイパッドと配線基板との接続信
頼性を向上することのできる電子回路素子搭載用リード
フレームを提供することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、請求項１の発明は、外部回路に接続される所定数
のアウターリード、これらのアウターリードに連続して
形成される所定数のインナーリード、およびこれらのイ
ンナーリードの各先端によって囲まれる空間内に配置さ
れたダイパッドを有するリードフレーム部材と、前記ダ
イパッドに接合され、所定数の独立電極を有する配線基
板とからなる電子回路素子搭載用リードフレームであっ
て、前記ダイパッドが、所定数のホールを有していると
ともに、該ホールによって所定の形状パターンに形成さ
れたリード状のフレームからなり、前記配線基板は前記
所定の形状パターンのフレームに接合されていることを
特徴としている。

【００１９】また請求項２の発明は、前記ホールの一つ
が位置する真上に、前記配線基板の半導体素子搭載領域
が設定されていることを特徴としている。更に請求項３
の発明は、前記配線基板の半導体素子搭載領域の真下に
あるホール以外の前記ホールのうち、若干数のホールの
上で、これら若干数のボールを跨ぐようにして前記独立
電極が配置されていることを特徴としている。

【００２０】更に請求項４の発明は、前記配線基板が、
表面に前記独立電極が形成されたポリイミド樹脂等の樹
脂フィルムからなり、該樹脂フィルムが前記フレームに
接合されていることを特徴としている。更に請求項５の
発明は、前記樹脂フィルムが熱可塑性樹脂フィルムであ
り、該熱可塑性樹脂フィルムが前記フレームに加熱圧着
されていることを特徴としている。

【００２１】更に請求項６の発明は、前記配線基板が、
前記樹脂フィルムの前記独立電極と反対側の面に金属層
が設けられているとともに、該金属層に前記ダイパッド
の前記形状パターンと同じ形状パターンの溝が形成され
ており、前記フレームが該溝に嵌合された状態で、前記
配線基板が前記ダイパッドに接合されていることを特徴
としている。

【００２２】更に請求項７の発明は、前記独立電極にお
ける前記フレームの真上位置に、前記インナーリードと
のワイヤーボンディングのためのボンディングパッド領
域および前記半導体素子の電極とのワイヤーボンディン
グのためのボンディングパッド領域がそれぞれ設定され
ていることを特徴としている。

【００２３】

【作用】このように構成された本発明の電子回路素子搭
載用リードフレームにおいては、配線基板が部分的にダ
イパッドのフレームに支持されるようになるので、ダイ
パッドへの配線基板の加熱圧着後の冷却時に配線基板の
反りが抑制される。また配線基板とダイパッドとの部分
的支持が、配線基板の全面の広範囲にわたって位置する
ようになるので、配線基板の平坦性をよりいっそう確実
に確保することができる。これにより、ワイヤーのボン
ダビリティを向上させることができる。

【００２４】また、配線基板の反りが抑制されることか
ら、ダイパッドと配線基板との接続信頼性が向上する。
そのうえ、配線基板とダイパッドとの部分的支持によ
り、接着剤が少なくて済むようになる。したがって、接
着剤による樹脂パッケージのクラックの発生が抑制され
る。また、配線基板を構成する熱可塑性ポリイミド樹脂
フィルムを用いることにより、熱可塑性ポリイミド樹脂
フィルムが接着剤として機能するようになる。これによ
り接着剤が不要となり、接着剤による樹脂パッケージの
クラックの発生が更に一層効果的に抑制される。

【００２５】更に本発明によれば、配線基板の裏面の金
属層により、配線基板の平坦性が更に一層確実に確保す
ることができるので、ボンダビリティを更に一層向上で
きる。しかも、配線基板の裏面の金属層により、配線基
板の加熱圧着時の熱や半導体素子から発せられる熱が効
果的に放散されるようになり、リードフレームは放熱性
が向上する。

【００２６】更に本発明によれば、配線基板の独立電極
におけるボンディングパッド領域をダイパッドのフレー
ムの真上に設定しているので、ワイヤーボンディング時
に配線基板の平坦性を更に確実に確保することができ
る。したがって、ワイヤーを確実にボンディングするこ
とができる。

【００２７】

【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は、本発明に係わる電子回路素子搭載用リード
フレームの一実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）におけるIB−IB線に沿う断面図である。

【００２８】図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本
実施例におけるリードフレーム１は、リードフレーム部
材２と配線基板３とから構成されている。リードフレー
ム部材２は前述の図５に示す従来のリードフレーム部材
と同様の銅系合金、４２アロイ材、コバールなどの金属
材料を用いて従来と同様の方法で形成される。また図２
に示すように、このリードフレーム部材２は、従来と同
様に外部回路に接続される所定数のアウターリード４
と、これらのアウターリード４に連続して形成され、後
述する独立電極８を介して半導体素子のパッド（電極）
に接続される所定数のインナーリード５と、後述する配
線基板を搭載するためのダイパッド６とを有している。

【００２９】そして、この実施例におけるリードフレー
ム部材２のアウターリード４、インナーリード５および
ダイパッド６の相対的な配置は、図８に示す従来のリー
ドフレーム部材３０１と同じであるとともに、アウター
リード４およびインナーリード５の形状も、それぞれ従
来のリードフレーム部材３０１のアウターリード３０２
およびインナーリード３０３の形状と同じである。

【００３０】また、ダイパッド６は従来のようなベタ形
状ではなく、半導体素子１１の搭載領域Ａを含む中央部
分に矩形状のウィンドホール６ａを有しているととも
に、このウィンドホール６ａの周囲に４個の台形状のウ
ィンドホール６ｂを有している。そして、ダイパッド６
は、これらのウィンドホール６ａ,６ｂにより所定の形
状パターンに形成されたリード状のフレーム６ｃから構
成されている。更に図２（ｂ）に示すように、このダイ
パッド６はインナーリード５に対して下方へディプレス
されている。

【００３１】一方図３に示すように、配線基板３は、熱
可塑性ポリイミド樹脂フィルム７と、この熱可塑性ポリ
イミド樹脂フィルム７の表面に形成された銅箔からなる
所定数の独立電極８とから構成されている。各独立電極
８は、配線基板３がダイパッド６に搭載されたとき、そ
れぞれ各インナーリード５に対応するように配置されて
いる。

【００３２】この配線基板３を形成するには、まず熱可
塑性ポリイミド樹脂フィルム７の表面に独立電極８を形
成するための銅箔が接着されているとともに、図３
（ｂ）に二点鎖線で示すように熱可塑性ポリイミド樹脂
フィルム７の裏面に、インナーリード５の厚さとほぼ同
じ厚さの金属層９が設けられている積層板を用意する。
そして、この積層板の表面の銅箔を所定形状にエッチン
グして独立電極８を形成するとともに、裏面の金属層９
を全面エッチングにより削除して熱可塑性ポリイミド樹
脂７を露出させることにより、図３に示す配線基板３を
形成する。

【００３３】このように形成された配線基板３を、リー
ドフレーム部材２のダイパッド６のフレーム６ｃ上に載
置し、ダイパッド６と配線基板３とを加熱かつ加圧する
ことにより、熱可塑性ポリイミド樹脂７をダイパッド６
のフレーム６ｃに加熱、圧着する。すなわち、図１
（ｂ）に示すように熱可塑性ポリイミド樹脂７が接着剤
となって、配線基板３がダイパッド６に接合され、本実
施例のリードフレーム１が形成される。その場合、配線
基板３の独立電極８は、ダイパッド６のウィンドホール
６ｂの真上で、このウィンドホール６ｂを跨ぐようにし
て位置している。

【００３４】このように構成された本実施例のリードフ
レーム１においては、ダイパッド６にウィンドホール６
ａおよび６ｂが形成されているので、ダイパッド６と配
線基板３とは部分的に接着されるようになるので、それ
らの接着面積は比較的小さいものとなる。したがって、
ダイパッド６および配線基板３における熱可塑性ポリイ
ミド樹脂７のそれぞれの熱膨張係数あるいは加熱収縮率
が異なることにより、ダイパッドと配線基板との張り合
わせ工程における加熱後の冷却時に、熱可塑性ポリイミ
ド樹脂７がダイパッド６より大きく収縮しようとして
も、この熱可塑性ポリイミド樹脂７の収縮がダイパッド
６に及ぼす影響は小さい。その結果、ダイパッド６と配
線基板３との変形はきわめて小さい。したがって、配線
基板３の平坦性を確保することが非常に容易となる。

【００３５】しかも、ダイパッド６と配線基板３との部
分的な接着は、図１（ａ）に斜めの破線で示すように配
線基板３の全面の広範囲にわたって存在しているので、
配線基板３の平坦性をより一層確実に確保することがで
きる。

【００３６】このように配線基板３の平坦性を確保する
ことができることから、ワイヤーボンディング工程にお
いて、配線基板３とダイパッド６とを確実にクランプで
きるようになるため、ワイヤーボンディングを確実に行
うことができ、ボンダビリティが向上する。

【００３７】そのうえ、ダイパッド６と配線基板３との
変形がきわめて小さいことから、ダイパッド６と配線基
板３との接続信頼性が向上する。また、熱可塑性ポリイ
ミド樹脂７が接着剤として機能することから、従来のよ
うな接着剤は使用しないで済むようになる。したがっ
て、樹脂によるパッケージング後、樹脂クラックが発生
し難い。

【００３８】図４は、本発明の他の実施例の配線基板を
示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるIVB−I
VB線に沿う断面図、（ｃ）は裏面図である。なお、前述
の実施例の構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付す
ことにより、その詳細な説明は省略する。

【００３９】前述の実施例に対して、本実施例は、リー
ドフレーム部材２がまったく同じであるが、配線基板３
が異なる。したがって、ダイパッド６はウィンドホール
６ａ,６ｂを有し、所定の形状パターンのフレーム６ｃ
から構成されている。

【００４０】一方配線基板３は、前述の実施例では、配
線基板３を形成するための積層板の裏面に形成された金
属層９を裏面の全面エッチングにより削除したが、図４
に示すように本実施例においては、熱可塑性ポリイミド
樹脂フィルム７の裏面に金属層９が存在している。すな
わち、熱可塑性ポリイミド樹脂フィルム７の裏面の金属
層９に、エッチングにより溝９ａを形成する。この溝９
ａ部分は金属層が完全に削除され、熱可塑性ポリイミド
樹脂７が露出している。

【００４１】この溝９ａの形状パターンは、ダイパッド
６のフレーム６ｃの形状パターンとまったく同一に形成
されているとともに、溝９ａの幅はダイパッド６のフレ
ーム６ｃを嵌め込むことができる大きさに設定されてい
る。

【００４２】また、熱可塑性ポリイミド樹脂フィルム７
の表面には、前述の実施例とまったく同様にエッチング
により、所定数の独立電極８が形成されている。

【００４３】このように形成された本実施例の配線基板
３を、リードフレーム部材２のダイパッド６上に載置す
る。その場合、ダイパッド６の形状パターンと溝９ａの
形状パターンとを合致させる。この状態で、ダイパッド
６と配線基板３とを加圧することによりダイパッド６を
溝９ａ内に嵌め込むとともに、加熱、圧着することによ
り、熱可塑性ポリイミド樹脂７をダイパッド６に加熱、
圧着する。こうして、図５（ｂ）に示すように配線基板
３の溝９ａ内にダイパッド６が嵌め込まれた状態で、熱
可塑性ポリイミド樹脂７が接着剤となって、配線基板３
がダイパッド６に接合され、本実施例のリードフレーム
１が形成される。

【００４４】この実施例においては、配線基板３の加熱
圧着時における熱および配線基板３上に搭載される半導
体素子１１の発する熱が、金属層９およびフレーム６ｃ
から放散されるようになり、放熱性が向上する。特に、
配線基板３の半導体素子搭載領域および独立電極８のそ
れぞれの真下にある金属層９により、熱は効果的に発す
るようになる。またこの実施例においても、前述の実施
例と同様に配線基板の平坦性が確保され、ボンダビリテ
ィが向上するとともに、樹脂クラックが発生し難い。

【００４５】図６は、本発明の更に他の実施例を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるVIB−VIB線に
沿う断面図である。この実施例においては、前述のいず
れの実施例のダイパッド６と同様に、ダイパッド６はウ
ィンドホール６ａ，６ｂが設けられ、同形状パターンを
有している。そして、前述のいずれの実施例のリードフ
レーム１と同様に、ダイパッド６に配線基板３が搭載さ
れている。図６（ｂ）に示す実施例では、配線基板３は
図４および図５に示す実施例の配線基板３とまったく同
一に形成されている。したがって、配線基板３の熱可塑
性ポリイミド樹脂フィルム７の表面には所定数の独立電
極８が形成されているとともに、熱可塑性ポリイミド樹
脂フィルム７の裏面には金属層９およびこの金属層９に
ダイパッド６の形状パターンと同一の形状パターンの溝
９ａが形成されている。そして、溝９ａにダイパッド６
のフレーム６ｃが嵌め込まれるとともに、熱可塑性ポリ
イミド樹脂フィルム７がダイパッド６のフレーム６ｃに
加熱、圧着されている。

【００４６】そして、本実施例の特徴部分は、配線基板
３の独立電極８におけるワイヤーのボンディングパッド
の領域が設定されている場所である。すなわち、本実施
例においては、図６（ａ）に一点鎖線の長方形で示すよ
うにボンディングパッドの領域はダイパッド６のフレー
ム６ｃの真上に設定されている。その場合、図６（ｂ）
に示すようにダイパッド６の外側フレーム６ｃの真上に
は、インナーリード５とのワイヤー１０のボンディング
を行うためのボンディングパッドの領域Ｂが設定されて
いるとともに、内側フレーム６ｃの真上には、半導体素
子１１の電極とのワイヤー１０のボンディングを行うた
めのボンディングパッドの領域Ｃが設定されている。

【００４７】このようにボンディングパッドの領域を、
ダイパッド６のフレーム６ｃの真上に設定することによ
り、配線基板３はより一層平坦性を確保されるようにな
るので、ボンダビリティを更に一層向上させることがで
きるようになる。

【００４８】なお、この実施例においては配線基板３を
図４および図５に示す実施例の配線基板を用いるものと
しているが、本発明は、図１および図３に示す実施例の
配線基板を用いることもできる。

【００４９】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
による電子回路素子搭載用リードフレームによれば、配
線基板の平坦性を確保することができるので、ワイヤー
のボンダビリティを向上させることができる。また、配
線基板の反りが抑制されることから、ダイパッドと配線
基板との接続信頼性が向上する。そのうえ、配線基板と
ダイパッドとの部分的支持により、接着剤が少なくて済
むので、接着剤による樹脂パッケージのクラックの発生
を抑制できる。特に、配線基板を構成する熱可塑性ポリ
イミド樹脂フィルムを用いることにより、接着剤による
樹脂パッケージのクラックの発生を更に一層効果的に抑
制できる。

【００５０】また本発明によれば、配線基板の裏面の金
属層により、配線基板の平坦性が更に一層確実に確保す
ることができるので、ボンダビリティを更に一層向上で
きる。しかも、配線基板の裏面の金属層により、配線基
板の加熱圧着時の熱や半導体素子から発せられる熱を効
果的に放散できるので、リードフレームの放熱性を向上
できる。

【００５１】更に本発明によれば、配線基板の独立電極
におけるボンディングパッド領域をダイパッドのフレー
ムの真上に設定しているので、ワイヤーボンディング時
に配線基板の平坦性を更に確実に確保することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る電子回路搭載用リードフレーム
の一実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に
おけるIB−IB線に沿う断面図である。

【図２】 図１に示す実施例のリードフレーム部材を示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるIIB−IIB
線に沿う断面図である。

【図３】 図１に示す実施例の配線基板を示し、（ａ）
は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるIIIB−IIIB線に沿う
断面図である。

【図４】 本発明の他の実施例の配線基板を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるIVB−IVB線に
沿う断面図である。

【図５】 図４に示す配線基板を用いた実施例のリード
フレームを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）にお
けるVB−VB線に沿う断面図である。

【図６】 本発明の更に他の実施例を示し、（ａ）は平
面図、（ｂ）は（ａ）におけるVIB−VIB線に沿う断面図
である。

【図７】 従来のリードフレームの一例を示し、（ａ）
は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるVIIB−VIIB線に沿う
断面図である。

【図８】 従来のリードフレームの他の例を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるVIIIB−VIIIB
線に沿う断面図である。

【図９】 図８に示すリードフレームによる半導体装置
を示す図である。

【図１０】図８に示すリードフレームのダイパッドおよ
び配線基板の反りを説明し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）におけるXB−XB線に沿う断面図である。

【符号の説明】

１…リードフレーム、２…リードフレーム部材、３…配
線基板、４…アウターリード、５…インナーリード、６
…ダイパッド、６ａ,６ｂ…ウィンドホール、６ｃ…ダ
イパッドのフレーム、７…熱可塑性ポリイミド樹脂フィ
ルム、８…独立電極、９…金属層、９ａ…溝、１０…ワ
イヤー、１１…半導体素子、Ａ…半導体素子搭載領域、
Ｂ,Ｃ…ボンディングパッド領域

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部回路に接続される所定数のアウター
   リード、これらのアウターリードに連続して形成される
   所定数のインナーリード、およびこれらのインナーリー
   ドの各先端によって囲まれる空間内に配置されたダイパ
   ッドを有するリードフレーム部材と、前記ダイパッドに
   接合され、所定数の独立電極を有するとともに電子回路
   素子が搭載される配線基板とからなる電子回路素子搭載
   用リードフレームであって、 前記ダイパッドは、所定数のホールを有しているととも
   に、該ホールによって所定の形状パターンに形成された
   リード状のフレームからなり、前記配線基板は前記所定
   の形状パターンのフレームに接合されていることを特徴
   とする電子回路素子搭載用リードフレーム。
2. 【請求項２】 前記ホールの一つが位置する真上に、前
   記配線基板の半導体素子搭載領域が設定されていること
   を特徴とする請求項１記載の電子回路素子搭載用リード
   フレーム。
3. 【請求項３】 前記配線基板の半導体素子搭載領域の真
   下にあるホール以外の前記ホールのうち、若干数のホー
   ルの上で、これら若干数のボールを跨ぐようにして前記
   独立電極が配置されていることを特徴とする請求項２記
   載の電子回路素子搭載用リードフレーム。
4. 【請求項４】 前記配線基板は、表面に前記独立電極が
   形成されたポリイミド樹脂等の樹脂フィルムからなり、
   該樹脂フィルムが前記フレームに接合されていることを
   特徴とする請求項１ないし３のいずれか１記載の電子回
   路素子搭載用リードフレーム。
5. 【請求項５】 前記樹脂フィルムは熱可塑性樹脂フィル
   ムであり、該熱可塑性樹脂フィルムが前記フレームに加
   熱圧着されていることを特徴とする請求項４記載の電子
   回路素子搭載用リードフレーム。
6. 【請求項６】 前記配線基板は、前記樹脂フィルムの前
   記独立電極と反対側の面に金属層が設けられているとと
   もに、該金属層に前記ダイパッドの前記形状パターンと
   同じ形状パターンの溝が形成されており、前記フレーム
   が該溝に嵌合された状態で、前記配線基板が前記ダイパ
   ッドに接合されていることを特徴とする請求項４または
   ５記載の電子回路素子搭載用リードフレーム。
7. 【請求項７】 前記独立電極における前記フレームの真
   上位置に、前記インナーリードとのワイヤーボンディン
   グのためのボンディングパッド領域および前記半導体素
   子の電極とのワイヤーボンディングのためのボンディン
   グパッド領域がそれぞれ設定されていることを特徴とす
   る請求項１ないし６のいずれか１記載の電子回路素子搭
   載用リードフレーム。