JPH11103001A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH11103001A JPH11103001A JP26208497A JP26208497A JPH11103001A JP H11103001 A JPH11103001 A JP H11103001A JP 26208497 A JP26208497 A JP 26208497A JP 26208497 A JP26208497 A JP 26208497A JP H11103001 A JPH11103001 A JP H11103001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- sealing
- semiconductor device
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】リードフレームの表裏面側にそれぞれ適した樹
脂を用いることができ、かつ樹脂バリの発生を抑制した
ＰＧＡ型もしくはＢＧＡ型の半導体装置およびその半導
体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】外部端子３を埋め込んだ樹脂コンパウンド
１もしくは外部端子用のスルーホールを設けた樹脂コン
パウンドを予め成形し、この樹脂コンパウンド１をリー
ドフレーム４の下面側の封止樹脂としてリードフレーム
４の上面側の封止樹脂９を形成するトランスファーモー
ルドを行う。
脂を用いることができ、かつ樹脂バリの発生を抑制した
ＰＧＡ型もしくはＢＧＡ型の半導体装置およびその半導
体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】外部端子３を埋め込んだ樹脂コンパウンド
１もしくは外部端子用のスルーホールを設けた樹脂コン
パウンドを予め成形し、この樹脂コンパウンド１をリー
ドフレーム４の下面側の封止樹脂としてリードフレーム
４の上面側の封止樹脂９を形成するトランスファーモー
ルドを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置およびそ
の製造方法に係わり、特にＢＧＡ（ボールグリッドアレ
イ）・ＰＧＡ（ピングリッドアレイ）構造の樹脂封止型
半導体装置およびその製造方法に関する。
の製造方法に係わり、特にＢＧＡ（ボールグリッドアレ
イ）・ＰＧＡ（ピングリッドアレイ）構造の樹脂封止型
半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術として特開平１−１８５９６０
号公報に開示されているＰＧＡ構造の樹脂封止型半導体
装置を図８乃至図１０を参照して説明する。
号公報に開示されているＰＧＡ構造の樹脂封止型半導体
装置を図８乃至図１０を参照して説明する。
【０００３】図８の平面図および図９（Ａ）の断面図に
示すように、リードフレーム３１のインナーリード３２
の端子取付部３３に貫通孔３５が設けられており、リー
ドフレームのアイランドの上面に素子７がマウントさ
れ、その電極とインナーリード３２の先端部がワイヤ８
により接続される。
示すように、リードフレーム３１のインナーリード３２
の端子取付部３３に貫通孔３５が設けられており、リー
ドフレームのアイランドの上面に素子７がマウントさ
れ、その電極とインナーリード３２の先端部がワイヤ８
により接続される。
【０００４】次に、図９（Ｂ）に示すように、貫通孔３
５に外部端子３４である金属リードピンを挿入し固着す
ることによりセットする。
５に外部端子３４である金属リードピンを挿入し固着す
ることによりセットする。
【０００５】その後、図１０に示すように、封止金型１
３，１４を用いて、リードフレームの上下両面側に同一
材質の樹脂３６、例えばポリイミド樹脂を流し込んで硬
化させるトランスファーモールドを行うことによりＰＧ
Ａ構造の樹脂封止型半導体装置を製造していた。
３，１４を用いて、リードフレームの上下両面側に同一
材質の樹脂３６、例えばポリイミド樹脂を流し込んで硬
化させるトランスファーモールドを行うことによりＰＧ
Ａ構造の樹脂封止型半導体装置を製造していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の半導体装置
では、リードフレームの上下両面側に同一種類の樹脂で
封止していたから、素子やワイヤが存在するリードフレ
ームの上面側に適した樹脂とその反対側のリードフレー
ムの下面側に適した樹脂とをそれぞれ選択して用いるこ
とができなかった。
では、リードフレームの上下両面側に同一種類の樹脂で
封止していたから、素子やワイヤが存在するリードフレ
ームの上面側に適した樹脂とその反対側のリードフレー
ムの下面側に適した樹脂とをそれぞれ選択して用いるこ
とができなかった。
【０００７】また従来技術の半導体装置の製造方法で
は、トランスファーモールド時に封止樹脂がリードフレ
ームの上下面側に注入されるが、その上面側と下面側と
で注入バランスが崩れた場合、リードフレームと封止金
型との接触面に隙間が生じ封止金型で固定されたリード
フレーム面に樹脂バリが付着し、その樹脂バリを除去す
る事が必須であった。
は、トランスファーモールド時に封止樹脂がリードフレ
ームの上下面側に注入されるが、その上面側と下面側と
で注入バランスが崩れた場合、リードフレームと封止金
型との接触面に隙間が生じ封止金型で固定されたリード
フレーム面に樹脂バリが付着し、その樹脂バリを除去す
る事が必須であった。
【０００８】また上記従来技術では予め外部リードピン
を取り付けたリードフレームを用いるから、リードフレ
ーム自体が煩雑になることが避けられなかった。
を取り付けたリードフレームを用いるから、リードフレ
ーム自体が煩雑になることが避けられなかった。
【０００９】本発明の目的は、リードフレームの上面側
と下面側とにそれぞれ適した樹脂を用いた半導体装置お
よびその半導体装置を得るための好ましい製造方法を提
供することである。
と下面側とにそれぞれ適した樹脂を用いた半導体装置お
よびその半導体装置を得るための好ましい製造方法を提
供することである。
【００１０】本発明の他の目的は、樹脂封止の際にリー
ドフレームの上面側と下面側とで樹脂の注入バランスが
崩れることのない半導体装置の製造方法を提供すること
である。
ドフレームの上面側と下面側とで樹脂の注入バランスが
崩れることのない半導体装置の製造方法を提供すること
である。
【００１１】本発明の別の目的は、リードフレーム自体
を煩雑にすることなく、リードフレームから樹脂を貫通
した外部端子を有するＰＧＡもしくはＢＧＡ型の半導体
装置生産性良く製造することができる製造方法を提供す
ることである。
を煩雑にすることなく、リードフレームから樹脂を貫通
した外部端子を有するＰＧＡもしくはＢＧＡ型の半導体
装置生産性良く製造することができる製造方法を提供す
ることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、リード
フレームの第１の主面（上面もしくは表面：以下、上
面、と称す）上に素子を搭載しワイヤ接続し、前記素子
およびワイヤを含んで樹脂封止した半導体装置におい
て、前記上面側を封止する樹脂と、前記上面と反対側の
第２の主面（下面もしくは裏面：以下、下面、と称す）
側を封止する樹脂とは異なる材質である半導体装置にあ
る。ここで、前記上面側の樹脂がポリイミド樹脂であり
前記下面側の樹脂がメラミン樹脂であることが好まし
い。また、前記リードフレームに接続した多数の外部端
子が前記下面側の樹脂をその厚さ方向を貫通して設けら
れてＰＧＡ型もしくはＢＧＡ型の半導体装置にすること
ができる。
フレームの第１の主面（上面もしくは表面：以下、上
面、と称す）上に素子を搭載しワイヤ接続し、前記素子
およびワイヤを含んで樹脂封止した半導体装置におい
て、前記上面側を封止する樹脂と、前記上面と反対側の
第２の主面（下面もしくは裏面：以下、下面、と称す）
側を封止する樹脂とは異なる材質である半導体装置にあ
る。ここで、前記上面側の樹脂がポリイミド樹脂であり
前記下面側の樹脂がメラミン樹脂であることが好まし
い。また、前記リードフレームに接続した多数の外部端
子が前記下面側の樹脂をその厚さ方向を貫通して設けら
れてＰＧＡ型もしくはＢＧＡ型の半導体装置にすること
ができる。
【００１３】本発明の他の特徴は、リードフレームの上
面上に素子を搭載しワイヤ接続し、前記素子およびワイ
ヤを含んで金型により樹脂封止する半導体装置の製造方
法において、前記上面側とその反対側の下面側を封止す
る樹脂コンパウンドを予め成形し、前記樹脂コンパウン
ドを前記リードフレームの前記下面に当接した状態で前
記リードフレームの上面側を金型を用いて樹脂封止する
半導体装置の製造方法にある。ここで、前記樹脂コンパ
ウンドには多数の外部端子が埋め込まれていることがで
きる。この場合、前記外部端子は金属リードピンであ
り、前記樹脂封止工程中に半田ペーストにより前記金属
リードピンと前記インナーリードとの接続が行われるこ
と、もしくは前記外部端子は半田材で構成され、前記樹
脂封止工程中に前記半田端子と前記インナーリードとの
接続が行われることが好ましい。あるいは、前記樹脂コ
ンパウンドには外部端子を挿入する多数のスルーホール
が形成されていることができる。この場合、前記樹脂封
止工程の後、前記スルーホールを通して前記リードフレ
ームのインナーリードに接続する半田端子を外部端子と
して形成することが好ましい。また、前記樹脂コンパウ
ンドはメラミン樹脂であり、前記上面側を金型を用いて
ポリイミド樹脂で樹脂封止することができる。あるい
は、前記樹脂コンパウンドはポリイミド樹脂であり、前
記上面側を金型を用いてポリイミド樹脂で樹脂封止する
ことができる。
面上に素子を搭載しワイヤ接続し、前記素子およびワイ
ヤを含んで金型により樹脂封止する半導体装置の製造方
法において、前記上面側とその反対側の下面側を封止す
る樹脂コンパウンドを予め成形し、前記樹脂コンパウン
ドを前記リードフレームの前記下面に当接した状態で前
記リードフレームの上面側を金型を用いて樹脂封止する
半導体装置の製造方法にある。ここで、前記樹脂コンパ
ウンドには多数の外部端子が埋め込まれていることがで
きる。この場合、前記外部端子は金属リードピンであ
り、前記樹脂封止工程中に半田ペーストにより前記金属
リードピンと前記インナーリードとの接続が行われるこ
と、もしくは前記外部端子は半田材で構成され、前記樹
脂封止工程中に前記半田端子と前記インナーリードとの
接続が行われることが好ましい。あるいは、前記樹脂コ
ンパウンドには外部端子を挿入する多数のスルーホール
が形成されていることができる。この場合、前記樹脂封
止工程の後、前記スルーホールを通して前記リードフレ
ームのインナーリードに接続する半田端子を外部端子と
して形成することが好ましい。また、前記樹脂コンパウ
ンドはメラミン樹脂であり、前記上面側を金型を用いて
ポリイミド樹脂で樹脂封止することができる。あるい
は、前記樹脂コンパウンドはポリイミド樹脂であり、前
記上面側を金型を用いてポリイミド樹脂で樹脂封止する
ことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に図面を参照して本発明を説明
する。
する。
【００１５】図１乃至図４は本発明の第１の実施の形態
に関する図であり、図１は樹脂コンパウンドを示す斜視
図（Ａ）および断面図（Ｂ）、図２は素子を搭載しワイ
ヤ接続した状態のリードフレームを示す平面図、図３は
トランスファーモールドの状態を示す断面図、図４は得
られた半導体装置をそれぞれ示す断面図（Ａ）および
（Ｂ）である。
に関する図であり、図１は樹脂コンパウンドを示す斜視
図（Ａ）および断面図（Ｂ）、図２は素子を搭載しワイ
ヤ接続した状態のリードフレームを示す平面図、図３は
トランスファーモールドの状態を示す断面図、図４は得
られた半導体装置をそれぞれ示す断面図（Ａ）および
（Ｂ）である。
【００１６】まず図１を参照して、メラミン樹脂からな
る樹脂コンパウンド１が予め金型により成形される。
る樹脂コンパウンド１が予め金型により成形される。
【００１７】この樹脂コンパウンド１は厚さが約１５０
ミクロンであり、リードフレームの素子を搭載しワイヤ
接続する上面とは反対側の下面の側を樹脂封止するもの
で、封止工程におけるトランスファーモールドの下金型
のキャビテイと同一の形状となっている。
ミクロンであり、リードフレームの素子を搭載しワイヤ
接続する上面とは反対側の下面の側を樹脂封止するもの
で、封止工程におけるトランスファーモールドの下金型
のキャビテイと同一の形状となっている。
【００１８】樹脂コンパウンド１には多数の外部端子３
がマトリックス状に配列して埋め込まれている。外部端
子３のリードフレームの下面に当接する一方の側はその
面（接続面）が樹脂コンパウンド１の一方の主面と一致
し、他方の側は樹脂コンパウンド１の他方の主面より突
出している。
がマトリックス状に配列して埋め込まれている。外部端
子３のリードフレームの下面に当接する一方の側はその
面（接続面）が樹脂コンパウンド１の一方の主面と一致
し、他方の側は樹脂コンパウンド１の他方の主面より突
出している。
【００１９】外部端子３の径（細い部分の径）は約０．
２ｍｍ以上、長さは約２００ミクロン程度であり、これ
が金属リードピン３Ａの場合はＰＧＡ型半導体装置とな
り、半田材３Ｂで構成し突出する箇所が半田ボールとな
る場合はＢＧＡ型半導体装置となる。
２ｍｍ以上、長さは約２００ミクロン程度であり、これ
が金属リードピン３Ａの場合はＰＧＡ型半導体装置とな
り、半田材３Ｂで構成し突出する箇所が半田ボールとな
る場合はＢＧＡ型半導体装置となる。
【００２０】図２を参照して、多数のインナーリード５
のそれぞれの端子取付部１２上に半田ペースト６を形成
し、アイランド（素子搭載部）の上面上に素子（半導体
ペレット）７をマウント搭載し、素子の電極とインナー
リード５のそれぞれの先端部とを金属細線のワイヤ８で
接続した状態のリードフレーム４を用意する。この半田
ペーストは樹脂コンパウンド１に埋め込まれた外部端子
の金属リードピン３Ａの接続面側に形成しておいても良
い。
のそれぞれの端子取付部１２上に半田ペースト６を形成
し、アイランド（素子搭載部）の上面上に素子（半導体
ペレット）７をマウント搭載し、素子の電極とインナー
リード５のそれぞれの先端部とを金属細線のワイヤ８で
接続した状態のリードフレーム４を用意する。この半田
ペーストは樹脂コンパウンド１に埋め込まれた外部端子
の金属リードピン３Ａの接続面側に形成しておいても良
い。
【００２１】次に、図３に示すように、封止金型（下
型）１３のキャビティ内にその形状と一致する、図１の
外部端子を埋め込んだ樹脂コンパウンド１を入れ、その
上に、図２の素子組立後のリードフレーム４とをセット
する。この際に、それぞれのインナーリードの端子取付
部１２の下面にそれに対応する金属リードピン３Ａの上
面（接続面）が半田ペースト６を介して当接するように
なっている。
型）１３のキャビティ内にその形状と一致する、図１の
外部端子を埋め込んだ樹脂コンパウンド１を入れ、その
上に、図２の素子組立後のリードフレーム４とをセット
する。この際に、それぞれのインナーリードの端子取付
部１２の下面にそれに対応する金属リードピン３Ａの上
面（接続面）が半田ペースト６を介して当接するように
なっている。
【００２２】そして封止金型（上型）１４をかぶせ、両
金型でリードフレームのインナーリードの外側の部分を
締め、ポリイミド樹脂９の注入するトランスファーモー
ルドすることにより、リードフレームの上面側を厚さ
（リードフレームからの高さ）が約６００ミクロンのポ
リイミド樹脂９により樹脂封止する。
金型でリードフレームのインナーリードの外側の部分を
締め、ポリイミド樹脂９の注入するトランスファーモー
ルドすることにより、リードフレームの上面側を厚さ
（リードフレームからの高さ）が約６００ミクロンのポ
リイミド樹脂９により樹脂封止する。
【００２３】この実施の形態において、予め樹脂コンパ
ウンド内に外部端子としての金属リードピン３Ａを用い
た際にはトランスファーモールド時の加熱が封入金型か
ら伝わり、半田ペースト６により金属リードピン３Ａは
このトランスファーモールド時にインナーリードの端子
取付部に固着され、図４（Ａ）に示すＰＧＡ型半導体装
置となる。
ウンド内に外部端子としての金属リードピン３Ａを用い
た際にはトランスファーモールド時の加熱が封入金型か
ら伝わり、半田ペースト６により金属リードピン３Ａは
このトランスファーモールド時にインナーリードの端子
取付部に固着され、図４（Ａ）に示すＰＧＡ型半導体装
置となる。
【００２４】同様に外部端子として半田材３Ｂを用いた
際も、トランスファーモールド時の熱によりインナーリ
ードの端子取付部に固着され、かつ樹脂封止部（樹脂コ
ンパウンド）から突出する部分が内部の径の約２倍の径
の半田ボールとなって図４（Ｂ）に示すＢＧＡ型半導体
装置となる。尚、半田材３Ｂの場合はリードフレーム上
の半田ペースト６の形成を省略することができる。
際も、トランスファーモールド時の熱によりインナーリ
ードの端子取付部に固着され、かつ樹脂封止部（樹脂コ
ンパウンド）から突出する部分が内部の径の約２倍の径
の半田ボールとなって図４（Ｂ）に示すＢＧＡ型半導体
装置となる。尚、半田材３Ｂの場合はリードフレーム上
の半田ペースト６の形成を省略することができる。
【００２５】次に図５乃至図７を参照して本発明の第２
の実施の形態を説明する。図５は樹脂コンパウンドを示
す斜視図（Ａ）および断面図（Ｂ）、図６は素子を搭載
しワイヤ接続した状態のリードフレームを示す平面図、
図３はトランスファーモールドの状態を示す断面図、図
７は得られた半導体装置を示す断面図である。
の実施の形態を説明する。図５は樹脂コンパウンドを示
す斜視図（Ａ）および断面図（Ｂ）、図６は素子を搭載
しワイヤ接続した状態のリードフレームを示す平面図、
図３はトランスファーモールドの状態を示す断面図、図
７は得られた半導体装置を示す断面図である。
【００２６】まず図５を参照して、メラミン樹脂からな
る厚さが約１５０ミクロンで封止工程におけるトランス
ファーモールドの下金型のキャビテイと同一の形状の樹
脂コンパウンド２１が予め金型により成形される。
る厚さが約１５０ミクロンで封止工程におけるトランス
ファーモールドの下金型のキャビテイと同一の形状の樹
脂コンパウンド２１が予め金型により成形される。
【００２７】樹脂コンパウンド２１には径が約０．２ｍ
ｍ以上の多数のスルーホール２３がマトリックス状に配
列して形成されている。
ｍ以上の多数のスルーホール２３がマトリックス状に配
列して形成されている。
【００２８】次に図６に示すように、封止金型（下型）
１３のキャビティ内にその形状と一致する樹脂コンパウ
ンド２１を入れる。またこの封止金型にはスルーホール
２３と対応する多数の突起部１１が形成されており、そ
れぞれのスルーホール２３に突起部１１を挿入すること
により、トランスファー工程において上面側を封止する
樹脂によりスルーホール２３が充填されないようにして
おく。
１３のキャビティ内にその形状と一致する樹脂コンパウ
ンド２１を入れる。またこの封止金型にはスルーホール
２３と対応する多数の突起部１１が形成されており、そ
れぞれのスルーホール２３に突起部１１を挿入すること
により、トランスファー工程において上面側を封止する
樹脂によりスルーホール２３が充填されないようにして
おく。
【００２９】そして図２と同様の素子組立後のリードフ
レーム４をセットする。この場合、半田ペースト６の形
成を省略することができる。また、それぞれの端子取付
部１２がそれに対応するスルーホール２３上に位置する
ようになっている。
レーム４をセットする。この場合、半田ペースト６の形
成を省略することができる。また、それぞれの端子取付
部１２がそれに対応するスルーホール２３上に位置する
ようになっている。
【００３０】そして図３と同様にしてポリイミド樹脂９
の注入するトランスファーモールドを行うことにより、
リードフレームの上面側を厚さ（リードフレームからの
高さ）が約６００ミクロンのポリイミド樹脂９により樹
脂封止する。
の注入するトランスファーモールドを行うことにより、
リードフレームの上面側を厚さ（リードフレームからの
高さ）が約６００ミクロンのポリイミド樹脂９により樹
脂封止する。
【００３１】その後、封止金型１３，１４から樹脂封止
された半製品を取り出し、半田処理を行うことによりそ
れぞれの端子取付部１２に接続し、スルーホール２３を
充填し、樹脂コンパウンド１の面部分がスルーホールの
径の約２倍の半田ボールとなっている多数の半田端子３
Ｂ（３）を一括して形成することにより、図７に示すＢ
ＧＡ型半導体装置を得る。
された半製品を取り出し、半田処理を行うことによりそ
れぞれの端子取付部１２に接続し、スルーホール２３を
充填し、樹脂コンパウンド１の面部分がスルーホールの
径の約２倍の半田ボールとなっている多数の半田端子３
Ｂ（３）を一括して形成することにより、図７に示すＢ
ＧＡ型半導体装置を得る。
【００３２】上記した第１および第２の実施の形態にお
いて、リードフレームの下面側の樹脂封止は予め形成さ
れてある樹脂コンパウンド１、２１で行われ、樹脂コン
パウンド１、２１を封止金型（下型）１３にセットした
後、トランスファーモールドするため、トランスファー
モールド時に注入される樹脂９の圧力は封入金型（上
型）１４内に主に働き、予めセットされた素子組立後の
リードフレームのリードが上から下へ予めセットされた
樹脂コンパウンドの方へ押さえ込まれるため、リードフ
レームと封入金型（下型）とがより密着し、樹脂バリ形
成を防ぐことができる。またこのようにトランスファー
モールド時にリードフレームの下面が樹脂コンパウンド
１、２１により支持されているから、上方からの封入樹
脂の圧力により素子を搭載しているアイランドやワイヤ
が接続されているインナーリードが不所望に下方に移動
することが防止される。
いて、リードフレームの下面側の樹脂封止は予め形成さ
れてある樹脂コンパウンド１、２１で行われ、樹脂コン
パウンド１、２１を封止金型（下型）１３にセットした
後、トランスファーモールドするため、トランスファー
モールド時に注入される樹脂９の圧力は封入金型（上
型）１４内に主に働き、予めセットされた素子組立後の
リードフレームのリードが上から下へ予めセットされた
樹脂コンパウンドの方へ押さえ込まれるため、リードフ
レームと封入金型（下型）とがより密着し、樹脂バリ形
成を防ぐことができる。またこのようにトランスファー
モールド時にリードフレームの下面が樹脂コンパウンド
１、２１により支持されているから、上方からの封入樹
脂の圧力により素子を搭載しているアイランドやワイヤ
が接続されているインナーリードが不所望に下方に移動
することが防止される。
【００３３】また予め形成してある樹脂コンパウンド
１、２１はトランスファーモールド時の熱圧着作用によ
りその表面部分が溶けてリードフレームとの良好な固着
が可能になる。
１、２１はトランスファーモールド時の熱圧着作用によ
りその表面部分が溶けてリードフレームとの良好な固着
が可能になる。
【００３４】またいずれの実施の形態においても、予め
外部端子を固着した煩雑のリードフレームを用いる必要
がなく、一般的なリードフレームを用いても樹脂コンパ
ウンドを予め設けておくだけで、第１の実施の形態では
トランスファーモールド時に全ての外部端子の接続を可
能にし、第２の実施の形態ではトランスファーモールド
後に全ての外部端子の形成・接続を一括して行うことを
可能にするから生産性のよいものとなる。
外部端子を固着した煩雑のリードフレームを用いる必要
がなく、一般的なリードフレームを用いても樹脂コンパ
ウンドを予め設けておくだけで、第１の実施の形態では
トランスファーモールド時に全ての外部端子の接続を可
能にし、第２の実施の形態ではトランスファーモールド
後に全ての外部端子の形成・接続を一括して行うことを
可能にするから生産性のよいものとなる。
【００３５】さらにいずれの実施の形態においても、リ
ードフレームの下面側を封止する樹脂コンパウンド１は
ポリイミド樹脂より水分耐湿性が良好なメラミン樹脂を
用いている。他方、リードフレームの上面側には素子が
搭載されワイヤ接続されている。したがって水分耐湿性
以外のパッシベーション効果、トランスファーモールド
時の流動性やその後の応力等を考慮するとリードフレー
ムの上面側を封止する樹脂はメラミン樹脂よりポリイミ
ド樹脂が好ましいからこれを用いている。
ードフレームの下面側を封止する樹脂コンパウンド１は
ポリイミド樹脂より水分耐湿性が良好なメラミン樹脂を
用いている。他方、リードフレームの上面側には素子が
搭載されワイヤ接続されている。したがって水分耐湿性
以外のパッシベーション効果、トランスファーモールド
時の流動性やその後の応力等を考慮するとリードフレー
ムの上面側を封止する樹脂はメラミン樹脂よりポリイミ
ド樹脂が好ましいからこれを用いている。
【００３６】このようにリードフレームの上面側と下面
側の樹脂の材質を使い分けることにより高品質・高信頼
性の半導体装置が得られる。
側の樹脂の材質を使い分けることにより高品質・高信頼
性の半導体装置が得られる。
【００３７】しかし半導体装置の種類によっては、樹脂
コンパウンドと上面側封止樹脂を同じ材質の樹脂、例え
ば両者をポリイミド樹脂で構成することができる。この
場合も上記した製造方法に関する効果は実施の形態と同
じである。
コンパウンドと上面側封止樹脂を同じ材質の樹脂、例え
ば両者をポリイミド樹脂で構成することができる。この
場合も上記した製造方法に関する効果は実施の形態と同
じである。
【００３８】
【発明の効果】本発明によればリードフレームの一方の
面側を封止する樹脂コンパウンドを予め形成しておくか
ら、リードフレームの上面側および下面側にそれぞれ適
した樹脂を用いることができ、これにより高品質・高信
頼性の半導体装置を得ることができる。
面側を封止する樹脂コンパウンドを予め形成しておくか
ら、リードフレームの上面側および下面側にそれぞれ適
した樹脂を用いることができ、これにより高品質・高信
頼性の半導体装置を得ることができる。
【００３９】また、リードフレームの一方の面側を封止
する樹脂コンパウンドを予め形成しておくから、トラン
スファーモールド時にリードフレームの両面側間での樹
脂注入バランスの崩れによる樹脂バリの発生を防止し、
かつリードフレームの下方向への不所望な移動を防止す
ることができる。
する樹脂コンパウンドを予め形成しておくから、トラン
スファーモールド時にリードフレームの両面側間での樹
脂注入バランスの崩れによる樹脂バリの発生を防止し、
かつリードフレームの下方向への不所望な移動を防止す
ることができる。
【００４０】さらに外部端子を埋設した樹脂コンパウン
ドもしくは外部端子形成用のスルーホールを設けた樹脂
コンパウンドを用いているから、リードフレーム自体を
煩雑にすることなくＰＧＡ型もしくはＢＧＡ型の半導体
装置を高い生産性で製造することができる。
ドもしくは外部端子形成用のスルーホールを設けた樹脂
コンパウンドを用いているから、リードフレーム自体を
煩雑にすることなくＰＧＡ型もしくはＢＧＡ型の半導体
装置を高い生産性で製造することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の樹脂コンパウンド
を示す図あり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図であ
る。
を示す図あり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図であ
る。
【図２】本発明の実施の形態の用いる素子を搭載しワイ
ヤ接続した状態のリードフレームを示す平面図である。
ヤ接続した状態のリードフレームを示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態のトランスファーモ
ールドを示す断面図である。
ールドを示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による半導体装置を
示す断面図であり、（Ａ）はＰＧＡ型の半導体装置、
（Ｂ）はＢＧＡ型である。
示す断面図であり、（Ａ）はＰＧＡ型の半導体装置、
（Ｂ）はＢＧＡ型である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の樹脂コンパウンド
を示す図あり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図であ
る。
を示す図あり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図であ
る。
【図６】本発明の第２の実施の形態のトランスファーモ
ールドを示す断面図である。
ールドを示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態による半導体装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】素子を搭載しワイヤ接続した状態の従来技術の
リードフレームを示す平面図である。
リードフレームを示す平面図である。
【図９】素子を搭載しワイヤ接続した状態の従来技術の
リードフレームを示す図であり、（Ａ）は貫通孔に外部
端子を固着する前の断面図、（Ｂ）は貫通孔に外部端子
を固着した後の断面図である。
リードフレームを示す図であり、（Ａ）は貫通孔に外部
端子を固着する前の断面図、（Ｂ）は貫通孔に外部端子
を固着した後の断面図である。
【図１０】従来技術のトランスファーモールドを示す断
面図である。
面図である。
１ 樹脂コンパウンド（下面側封止樹脂） ３ 外部端子 ３Ａ 金属リードピン ３Ｂ 半田材（半田ボール） ４ リードフレーム ５ インナーリード ６ 半田ペースト ７ 素子 ８ ワイヤ ９ 上面側封止樹脂 １１ 突起部 １２ 端子取付部 １３ 封止金型（下型） １４ 封止金型（上型） ２１ 樹脂コンパウンド（下面側封止樹脂） ２３ スルーホール ３１ リードフレーム ３２ インナーリード ３３ 端子取付部 ３４ 外部端子 ３５ 貫通孔 ３６ 封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/12 // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (11)
- 【請求項１】 リードフレームの第１の主面上に素子を
搭載しワイヤ接続し、前記素子およびワイヤを含んで樹
脂封止した半導体装置において、前記第１の主面側を封
止する樹脂と、前記第１の主面と反対側の第２の主面側
を封止する樹脂とは異なる材質であることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 前記第１の主面側の樹脂がポリイミド樹
脂であり前記第２の主面側の樹脂がメラミン樹脂である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記リードフレームに接続した多数の外
部端子が前記第２の主面側の樹脂をその厚さ方向を貫通
して設けられていることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置。 - 【請求項４】 リードフレームの第１の主面上に素子を
搭載しワイヤ接続し、前記素子およびワイヤを含んで金
型により樹脂封止する半導体装置の製造方法において、
前記第１の主面と反対側の第２の主面側を封止する樹脂
コンパウンドを予め成形し、前記樹脂コンパウンドを前
記リードフレームの前記第２の主面に当接した状態で前
記リードフレームの第１の主面側を金型を用いて樹脂封
止することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記樹脂コンパウンドには多数の外部端
子が埋め込まれていることを特徴とする請求項４記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記外部端子は金属リードピンであり、
前記樹脂封止工程中に半田ペーストにより前記金属リー
ドピンと前記インナーリードとの接続が行われることを
特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記外部端子は半田材により構成され、
前記樹脂封止工程中に前記半田材と前記インナーリード
との接続が行われることを特徴とする請求項５記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記樹脂コンパウンドには外部端子を挿
入する多数のスルーホールが形成されていることを特徴
とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記樹脂封止工程の後、前記スルーホー
ルを通して前記リードフレームのインナーリードに接続
する半田端子が外部端子として形成することを特徴とす
る請求項８記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記樹脂コンパウンドはメラミン樹脂
であり、前記第１の主面側を金型を用いてポリイミド樹
脂で樹脂封止することを特徴とする請求項４記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記樹脂コンパウンドはポリイミド樹
脂であり、前記第１の主面側を金型を用いてポリイミド
樹脂で樹脂封止することを特徴とする請求項４記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26208497A JP3076282B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26208497A JP3076282B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11103001A true JPH11103001A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3076282B2 JP3076282B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=17370814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26208497A Expired - Lifetime JP3076282B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076282B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277526A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ピン付き基板およびその製造方法ならびに半導体製品 |
| WO2020129195A1 (ja) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-09-26 JP JP26208497A patent/JP3076282B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277526A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ピン付き基板およびその製造方法ならびに半導体製品 |
| US8188589B2 (en) | 2007-04-27 | 2012-05-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Substrate with pin, manufacturing method thereof, and semiconductor product |
| WO2020129195A1 (ja) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
| JP6738968B1 (ja) * | 2018-12-19 | 2020-08-12 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
| US10957630B2 (en) | 2018-12-19 | 2021-03-23 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3076282B2 (ja) | 2000-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7507606B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| KR100462105B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치의 제조방법 | |
| US6812063B2 (en) | Semiconductor package and fabricating method thereof | |
| JP3793628B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR101054602B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2000323623A (ja) | 半導体装置 | |
| CN101611484A (zh) | 无引脚半导体封装及其制造方法 | |
| JPH11260856A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造 | |
| US6255742B1 (en) | Semiconductor package incorporating heat dispersion plate inside resin molding | |
| JP2000294715A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3866127B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US7572674B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3076282B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3404438B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2954108B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2555931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4747188B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001077275A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2944591B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06350009A (ja) | 半導体装置の製造方法及びリードフレーム | |
| JP4313407B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002313827A (ja) | 半導体実装用パッケージの製造方法及び半導体実装用パッケージ製造用の金型 | |
| JPH09134929A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法およびそれに用いるモールド装置ならびにリードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置 | |
| JPH1092967A (ja) | 底面突起状端子配列型集積回路装置及びその製造方法 | |
| JP2001077271A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000523 |