JPS62202548A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS62202548A JPS62202548A JP61044635A JP4463586A JPS62202548A JP S62202548 A JPS62202548 A JP S62202548A JP 61044635 A JP61044635 A JP 61044635A JP 4463586 A JP4463586 A JP 4463586A JP S62202548 A JPS62202548 A JP S62202548A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関し、特に樹脂封止形半導体
装置の電極形状に関するものである。
装置の電極形状に関するものである。
第５図及び第６図はそれぞれ従来の半導体装置を示す！
＋１視図及び平面図であり、ここではインバータ用２素
子入り電力用半導体モジュールを例とし゛て示している
０図において、１は金属ベース板、２は絶縁基板、３は
金泥ブロック、４は電極用絶縁基板、５はベース電極端
子、６はコレクタ電極端子、７はエミッタ電極端子、８
はモリブデン板、９はトランジスタチップ、１０は銅プ
ロ・ツク、１）はフライホイルダイオードチップ、１２
はアルミニウムワイヤーである。 第５図、第６図に示
すごとく、金属ベース板１上に、絶縁基板２．金属ブロ
ック３．電極用絶縁基板４および外部電極端子５．６．
７を載せ、さらにモリブデン板８にあらかじめ高温ハン
ダでハンダ付けされたトランジスタチップ９．銅ブロッ
ク１０にあらかじめハンダ付けされたフライホイルダイ
オードチップ１）を載せる。その後これらを同時にハン
ダ付けし、アルミニウムワイヤー１２をボンディングす
る。
＋１視図及び平面図であり、ここではインバータ用２素
子入り電力用半導体モジュールを例とし゛て示している
０図において、１は金属ベース板、２は絶縁基板、３は
金泥ブロック、４は電極用絶縁基板、５はベース電極端
子、６はコレクタ電極端子、７はエミッタ電極端子、８
はモリブデン板、９はトランジスタチップ、１０は銅プ
ロ・ツク、１）はフライホイルダイオードチップ、１２
はアルミニウムワイヤーである。 第５図、第６図に示
すごとく、金属ベース板１上に、絶縁基板２．金属ブロ
ック３．電極用絶縁基板４および外部電極端子５．６．
７を載せ、さらにモリブデン板８にあらかじめ高温ハン
ダでハンダ付けされたトランジスタチップ９．銅ブロッ
ク１０にあらかじめハンダ付けされたフライホイルダイ
オードチップ１）を載せる。その後これらを同時にハン
ダ付けし、アルミニウムワイヤー１２をボンディングす
る。
この後、第５図のごとく各電極端子５，６．７を垂直に
立て、金属ベース板ｌにケースを接着し、その後シリコ
ンゲルの注入を行ない、最後にエポキシ樹脂にて封止を
行うと同時にフタを取付ける。
立て、金属ベース板ｌにケースを接着し、その後シリコ
ンゲルの注入を行ない、最後にエポキシ樹脂にて封止を
行うと同時にフタを取付ける。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
外部電極端子のハンダ付は状態が外部からではわかりに
＜＜、外部電極端子５．６．７を第５図のごとく端子曲
げする場合、外部電極端子のハンダ付けが悪いと外部電
極端子５．６．７のハンダ付は部がはがれるという問題
があった。また、その後、金属ベース板１にケースを接
着し、ゲルを入れ樹脂封止する場合、樹脂キュア時のゲ
ルの膨張により樹脂に密着した外部電極端子５゜６．７
が引っばられて外部電極端子５． ６． ７のハンダ付
は部がはがれやすくなるという問題があった。
外部電極端子のハンダ付は状態が外部からではわかりに
＜＜、外部電極端子５．６．７を第５図のごとく端子曲
げする場合、外部電極端子のハンダ付けが悪いと外部電
極端子５．６．７のハンダ付は部がはがれるという問題
があった。また、その後、金属ベース板１にケースを接
着し、ゲルを入れ樹脂封止する場合、樹脂キュア時のゲ
ルの膨張により樹脂に密着した外部電極端子５゜６．７
が引っばられて外部電極端子５． ６． ７のハンダ付
は部がはがれやすくなるという問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、コストを上げることなく、外部電極端子の
引っ張り強度を増すことができる半導体装置を得ること
を目的とする。
れたもので、コストを上げることなく、外部電極端子の
引っ張り強度を増すことができる半導体装置を得ること
を目的とする。
この発明に係る半導体装置は、外部電極端子のハンダ付
は部に穴を設けたものである。
は部に穴を設けたものである。
この発明においては、外部電極端子のハンダ付は部に穴
を設けたから、ハンダ付は時に穴を通してハンダがちり
あがり、これによりハンダ付は部の表面積が増すととも
に、ちり上がったハンダが外部電極端子をリベットのよ
うにしっかり止めることとなり、外部電極の引張り強度
が増し、また外部電極端子のハンダ付は状態が外部から
れかる。
を設けたから、ハンダ付は時に穴を通してハンダがちり
あがり、これによりハンダ付は部の表面積が増すととも
に、ちり上がったハンダが外部電極端子をリベットのよ
うにしっかり止めることとなり、外部電極の引張り強度
が増し、また外部電極端子のハンダ付は状態が外部から
れかる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の平面図、
第２図はその斜視図であり、図において、１〜１２は第
５図、第６図と同一のもので、１３は外部電極端子に形
成された穴である。また第３図（ａ）、 （ｂ）にはそ
れぞれハンダ付は部に穴１３をあけたその他の種類の外
部電極端子１５．１６を示す。
第２図はその斜視図であり、図において、１〜１２は第
５図、第６図と同一のもので、１３は外部電極端子に形
成された穴である。また第３図（ａ）、 （ｂ）にはそ
れぞれハンダ付は部に穴１３をあけたその他の種類の外
部電極端子１５．１６を示す。
次に製造方法について説明する。
金属ベース板１上に絶縁基板２を、さらにその上に熱抵
抗を良くするために金属ブロック３を載せ、その後該金
属ブロック３上に、あらかじめトランジスタチップ９と
モリブデン板８と、またフライホイルダイオードチップ
１）と銅ブロック１０とを高温ハンダによりハンダ付け
したものを載せる。また、金属ブロック部３の電極取付
部には、電極用絶縁基板４を載せ、その上にハンダ付は
部に穴１３をあけたベース電極端子５．コレクタ電極端
子６．エミッタ電極端子７を載せる。このときそれぞれ
の部材の界面には、あらかじめクリームハンダをハンダ
印刷しておくか、または各部材の間にフラックス入りハ
ンダ板を置い”ζおく０次にこれらを治具組みした後、
これをリフロー炉に通して各部材を同時にハンダ付けす
る。その後、フラックスを洗浄してアルミニウムワイヤ
ー１２をボンディングする。そして第２図に示すように
外部電極端子５，６．７を垂直に立て、金属ベース板ｌ
にケース（図示せず）を接着し、シリコンゲルの注入を
行なった後、エポキシ樹脂にて封止を行うと同時にフタ
を取付ける。
抗を良くするために金属ブロック３を載せ、その後該金
属ブロック３上に、あらかじめトランジスタチップ９と
モリブデン板８と、またフライホイルダイオードチップ
１）と銅ブロック１０とを高温ハンダによりハンダ付け
したものを載せる。また、金属ブロック部３の電極取付
部には、電極用絶縁基板４を載せ、その上にハンダ付は
部に穴１３をあけたベース電極端子５．コレクタ電極端
子６．エミッタ電極端子７を載せる。このときそれぞれ
の部材の界面には、あらかじめクリームハンダをハンダ
印刷しておくか、または各部材の間にフラックス入りハ
ンダ板を置い”ζおく０次にこれらを治具組みした後、
これをリフロー炉に通して各部材を同時にハンダ付けす
る。その後、フラックスを洗浄してアルミニウムワイヤ
ー１２をボンディングする。そして第２図に示すように
外部電極端子５，６．７を垂直に立て、金属ベース板ｌ
にケース（図示せず）を接着し、シリコンゲルの注入を
行なった後、エポキシ樹脂にて封止を行うと同時にフタ
を取付ける。
次に作用効果を第４図を用いて説明する。
コレクタ電極端子６のハンダ付は部に穴１３ｂをあけた
ものとエミッタ電極端子７のハンダ付は部に穴１３ｃを
あけたものを同時にハンダ付けした場合、ハンダ１４は
電極端子の穴１３ｂ、１３Ｃを通ってはい上がって、図
のようにリベットのような形状となり、その結果外部電
極端子の引張り強度が増すこととなる。
ものとエミッタ電極端子７のハンダ付は部に穴１３ｃを
あけたものを同時にハンダ付けした場合、ハンダ１４は
電極端子の穴１３ｂ、１３Ｃを通ってはい上がって、図
のようにリベットのような形状となり、その結果外部電
極端子の引張り強度が増すこととなる。
従って本実施例では、外部電極端子のハンダ付は部に穴
を設けたので、外部電極端子の価格の上昇や、作業性の
悪化を招くことなく、ハンダ付けの強度を著しく増大で
き、さらにハンダ付は状態を外部から容易に観察するこ
ともできる。
を設けたので、外部電極端子の価格の上昇や、作業性の
悪化を招くことなく、ハンダ付けの強度を著しく増大で
き、さらにハンダ付は状態を外部から容易に観察するこ
ともできる。
なお、上記実施例ではトランジスタモジュールのベース
電極端子、コレクタ電極端子、エミッタ電極端子につい
て説明したが、本発明はトランジスタモジュールに限ら
ずダイオ−°トモジュール。
電極端子、コレクタ電極端子、エミッタ電極端子につい
て説明したが、本発明はトランジスタモジュールに限ら
ずダイオ−°トモジュール。
サイリスクモジュールおよびこれらの混合モジュール等
の電力用モジュールの電極端子にも適用でき、この場合
も上記実施例と同様の効果を奏する。
の電力用モジュールの電極端子にも適用でき、この場合
も上記実施例と同様の効果を奏する。
また１、上記実施例では外部電極端子のハンダ取り付は
部に丸い穴をあけたものを示したが、これは他の形状の
穴でもよい。
部に丸い穴をあけたものを示したが、これは他の形状の
穴でもよい。
以上のように、この発明によれば、外部電極端子のハン
ダ付は部に穴を設けたので、外部電極端子の価格を上げ
ることなく、ハンダ付は強度を増大でき、さらに外部よ
りハンダ付は状態を確認でき、もって安価で信頼性の高
い半導体装置が得られる効果がある。
ダ付は部に穴を設けたので、外部電極端子の価格を上げ
ることなく、ハンダ付は強度を増大でき、さらに外部よ
りハンダ付は状態を確認でき、もって安価で信頼性の高
い半導体装置が得られる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の平面図、
第２図は上記半導体装置の斜視図、第３図は電極端子を
示す斜視図、第４図は上記半導体装置の部分断面図、第
５図は従来の半導体装置の斜視図、第６図はその平面図
である。 図において、１は金属ベース板、２は絶縁基板、３は金
属ブロック、４は電極用絶縁基板、５はベース電極端子
、６はコレクタ電極端子、７はエミッタ電極端子、８は
モリブデン板、９はトランジスタチップ、１０は銅ブロ
ック、１）はフライホイルダイオードチップ、１２はア
ルミニウムワイヤー、１３は外部電極端子の穴、１４は
ハンダである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
第２図は上記半導体装置の斜視図、第３図は電極端子を
示す斜視図、第４図は上記半導体装置の部分断面図、第
５図は従来の半導体装置の斜視図、第６図はその平面図
である。 図において、１は金属ベース板、２は絶縁基板、３は金
属ブロック、４は電極用絶縁基板、５はベース電極端子
、６はコレクタ電極端子、７はエミッタ電極端子、８は
モリブデン板、９はトランジスタチップ、１０は銅ブロ
ック、１）はフライホイルダイオードチップ、１２はア
ルミニウムワイヤー、１３は外部電極端子の穴、１４は
ハンダである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）金属ベース板上に絶縁層または絶縁基板を設け、
その上に電極板、半導体チップをハンダ付けし、全体を
樹脂封止してなる半導体装置において、該電極板のハン
ダ付けをする部分に穴を設けたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044635A JPS62202548A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044635A JPS62202548A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202548A true JPS62202548A (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=12696887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61044635A Pending JPS62202548A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202548A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH03145755A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換装置用トランジスタモジュール |
| JPH0433363A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
| JPH0432256A (ja) * | 1990-05-29 | 1992-02-04 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
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| JP2013135105A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JP2014204006A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
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| CN104916669A (zh) * | 2014-03-11 | 2015-09-16 | 西安永电电气有限责任公司 | 一种igbt模块电极安装结构 |
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| JP2017504968A (ja) * | 2014-01-30 | 2017-02-09 | クリー ファイエットヴィル インコーポレイテッド | 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール |
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-
1986
- 1986-02-28 JP JP61044635A patent/JPS62202548A/ja active Pending
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