JPS62247555A - 半導体素子搭載ピングリットアレイパッケージ基板の製造方法 - Google Patents
半導体素子搭載ピングリットアレイパッケージ基板の製造方法Info
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- JPS62247555A JPS62247555A JP9100086A JP9100086A JPS62247555A JP S62247555 A JPS62247555 A JP S62247555A JP 9100086 A JP9100086 A JP 9100086A JP 9100086 A JP9100086 A JP 9100086A JP S62247555 A JPS62247555 A JP S62247555A
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各種半導体素子、チップ素子等を搭載するた
めに用いられる半導体搭載用基板に関するものである０
本発明の外部接続用導体ピンを有する基材に、半導体素
子、チップ素子等を一搭載したフィルム状配線基板を電
気的に接続し、樹脂等で封とされたピングリッドアレイ
パッケージ基板は、半導体＠載用基板の一つであり、コ
ンピューター等の各種回路基板に実装して用いられる。
めに用いられる半導体搭載用基板に関するものである０
本発明の外部接続用導体ピンを有する基材に、半導体素
子、チップ素子等を一搭載したフィルム状配線基板を電
気的に接続し、樹脂等で封とされたピングリッドアレイ
パッケージ基板は、半導体＠載用基板の一つであり、コ
ンピューター等の各種回路基板に実装して用いられる。
（従来の技術）
従来、半導体素子のパッケージとしては、デュアルイン
ラインバ・ンケージ、フラットパッケージ、チップキャ
リア、ピングリッドアレイ等があり、これらパッケージ
を構成する材質はプラスチックス及びセラミックスであ
る。これらのパッケージの中でピングリッドアレイは、
最近の高集積化された半導体素子の搭載に非常に適して
おり。
ラインバ・ンケージ、フラットパッケージ、チップキャ
リア、ピングリッドアレイ等があり、これらパッケージ
を構成する材質はプラスチックス及びセラミックスであ
る。これらのパッケージの中でピングリッドアレイは、
最近の高集積化された半導体素子の搭載に非常に適して
おり。
コンピューターをはじめ各種の用途に使用されている。
このピングリッドアレイにおいては、セラミックス基板
に回路形成後、当該基板に入出力用の導体ピンを装着す
る際、約８００°Ｃという比較的高温で溶融する銀ロウ
を用いて基板上の回路と導体ピンを固着し、電気的に接
続していた。
に回路形成後、当該基板に入出力用の導体ピンを装着す
る際、約８００°Ｃという比較的高温で溶融する銀ロウ
を用いて基板上の回路と導体ピンを固着し、電気的に接
続していた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、これらセラミックス基板がら成るピング
リッドアレイは、複雑な工程を経て１回路が形成され、
さらに高価な銀ロウを用いて約８００℃という比較的高
温で導体ピンを接合するためコスト高となる欠点を有し
ていた。また、ロウ付けの際に用いる治工具は、高温に
耐え、かっ熱変形が極めて小さい材質により形成されて
いることが要求され、さらには治工具の加工精度を非常
に高くするため治工具のコストも高価なものとなってい
た。
リッドアレイは、複雑な工程を経て１回路が形成され、
さらに高価な銀ロウを用いて約８００℃という比較的高
温で導体ピンを接合するためコスト高となる欠点を有し
ていた。また、ロウ付けの際に用いる治工具は、高温に
耐え、かっ熱変形が極めて小さい材質により形成されて
いることが要求され、さらには治工具の加工精度を非常
に高くするため治工具のコストも高価なものとなってい
た。
本発明は、従来のセラミックス基板のピングリッドアレ
イの有する欠点を改善することを目的とし、前記特許請
求の範囲に記載のピングリ・ンドアレイパッケージ基板
を提供することによりその目的を達成するものである。
イの有する欠点を改善することを目的とし、前記特許請
求の範囲に記載のピングリ・ンドアレイパッケージ基板
を提供することによりその目的を達成するものである。
（問題点を解決するための手段）
以上のような問題点を解決するために、第１の発明が採
った手段は、 予め半導体素子（７）を搭載したプリント配線基板と電
気的に接続される複数の導体ピン（２）を有する有機系
樹脂基板（＋）から成るピングリッドアレイパッケージ
基板において、 前記導体ピン（２）の中間部に形成された大径部（８）
が、当該有機系樹脂基板（１）の一部に形成されて前記
導体ピン（２）の大径部（ａ）より内径の小さい貫通孔
（１６）に嵌入固着され。
った手段は、 予め半導体素子（７）を搭載したプリント配線基板と電
気的に接続される複数の導体ピン（２）を有する有機系
樹脂基板（＋）から成るピングリッドアレイパッケージ
基板において、 前記導体ピン（２）の中間部に形成された大径部（８）
が、当該有機系樹脂基板（１）の一部に形成されて前記
導体ピン（２）の大径部（ａ）より内径の小さい貫通孔
（１６）に嵌入固着され。
かつ、前記各導体ピン（２）の頂部（９）が当該有機系
樹脂基板（１）の表面から突出するように形成されてい
ることを特徴とするピングリッドアレイパッケージ基板 であり、第２の発明の採った手段は。
樹脂基板（１）の表面から突出するように形成されてい
ることを特徴とするピングリッドアレイパッケージ基板 であり、第２の発明の採った手段は。
予め半導体素子（７）をＮｓ載したプリント配線基板と
電気的に接続される複数の導体ピン（２）を有する有機
系樹脂基板（１）から成るピングリッドアレイパッケー
ジ基板に３いて。
電気的に接続される複数の導体ピン（２）を有する有機
系樹脂基板（１）から成るピングリッドアレイパッケー
ジ基板に３いて。
前記導体ピン（２）の中間部に形成された大径部（８）
が、当該有機系樹脂基板（１）の一部に形成されて前記
導体ピン（２）の大径部（８）より内径の小さい貫通孔
（１６）に嵌入固着され、かつ、前記各導体ピン（２）
の頂部か当該有機系樹脂基板（１）の表面と同一面とと
なるように形成され、６該導体ピン（２）の頂部に金属
ハング（１１）が形成されていることを特徴とするピン
グリッドアレイパッケージ基板 である。
が、当該有機系樹脂基板（１）の一部に形成されて前記
導体ピン（２）の大径部（８）より内径の小さい貫通孔
（１６）に嵌入固着され、かつ、前記各導体ピン（２）
の頂部か当該有機系樹脂基板（１）の表面と同一面とと
なるように形成され、６該導体ピン（２）の頂部に金属
ハング（１１）が形成されていることを特徴とするピン
グリッドアレイパッケージ基板 である。
（発明の作用）
本発明に係るピングリッドアレイパッケージ基板にあっ
ては、前記手段により有機系樹脂基板（１）の一部に形
成されて前記導体ピン（２）の大径部（８）より内径の
小さい貫通孔（１６）に導体ピン（２）が嵌入により固
着されるので、その導体ピン（２）の取り付けが簡易、
迅速に成され、かつ導体ピン（２）の中間部に形成され
ている大径部（８）により、この導体ピン（２）の有機
系樹脂基板（１）に対する固着状態は強固なものとなる
。
ては、前記手段により有機系樹脂基板（１）の一部に形
成されて前記導体ピン（２）の大径部（８）より内径の
小さい貫通孔（１６）に導体ピン（２）が嵌入により固
着されるので、その導体ピン（２）の取り付けが簡易、
迅速に成され、かつ導体ピン（２）の中間部に形成され
ている大径部（８）により、この導体ピン（２）の有機
系樹脂基板（１）に対する固着状態は強固なものとなる
。
そして１本発明に係る導体ピン（２）とプリント配線板
の導体回路（６）との接続は、有機系樹脂基板（１）の
表面より突出している導体ピン（２）のｍ部（９）と導
体回路（６）とのはんだ接合により、または有機系樹脂
基板（１）の表面と同一面の導体ピン（２）の頂部２ヒ
に形成される金属バンプ（１１）と導体回路（６）との
金属ハンプ接合により非常に信頼性の高いものとなる。
の導体回路（６）との接続は、有機系樹脂基板（１）の
表面より突出している導体ピン（２）のｍ部（９）と導
体回路（６）とのはんだ接合により、または有機系樹脂
基板（１）の表面と同一面の導体ピン（２）の頂部２ヒ
に形成される金属バンプ（１１）と導体回路（６）との
金属ハンプ接合により非常に信頼性の高いものとなる。
（実施例）
本発明のピングリットアレイパッケージ基板の一実施例
を第１図の斜視図に示す、第１図において、（１）は有
機系樹脂基板（以下ベース基板と略する）であり、例え
ばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアジン樹脂等か
ら成る。（２）は前記ベース基板（１）に嵌入固着され
た入出力用の導体ピンである。（３）は有機系樹脂素材
からなるフィルム状配線基板であり１例えばガラスエポ
キシ基板、ガラスポリイミド基板、ガラストリアジン基
板、ポリイミド基板等を用いる。（４）は前記フィルム
状配線基板（３）に形成された半導体素子搭載用開口部
であり、（５）は導体ピン接続用開口部である。それぞ
れの開口部（４） （５）はパンチング加工等により形
成される。（６）は前記フィルム状配線基板（３）表面
に、前記開口部（４） （Ｓ）に導体部が露出するよう
に形成された導体回路である。（７）は前記フィルム状
配線基板（３）に搭載された半導体素子であり、前記導
体回路（６）と熱圧着ボンディングにより接続されてい
る。
を第１図の斜視図に示す、第１図において、（１）は有
機系樹脂基板（以下ベース基板と略する）であり、例え
ばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアジン樹脂等か
ら成る。（２）は前記ベース基板（１）に嵌入固着され
た入出力用の導体ピンである。（３）は有機系樹脂素材
からなるフィルム状配線基板であり１例えばガラスエポ
キシ基板、ガラスポリイミド基板、ガラストリアジン基
板、ポリイミド基板等を用いる。（４）は前記フィルム
状配線基板（３）に形成された半導体素子搭載用開口部
であり、（５）は導体ピン接続用開口部である。それぞ
れの開口部（４） （５）はパンチング加工等により形
成される。（６）は前記フィルム状配線基板（３）表面
に、前記開口部（４） （Ｓ）に導体部が露出するよう
に形成された導体回路である。（７）は前記フィルム状
配線基板（３）に搭載された半導体素子であり、前記導
体回路（６）と熱圧着ボンディングにより接続されてい
る。
第２図及び第３図は本発明の特徴であるベース基板（１
）とそれに嵌入固着された導体ピン（２）の縦断面図で
ある。第２図において、（８）は前記導体ピン（２）の
大径部であり前記導体ピン（２）の中間部に形成される
。大径部（８）を有する導体ピン（２）は、金属線から
プレス加工されるものであり、金Ｎ線の材質としては鉄
、鉄系合金、−銅、銅系合金等が好ましく１例えば４２
７０イ、コバール、リン青銅等がある。金属線からプレ
ス加工された前記導体ピン（２）表面には、金、白金、
銀。
）とそれに嵌入固着された導体ピン（２）の縦断面図で
ある。第２図において、（８）は前記導体ピン（２）の
大径部であり前記導体ピン（２）の中間部に形成される
。大径部（８）を有する導体ピン（２）は、金属線から
プレス加工されるものであり、金Ｎ線の材質としては鉄
、鉄系合金、−銅、銅系合金等が好ましく１例えば４２
７０イ、コバール、リン青銅等がある。金属線からプレ
ス加工された前記導体ピン（２）表面には、金、白金、
銀。
スズ、はんだ等の金属メッキを施すことにより、金１ｉ
１線の腐蝕を防止することが可能である。（９）は前記
導体ピン（２）の頂部であり、ベース基板（１）の半導
体素子搭載面側に突出しており、フィルム状配線基板（
３）の導体回路（６）と接続する際の位置合わせや仮止
めの役割を果たすものである。ベース基板（１）は、有
機系樹脂素材のトランスファモールド等により形成され
る。その後、大径部（８）より内径の小さい貫通孔（１
６）をドリル加工により形成し、大径部（８）を前記貫
通孔（１６）に嵌入することにより、導体ピン（２）は
ベース基板（１）に固着される。大径部（８）はベース
基板（１）と導体ピン（２）との固着強度を増す役割を
果たすものである。（ｌＯ）は半導体素子（７）が搭載
される部分を示し、成形により凹部となるよう形成する
こともできる。第３図において、（ｔＢは前記導体ピン
（２）の頂部に形成された金属バンプであり、材質とし
ては金、はんだ等がある。導体ピン（２）は嵌入により
ベース基板（１）に固着されるが、導体ピン（２）の頂
部はベース基板（１）の半導体素子搭載面側には突出せ
ず、同一面に形成される。そして、導体ピン（２）の頂
部に形成された金属バンプ（１１）は、フィルム状配線
基板（３）の導体回路（６）と導体ピン（２）の電気的
接続のみならず、接続する際の位置合わせや仮止めの役
割を果たすものである。
１線の腐蝕を防止することが可能である。（９）は前記
導体ピン（２）の頂部であり、ベース基板（１）の半導
体素子搭載面側に突出しており、フィルム状配線基板（
３）の導体回路（６）と接続する際の位置合わせや仮止
めの役割を果たすものである。ベース基板（１）は、有
機系樹脂素材のトランスファモールド等により形成され
る。その後、大径部（８）より内径の小さい貫通孔（１
６）をドリル加工により形成し、大径部（８）を前記貫
通孔（１６）に嵌入することにより、導体ピン（２）は
ベース基板（１）に固着される。大径部（８）はベース
基板（１）と導体ピン（２）との固着強度を増す役割を
果たすものである。（ｌＯ）は半導体素子（７）が搭載
される部分を示し、成形により凹部となるよう形成する
こともできる。第３図において、（ｔＢは前記導体ピン
（２）の頂部に形成された金属バンプであり、材質とし
ては金、はんだ等がある。導体ピン（２）は嵌入により
ベース基板（１）に固着されるが、導体ピン（２）の頂
部はベース基板（１）の半導体素子搭載面側には突出せ
ず、同一面に形成される。そして、導体ピン（２）の頂
部に形成された金属バンプ（１１）は、フィルム状配線
基板（３）の導体回路（６）と導体ピン（２）の電気的
接続のみならず、接続する際の位置合わせや仮止めの役
割を果たすものである。
次に１本発明のピングリッドアレイパッケージ基板にお
けるベース基板（１）と、フィルム状配線基板（３）の
接続について説明する。第４図及び第５図は、ベース基
板（１）にフィルム状配線基板（３）が接続された状態
の縦断面図である。第４図において、半導体素子（７）
が搭載されたフィルム状配線基板（コ）は、ベース基板
（１）に因子された導体ピン（２）の頂部に半導体素子
（７）搭載面側に突出するように形成された金属バンプ
（１１）と、各導体ピン（２）に対応するフィルム状配
線基板（３）の導体ピン接続用開口部（５）とにより整
合位置決めされ仮固定される。そして導体回路（６）の
導体ピン接続用開口部（５）の露出部に超音波、または
熱を与えることにより、導体回路（６）と金属ハンプ（
１１）は電気的及び機械的に接続される。これにより、
フィルム状配線基板（３）はベース基板（１）に固着さ
れ、半導体素子（７）と各導体ピン（２）は電気的に接
続される。なお、金属ハンプ（１１）の形成される位置
は、ベース基板（１）に固着された導体ピン（２）の頂
部のみに限られるものではなく。
けるベース基板（１）と、フィルム状配線基板（３）の
接続について説明する。第４図及び第５図は、ベース基
板（１）にフィルム状配線基板（３）が接続された状態
の縦断面図である。第４図において、半導体素子（７）
が搭載されたフィルム状配線基板（コ）は、ベース基板
（１）に因子された導体ピン（２）の頂部に半導体素子
（７）搭載面側に突出するように形成された金属バンプ
（１１）と、各導体ピン（２）に対応するフィルム状配
線基板（３）の導体ピン接続用開口部（５）とにより整
合位置決めされ仮固定される。そして導体回路（６）の
導体ピン接続用開口部（５）の露出部に超音波、または
熱を与えることにより、導体回路（６）と金属ハンプ（
１１）は電気的及び機械的に接続される。これにより、
フィルム状配線基板（３）はベース基板（１）に固着さ
れ、半導体素子（７）と各導体ピン（２）は電気的に接
続される。なお、金属ハンプ（１１）の形成される位置
は、ベース基板（１）に固着された導体ピン（２）の頂
部のみに限られるものではなく。
各導体ピン（２）に対応するように導体回路（６）の導
体ピン（２）接合面側に突出するように形成してもよい
、この場合も、半導体素子（７）が搭載されたフィルム
状配線基板（３）は導体回路（６）に形成された金属バ
ンプと、各導体ピン（２）に対応するフィルム状配線基
板（３）の導体ピン接続用関口部（５）とにより整合位
置決めされ仮固定される。第５（２１において、半導体
素子（７）が搭載されたフィルム状配線基板（３）は、
各導体ピン（２）に対応する位置に導体ピン接続用開口
部（５）が形成され。
体ピン（２）接合面側に突出するように形成してもよい
、この場合も、半導体素子（７）が搭載されたフィルム
状配線基板（３）は導体回路（６）に形成された金属バ
ンプと、各導体ピン（２）に対応するフィルム状配線基
板（３）の導体ピン接続用関口部（５）とにより整合位
置決めされ仮固定される。第５（２１において、半導体
素子（７）が搭載されたフィルム状配線基板（３）は、
各導体ピン（２）に対応する位置に導体ピン接続用開口
部（５）が形成され。
導体ピン接続用開口部（５）の周囲にも半導体素子（７
）と接続する導体回路（６）が形成されている。
）と接続する導体回路（６）が形成されている。
前記フィルム状配線基板（３）は、ベース基板（１）に
嵌入固着された導体ピン（２）の半導体素子（７）搭載
面側に突出した頂部（９）と半導体ピン接続用開口部（
５）により、整合位置決めされ仮固定される。そして導
体回路（６）と頂部（９）は、はんだ（１２）により接
続され、フィルム状配線基板（３）はベース基板（１）
に固着され、半導体素子（７）と各導体ピン（２）は電
気的に接続される。このようにして接続された導体ピン
（Ｚ）と導体回路（６）の導通性、及び接続信頼性は非
常に高く、また導体ピン（２）はベース基板（１）に確
実に固着されでいるため、檄動や衝撃によって脱落した
り、接合が緩んだりすることはない、なお、ここでいう
はんだ（１２）による接続は、仮固定の後、別途用意し
たはんだ（１２）により行なうもののみをいうのではな
く、はんだ（１２）により形成される金属バンプを予め
各導体ピン（２）の頂部、または各導体ピン（２）に対
応するように導体回路（６）の導体ピン（２） ｔａ合
面側に突出するように設けて接続を行なうものをも含ん
でいる。
嵌入固着された導体ピン（２）の半導体素子（７）搭載
面側に突出した頂部（９）と半導体ピン接続用開口部（
５）により、整合位置決めされ仮固定される。そして導
体回路（６）と頂部（９）は、はんだ（１２）により接
続され、フィルム状配線基板（３）はベース基板（１）
に固着され、半導体素子（７）と各導体ピン（２）は電
気的に接続される。このようにして接続された導体ピン
（Ｚ）と導体回路（６）の導通性、及び接続信頼性は非
常に高く、また導体ピン（２）はベース基板（１）に確
実に固着されでいるため、檄動や衝撃によって脱落した
り、接合が緩んだりすることはない、なお、ここでいう
はんだ（１２）による接続は、仮固定の後、別途用意し
たはんだ（１２）により行なうもののみをいうのではな
く、はんだ（１２）により形成される金属バンプを予め
各導体ピン（２）の頂部、または各導体ピン（２）に対
応するように導体回路（６）の導体ピン（２） ｔａ合
面側に突出するように設けて接続を行なうものをも含ん
でいる。
ｔＪＧ図は本発明の特徴の一つである金属、またはセラ
ミックスの板を装着した状態のピングリッドアレイパッ
ケージ基板の縦断面図である。第６図において、（１３
）は放熱板であり、（１４）は前記放熱板（１３）の周
囲に形成された凸部であり材質としては金属、セラミッ
クス等の熱放散性の高いものが好ましい、放熱板（１３
）は半導体素子（７）の一部に当接し、かつその反対面
は外表面に露出するように凸部（【４）がベース基板（
１）に埋め込まれている。放熱板（１３）はベース基板
（１）の形成の際、治工具によって導体ピン（２）と共
に一体成型することにより、ベース基板（１）中に埋設
される。凸部（１４）は放熱板（１３）とベース基板（
１）との固着強度を増す役割を果たすもので、固着後、
振動や衝撃によって放熱板（１３）が脱落したり、固着
が緩んだりすることを防ぐ。このように放熱板（１３）
が装着されたピングリッドアレイパッケージ基板は、格
段に熱放散性が向上し、セラミックス基板とほぼ同等の
熱放散性となり、高出力、大消費電力の半導体素子（７
）の搭載に適合する。
ミックスの板を装着した状態のピングリッドアレイパッ
ケージ基板の縦断面図である。第６図において、（１３
）は放熱板であり、（１４）は前記放熱板（１３）の周
囲に形成された凸部であり材質としては金属、セラミッ
クス等の熱放散性の高いものが好ましい、放熱板（１３
）は半導体素子（７）の一部に当接し、かつその反対面
は外表面に露出するように凸部（【４）がベース基板（
１）に埋め込まれている。放熱板（１３）はベース基板
（１）の形成の際、治工具によって導体ピン（２）と共
に一体成型することにより、ベース基板（１）中に埋設
される。凸部（１４）は放熱板（１３）とベース基板（
１）との固着強度を増す役割を果たすもので、固着後、
振動や衝撃によって放熱板（１３）が脱落したり、固着
が緩んだりすることを防ぐ。このように放熱板（１３）
が装着されたピングリッドアレイパッケージ基板は、格
段に熱放散性が向上し、セラミックス基板とほぼ同等の
熱放散性となり、高出力、大消費電力の半導体素子（７
）の搭載に適合する。
第７図は、本発明に係るピングリッドアレイパッケージ
基板に樹脂封止した状態の当該基板の縦断面図である。
基板に樹脂封止した状態の当該基板の縦断面図である。
第７図において、（１５）は封止用樹脂である。ベース
基板（１）にフィルム状配線基板（３）を接続した、ピ
ングリッドアレイパッケージ基板の入出力用導体ピン（
２）の突出する面、すなわち子ザーボート実装面以外の
全面について、トランスファモールド、またはキャステ
ィングにより封止する。これによりベース基板（１）と
フィルム状配線基板（３）は完全に刀刃され、搭載され
た半導体素子（７）を外界雰囲気と完全に遮断すること
かでき、高耐水性のピングリッドアレイパッケージ基板
を得ることかできる。
基板（１）にフィルム状配線基板（３）を接続した、ピ
ングリッドアレイパッケージ基板の入出力用導体ピン（
２）の突出する面、すなわち子ザーボート実装面以外の
全面について、トランスファモールド、またはキャステ
ィングにより封止する。これによりベース基板（１）と
フィルム状配線基板（３）は完全に刀刃され、搭載され
た半導体素子（７）を外界雰囲気と完全に遮断すること
かでき、高耐水性のピングリッドアレイパッケージ基板
を得ることかできる。
（発明の効果）
以上のように１本発明によればエポキシ樹脂等の有機系
樹脂のベース基板形１＆後の嵌入による極めて簡便な方
法でベース基板へ導体ピンが固着されるため、簡易、迅
速かつ強固に導体ピンをベース基板に取り付けることが
でき、また導体ピンとフィルム状配線基板の導体回路と
の接続を、金属バンプ、あるいははんだ接合により電気
的に非常に信頼性の高いものとすることができる。また
、ベース基板は成型法により形成されるため、多ピン化
、放熱構造への対応が簡易である。このように信頼性が
極めて高く、かつ安価なピングリッドアレイパッケージ
基板を提供することができる。
樹脂のベース基板形１＆後の嵌入による極めて簡便な方
法でベース基板へ導体ピンが固着されるため、簡易、迅
速かつ強固に導体ピンをベース基板に取り付けることが
でき、また導体ピンとフィルム状配線基板の導体回路と
の接続を、金属バンプ、あるいははんだ接合により電気
的に非常に信頼性の高いものとすることができる。また
、ベース基板は成型法により形成されるため、多ピン化
、放熱構造への対応が簡易である。このように信頼性が
極めて高く、かつ安価なピングリッドアレイパッケージ
基板を提供することができる。
第１区は本発明に係るピングリッドアレイパッケージ基
板の斜視図、第２図はベース基板に導体ピンが嵌入固着
された状態の縦断面図、第３図はベース基板に嵌入固着
された導体ピンの頂部に金属バンプが形成された状態の
縦断面図、第４図及び第５図はフィルム状配線基板とベ
ース基板の接続方法の一例を示す縦断面図、第６図は放
熱構造によるピングリットアレイパッケージ基板の縦断
面図、第７図はピングリッドアレイパッケージ基板に樹
脂封止した状態の縦断面図である。 符号の説明 １・・・ベース基板 ２・・・導体ピン３・・・フィ
ルム状配線基板 ４・・・半導体素子搭載用開口部 ５・・・導体ピン接続用開口部 ６・・−導体回路 ７・・・半導体素子８・・・
大径部 ９・−・頂部１０・・・凹部
１１・・・金属バンプ１２−・・はんだ
１３−・・放熱板１４・・・凸部 １５・・
・封止用樹脂ｔａ−・・貫通孔 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
板の斜視図、第２図はベース基板に導体ピンが嵌入固着
された状態の縦断面図、第３図はベース基板に嵌入固着
された導体ピンの頂部に金属バンプが形成された状態の
縦断面図、第４図及び第５図はフィルム状配線基板とベ
ース基板の接続方法の一例を示す縦断面図、第６図は放
熱構造によるピングリットアレイパッケージ基板の縦断
面図、第７図はピングリッドアレイパッケージ基板に樹
脂封止した状態の縦断面図である。 符号の説明 １・・・ベース基板 ２・・・導体ピン３・・・フィ
ルム状配線基板 ４・・・半導体素子搭載用開口部 ５・・・導体ピン接続用開口部 ６・・−導体回路 ７・・・半導体素子８・・・
大径部 ９・−・頂部１０・・・凹部
１１・・・金属バンプ１２−・・はんだ
１３−・・放熱板１４・・・凸部 １５・・
・封止用樹脂ｔａ−・・貫通孔 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）予め半導体素子を搭載したプリント配線基板と電気
的に接続される複数の導体ピンを有する有機系樹脂基板
から成るピングリッドアレイパッケージ基板において、 前記導体ピンの中間部に形成された大径部が、当該有機
系樹脂基板の一部に形成されて前記導体ピンの大径部よ
り内径の小さい貫通孔に嵌入固着され、 かつ、前記各導体ピンの頂部が当該有機系樹脂基板の表
面から突出するように形成されていることを特徴とする
ピングリッドアレイパッケージ基板。 ２）予め半導体素子を搭載したプリント配線基板と電気
的に接続される複数の導体ピンを有する有機系樹脂基板
から成るピングリッドアレイパッケージ基板において、 前記導体ピンの中間部に形成された大径部が、当該有機
系樹脂基板の一部に形成されて前記導体ピンの大径部よ
り内径の小さい貫通孔に嵌入固着され、 かつ、前記各導体ピンの頂部が当該有機系樹脂基板の表
面と同一面上になるように形成され、当該導体ピンの頂
部に金属バンプが形成されていることを特徴とするピン
グリッドアレイパッケージ基板。 ３）前記予め半導体素子を搭載したプリント配線基板は
、前記各導体ピンに対応する位置に金属バンプが形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載のピングリッドアレイパッケージ基板。 ４）前記予め半導体素子を搭載したプリント配線基板と
前記各導体ピンの頂部が、はんだ接合されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のピングリッドア
レイパッケージ基板。 ５）前記半導体素子の一部に当接するように周囲に凸部
を有する金属板またはセラミックス板が前記有機系樹脂
基板中に埋設され、かつ前記金属板またはセラミックス
板の一部が外表面に露出するようにしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項記載のピングリッ
ドアレイパツケージ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9100086A JPS62247555A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 半導体素子搭載ピングリットアレイパッケージ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9100086A JPS62247555A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 半導体素子搭載ピングリットアレイパッケージ基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247555A true JPS62247555A (ja) | 1987-10-28 |
| JPH0582978B2 JPH0582978B2 (ja) | 1993-11-24 |
Family
ID=14014231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9100086A Granted JPS62247555A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 半導体素子搭載ピングリットアレイパッケージ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62247555A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03123065A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-24 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用パッケージ |
| JP2002246717A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Kyocera Corp | セラミック回路基板 |
| JP2008277526A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ピン付き基板およびその製造方法ならびに半導体製品 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5040718A (ja) * | 1973-05-17 | 1975-04-14 | ||
| JPS5670650U (ja) * | 1979-10-31 | 1981-06-11 | ||
| JPS5982757A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Toshiba Corp | 半導体用ステムおよびその製造方法 |
| JPS6113938U (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-27 | イビデン株式会社 | プラグインパツケ−ジ基板 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727643A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-15 | Honda Motor Co Ltd | Device for mounting and demounting workpiece on machine tool |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP9100086A patent/JPS62247555A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5040718A (ja) * | 1973-05-17 | 1975-04-14 | ||
| JPS5670650U (ja) * | 1979-10-31 | 1981-06-11 | ||
| JPS5982757A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Toshiba Corp | 半導体用ステムおよびその製造方法 |
| JPS6113938U (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-27 | イビデン株式会社 | プラグインパツケ−ジ基板 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03123065A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-24 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用パッケージ |
| JP2002246717A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Kyocera Corp | セラミック回路基板 |
| JP4646417B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2011-03-09 | 京セラ株式会社 | セラミック回路基板 |
| JP2008277526A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ピン付き基板およびその製造方法ならびに半導体製品 |
| US8188589B2 (en) | 2007-04-27 | 2012-05-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Substrate with pin, manufacturing method thereof, and semiconductor product |
| TWI469277B (zh) * | 2007-04-27 | 2015-01-11 | Shinko Electric Ind Co | 具插針之基板，半導體封裝之製造方法，及半導體產品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582978B2 (ja) | 1993-11-24 |
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