JP2008277526A - ピン付き基板およびその製造方法ならびに半導体製品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ピン接続用のパッド62が形成された配線基板60と、ピン10が設けられたピン付き基板40とから構成される半導体製品であって、前記ピン付き基板40は、樹脂成形により形成された樹脂基板42の一方の面に、前記ピン10の一端部が露出し、該樹脂基板42の他方の面から前記ピン10の他端部が延出して形成され、前記ピン10の一端部と前記配線基板60のパッド62とが導電材64を介して接合されていることを特徴とする。
【選択図】図11
Description
PGA型の半導体装置には、配線基板にピン取り付け用のスルーホールを設け、スルーホールにピンを取り付けて製造する製品と、配線基板の実装面側に設けたピン接合用のパッドにピンを接合して製造する製品がある。
しかしながら、近年は、半導体装置の小型化、薄型化が求められ、厚さが1mm以下といったように配線基板の厚さがきわめて薄くなってきた。このため、配線基板内に補強用のコア基板を設けるといったことができず、配線基板が十分な強度を保持しないためにはんだリフローの際に配線基板が反るといったことが問題となる。
すなわち、 ピン接続用のパッドが形成された配線基板と、ピンが設けられたピン付き基板とから構成される半導体製品であって、前記ピン付き基板は、樹脂成形により形成された樹脂基板の一方の面に、前記ピンの一端部が露出し、該樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出して形成され、前記ピンの一端部と前記配線基板のパッドとが導電材を介して接合されていることを特徴とする。なお、ピンの一端部とは、ピンに設けられるヘッド部、接続突起、ピンの上端面を含む概念である。
前記半導体製品は、前記配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置として構成されて提供され、また、前記配線基板に半導体素子搭載部を設けた半導体パッケージとして構成されて提供される。
また、前記ピンの一端部が、前記樹脂基板の一方の面から突出していること、また、前記ピンの一端部に、ピンの軸部よりも径大となるヘッド部が形成されていることによってピンとパッドとの接合性を向上させることができる。
また、前記ピンの一端部が、ピンの軸部と同径に形成されていることによりピンを高密度に配置することができ、配線基板の多ピン化、パッドの高密度配置に対応することができる。
また、前記ピンの一端部に、接続突起が形成されていることにより、ピンとパッドとの接合性を向上させることができる。また、前記ピンの軸部の中途部に、前記樹脂基板に埋没される係止部が設けられていることにより、前記ピンを樹脂基板に確実に支持することができる。
また、前記配線基板の前記ピン付き基板が接合された面と反対側の面に、補強材が設けられることにより、前記配線基板とピン付き基板との物性値が異なることによって生じる応力を緩和し、半導体製品の信頼性を向上させることができる。
前記ピン付き基板としては、前記ピンの一端部が、前記樹脂基板の一方の面と面一に形成されている、前記ピンの一端部が、前記樹脂基板の一方の面から突出している、前記ピンの一端部に、ピンの軸部よりも径大となるヘッド部が形成されている、前記ピンの一端部が、ピンの軸部と同径に形成されている、前記ピンの一端部に、接続突起が形成されている、前記ピンの軸部の中途部に、前記樹脂基板に埋没される係止部が設けられているといった種々の形態をとることが可能であり、これによって配線基板に形成されたピン接合用のパッドとピンとが確実に接合され、接続用のピンを備えた半導体製品として提供される。
また、前記ピンの一端部に前記上型を当接した際に、前記ピンの一端部を前記フィルムに押入し、前記ピンの一端部上に樹脂を侵入させずに樹脂成形することにより、前記ピンの一端部を前記樹脂基板の外面から突出させたピン付き基板を製造することを特徴とする。
また、前記ピンとして、ピンの軸部の中途部にフランジを設けたピンを使用し、前記フランジを前記下型の樹脂成形面に当接させて前記下型に前記ピンをセットし、前記セット穴への樹脂の侵入を抑制して樹脂成形することを特徴とする。
(ピン付き基板)
図1は、本発明に係るピン付き基板の製造方法を示す。本発明に係るピン付き基板は、モールド樹脂によって平板状に樹脂成形された基板に、ピン10を所定配置に整列して立設した形態に形成される。
図1(a)は、ピン10を所定配列で支持するモールド用の金型の下型20を示す。下型20にはピン付き基板におけるピン10の平面配列に合わせてピン10を支持する多数のセット穴21が形成されている。セット穴21はピン10の軸部が摺入される内径に形成される。ピン付き基板に取り付けられるピン10は、ヘッド部10aの外径が0.75mm程度であり、軸部の外径は0.3mm程度である。
セット穴21にピン10の軸部10bを挿入することにより、ピン10はセット穴21の底面に軸部10bの下端が当接し、ヘッド部10aが下型20の上面(樹脂成形面20a)から若干上方に離間した状態で支持される。
図1(d)は、キャビティ26に樹脂30を充填した状態を示す。キャビティ26は閉鎖空間として形成され、所定の圧力でキャビティ26に樹脂30を充填し、樹脂30を熱硬化させて樹脂成形する。
ピン付き基板40は樹脂30によって平板状に樹脂成形された樹脂基板42に、多数本のピンを立設して形成される。下型20と上型22の樹脂成形面20a、22aが平坦面に形成されているから、樹脂基板42の両面は平坦面に形成される。
ピン付き基板40に立設されたピン10は、ピン10の一端部に形成されたヘッド部10aが樹脂基板42に没入され、ピン10の他端部(軸部10b)が樹脂基板42の他方の面(下面)から延出する。ピン10の他端部は、ソケットに挿入される外部接続端子となる。
ピン10のヘッド部10aの端面(頂部面)は樹脂基板42の一方の面(配線基板に接合される面)に面一に露出する。ピン10のヘッド部10aの端面は樹脂成形時に、フィルム24に押接されて被覆され、樹脂成形時にヘッド部10aの端面上に樹脂30が侵入することが防止され、ヘッド部10aの端面は樹脂基板42の一方の面で確実に露出した状態となる。
ピン付き基板40の樹脂基板42の厚さは0.2〜1.0mm程度である。ピン付き基板40の樹脂基板42は、配線基板の変形を抑えるために、所定の保形性が得られる厚さに設定される。キャビティ26およびセット穴21は、この樹脂基板42の厚さに合わせて設定される。樹脂基板42に用いられる樹脂材には、所定の強度を有するエポキシ系の樹脂あるいはエポキシ系の樹脂に補強用にシリカやアルミナ等のフィラーが混入された樹脂材が使用される。もちろん、エポキシ系以外の適宜樹脂材を使用することができる。
本実施形態のピン付き基板の製造方法においても、下型20にピン11の軸部11bを挿入するセット穴21を設け、セット穴21にピン11の軸部11bを挿入し(図3(a))、上型22の樹脂成形面22aをモールド用のフィルム24により被覆し、ピン11のヘッド部11aの端面をフィルム24に当接させ(図3(b))、モールドゲート25からキャビティ26にモールド用の樹脂30を充填して樹脂成形する(図3(c))。
ピン11の軸部11bにフランジ11cを設けたことにより、ピン11を下型20にセットした際に、セット穴21の開口縁の近傍部分がフランジ11cによって閉止されるから、樹脂成形した際に、セット穴21とピン11の外周面との隙間部分に樹脂が侵入することを抑えることができ、ピン11の軸部11bの外周側面に樹脂ばりが生じることを防止する。
なお、フランジ11cを備えたピン11を使用する場合は、下型20の樹脂成形面20aからのピン11の突出量が、軸部11b上でのフランジ11cの位置によって決まるから、下型20に形成するセット穴21は、セット穴21の底面に軸部11bの下端が当接しない深さに設定すればよい。
本実施形態のピン付き基板43では、ピン11のヘッド部11aと係止部として作用するフランジ11cが樹脂基板42中に埋没するようにして樹脂成形されるから、樹脂基板42にピン11がより強固に取り付けられる。
本実施形態のピン付き基板の製造方法においては、軸部12bの中途に係止部として作用する突起12cを設けたピン12を用いてピン付き基板44を形成することを特徴とする。樹脂成形に使用する下型20および上型22の構成、および樹脂成形工程は前述した実施の形態と同様であるので説明を省略する。
ピン12の軸部12bに設ける突起12cは、樹脂成形した際に樹脂基板42の内部に完全に埋没する位置に設けられる。すなわち、セット穴21の底に軸部12bの下端を当接させて下型20にピン12をセットした際に、下型20の樹脂成形面20aよりも上位置に突起12cが位置するように、突起12cの軸部12b上における位置を設計する。
本実施形態のように、樹脂基板42の内部に突起12cを埋設した形態で樹脂成形した場合は、突起12cがピン12を樹脂基板42から抜け止めさせるように作用し、ピン付き基板44にピン12を確実に支持することができる。
ヘッド部の頂部面を樹脂基板42の外面から突出させる際には、ヘッド部の頂部面を平坦面のまま突出させる形態の他に、ヘッド部の頂部を円錐形として頂部が突出するようにしたり、ヘッド部の頂部を球面状の曲面に形成して頂部が突出するようにしたりすることもできる。樹脂基板42の外面からヘッド部を部分的に突出させるようにするには、下型20と上型22とでピンをクランプした際に、ヘッド部の頂部をフィルム24に押入して、ヘッド部の頂部に樹脂が侵入しないようにして樹脂成形すればよい。ヘッド部の頂部が樹脂基板42の外面から突出する突出量が大きくなる場合にはフィルム24の厚さを厚くするといったように、ヘッド部の突出量に合わせて使用するフィルム24の厚さを選択して樹脂成形する。
図7に示す実施の形態は、軸部13bの中途に係止部として作用するフランジ状の突起13cを設けたピン13を樹脂成形してピン付き基板45を形成する例である。図7(a)に示すように、セット穴21が形成された下型20にピン13をセットした際に、突起13cが下型20の樹脂成形面20aよりも上方に位置するように軸部13b上での突起13cの形成位置が設定されている。
図8(a)は、ピン13を樹脂成形して得られたピン付き基板45である。ピン13の一端部である上端面13aが樹脂基板42の一方の面(上面)と面一に露出し、軸部13bの中途に形成された係止部としての突起13cが樹脂基板42の内部に没入して樹脂成形され、樹脂基板42の他方の面(下面)からピン13の他端部が延出する。突起13cが樹脂基板42に埋没して樹脂成形されることにより、ピン13が全体として同一径に形成されていても、ピン13を樹脂基板42から抜け止めして支持することができる。
図8(b)は、ピン14の軸部14bの中途に断面形状が三角形状の突起14cを設けた例で、突起14cが樹脂基板42の内部に完全に埋没して樹脂成形された例である。図8(c)は、ピン15の軸部15bの中途に断面形状が三角形状の突起15cを設けた例で、突起15cを樹脂基板42の下面に位置合わせして樹脂成形した例である。図8(b)、(c)のいずれの場合も、ピン14、15の一端部である上端面14a、15aが樹脂基板42の上面(配線基板との接合面)に面一に露出する。
図9(a)に示すピン付き基板48は、軸部16bの中途にフランジ16cを設けるとともに、一端部に円錐状の接続突起16dを設けたピン16を用いてピン付き基板48を形成した例である。フランジ16cはピン16を樹脂成形する際に下型からのピンの突出量を規制し、かつ軸部16b外面に樹脂ばりが生じることを防止する。接続突起16dは、樹脂基板42の上面から突起部分のみが突出するように樹脂成形されている。
なお、ピン18の一端部に形成する接続突起を球面状に形成するかわりに、円錐状に形成することもできる。
上述したピン付き基板は配線基板と接合することによって、半導体パッケージあるいは半導体装置として提供される。
図11は、図2に示したピン付き基板40を配線基板に接合して半導体装置を形成する工程を示す。
配線基板60は、ビア65を介して層間で配線パターン66を電気的に接続して配線層61を積層することにより形成される。配線基板60のピン付き基板40が接合される面(下面)には、ピンが接続されるパッド62が形成され、配線基板60の上面には半導体素子70を接続するためのパッド63が形成されている。配線基板60のパッド63が形成された領域が半導体素子搭載部である。
図11(b)は、ピン付き基板40と配線基板60とを治具等を用いて位置合わせし、、はんだリフローによってはんだ接合した状態を示す。配線基板60に形成された接続用のパッド62とピン付き基板40に形成されたピン10のヘッド部10aとは一対一に対応し、ピン付き基板40に取り付けられたピン10はヘッド部10aが樹脂基板42の接合面で露出して支持されているから、はんだリフローによって各々のパッド62とピン10のヘッド部10aとが確実にはんだ接合される。
なお、はんだペースト64は、パッド62に供給するかわりにピン付き基板40のヘッド部10aに供給してもよく、また、パッド62とヘッド部10aの双方に供給してもよい。また、はんだの替わりに導電性接着剤によってピン付き基板40と配線基板60とを接合してもよい。
なお、半導体素子70は、本実施形態のように、ピン付き基板40を配線基板60に接合した後に配線基板60に搭載してもよいし、配線基板60にピン付き基板40を接合する前に配線基板60に搭載してもよい。
図11(b)は、配線基板60にピン付き基板40を接合した半導体パッケージとしての半導体製品、図11(c)は、半導体パッケージに半導体素子70を搭載した半導体装置としての半導体製品である。
ピン付き基板40は配線基板60に形成されたパッド62に位置合わせしてピン10を配置して形成されるものであり、配線基板60は、従来のピン接合用のパッドを備えた配線基板と同様な形態に形成される。
なお、図11(b)に示すように、ピン付き基板40と配線基板60とを接合した後、ピン付き基板40と配線基板60との接合部の隙間部分に樹脂を充填し、接合部を樹脂によって封止するとともに樹脂を硬化させ、ピン付き基板40と配線基板60との接合部分を補強することも可能である。
補強材80は、半導体素子70を搭載する領域を確保するため枠体状に形成される。図12では、配線基板60に補強材80を接合した後に、配線基板60とピン付き基板40とを接合したが、配線基板60とピン付き基板40とを接合した後に、配線基板60に補強材80を接合してもよい。また、配線基板60に対して樹脂成形する方法によって補強材80を配線基板60に取り付けることもできる。
また、配線基板60とピン付き基板40との熱膨張係数等の物性値をマッチングさせる方法として、ピン付き基板を樹脂成形する際に使用するモールド用の樹脂材を選択し、樹脂材に混入させるシリカ等のフィラーの充填量を調節し、または使用するフィラー材を選択するといった方法を利用することも可能である。
図13は、図9(a)に示したピン付き基板48を配線基板60に接合して半導体装置を形成した例を示す。ピン付き基板48は、樹脂基板42の上面から突出する接続突起16dが形成されたピン16を備えているから、配線基板60にピン付き基板48を接合する際に、接続突起16dをパッド62に突き当てるようにすることで、ピン付き基板48の位置決めが容易になり、また接続突起16dを設けたことによって、接続突起16dとパッド62とのはんだ接合による接合面積が増大し、これによってピン16の接合強度が向上するという利点がある。また、接続突起16dを設けたことにより、はんだ接合時のボイド抜きの効果も得られる。
また、本発明に係るピン付き基板は、樹脂成形によって形成した樹脂基板42にピンを立設して形成されるから、樹脂基板42によってピンが確実に支持され、取り扱いが容易である。
また、樹脂成形する際に、下型と上型によってピンを正確に整列して樹脂成形するからピンの高さを揃えることができ、ピンの傾きを抑えて正確に配列することができる。これによって、ピンを狭ピッチで配置することが可能になる。
また、樹脂基板42にピンを支持したことにより、後工程でピン付き基板を配線基板に接合する際に、ろう材が溶融してもピンが移動することがなく、したがって、はんだリフロー工程において用いるはんだの種類(導電材の種類)が制約されず、ピン付き基板と配線基板とを容易にかつ確実に接合することができる。
10a、11a、12a ヘッド部
10b、11b、12b、13b、14b、15b、16b、17b、18b 軸部
11c、16c、17c フランジ
12c、13c、14c、15c 突起
13a、14a、15a 上端面
16d、17d、18d 接続突起
20 下型
20a、22a 樹脂成形面
21 セット穴
22 上型
24 フィルム
26 キャビティ
30 樹脂
32 パッド
40、43、44、45、46、47、48、49、50 ピン付き基板
42 樹脂基板
60 配線基板
61 配線層
62 パッド
64 はんだペースト
65 ビア
66 配線パターン
70 半導体素子
80 補強材
Claims (20)
- ピン接続用のパッドが形成された配線基板と、ピンが設けられたピン付き基板とから構成される半導体製品であって、
前記ピン付き基板は、樹脂成形により形成された樹脂基板の一方の面に、前記ピンの一端部が露出し、該樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出して形成され、
前記ピンの一端部と前記配線基板のパッドとが導電材を介して接合されていることを特徴とする半導体製品。 - 前記半導体製品は、前記配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置として構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体製品。
- 前記半導体製品は、前記配線基板に半導体素子搭載部を設けた半導体パッケージとして構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体製品。
- 前記ピンの一端部が、前記樹脂基板の一方の面と面一に形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体製品。
- 前記ピンの一端部が、前記樹脂基板の一方の面から突出していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体製品。
- 前記ピンの一端部に、ピンの軸部よりも径大となるヘッド部が形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の半導体製品。
- 前記ピンの一端部が、ピンの軸部と同径に形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の半導体製品。
- 前記ピンの一端部に、接続突起が形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項記載の半導体製品。
- 前記ピンの軸部の中途部に、前記樹脂基板に埋没される係止部が設けられていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項記載の半導体製品。
- 前記配線基板の前記ピン付き基板が接合された面と反対側の面に、補強材が設けられていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項記載の半導体製品。
- 樹脂基板にピンが設けられたピン付き基板であって、
樹脂成形により形成された樹脂基板の一方の面に前記ピンの一端部が露出し、該樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出して形成されていることを特徴とするピン付き基板。 - 前記ピンの一端部が、前記樹脂基板の一方の面と面一に形成されていることを特徴とする請求項11記載のピン付き基板。
- 前記ピンの一端部が、前記樹脂基板の一方の面から突出していることを特徴とする請求項11項記載のピン付き基板。
- 前記ピンの一端部に、ピンの軸部よりも径大となるヘッド部が形成されていることを特徴とする請求項11〜13のいずれか一項記載のピン付き基板。
- 前記ピンの一端部が、ピンの軸部と同径に形成されていることを特徴とする請求項11〜13のいずれか一項記載のピン付き基板。
- 前記ピンの一端部に、接続突起が形成されていることを特徴とする請求項11〜15のいずれか一項記載のピン付き基板。
- 前記ピンの軸部の中途部に、前記樹脂基板に埋没される係止部が設けられていることを特徴とする請求項11〜16のいずれか一項記載のピン付き基板。
- 樹脂基板にピンが設けられたピン付き基板の製造方法であって、
前記ピンの一端部を下型の樹脂成形面から突出させ、前記ピンの他端部を該下型のセット孔に挿入して前記ピンを下型にセットし、
前記下型にセットされたピンの一端部にフィルムを介して上型を当接させ、前記下型と上型とで樹脂成形用のキャビティを形成し、
前記キャビティに樹脂を充填し、硬化させることによって前記樹脂基板を成形して前記ピン付き基板を形成することを特徴とするピン付き基板の製造方法。 - 前記ピンの一端部に前記上型を当接した際に、前記ピンの一端部を前記フィルムに押入し、
前記ピンの一端部上に樹脂を侵入させずに樹脂成形することにより、前記ピンの一端部を前記樹脂基板の外面から突出させたピン付き基板を製造することを特徴とする請求項17記載のピン付き基板の製造方法。 - 前記ピンとして、ピンの軸部の中途部にフランジを設けたピンを使用し、
前記フランジを前記下型の樹脂成形面に当接させて前記下型に前記ピンをセットし、前記セット穴への樹脂の侵入を抑制して樹脂成形することを特徴とする請求項18または19記載のピン付き基板の製造方法。
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