JP4493158B2 - セラミック回路基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック基板に金属回路板を活性金属ロウ材により接合したセラミック回路基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、パワーモジュール用基板やスイッチングモジュール用基板等の回路基板として、セラミック基板上に銀−銅共晶合金にチタン、ジルコニウム、ハフニウムまたはその水素化物を添加した活性金属ロウ材を介して銅等から成る金属回路板を直接接合させたセラミック回路基板が用いられている。
【0003】
かかるセラミック回路基板は、一般にセラミック基板として酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体、ムライト質焼結体等の電気絶縁性のセラミックス材料が使用されており、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、具体的には以下の方法によって製作されている。
【0004】
即ち、
(1)まず、銀−銅合金にチタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種を添加した活性金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合してロウ材ペーストを作製する。
(2)次に、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して泥漿状と成すとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術を採用して複数のセラミックグリーンシートを得た後、所定寸法に形成し、次に前記セラミックグリーンシートを必要に応じて上下に積層するとともに、還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成し、セラミックグリーンシートを焼結一体化させて酸化アルミニウム質焼結体から成るセラミック基板を形成する。
(3)次に、前記セラミック基板上に前記ロウ材ペーストを間に挟んで銅等から成る所定パターンの金属回路板を載置させる。
(4)そして最後に、前記セラミック基板と金属回路板との間に配されているロウ材ペーストを還元雰囲気中で約900℃の温度に加熱し、セラミック基板に活性金属粉末を介して銀−銅合金からなるロウ材を接合させるとともに該ロウ材を金属回路板に接合させることによってセラミック回路基板が製作される。
【0005】
なお、前記活性金属ロウ材及び金属回路板の露出表面には酸化腐蝕を有効に防止すると同時に金属回路板に半導体素子等の電子部品を接着固定する半田等の接着材との接合を強固にするため、ニッケル等の金属がメッキ法等の技術を用いることによって被着されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来のセラミック回路基板においては、セラミック基板への金属回路板の接合はセラミック基板上にロウ材ペーストを挟んで銅等から成る所定パターンの金属回路板を載置させた後、これを還元雰囲気中、約900℃の温度に加熱することによって行われており、前記ロウ材ペーストは液相線温度以上の温度で加熱されることから、ロウ材の粘性が著しく低下して大きく熔け広がり、この熔け広がったロウ材によって隣接する金属回路板間が電気的に短絡するという欠点を有していた。
【0007】
そこで上記欠点を解消するためにロウ材ペーストの厚みを、例えば、10μm未満と薄くすることが考えられる。
【0008】
しかしながら、ロウ材ペーストの厚みを薄くすると、セラミック基板上に金属回路板を取着する際、セラミック基板と金属回路板との間に発生する両者の熱膨張係数の相違に起因する応力を前記ロウ材が有効に吸収することができなくなり、その結果、前記応力によってセラミック基板にクラックや割れが発生するという欠点が誘発されてしまう。
【0009】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的はセラミック基板上に金属回路板を、隣接する金属回路板間に電気的短絡を発生することなく、またセラミック基板に割れ等を発生することなく強固に接着させることができるセラミック回路基板を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明のセラミック回路基板は、セラミック基板の上面に活性金属ロウ材層を介して金属回路板を取着して成るセラミック回路基板であって、前記活性金属ロウ材層は銀粉末と銅粉末および/または銀−銅合金粉末とから成るロウ材粉末と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種から成る活性金属粉末とより成り、かつ内部に平均粒径が1〜10μmのマンガンからなる金属粉末を5〜20重量%含有していることを特徴とするものである。
【0011】
本発明のセラミック回路基板によれば、セラミック基板上に金属回路板を接合する活性金属ロウ材層が、銀粉末と銅粉末および/または銀−銅合金粉末とから成るロウ材粉末と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種から成る活性金属粉末とより成り、かつ内部に平均粒径が1〜10μmのマンガンからなる金属粉末を5〜20重量%含有していることから、セラミック基板上に活性金属ロウ材層を介して金属回路板を接合させる際、ロウ材が液相線温度以上の温度に加熱されて溶融したとしても溶融したロウ材はその内部に含有されているマンガンからなる金属粉末との接触による抵抗によって粘度が高くなり、その結果、ロウ材が隣接する金属回路板間に大きく熔け広がることはなく、隣接する金属回路板間の電気的な独立が維持されて製品としてのセラミック回路基板を常に正常に機能させることができる。
【0012】
また同時に、ロウ材はマンガンからなる金属粉末によって熔け広がりが有効に抑制されるため、セラミック基板と金属回路板との間には所定量のロウ材が介在することとなり、その結果、セラミック基板と金属回路板との接合が強固となるとともに、セラミック基板と金属回路板との熱膨張係数の相違に起因して応力が発生したとしてもその応力はロウ材で吸収され、セラミック基板にクラックや割れ等が発生するのを有効に防止することもできる。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
図1及び図2は、本発明のセラミック回路基板の一実施例を示し、1はセラミック基板、2は活性金属ロウ材層、3は金属回路板である。
【0014】
前記セラミック基板1は四角形状をなし、その上面に金属回路板3が活性金属ロウ材層2を介してロウ付けされている。
【0015】
前記セラミック基板1はその上面に接合される金属回路板3を支持する支持部材として作用し、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体等の電気絶縁材料で形成されている。
【0016】
前記セラミック基板1は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して泥漿状となすとともに該泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、約1600℃の高温で焼成することによって製作される。
【0017】
また前記セラミック基板1はその上面に金属回路板3が活性金属ロウ材層2を介して接合されており、該金属回路板3には半導体素子等の電子部品が接続され、半導体素子等の電子部品に電気信号や電力を供給する作用をなす。
【0018】
前記金属回路板3は銅等の金属材料から成り、銅等のインゴット(塊)に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって、例えば、厚さが500μmで所定パターン形状に製作される。
【0019】
なお、前記金属回路板3はこれを無酸素銅で形成しておくと、該無酸素銅はセラミック基板1上に活性金属ロウ材層2を介して接合する際、銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることなく活性金属ロウ材との濡れ性が良好となり、その結果、セラミック基板1への活性金属ロウ材層2を介しての接合が強固となる。従って、前記金属回路板3はこれを無酸素銅で形成しておくことが好ましい。
【0020】
また前記金属回路板3はその表面にニッケルから成る、良導電性で、かつ耐蝕性及びロウ材との濡れ性が良好な金属をメッキ法により被着させておくと、金属回路板3と外部電気回路との電気的接続を良好と成すとともに金属回路板3に半導体素子等の電子部品を強固に接着させることができる。従って、前記金属回路板3はその表面にニッケルから成る、良導電性で、かつ耐蝕性及びロウ材との濡れ性が良好な金属をメッキ法により被着させておくことが好ましい。
【0021】
更に前記金属回路板3の表面にニッケルから成るメッキ層を被着させる場合、燐を8〜15重量%含有させたニッケル−燐のアモルファス合金としておくとニッケルメッキ層の表面酸化を良好に防止して金属回路板3に半導体素子等の電子部品を半田等の接着材を介して確実、強固に電気的接続することができる。従って、前記金属回路板3の表面にニッケルから成るメッキ層を被着させる場合、内部に燐を8〜15重量%の範囲に、好適には10〜15重量%の範囲に含有させてニッケル−燐のアモルファス合金としておくことが好ましい。
【0022】
また更に、前記金属回路板3の表面にニッケルから成るメッキ層を被着させる場合、ニッケルメッキ層の厚みが1.5μm未満となると金属回路板3の表面をニッケルメッキ層で完全に被覆することができなくなって金属回路板3の酸化腐蝕を有効に防止することが困難となってしまい、また3μmを超えるとニッケルメッキ層の内部に内在する内在応力が大きくなってセラミック基板1に反りや割れ等が発生してしまう危険性がある。特にセラミック基板1の厚さが700μm以下の薄いものになった場合には、このセラミック基板1の反りや割れ等が顕著となってしまう。従って、前記金属回路板3の表面にニッケルから成るメッキ層を被着させる場合、ニッケルメッキ層の厚みは1.5μm〜3μmの範囲としておくことが好ましい。
【0023】
前記金属回路板3はセラミック基板1上に活性金属ロウ材層2を介して接合されており、該活性金属ロウ材層2は金属回路板3をセラミック基板1上に直接接合させる作用をなす。
【0024】
前記活性金属ロウ材層2は、銀粉末と銅粉末および/または銀−銅合金粉末とから成るロウ材粉末と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種から成る活性金属粉末とより成り、かつ内部に平均粒径が1〜10μmのマンガンからなる金属粉末2aを5〜20重量%含有している。
【0025】
前記活性金属ロウ材層2によるセラミック基板1への金属回路板3の接合は、まず銀粉末と銅粉末および/または銀−銅合金粉末等とから成るロウ材粉末と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種から成る活性金属粉末と、融点が1200℃以上、平均粒径が1〜10μmのマンガンからなる金属粉末2aと、有機溶剤、溶媒とを混合して活性金属ロウ材ペーストを作製し、次にこの活性金属ロウ材ペーストをセラミック基板1上に従来周知のスクリーン印刷技術を用いて所定パターンに印刷し、次に印刷された活性金属ロウ材ペースト上に金属回路板3を載置させ、しかる後、これを真空中もしくは中性、還元雰囲気中、約900℃の温度で加熱処理し、セラミック基板1に活性金属粉末を介して銀−銅合金からなるロウ材を接合させるとともに該ロウ材を金属回路板3に接合させることによって行なわれる。この場合、加熱によって溶融したロウ材はその内部に含有されているマンガンからなる金属粉末2aとの接触による抵抗によって粘度が高くなり、その結果、ロウ材が隣接する金属回路板間3に大きく熔け広がることはなく、隣接する金属回路板3間の電気的な独立が維持されて製品としてのセラミック回路基板を常に正常に機能させることができる。また同時に、前記ロウ材はマンガンからなる金属粉末2aによって熔け広がりが有効に抑制されるためセラミック基板1と金属回路板3との間には所定量のロウ材が介在することとなり、その結果、セラミック基板1と金属回路板3との接合が強固となるとともに、セラミック基板1と金属回路板3との熱膨張係数の相違に起因して応力が発生したとしてもその応力は前記ロウ材で吸収され、セラミック基板1にクラックや割れ等が発生するのを有効に防止することもできる。
【0026】
前記活性金属ロウ材層2の銀粉末と銅粉末および/または銀−銅合金粉末等とから成るロウ材粉末は金属回路板3に強固に接合し、またチタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種から成る活性金属粉末は銀−銅合金からなるロウ材及びセラミック基板1に強固し、これによって金属回路板3をセラミック基板1に接合させる。
【0027】
なお、前記活性金属ロウ材層2を構成するチタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種から成る活性金属粉末はその量が2重量%未満となると活性金属の絶対量が不足して活性金属ロウ材層2をセラミック基板1に強固に接合させることが困難となる危険性があり、また5重量%を超えると活性金属ロウ材層2とセラミック基板1との間に脆弱な反応層が厚く形成され、結果的に活性金属ロウ材層2とセラミック基板1との接合強度が低下してしまう危険性がある。従って、前記活性金属ロウ材層2を構成するチタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種から成る活性金属粉末はその量を2〜5重量%の範囲にしておくことが好ましい。
【0028】
また前記活性金属ロウ材層2はその内部に平均粒径が1〜10μmのマンガンからなる金属粉末2aが5〜20重量%含有されている。
【0029】
マンガンからなる前記金属粉末2aは溶融したロウ材の熔け広がりを抑制する作用をなし、マンガンからなる該金属粉末2aの含有によって活性金属ロウ材層2は大きく熔け広がることはなく、これによって隣接する金属回路板3間の電気的な独立が維持され、製品としてのセラミック回路基板を常に正常に機能させることができるとともに、セラミック基板1と金属回路板3との間に介在する活性金属ロウ材層2の量を所定量としてセラミック基板1と金属回路板3との接合を強固とし、かつセラミック基板1と金属回路板3との熱膨張係数の相違に起因して発生する応力を有効に吸収し、セラミック基板1にクラックや割れ等が発生するのを防止することができる。
【0030】
マンガンからなる前記金属粉末2aは、融点が1200℃以上と高いことから、セラミック基板1に活性金属ロウ材層2を介して金属回路板3を接合させる際、マンガンからなる金属粉末2aに熱が印加されてもマンガンからなる金属粉末2aが溶融することはなく、その結果、マンガンからなる金属粉末2aによってロウ材の熔け広がりを有効に抑制することができる。
【0031】
なお、マンガンからなる前記金属粉末2aはその平均粒径が1μm未満となるとマンガンからなる金属粉末2aの比表面積が大きくなってマンガンからなる金属粉末2a表面に形成される酸化皮膜中に多くの酸素が存在し、該酸素によって活性金属ロウ材層2のセラミック基板1や金属回路板3に対する濡れ性が低下して、前記セラミック基板1に活性金属ロウ材層2を介して金属回路板3を強固に接合させることができず、また10μmを超えるとマンガンからなる金属粉末2aの比表面積が小さくなり、溶融したロウ材のマンガンからなる金属粉末2aとの接触による抵抗が小さくなってロウ材の熔け広がりを有効に抑制することができない。従って、マンガンからなる前記金属粉末2aの平均粒径は1〜10μmの範囲に特定される。
【0032】
またマンガンからなる金属粉末2aはその添加量が5重量%未満となると溶融したロウ材のマンガンからなる金属粉末2aとの接触による抵抗が小さくなってロウ材の熔け広がりを有効に抑制することができず、また20重量%を超えるとセラミック基板1および金属回路板3に対するロウ材の接合面積が狭くなって、セラミック基板1への金属回路板3の接合強度が低下してしまう。従って、マンガンからなる金属粉末2aの添加量は5〜20重量%の範囲に特定される。
【0033】
かくして、上述のセラミック回路基板によれば、セラミック基板1の上面に活性金属ロウ材層2を介して接合された金属回路板3に半導体素子等の電子部品を接続させるとともに金属回路板3を外部電気回路に接続させれば半導体素子等の電子部品に金属回路板3を介して外部電気回路より電気信号や電力が供給される。
【0034】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例ではセラミック基板1がアルミニウム質焼結体で形成された例を示したが、電子部品が多量の熱を発し、この熱を効率良く除去したい場合にはセラミック基板1を熱伝導率の高い窒化アルミニウム質焼結体や窒化珪素質焼結体で形成すれば良く、金属回路板3に高速で電気信号を伝播させたい場合にはセラミック基板1を誘電率の低いムライト質焼結体で形成すれば良い。
【0035】
【発明の効果】
本発明のセラミック回路基板によれば、セラミック基板上に金属回路板を接合する活性金属ロウ材が、銀粉末と銅粉末および/または銀−銅合金粉末とから成るロウ材粉末と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種から成る活性金属粉末とより成り、かつ内部に平均粒径が1〜10μmのマンガンからなる金属粉末を5〜20重量%含有していることから、セラミック基板上に活性金属ロウ材層を介して金属回路板を接合させる際、ロウ材が液相線温度以上の温度に加熱されて溶融したとしても溶融したロウ材はその内部に含有されているマンガンからなる金属粉末との接触による抵抗によって粘度が高くなり、その結果、ロウ材が隣接する金属回路板間に大きく熔け広がることはなく、隣接する金属回路板間の電気的な独立が維持されて製品としてのセラミック回路基板を常に正常に機能させることができる。
【0036】
また同時に、ロウ材はマンガンからなる金属粉末によって熔け広がりが有効に抑制されるため、セラミック基板と金属回路板との間には所定量のロウ材が介在することとなり、その結果、セラミック基板と金属回路板との接合が強固となるとともに、セラミック基板と金属回路板との熱膨張係数の相違に起因して応力が発生したとしてもその応力はロウ材で吸収され、セラミック基板にクラックや割れ等が発生するのを有効に防止することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のセラミック回路基板の一実施例を示す断面図である。
【図2】図1に示すセラミック回路基板の要部拡大図である。
【符号の説明】
1・・・・セラミック基板
2・・・・活性金属ロウ材層
2a・・・金属粉末
3・・・・金属回路板
Claims (1)
- セラミック基板の上面に活性金属ロウ材層を介して金属回路板を取着して成るセラミック回路基板であって、前記活性金属ロウ材層は銀粉末と銅粉末および/または銀−銅合金粉末とから成るロウ材粉末と、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種から成る活性金属粉末とより成り、かつ内部に平均粒径が1〜10μmのマンガンからなる金属粉末を5〜20重量%含有していることを特徴とするセラミック回路基板。
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