JPH09134929A - 半導体集積回路装置の製造方法およびそれに用いるモールド装置ならびにリードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置の製造方法およびそれに用いるモールド装置ならびにリードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置

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JPH09134929A
JPH09134929A JP29071495A JP29071495A JPH09134929A JP H09134929 A JPH09134929 A JP H09134929A JP 29071495 A JP29071495 A JP 29071495A JP 29071495 A JP29071495 A JP 29071495A JP H09134929 A JPH09134929 A JP H09134929A
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JP
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frame
lead
lead frame
molds
resin
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JP29071495A
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English (en)
Inventor
Yoshihiko Shimanuki
好彦 嶋貫
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Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造工数を削減し、リードフレームの価格を
低減する半導体集積回路装置の製造方法およびそれに用
いるモールド装置ならびにリードフレームおよびそれを
用いた半導体集積回路装置を提供する。 【解決手段】 相互に対向して設置されかつ双方の型合
わせにより半導体集積回路装置の樹脂本体部に対応した
形状のキャビティ7a,8aを形成する下金型7および
上金型8と、下金型7および上金型8の両方の各々の型
合わせ面7b,8bにおけるキャビティ外周部7c,8
cに、枠内周部9bがキャビティ7a,8aを囲んで取
り付けられた枠状の耐熱性シリコンゴム9とを有し、下
金型7と上金型8による型合わせ時に、半導体チップを
搭載したリードフレーム2の隣接するリード部2c間の
間隙2gに耐熱性シリコンゴム9が入り込んでダム部9
aを形成して樹脂封止を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、樹脂封止するモールド工程を有する半導体
集積回路装置の製造方法およびモールド装置ならびにリ
ードフレームおよび半導体集積回路装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【0003】半導体集積回路装置の構成部材の1つであ
るリードフレームは、複数本の隣接するリード部を連結
しかつ樹脂封止時に樹脂流出を防止するダムバーを有し
ている。
【0004】このダムバーには、リードフレームと一体
で形成され、さらに、樹脂封止後のリードフレームの切
断成形時に一緒に切断されるものや、絶縁性の樹脂部材
またはテープ部材などによって形成され、後からリード
フレームに取り付けられるものがある。
【0005】なお、ダムバーを有したリードフレームに
ついては、例えば、特開昭55−21128号公報に開
示されている。
【0006】また、熱硬化性樹脂によって半導体チップ
を封止する樹脂封止形のQFP(Quad Flat Package) タ
イプのような半導体集積回路装置を組み立てる組立プロ
セスには、樹脂成形装置つまりモールド装置として、例
えば、特開昭52−95765号公報に記載されるよう
なトランスファーモールド装置が用いられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術のようなダムバーを有するリードフレームにおいて、
ダムバーがリードフレームと一体で形成されている場
合、樹脂封止後にダムバーを切断する後加工が必要とな
り、さらに、切断部分に外装めっきを行う場合、めっき
処理の前にダムバーの切断を行わなければならないとい
う問題がある。
【0008】また、樹脂部材やテープ部材からなるダム
バーの場合、リードフレームに取り付ける追加工が必要
となり、リードフレームの価格が高くなるという問題が
発生する。
【0009】本発明の目的は、製造工数を削減し、か
つ、リードフレームの価格を低減する半導体集積回路装
置の製造方法およびそれに用いるモールド装置ならびに
リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置
を提供することにある。
【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0011】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0012】すなわち、本発明による半導体集積回路装
置の製造方法は、複数本の隣接するリード部がダムバー
によって連結されずに前記リード部の基端部だけで枠部
に連結しかつ搭載後の半導体チップの電極と前記リード
部とが電気的に接続されたリードフレームを準備し、一
方もしくは両方の型合わせ面におけるキャビティ外周部
に枠状の耐熱性弾性部材の枠内周部がキャビティを囲ん
で取り付けられた第1または第2金型の間に前記リード
フレームを載置し、前記第1および第2金型を型合わせ
することにより前記リードフレームの隣接するリード部
間の間隙に前記耐熱性弾性部材を入り込ませてダム部を
形成し、前記第1および第2金型のキャビティ内に封止
用の樹脂を注入して樹脂封止を行うものである。
【0013】また、本発明によるモールド装置は、相互
に対向して設置されかつ双方の型合わせにより半導体集
積回路装置の樹脂本体部に対応した形状のキャビティを
形成する第1および第2金型と、前記第1または第2金
型の何れか一方の型合わせ面もしくは両方の型合わせ面
におけるキャビティ外周部に枠内周部が前記キャビティ
を囲んで取り付けられた枠状の耐熱性弾性部材とを有
し、前記第1および第2金型による型合わせ時に前記半
導体チップを搭載したリードフレームの隣接するリード
部間の間隙に前記耐熱性弾性部材が入り込んでダム部を
形成して樹脂封止が行われるものである。
【0014】これにより、耐熱性弾性部材がダム部を形
成するため、樹脂封止時に樹脂の流出を防止することが
できる。
【0015】したがって、ダムバーを有さないリードフ
レームを実現することが可能になるため、リードフレー
ムと一体に形成されたダムバーの切断工程、あるいは樹
脂部材やテープ部材からなるダムバーの取り付け工程を
省略することができる。
【0016】さらに、ダムバーを有さないリードフレー
ムを実現することが可能になるため、リードフレームの
価格を低減することができる。
【0017】また、本発明によるモールド装置は、相互
に対向して設置されかつ双方の型合わせにより半導体集
積回路装置の樹脂本体部に対応した形状のキャビティを
形成する第1および第2金型と、前記第1または第2金
型の何れか一方の型合わせ面もしくは両方の型合わせ面
におけるキャビティ外周部に前記キャビティを囲んで取
り付けられかつ前記第1および第2金型の型合わせ時に
前記半導体チップを搭載したリードフレームの隣接する
リード部間の間隙に入り込むように配置された複数個の
微小耐熱性弾性部材とを有し、前記第1および第2金型
による型合わせ時に前記半導体チップを搭載したリード
フレームの隣接するリード部間の間隙に前記微小耐熱性
弾性部材が入り込んでダム部を形成して樹脂封止が行わ
れるものである。
【0018】なお、本発明によるモールド装置は、前記
耐熱性弾性部材または前記微小耐熱性弾性部材が多層構
造によって形成され、前記多層構造は、前記耐熱性弾性
部材または前記微小耐熱性弾性部材が取り付けられる型
合わせ面から離れるほど硬度の異なった部材からなるも
のである。
【0019】また、本発明によるリードフレームは、四
辺形をなす枠部を有し、相互に平行となった少なくとも
2つの枠部に設けられて前記四辺形の内方に向けて延び
る複数本のリード部を、隣接する前記リード部を連結す
るダムバーを有することなく、各々の基端部だけで前記
枠部に連結したものである。
【0020】さらに、本発明による半導体集積回路装置
は、半導体チップが搭載されかつ複数本の隣接するリー
ド部がダムバーによって連結されずに前記リード部の基
端部だけで枠部に連結したリードフレームと、前記半導
体チップおよびその周辺部を樹脂封止して形成された樹
脂本体部とを有するものである。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
【0022】図1は本発明によるリードフレームの構造
の実施の形態の一例を示す部分平面図、図2は本発明に
よる半導体集積回路装置の構造の実施の形態の一例を示
す図であり、(a)は断面図、(b) はリードフレーム
切断成形前の構造を表す部分平面図、図3は本発明によ
るモールド装置の第1金型および耐熱性弾性部材の構造
の実施の形態の一例を示す部分斜視図、図4は本発明の
モールド装置における型合わせ時の構造の実施の形態の
一例を示す図であり、(a)は部分断面図、(b)は
(a)におけるA−A断面を表す部分断面図である。
【0023】図1および図2を用いて、本実施の形態の
リードフレーム2の構成について説明すると、リードフ
レーム2は四辺形をなす枠部2aを有し、かつ半導体チ
ップ1が搭載されるものであり、相互に平行となった少
なくとも2つの枠部2aに設けられて前記四辺形の内方
2bに向けて延びる複数本のリード部2cを、隣接する
リード部2cを連結するダムバーを有することなく、各
々の基端部2dだけで枠部2aに連結した構造をなす。
【0024】つまり、リードフレーム2には、隣接する
リード部2cを連結しかつ樹脂封止時に封止用の樹脂4
の流出を防止する前記ダムバーが設けられていない。
【0025】なお、本実施の形態のリードフレーム2
は、4つの枠部2aによって前記四辺形を形成する場合
のものである。
【0026】また、前記四辺形の内方2bの中央付近に
は、半導体チップ1を保持するタブ2eが設けられ、タ
ブ2eは4方向からのタブ吊りリード2fによって支持
されている。
【0027】したがって、本実施の形態のリードフレー
ム2は、QFPタイプの半導体集積回路装置に用いられ
るものである。ただし、QFPタイプ以外の半導体集積
回路装置、例えば、SOP(Small Outline Package)タ
イプの半導体集積回路装置などに用いられるリードフレ
ーム2であってもよく、さらに、その他のタイプの半導
体集積回路装置に用いられるものであってもよい。
【0028】次に、本実施の形態による半導体集積回路
装置の構成について説明する。
【0029】なお、前記半導体集積回路装置は本実施の
形態のリードフレーム2を用いたものであり、半導体チ
ップ1が搭載されかつ複数本の隣接するリード部2cが
前記ダムバーによって連結されずにリード部2cの基端
部2dだけで枠部2aに連結したリードフレーム2と、
半導体チップ1およびその周辺部を樹脂封止して形成さ
れた樹脂本体部5とからなる。
【0030】つまり、前記半導体集積回路装置は前記ダ
ムバーを有していないリードフレーム2のタブ2eに銀
ペーストなどの接合剤6を介して半導体チップ1を固定
し、さらに、半導体チップ1の回路形成面1aの電極1
bとリード部2cの先端部2hとをボンディングワイヤ
3によって電気的に接続した後、半導体チップ1とその
周辺部を封止用の樹脂4によって封止したものである。
【0031】ここで、ボンディングワイヤ3は、その代
わりとしてはんだバンプなどを用いてもよい。
【0032】さらに、樹脂4は、例えば、熱硬化性のも
のである。
【0033】また、前記半導体集積回路装置はQFPタ
イプのものであるが、前記ダムバーを有していないリー
ドフレーム2を用いたものであれば、SOPのような他
のタイプの半導体集積回路装置であってもよい。
【0034】次に、図1〜図4を用いて、本実施の形態
によるモールド装置の構成について説明すると、相互に
対向して設置されかつ双方の型合わせにより半導体集積
回路装置の樹脂本体部5に対応した形状のキャビティ7
a,8aを形成する第1金型である下金型7および第2
金型である上金型8と、下金型7および上金型8の両方
の各々の型合わせ面7b,8bにおけるキャビティ外周
部7c,8cに、枠内周部9bがキャビティ7a,8a
を囲んで取り付けられた枠状の耐熱性弾性部材である耐
熱性シリコンゴム9とを有している。
【0035】なお、前記モールド装置は、下金型7と上
金型8による型合わせ時に、半導体チップ1を搭載した
リードフレーム2の隣接するリード部2c間の間隙2g
に耐熱性シリコンゴム9が入り込んでダム部9aを形成
して樹脂封止が行われるものである。
【0036】すなわち、型合わせ後の樹脂封止時に、リ
ードフレーム2のリード部2c間における間隙2gを耐
熱性シリコンゴム9が塞ぎ、樹脂4の流出を阻止するダ
ム部9aを形成するものである。
【0037】ここで、耐熱性シリコンゴム9は、下金型
7および上金型8の両方に取り付けられていなくても、
何れか一方の型合わせ面7bもしくは型合わせ面8bに
取り付けられていてもよい。
【0038】さらに、本実施の形態によるモールド装置
では、耐熱性シリコンゴム9がキャビティ7aもしくは
キャビティ8aのすぐ近くのキャビティ外周部7cまた
はキャビティ外周部8cに取り付けられている。
【0039】また、耐熱性弾性部材は耐熱性シリコンゴ
ム9に限らず、200℃〜300℃程度の高温に耐えら
れ、かつ所定の柔軟性を有しているものであれば、他の
材料によって形成されるものであってもよい。
【0040】次に、本実施の形態による半導体集積回路
装置の製造方法について説明する。
【0041】なお、前記半導体集積回路装置の製造方法
は、前記ダムバーを有していないリードフレーム2を用
いた半導体集積回路装置の製造方法である。
【0042】まず、複数本の隣接するリード部2cが前
記ダムバーによって連結されずにリード部2cの基端部
2dだけで枠部2aに連結しかつ半導体チップ1を搭載
した後にリード部2cの先端部2hと半導体チップ1の
電極1bとを電気的に接続したリードフレーム2を準備
する。
【0043】さらに、相互に対向して設置されかつ下金
型7および上金型8の両方の各々の型合わせ面7b,8
bにおけるキャビティ外周部7c,8cに枠状の耐熱性
シリコンゴム9の枠内周部9bがキャビティ7a,8a
を囲んで取り付けられた下金型7または上金型8の間に
リードフレーム2を載置する。
【0044】その後、下金型7および上金型8を型合わ
せ(型閉め)することにより、リードフレーム2の隣接
するリード部2c間の間隙2gに耐熱性シリコンゴム9
を入り込ませ、耐熱性シリコンゴム9によってダム部9
aを形成する。
【0045】続いて、下金型7のキャビティ7a内およ
び上金型8のキャビティ8a内に封止用の樹脂4を注入
して樹脂封止を行う。
【0046】この時、リードフレーム2のリード部2c
間の間隙2gに耐熱性シリコンゴム9が入り込んで、ダ
ム部9aを形成しているため、樹脂4の流出を阻止でき
る。
【0047】これにより、本実施の形態による半導体集
積回路装置の樹脂成形を行うことができる。
【0048】本実施の形態による半導体集積回路装置の
製造方法およびモールド装置ならびにリードフレームお
よびそれを用いた半導体集積回路装置によれば、以下の
ような作用効果が得られる。
【0049】すなわち、下金型7または上金型8の両方
の各々の型合わせ面7b,8bにおけるキャビティ外周
部7c,8cに、キャビティ7a,8aを囲むように取
り付けられた枠状の耐熱性シリコンゴム9を有すること
により、下金型7および上金型8による型合わせ時に、
リードフレーム2の隣接するリード部2c間の間隙2g
に耐熱性シリコンゴム9が入り込んでダム部9aを形成
して樹脂封止を行うことができる。
【0050】これにより、耐熱性シリコンゴム9がダム
部9aを形成するため、樹脂封止時に樹脂4の流出を防
止することができる。
【0051】したがって、予めダムバーを有さないリー
ドフレーム2を実現することが可能になるため、リード
フレーム2と一体に形成された前記ダムバーの切断工
程、あるいは樹脂部材やテープ部材からなる前記ダムバ
ーの取り付け工程を省略することができ、リードフレー
ム2または半導体集積回路装置の製造工数を削減するこ
とができる。
【0052】さらに、予め前記ダムバーを有さないリー
ドフレーム2を実現することが可能になるため、リード
フレーム2の価格を低減することができる。
【0053】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
【0054】例えば、前記実施の形態によるモールド装
置では、第1または第2金型の何れか一方の型合わせ面
もしくは両方の型合わせ面にキャビティを囲むように枠
状の耐熱性弾性部材が取り付けられた場合について説明
したが、図5に示す他の実施の形態のように小さな微小
耐熱性弾性部材である微小耐熱性シリコンゴム10を、
図4(a)に示すキャビティ7aまたはキャビティ8a
の周囲に取り付けてもよい。
【0055】図1〜図5を用いて、この場合のモールド
装置の構成について説明すると、相互に対向して設置さ
れかつ双方の型合わせにより半導体集積回路装置の樹脂
本体部5に対応した形状のキャビティ7a,8aを形成
する第1金型である下金型7および第2金型である上金
型8と、下金型7および上金型8の両方の型合わせ面7
b,8bにおけるキャビティ外周部7c,8cにキャビ
ティ7a,8aを囲んで取り付けられ、かつ下金型7お
よび上金型8の型合わせ時に半導体チップ1を搭載した
リードフレーム2の隣接するリード部2c間の間隙2g
に入り込むように配置された複数個の微小耐熱性シリコ
ンゴム10とを有しており、下金型7および上金型8に
よる型合わせ時に、半導体チップ1を搭載したリードフ
レーム2の隣接するリード部2c間の間隙2gに微小耐
熱性シリコンゴム10が入り込んでダム部10aを形成
して樹脂封止が行われるものである。
【0056】ここで、微小耐熱性シリコンゴム10は、
下金型7および上金型8の両方に取り付けられていなく
ても、何れか一方の型合わせ面7bもしくは型合わせ面
8bに取り付けられていてもよい。
【0057】さらに、前記モールド装置では、複数個の
微小耐熱性シリコンゴム10が、キャビティ7aもしく
はキャビティ8aのすぐ近くのキャビティ外周部7cま
たはキャビティ外周部8cに取り付けられている。
【0058】また、前記微小耐熱性弾性部材は微小耐熱
性シリコンゴム10に限らず、200℃〜300℃程度
の高温に耐えられ、かつ所定の柔軟性を有しているもの
であれば、他の材料によって形成されるものであっても
よい。
【0059】続いて、微小耐熱性シリコンゴム10を用
いた場合の半導体集積回路装置の製造方法について説明
する。
【0060】まず、複数本の隣接するリード部2cがダ
ムバーによって連結されずにリード部2cの基端部2d
だけで枠部2aに連結しかつ搭載後の半導体チップ1の
電極1bとリード部2cとが電気的に接続されたリード
フレーム2を準備する。
【0061】さらに、型合わせ面7b,8bにおけるキ
ャビティ外周部7c,8cに、複数個の微小耐熱性シリ
コンゴム10が型合わせ時にリードフレーム2の隣接す
るリード部2c間の間隙2gに入り込むようにキャビテ
ィ7a,8aを囲んで取り付けられた下金型7または上
金型8の間にリードフレーム2を載置する。
【0062】その後、下金型7および上金型8を型合わ
せすることにより、リードフレーム2のリード部2c間
の間隙2gに微小耐熱性シリコンゴム10を入り込ませ
てダム部10aを形成する。
【0063】さらに、下金型7のキャビティ7a内およ
び上金型8のキャビティ8a内に封止用の樹脂4を注入
して樹脂封止を行う。
【0064】これにより、前記半導体集積回路装置の樹
脂成形を行うことができる。
【0065】また、図6に示す他の実施の形態のよう
に、耐熱性弾性部材である耐熱性シリコンゴム9を多層
構造(図6に示す構造は2層構造)によって形成しても
よく、前記多層構造は、耐熱性シリコンゴム9が取り付
けられる型合わせ面7b,8bから離れるほど柔軟な部
材からなる。
【0066】すなわち、耐熱性シリコンゴム9が2層構
造以上の多層構造によって形成され、耐熱性シリコンゴ
ム9が取り付けられる型合わせ面7b,8bから離れる
ほど硬度の異なった部材であることにより、型合わせ時
にリードフレーム2のリード部2cにかかる荷重を制御
することができる。
【0067】これにより、リードフレーム2のリード部
2cの変形を低減することができる。
【0068】さらに、耐熱性シリコンゴム9が多層構造
によって形成されることにより、価格の高い弾性部材と
価格の安い弾性部材とを組み合わせて耐熱性シリコンゴ
ム9を形成することができる。
【0069】その結果、耐熱性シリコンゴム9を比較的
安価に製造することができる。
【0070】なお、前記多層構造については、耐熱性シ
リコンゴム9だけでなく、図5に示した微小耐熱性弾性
部材である微小耐熱性シリコンゴム10に関しても同様
に用いられることは言うまでもない。
【0071】また、前記実施の形態および他の実施の形
態によるモールド装置では、前記耐熱性弾性部材または
前記微小耐熱性弾性部材が、下金型7または上金型8の
キャビティ7a,8aのすぐ近くのキャビティ外周部7
cまたはキャビティ外周部8cに取り付けられた場合を
説明したが、型合わせ時に、樹脂4の流出を防ぐことが
できれば、前記耐熱性弾性部材または前記微小耐熱性弾
性部材は、下金型7または上金型8においてキャビティ
7a,8aから離れた箇所に取り付けられていてもよ
い。
【0072】さらに、前記実施の形態および他の実施の
形態によるモールド装置では、第1金型が下金型7で、
第2金型が上金型8の場合を説明したが、前記モールド
装置は前記関係と反対に、第1金型が上金型8で、第2
金型が下金型7であってもよい。
【0073】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0074】(1).第1および第2金型による型合わ
せ時に、リードフレームの隣接するリード部間の間隙に
第1または第2金型に取り付けられた耐熱性弾性部材が
入り込んでダム部を形成して樹脂封止を行うことができ
るため、樹脂封止時に樹脂の流出を防止することができ
る。これにより、ダムバーを有さないリードフレームを
実現することが可能になるため、リードフレームと一体
に形成されたダムバーの切断工程あるいは樹脂部材やテ
ープ部材からなるダムバーの取り付け工程を省略するこ
とができ、リードフレームまたは半導体集積回路装置の
製造工数を削減することができる。
【0075】(2).ダムバーを有さないリードフレー
ムを実現することが可能になるため、リードフレームの
価格を低減することができる。
【0076】(3).耐熱性弾性部材または微小耐熱性
弾性部材が多層構造によって形成され、前記多層構造は
耐熱性弾性部材または微小耐熱性弾性部材が取り付けら
れる型合わせ面から離れるほど柔軟な部材、すなわち硬
度の異なった部材であることにより、型合わせ時にリー
ドフレームのリード部にかかる荷重を制御することがで
きる。これにより、リードフレームのリード部の変形を
低減することができる。
【0077】(4).耐熱性弾性部材または微小耐熱性
弾性部材が多層構造によって形成されることにより、価
格の高い弾性部材と価格の安い弾性部材とを組み合わせ
て耐熱性弾性部材または微小耐熱性弾性部材を形成する
ことができる。その結果、耐熱性弾性部材または微小耐
熱性弾性部材を比較的安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるリードフレームの構造の実施の形
態の一例を示す部分平面図である。
【図2】本発明による半導体集積回路装置の構造の実施
の形態の一例を示す図であり、(a)は断面図、(b)
はリードフレーム切断成形前の構造を表す部分平面図で
ある。
【図3】本発明によるモールド装置の第1金型および耐
熱性弾性部材の構造の実施の形態の一例を示す部分斜視
図である。
【図4】本発明のモールド装置における型合わせ時の構
造の実施の形態の一例を示す図であり、(a)は部分断
面図、(b)は(a)におけるA−A断面を表す部分断
面図である。
【図5】本発明の他の実施の形態であるモールド装置に
取り付けられる微小耐熱性弾性部材の構造の一例を示す
部分断面図である。
【図6】本発明の他の実施の形態であるモールド装置に
取り付けられる多層構造の耐熱性弾性部材の一例を示す
部分断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 1a 回路形成面 1b 電極 2 リードフレーム 2a 枠部 2b 内方 2c リード部 2d 基端部 2e タブ 2f タブ吊りリード 2g 間隙 2h 先端部 3 ボンディングワイヤ 4 樹脂 5 樹脂本体部 6 接合剤 7 下金型(第1金型) 7a キャビティ 7b 型合わせ面 7c キャビティ外周部 8 上金型(第2金型) 8a キャビティ 8b 型合わせ面 8c キャビティ外周部 9 耐熱性シリコンゴム(耐熱性弾性部材) 9a ダム部 9b 枠内周部 10 微小耐熱性シリコンゴム(微小耐熱性弾性部材) 10a ダム部

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 樹脂封止形の半導体集積回路装置の製造
    方法であって、 複数本の隣接するリード部がダムバーによって連結され
    ずに前記リード部の基端部だけで枠部に連結し、かつ搭
    載後の半導体チップの電極と前記リード部とが電気的に
    接続されたリードフレームを準備し、 一方もしくは両方の型合わせ面におけるキャビティ外周
    部に枠状の耐熱性弾性部材の枠内周部がキャビティを囲
    んで取り付けられた第1または第2金型の間に前記リー
    ドフレームを載置し、 前記第1および第2金型を型合わせすることにより、前
    記リードフレームの隣接するリード部間の間隙に前記耐
    熱性弾性部材を入り込ませてダム部を形成し、 前記第1および第2金型のキャビティ内に封止用の樹脂
    を注入して樹脂封止を行うことを特徴とする半導体集積
    回路装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 樹脂封止形の半導体集積回路装置の製造
    方法であって、 複数本の隣接するリード部がダムバーによって連結され
    ずに前記リード部の基端部だけで枠部に連結し、かつ搭
    載後の半導体チップの電極と前記リード部とが電気的に
    接続されたリードフレームを準備し、 一方もしくは両方の型合わせ面におけるキャビティ外周
    部に、複数個の微小耐熱性弾性部材が型合わせ時に前記
    リードフレームの隣接するリード部間の間隙に入り込む
    ようにキャビティを囲んで取り付けられた第1または第
    2金型の間に前記リードフレームを載置し、 前記第1および第2金型を型合わせすることにより、前
    記リードフレームのリード部間の間隙に前記微小耐熱性
    弾性部材を入り込ませてダム部を形成し、 前記第1および第2金型のキャビティ内に封止用の樹脂
    を注入して樹脂封止を行うことを特徴とする半導体集積
    回路装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 半導体チップの樹脂封止を行うモールド
    装置であって、 相互に対向して設置され、かつ双方の型合わせにより半
    導体集積回路装置の樹脂本体部に対応した形状のキャビ
    ティを形成する第1および第2金型と、 前記第1または第2金型の何れか一方の型合わせ面もし
    くは両方の型合わせ面におけるキャビティ外周部に枠内
    周部が前記キャビティを囲んで取り付けられた枠状の耐
    熱性弾性部材とを有し、 前記第1および第2金型による型合わせ時に、前記半導
    体チップを搭載したリードフレームの隣接するリード部
    間の間隙に前記耐熱性弾性部材が入り込んでダム部を形
    成して樹脂封止が行われることを特徴とするモールド装
    置。
  4. 【請求項4】 半導体チップの樹脂封止を行うモールド
    装置であって、 相互に対向して設置され、かつ双方の型合わせにより半
    導体集積回路装置の樹脂本体部に対応した形状のキャビ
    ティを形成する第1および第2金型と、 前記第1または第2金型の何れか一方の型合わせ面もし
    くは両方の型合わせ面におけるキャビティ外周部に前記
    キャビティを囲んで取り付けられ、かつ前記第1および
    第2金型の型合わせ時に前記半導体チップを搭載したリ
    ードフレームの隣接するリード部間の間隙に入り込むよ
    うに配置された複数個の微小耐熱性弾性部材とを有し、 前記第1および第2金型による型合わせ時に、前記半導
    体チップを搭載したリードフレームの隣接するリード部
    間の間隙に前記微小耐熱性弾性部材が入り込んでダム部
    を形成して樹脂封止が行われることを特徴とするモール
    ド装置。
  5. 【請求項5】 請求項3または4記載のモールド装置で
    あって、前記耐熱性弾性部材または前記微小耐熱性弾性
    部材が多層構造によって形成され、前記多層構造は、前
    記耐熱性弾性部材または前記微小耐熱性弾性部材が取り
    付けられる型合わせ面から離れるほど硬度の異なった部
    材からなることを特徴とするモールド装置。
  6. 【請求項6】 四辺形をなす枠部を有し、半導体チップ
    が搭載されるリードフレームであって、相互に平行とな
    った少なくとも2つの枠部に設けられて前記四辺形の内
    方に向けて延びる複数本のリード部を、隣接する前記リ
    ード部を連結するダムバーを有することなく、各々の基
    端部だけで前記枠部に連結したことを特徴とするリード
    フレーム。
  7. 【請求項7】 請求項6記載のリードフレームを用いた
    半導体集積回路装置であって、 半導体チップが搭載され、かつ複数本の隣接するリード
    部がダムバーによって連結されずに前記リード部の基端
    部だけで枠部に連結したリードフレームと、 前記半導体チップおよびその周辺部を樹脂封止して形成
    された樹脂本体部とを有することを特徴とする半導体集
    積回路装置。
JP29071495A 1995-11-09 1995-11-09 半導体集積回路装置の製造方法およびそれに用いるモールド装置ならびにリードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置 Pending JPH09134929A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100400828B1 (ko) * 1999-08-30 2003-10-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지용 금형
JP2016134466A (ja) * 2015-01-19 2016-07-25 京セラ株式会社 外部端子付き電子・電気部品の製造方法および外部端子付き電子・電気部品

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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