JP4646417B2 - セラミック回路基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック基板の両面に金属回路板を取着したセラミック回路基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、パワーモジュール用基板やスイッチングモジュール用基板等の回路基板として、セラミック基板上に被着させたメタライズ金属層に銀−銅合金等のロウ材を介して銅等から成る金属回路板を接合させたセラミック回路基板、セラミック基板上に銀−銅共晶合金にチタン、ジルコニウム、ハフニウムあるいはその水素化物を添加した活性金属ロウ材を介して銅等から成る金属回路板を直接接合させたセラミック回路基板、あるいはセラミック基板上に銅板を載置させた後加熱し直接セラミック基板と銅板とを接合させた所謂、DBC(Direct Bond Copper)法によって作製されたセラミック回路基板が用いられている。
【0003】
また、これら各セラミック回路基板は金属回路板の実装密度を高めるためにセラミック基板の上下両面に金属回路板を接合させておき、これら上下両面の金属回路板間をセラミック基板に設けた貫通孔内に充填されているロウ材で電気的に接続することが行われている。
【0004】
なお、前記セラミック回路基板、例えば、セラミック基板上に被着させたメタライズ金属層にロウ材を介して銅等から成る金属回路板を接合させたセラミック回路基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体、ムライト質焼結体等の電気絶縁性のセラミックス材料から成り、上下両面に所定パターンのメタライズ金属層を有し、かつ厚み方向に貫通する貫通孔を設けたセラミック基板を準備し、次に前記セラミック基板の貫通孔内に、銀ロウ粉末(銀と銅の合金粉末)に有機溶剤、溶媒を添加混合して得たロウ材ペーストを充填するとともにメタライズ金属層上に間に銀ロウ等のロウ材を挟んで所定パターンの金属回路板を載置当接させ、しかる後、これを還元雰囲気中、約900℃の温度に加熱し、ロウ材ペースト及びロウ材を溶融させ、メタライズ金属層と金属回路板及びセラミック基板の上下両面の金属回路板を各々、銀ロウ等のロウ材を介して接合することによって製作される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来のセラミック回路基板においては、セラミック基板の上下両面に接合されている金属回路板同士がセラミック基板に設けた貫通孔内に充填されているロウ材を介して電気的に接続されており、該セラミック基板に設けた貫通孔内へのロウ材の充填はセラミック基板の貫通孔内に銀ロウ粉末(銀と銅の合金粉末)に有機溶剤、溶媒を添加混合して得たロウ材ペーストを充填させた後、約900℃の温度に加熱することによって行われ、この場合、各銀ロウ粉末間に存在する空気が溶融した銀ロウ材中に多量に抱き込まれて多孔質となり、導通抵抗が比抵抗で7〜10μΩ・cmと高いものであった。そのため従来のセラミック回路基板では金属回路板及び貫通孔内のロウ材に10Aを超える大電流が流れると貫通孔内に充填されたロウ材部分が抵抗発熱し、その熱が金属回路板上に半田等の接着材を介して接着固定される半導体素子等の電子部品に作用し、電子部品を高温として安定に作動させることができないという欠点を有していた。
【0006】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は抵抗発熱による多量の熱の発生を有効に防止し、金属回路板に接続される半導体素子等の電子部品を常に適温として正常、かつ安定に作動させることができるセラミック回路基板を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明のセラミック回路基板は、貫通孔を有するセラミック基板の両面に前記貫通孔を塞ぐように銅もしくはアルミニウムから成る金属回路板を取着させるとともに前記貫通孔内に銅もしくはアルミニウムから成る金属柱を配置させ、該金属柱で前記セラミック基板両面の前記金属回路板を接続したセラミック回路基板であって、前記貫通孔の内壁面と前記金属柱の外壁面との間に長さが30μm乃至200μmの空間を設け、該空間の上端は、前記セラミック基板の上面よりも上方の高さ位置まで延びていることを特徴とするものである。
また、本発明のセラミック回路基板は、前記金属回路板が前記セラミック基板の両面にロウ材または活性金属ロウ材を介して取着されており、前記金属柱が前記ロウ材を介して前記金属回路板と接合されていることを特徴とするものである。
また、本発明のセラミック回路基板は、前記金属柱が、前記セラミック基板の厚みよりも長いことを特徴とするものである。
【0008】
本発明のセラミック回路基板によれば、セラミック基板の両面に取着されている金属回路板をセラミック基板の貫通孔内に配置されている気孔がほとんどなく、比抵抗が3μΩ・cm以下の銅もしくはアルミニウムから成る金属柱を介して電気的に接続したことから金属回路板及び金属柱に10Aを超える大電流が流れたとしても金属柱で抵抗発熱が起こり、多量の熱を発生することは無く、その結果、金属回路板上に半田等の接着材を用いて接着固定される半導体素子等の電子部品は常に適温となり、長期間にわたって正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0009】
また本発明のセラミック回路基板によれば、セラミック基板の貫通孔の内壁面と金属柱の外壁面との間に長さが30μm乃至200μmの空間を設け、該空間の上端は、セラミック基板の上面よりも上方の高さ位置まで延びていることから、セラミック回路基板に熱が加わった際、セラミック基板と金属柱との間に両者の熱膨張係数の差によって金属柱の外壁面が膨張し広がったとしてもその膨張は前記空間に吸収されて金属柱の外壁面が貫通孔の内壁面を押し広げてセラミック基板にクラックや割れを発生させることは無く、その結果、セラミック回路基板を長期間にわたって正常、かつ安定に使用することが可能となる。
【0010】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
図1は、本発明のセラミック回路基板の一実施例を示し、1はセラミック基板、2はメタライズ金属層、3は金属回路板である。
【0011】
前記セラミック基板1は四角形状をなし、一部に厚み方向に貫通する貫通孔4が形成されており、該貫通孔4内には金属柱5が挿着されている。
【0012】
また前記セラミック基板1はその上下両面にメタライズ金属層2が被着されており、該メタライズ金属層2には金属回路板3がロウ付けされている。
【0013】
前記セラミック基板1は酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質燒結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して泥漿状となすとともに該泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、貫通孔4となる孔を有する所定形状に形成するとともに高温(約1600℃)で焼成することによって、あるいは酸化アルミニウム等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって貫通孔4となる孔を有した所定形状に形成し、しかる後、前記形成体を約1600℃の温度で焼成することによって製作される。
【0014】
前記セラミック基板1は金属回路板3を支持する支持部材として作用し、その上下両面にメタライズ金属層2が所定パターンに被着形成されており、該セラミック基板1の上下両面に被着されているメタライズ金属層2には所定パターンの金属回路板3がロウ付けされている。
【0015】
前記メタライズ金属層2は金属回路板3をセラミック基板1にロウ付けする際の下地金属層として作用し、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属材料より成り、例えば、タングステン粉末に適当な有機バインダー、可塑材、溶剤を添加混合して得た金属ペーストを焼成によってセラミック基板1となるセラミックグリーンシート(セラミック生シート)の上下両面に予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによってセラミック基板1の上下両面に所定パターン、所定厚みに被着される。
【0016】
なお、前記メタライズ金属層2はその表面にニッケル、金等の良導電性で、耐蝕性及びロウ材との濡れ性が良好な金属をメッキ法により1μm乃至20μmの厚みに被着させておくと、メタライズ金属層2の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメタライズ金属層2と金属回路板3とのロウ付けを極めて強固となすことができる。従って、前記メタライズ金属層2の酸化腐蝕を有効に防止し、メタライズ金属層2と金属回路板3とのロウ付けを強固となすにはメタライズ金属層2の表面にニッケル、金等の良導電性で、耐蝕性及びロウ材との濡れ性が良好な金属を1μm乃至20μmの厚みに被着させておくことが好ましい。
【0017】
前記セラミック基板1の上下両面に被着されているメタライズ金属層2には金属回路板3がセラミック基板1に設けた貫通孔4を塞ぐようにしてロウ材を介して取着されている。
【0018】
前記金属回路板3は銅もしくはアルミニウムから成り、セラミック基板1の上下両面に被着形成されているメタライズ金属層2上に銀ロウもしくはアルミニウムロウ等のロウ材を介して取着される。
【0019】
なお、前記銅もしくはアルミニウムから成る金属回路板3は、銅もしくはアルミニウム等のインゴット(塊)に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって、例えば、厚さが500μmで、所定パターン形状に形成される。
【0020】
また、前記金属回路板3は銅から成る場合はこれを無酸素銅で形成しておくと、該無酸素銅はロウ付けの際に銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることなくロウ材との濡れ性が良好となり、メタライズ金属層2へのロウ材を介しての接合が強固となる。従って、前記金属回路板3は銅から成る場合はこれを無酸素銅で形成しておくことが好ましい。
【0021】
更に前記金属回路板3はその表面にニッケル等から成る、良導電性で、かつ耐蝕性及びロウ材との濡れ性が良好な金属をメッキ法により被着させておくと、金属回路板3に酸化腐蝕が発生するのを有効に防止することができるとともに金属回路板3と外部電気回路との電気的接続及び金属回路板3への半導体素子等の電子部品の接続を強固となすことができる。従って、前記金属回路板3はその表面にニッケル等から成る、良導電性で、かつ耐蝕性及びロウ材との濡れ性が良好な金属をメッキ法により被着させておくことが好ましい。
【0022】
また更に前記金属回路板3の表面にニッケルから成るメッキ層を被着させる場合、内部に燐を8乃至15重量%含有させてニッケル−燐のアモルファス合金としておくとニッケルから成るメッキ層の表面酸化を良好に防止して半田との濡れ性等を長く維持することができる。従って、前記金属回路板3の表面にニッケルから成るメッキ層を被着させる場合、内部に燐を8乃至15重量%含有させてニッケル−燐のアモルファス合金としておくことが好ましい。
【0023】
更にまた、前記金属回路板3の表面にニッケル−燐のアモルファス合金からなるメッキ層を被着させる場合、ニッケルに対する燐の含有量が8重量%未満、あるいは15重量%を超えるとニッケル−燐のアモルファス合金を形成するのが困難となってメッキ層に半田を強固に接着させることができなくなる危険性がある。従って、前記金属回路板3の表面にニッケル−燐のアモルファス合金からなるメッキ層を被着させる場合にはニッケルに対する燐の含有量を8乃至15重量%の範囲としておくことが好ましく、好適には10乃至15重量%の範囲がよい。
【0024】
また、前記金属回路板3の表面に被着されるニッケルから成るメッキ層は、その厚みが1.5μm未満の場合、金属回路板3の表面をニッケルから成るメッキ層で完全に被覆することができず、金属回路板3の酸化腐蝕を有効に防止することができなくなる危険性があり、また3μmを超えるとニッケルから成るメッキ層の内部に内在する内在応力が大きくなってセラミック基板1に反りや割れ等が発生してしまう。特にセラミック基板1の厚さが700μm以下の薄いものになった場合にはこのセラミック基板1の反りや割れ等が顕著となってしまう。従って、前記金属回路板3の表面に被着されるニッケルから成るメッキ層はその厚みを1.5μm乃至3μmの範囲としておくことが好ましい。
【0025】
また更に、前記セラミック基板1に被着されたメタライズ金属層2への金属回路板3のロウ付けは、メタライズ金属層2上に金属回路板3を、間に、例えば、銀ロウ材(銀:72重量%、銅:28重量%)やアルミニウムロウ材(アルミニウム:88重量%、シリコン:12重量%)等から成るロウ材を挟んで載置させ、しかる後、金属回路板3に30乃至100g/cm2の荷重を加えた状態で真空中もしくは中性、還元雰囲気中、所定温度(銀ロウ材の場合は約900℃、アルミニウムロウ材の場合は約600℃)に加熱処理し、ロウ材を溶融せしめ、該溶融したロウ材でメタライズ金属層2と金属回路板3とを接合させることによって行われる。
【0026】
前記金属回路板3がロウ付けされたセラミック基板1はまた貫通孔4の内部に金属柱5が配置されており、該金属柱5はセラミック基板1の上下両面のロウ付けされている金属回路板3間を電気的に接続する作用をなす。
【0027】
前記金属柱5は比抵抗が3μΩ・cm以下と非常に小さい良導電性の銅(1.72μΩ・cm)もしくはアルミニウム(2.65μΩ・cm)により形成されており、金属柱5の比抵抗が小さい、即ち、金属柱5の導通抵抗が小さいことから金属回路板3及び金属柱5に10Aを超える大電流が流れたとしても金属回路板3及び金属柱5より抵抗発熱により大量の熱が発生することは無く、その結果、金属回路板3上に半田等の接着材を用いて接着固定される半導体素子等の電子部品は常に適温となり、長期間にわたって正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0028】
前記金属柱5は、例えば、銅もしくはアルミニウムのインゴット(塊)に圧延加工法や打ち抜き加工法、引き抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって円柱状に形成し、その後金属柱の上下両端面に、例えば、銅の場合には銀ロウ材もしくはアルミニウムの場合にはアルミニウムロウ材等のロウ材を被着させて製作され、セラミック基板1に設けられた貫通孔4内に、両端面をセラミック基板1の上下両面に取着されている金属回路板3に前記ロウ材を介して接合された状態で配置される。
【0029】
なお、前記金属柱5は銅から成る場合にはこれを無酸素銅で形成しておくと、該無酸素銅はロウ付けの際に銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることなくロウ材との濡れ性が良好となり、金属回路板3へのロウ材を介しての接合が強固となる。従って、前記金属柱5は銅から成る場合にはこれを無酸素銅で形成しておくことが好ましい。
【0030】
また前記金属柱5はその径が200μm未満となると金属柱5の導通抵抗が大きくなって10Aを超える大電流が流れた場合抵抗発熱により多量の熱が発生してしまう危険性がある。従って、前記金属柱5はその径を200μm以上、好適には350μm以上としておくこことがよい。特に金属柱5の径を350μm以上としておくと金属柱5に20Aを超える大電流が流れても抵抗発熱による多量の熱を発生することはなく、これによって金属回路板3上に半田等の接着材を用いて接着固定される半導体素子等の電子部品を常に適温となすことができ、電子部品を長期間にわたって正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0031】
更に本発明においてはセラミック基板1の貫通孔4の内壁面と金属柱5の外壁面との間に長さが30μm乃至200μmの空間を設け、該空間の上端は、セラミック基板1の上面よりも上方の高さ位置まで延びていることが重要である。
【0032】
前記セラミック基板1の貫通孔4内壁面と金属柱5の外壁面との間に長さが30μm乃至200μmの空間を設け、該空間の上端は、セラミック基板1の上面よりも上方の高さ位置まで延びていることから、セラミック回路基板に熱が加わった際、セラミック基板1と金属柱5との間に両者の熱膨張係数の差によって金属柱5の外壁面が膨張し広がったとしてもその膨張は前記空間に吸収されて金属柱5の外壁面が貫通孔4の内壁面を押し広げてセラミック基板1にクラックや割れを発生させることは無く、その結果、セラミック回路基板を長期間にわたって正常、かつ安定に使用することが可能となる。
【0033】
なお、前記セラミック基板1の貫通孔4内壁面と金属柱5外壁面との間の長さは30μm未満の場合、セラミック回路基板に熱が加わった際、セラミック基板1と金属柱5との熱膨張係数の差によって膨張した金属柱5の外壁面がセラミック基板1の貫通孔4内壁面を押し広げてセラミック基板1にクラックや割れが発生してしまい、また200μmを超えた場合は、セラミック基板1の貫通孔4に金属柱5を挿着する際、金属柱5が傾いたり倒れたりすることによって金属回路板3と確実、強固な接合が困難となり、金属回路板属3と金属柱5との間の導通抵抗が大きくなって10Aを超える大電流が流れた時に抵抗発熱により多量の熱が発生し金属回路板3上に接着固定される半導体素子等の電子部品に誤動作を招来させてしまう。従って、前記セラミック基板1の貫通孔4の内壁面と金属柱5の外壁面との間の空間はその長さが30μm乃至200μmの範囲に特定される。
【0034】
かくして、上述のセラミック回路基板によれば、セラミック基板1の上下両面に取着された金属回路板3に半田等の接着材を介して半導体素子等の電子部品を接着固定させるとともに半導体素子等の電子部品の各電極をボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して金属回路板3に電気的に接続させれば半導体素子等の電子部品はセラミック回路基板に実装され、同時に金属回路板3を外部電気回路に電気的に接続させれば半導体素子等の電子部品は外部電気回路に接続されることとなる。
【0035】
次に本発明の他の実施例を図2に基づいて説明する。
なお、図中、図1と同一箇所については同一符号が付してある。
【0036】
図2のセラミック回路基板は、セラミック基板1の上下両面に所定パターンの金属回路板3が活性金属ロウ材6を介して取着されており、同時にセラミック基板1に設けた厚み方向に貫通する貫通孔4内に金属柱5がその両端面をロウ材を介して金属回路板3に取着することによって配置されている。
【0037】
前記セラミック基板1に設けた貫通孔4内に配置されている金属柱5はその両端が金属回路板3にロウ材を介して取着されており、これによってセラミック基板1の上下両面に取着されている金属回路板3は金属柱5を介して電気的に接続されることとなる。
【0038】
前記貫通孔4を有するセラミック基板1は、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料で形成されおり、例えば、窒化珪素質焼結体から成る場合、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して泥漿状となすとともに該泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、次に前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、これを窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気中、1600乃至2000℃の高温で焼成することによって製作される。
【0039】
また前記セラミック基板1はその上下両面でセラミック基板1に設けた貫通孔4を塞ぐように金属回路板3が活性金属ロウ材6を介して取着されており、該金属回路板3は銅もしくはアルミニウムから成り、銅もしくはアルミニウムのインゴット(塊)に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって、例えば、500μmの厚みで、所定パターンに形成される。
【0040】
なお、前記金属回路板3は銅から成る場合はこれを無酸素銅で形成しておくと、該無酸素銅は活性金属ロウ材6を介して取着する際、銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることなく活性金属ロウ材6との濡れ性が良好となり、金属回路板3のセラミック基板1への活性金属ロウ材6を介しての取着接合が強固となる。従って、前記金属回路板3は銅から成る場合はこれを無酸素銅で形成しておくことが好ましい。
【0041】
また前記セラミック基板1は貫通孔4内部に金属柱5が配置されており、該金属柱5はセラミック基板1の上下両面のロウ付けされている金属回路板3間を電気的に接続する作用をなす。
【0042】
前記金属柱5は比抵抗が3μΩ・cm以下と非常に小さい良導電性の銅(1.72μΩ・cm)もしくはアルミニウム(2.65μΩ・cm)により形成されており、金属柱5の比抵抗が小さい、即ち、金属柱5の導通抵抗が小さいことから金属回路板3及び金属柱5に10Aを超える大電流が流れたとしても金属回路板3及び金属柱5より抵抗発熱により大量の熱が発生することは無く、その結果、金属回路板3上に半田等の接着材を用いて接着固定される半導体素子等の電子部品は常に適温となり、長期間にわたって正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0043】
前記金属柱5は、例えば、銅もしくはアルミニウムのインゴット(塊)に圧延加工法や打ち抜き加工法、引き抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって円柱状に形成し、その後金属柱の上下両端面に、例えば、銅の場合には銀ロウ材もしくはアルミニウムの場合にはアルミニウムロウ材等のロウ材を被着させて製作され、セラミック基板1に設けられた貫通孔4内に、両端面をセラミック基板1の上下両面に取着されている金属回路板3に前記ロウ材を介して接合された状態で配置される。
【0044】
なお、前記金属柱5は銅から成る場合にはこれを無酸素銅で形成しておくと、該無酸素銅はロウ付けの際に銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることなくロウ材との濡れ性が良好となり、金属回路板3へのロウ材を介しての接合が強固となる。従って、前記金属柱5は銅から成る場合にはこれを無酸素銅で形成しておくことが好ましい。
【0045】
また前記金属柱5はその径が200μm未満となると金属柱5の導通抵抗が大きくなって10Aを超える大電流が流れた場合抵抗発熱により多量の熱が発生してしまう危険性がある。従って、前記金属柱5はその径を200μm以上、好適には350μm以上としておくこことがよい。特に金属柱5の径を350μm以上としておくと金属柱5に20Aを超える大電流が流れても抵抗発熱による多量の熱を発生することはなく、これによって金属回路板3上に半田等の接着材を用いて接着固定される半導体素子等の電子部品を常に適温となすことができ、電子部品を長期間にわたって正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0046】
更に前記金属回路板3は活性金属ロウ材6を使用することによってメタライズ金属層を不要としてセラミック基板1の上下両面にロウ付け取着されており、該活性金属ロウ材6としては金属回路板3が銅で形成されている場合は銀−銅共晶合金にチタン、ジルコニウム、ハフニウム等の金属もしくはその水素化物を2乃至5重量%添加させたものが、また金属回路板3がアルミニウムで形成されている場合はアルミニウム−シリコン共晶合金にチタン、ジルコニウム、ハフニウム等の金属もしくはその水素化物を2乃至5重量%添加させたものが好適に使用される。
【0047】
前記活性金属ロウ材6を使用しての金属回路板3の貫通孔4を有するセラミック基板1への取着はまず、例えば、金属回路板3が銅から成る場合は銀−銅共晶合金にチタン、ジルコニウム、ハフニウム等の金属もしくはその水素化物を2乃至5重量%添加させたもの、またアルミニウムから成る場合はにアルミニウム−シリコン共晶合金にチタン、ジルコニウム、ハフニウム等の金属もしくはその水素化物を2乃至5重量%添加させたものに有機溶剤、溶媒を混合して活性金属ロウ材ペーストを作成し、次にセラミック基板1の上下両面に前記活性金属ロウ材ペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用することによって所定パターンに印刷塗布し、次に前記セラミック基板1の貫通孔4内に金属柱5を挿入配置させるとともにセラミック基板1の上下両面に印刷塗布されている活性金属ロウ材ペースト上に金属回路板3を載置させ、しかる後、これを真空中もしくは中性、還元雰囲気中、所定温度(銅の場合は約900℃、アルミニウムの場合は約600℃)で加熱処理し、活性金属ロウ材6及び金属柱5の両端面に被着されたロウ材を溶融せしめ、該溶融した活性金属ロウ材6及びロウ材でセラミック基板1と金属回路板3及び金属回路板3と金属柱5とを接合させることによって行われる。
【0048】
かかるセラミック回路基板は上述の実施例と同様、金属柱5の比抵抗が3μΩ・cm以下と小さい、即ち、金属柱5の導通抵抗が小さいことから金属回路板3及び金属柱5に10Aを超える大電流が流れたとしても金属回路板3及び金属柱5より抵抗発熱により大量の熱が発生することは無く、その結果、金属回路板3上に半田等の接着材を用いて接着固定される半導体素子等の電子部品は常に適温となり、長期間にわたって正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0049】
また本発明においてはセラミック基板1の貫通孔4の内壁面と金属柱5の外壁面との間に長さが30μm乃至200μmの空間を設け、該空間の上端は、セラミック基板1の上面よりも上方の高さ位置まで延びていることが重要である。
【0050】
前記セラミック基板1の貫通孔4内壁面と金属柱5の外壁面との間に長さが30μm乃至200μmの空間を設け、該空間の上端は、セラミック基板1の上面よりも上方の高さ位置まで延びていることから、セラミック回路基板に熱が加わった際、セラミック基板1と金属柱5との間に両者の熱膨張係数の差によって金属柱5の外壁面が膨張し広がったとしてもその膨張は前記空間に吸収されて金属柱5の外壁面が貫通孔4の内壁面を押し広げてセラミック基板1にクラックや割れを発生させることは無く、その結果、セラミック回路基板を長期間にわたって正常、かつ安定に使用することが可能となる。
【0051】
なお、前記セラミック基板1の貫通孔4内壁面と金属柱5外壁面との間の長さは30μm未満の場合、セラミック回路基板に熱が加わった際、セラミック基板1と金属柱5との熱膨張係数の差によって膨張した金属柱5の外壁面がセラミック基板1の貫通孔4内壁面を押し広げてセラミック基板1にクラックや割れが発生してしまい、また200μmを超えた場合は、セラミック基板1の貫通孔4に金属柱5を挿着する際、金属柱5が傾いたり倒れたりすることによって金属回路板3と確実、強固な接合が困難となり、金属回路板属3と金属柱5との間の導通抵抗が大きくなって10Aを超える大電流が流れた時に抵抗発熱により多量の熱が発生し金属回路板3上に接着固定される半導体素子等の電子部品に誤動作を招来させてしまう。従って、前記セラミック基板1の貫通孔4の内壁面と金属柱5の外壁面との間の空間はその長さが30μm乃至200μmの範囲に特定される。
【0052】
なお本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【0053】
【発明の効果】
本発明のセラミック回路基板によれば、セラミック基板の両面に取着されている金属回路板をセラミック基板の貫通孔内に配置されている気孔がほとんどなく、比抵抗が3μΩ・cm以下の銅もしくはアルミニウムから成る金属柱を介して電気的に接続したことから金属回路板及び金属柱に10Aを超える大電流が流れたとしても金属柱で抵抗発熱が起こり、多量の熱を発生することは無く、その結果、金属回路板上に半田等の接着材を用いて接着固定される半導体素子等の電子部品は常に適温となり、長期間にわたって正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0054】
また本発明のセラミック回路基板によれば、セラミック基板の貫通孔の内壁面と金属柱の外壁面との間に長さが30μm乃至200μmの空間を設け、該空間の上端は、セラミック基板1の上面よりも上方の高さ位置まで延びていることから、セラミック回路基板に熱が加わった際、セラミック基板と金属柱との間に両者の熱膨張係数の差によって金属柱の外壁面が膨張し広がったとしてもその膨張は前記空間に吸収されて金属柱の外壁面が貫通孔の内壁面を押し広げてセラミック基板にクラックや割れを発生させることは無く、その結果、セラミック回路基板を長期間にわたって正常、かつ安定に使用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のセラミック回路基板の一実施例を示す断面図である。
【図2】本発明のセラミック回路基板の他の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
1・・・・セラミック基板
2・・・・メタライズ金属層
3・・・・金属回路板
4・・・・貫通孔
5・・・・金属柱
6・・・・活性金属ロウ材
Claims (3)
- 貫通孔を有するセラミック基板の両面に前記貫通孔を塞ぐように銅もしくはアルミニウムから成る金属回路板を取着させるとともに前記貫通孔内に銅もしくはアルミニウムから成る金属柱を配置させ、該金属柱で前記セラミック基板両面の前記金属回路板を接続したセラミック回路基板であって、前記貫通孔の内壁面と前記金属柱の外壁面との間に長さが30μm乃至200μmの空間を設け、該空間の上端は、前記セラミック基板の上面よりも上方の高さ位置まで延びていることを特徴とするセラミック回路基板。
- 前記金属回路板は前記セラミック基板の両面にロウ材または活性金属ロウ材を介して取着されており、前記金属柱は前記ロウ材を介して前記金属回路板と接合されていることを特徴とする請求項1記載のセラミック回路基板。
- 前記金属柱は、前記セラミック基板の厚みよりも長いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のセラミック回路基板。
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