JPH0432256A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0432256A JPH0432256A JP14036490A JP14036490A JPH0432256A JP H0432256 A JPH0432256 A JP H0432256A JP 14036490 A JP14036490 A JP 14036490A JP 14036490 A JP14036490 A JP 14036490A JP H0432256 A JPH0432256 A JP H0432256A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、比較的大電流が流れる外部接続用端子を備
えた半導体装置に用いられるものである。
えた半導体装置に用いられるものである。
［従来の技術］
従来、パワートランジスタ等を内蔵し比較的大電流が流
れる外部接続用端子を備えた半導体装置は第５図のもの
がある。
れる外部接続用端子を備えた半導体装置は第５図のもの
がある。
すなわち、パワートランジスタ等の半導体素子を放熱板
１上に組立てこれをモールド形成きれた樹脂ケース２で
封止されている。
１上に組立てこれをモールド形成きれた樹脂ケース２で
封止されている。
放熱板１には、銅層がパターン形成されたセラミックの
ような絶縁板３がはんだ接合されている。
ような絶縁板３がはんだ接合されている。
回路を外部に導くために金属板の外部接続端子４が、銅
層の一部にはんだ接合されている。
層の一部にはんだ接合されている。
この端子４の他端には樹脂ケース２を貫通して外部回路
の接合手段５が設けられている。
の接合手段５が設けられている。
また、放熱板１と樹脂ケース２で構成されている空間に
は、放熱板側にシリコン樹脂６をその上にエポキシ樹脂
７を積層して半導体素子を保護している。
は、放熱板側にシリコン樹脂６をその上にエポキシ樹脂
７を積層して半導体素子を保護している。
８は半導体素子の制御端子である。
［発明が解決しようとする課題１
この外部接続端子４は一端が銅層の、一部にはんだ接合
され他端が接合手段５により外部回路に固定され、ざら
にシリコン樹脂６、エポキシ樹脂７により固定されてい
るため、半導体素子の動作時の発熱により外部接続端子
４並びにシリコン樹脂６、エポキシ樹脂７が熱膨張する
。
され他端が接合手段５により外部回路に固定され、ざら
にシリコン樹脂６、エポキシ樹脂７により固定されてい
るため、半導体素子の動作時の発熱により外部接続端子
４並びにシリコン樹脂６、エポキシ樹脂７が熱膨張する
。
このとき外部接続端子４と他の樹脂との伸びに差が応力
となって破壊するなどの欠点があった。
となって破壊するなどの欠点があった。
このため、第６図に示すように外部接続端子４の一部に
板厚方向に単に折曲部又は湾曲を設けて応力をこの部分
で吸収しようと試みているが、温度サイクルや熱被労に
対して追従できずはんだ接合が剥離していた。
板厚方向に単に折曲部又は湾曲を設けて応力をこの部分
で吸収しようと試みているが、温度サイクルや熱被労に
対して追従できずはんだ接合が剥離していた。
この発明は、以上の問題点を解決するためになされたも
ので外部接続用端子を板厚方向の山折と谷折きせる位置
を異なる位置にすることによって熱応力を吸収きせる半
導体装置を提供することを目的とする。
ので外部接続用端子を板厚方向の山折と谷折きせる位置
を異なる位置にすることによって熱応力を吸収きせる半
導体装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段」
この発明は、放熱板と組み合わせた樹脂ケース内のパタ
ーン配線上の接合部に一端をはんだ接合し、他端を樹脂
ケースから突出させた金属板の端子を樹脂ケース内に樹
脂を封入して固定させた半導体装置において、金属板端
子が板厚方向の山折と谷折の位置を異なった位置にした
形状であることを特徴とする。
ーン配線上の接合部に一端をはんだ接合し、他端を樹脂
ケースから突出させた金属板の端子を樹脂ケース内に樹
脂を封入して固定させた半導体装置において、金属板端
子が板厚方向の山折と谷折の位置を異なった位置にした
形状であることを特徴とする。
［作用］
この発明の半導体装置によると、金属板端子がその板厚
方向の山折と谷折の位置を異なる位置にしているため、
この山折と谷折の間の腕の部分が、てこの原理により熱
応力を吸収する。
方向の山折と谷折の位置を異なる位置にしているため、
この山折と谷折の間の腕の部分が、てこの原理により熱
応力を吸収する。
従って金属板端子と絶縁板の銅層とのはんだ接合が剥離
することがない。
することがない。
［実施例〕
第１図はこの発明の半導体装置の一部断面図であり、図
面に従来と同じ符合を付けて示しており、その説明は詳
略する。
面に従来と同じ符合を付けて示しており、その説明は詳
略する。
第２図（ａ）は、折り曲げ前の展開された金属板端子で
ある。この金属板端子の右のＡ点で谷折し、左のＢ点及
び０点で山折すると第２図（ｂ）に示すような金属板端
子になる。
ある。この金属板端子の右のＡ点で谷折し、左のＢ点及
び０点で山折すると第２図（ｂ）に示すような金属板端
子になる。
この金属板端子を第１図に示す半導体装置に使用した場
合、半導体素子の動作による発熱の熱応力が第２図（ａ
）で示す金属板端子の谷折部Ａ点と山折部Ｂ点の間の腕
の部分で吸収される。
合、半導体素子の動作による発熱の熱応力が第２図（ａ
）で示す金属板端子の谷折部Ａ点と山折部Ｂ点の間の腕
の部分で吸収される。
第３図の実施例で金属板端子の谷折部分を中央にし、左
右に腕を伸ばし、腕の先端で山折したものである。熱応
力は谷折と山折までの腕の間で吸収される。
右に腕を伸ばし、腕の先端で山折したものである。熱応
力は谷折と山折までの腕の間で吸収される。
第４図の実施例では、外部回路の接続手段側谷折までの
距離を長くしたものである。
距離を長くしたものである。
上記実施例では、比較的大電流が流れる外部接続用端子
について説明したが半導体素子の制御信号を入力する端
子にも適用することができる。
について説明したが半導体素子の制御信号を入力する端
子にも適用することができる。
［発明の効果］
この発明によれば、半導体素子等の動作による発熱で端
子の伸び量と、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、樹脂ケー
スによる伸び量との差によって発生する応力のためはん
だ接合部が破壊きれることが解消された。
子の伸び量と、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、樹脂ケー
スによる伸び量との差によって発生する応力のためはん
だ接合部が破壊きれることが解消された。
谷折と山折の腕の短い第３図で示す金属板端子を用いて
一４０℃から＋１２５℃、＋１２５℃から一４０℃を温
度急変を繰返しテストを行なった。
一４０℃から＋１２５℃、＋１２５℃から一４０℃を温
度急変を繰返しテストを行なった。
このテストにおいて、従来の金属板端子と用いた半導体
装置では、５０サイクル以下ではんだ接合破壊が生じて
いたのに対し、この発明の半導体装置では２５０サイク
ルにおいてもはんだ接合破壊の生じるものはなかった。
装置では、５０サイクル以下ではんだ接合破壊が生じて
いたのに対し、この発明の半導体装置では２５０サイク
ルにおいてもはんだ接合破壊の生じるものはなかった。
なお、谷折と山折の間の腕の長い方が端子の弾力性も大
きくはんだ接合の破壊は少ない。
きくはんだ接合の破壊は少ない。
第１図は、この発明を説明するための半導体装置の一部
断面図、第２図は、この発明の一実施例を示す端子であ
って（ａ）図は展開図、（ｂ）図は斜視図、第３図、第
４図は他の実施例の端子の斜視図、第５図は従来の半導
体装置の一部断面図、第６図は従来の端子で（ａ）図は
正面図（ｂ）図は斜面図である。 １・・・放熱板、２・・・ｍｍケース、３・・・絶縁板
４・・・端子、 ５・・外部回路の接合手段、６・・・
シリコン樹脂、７・・エポキシ樹脂Ａ・・・谷折部、Ｂ
・・・山折部
断面図、第２図は、この発明の一実施例を示す端子であ
って（ａ）図は展開図、（ｂ）図は斜視図、第３図、第
４図は他の実施例の端子の斜視図、第５図は従来の半導
体装置の一部断面図、第６図は従来の端子で（ａ）図は
正面図（ｂ）図は斜面図である。 １・・・放熱板、２・・・ｍｍケース、３・・・絶縁板
４・・・端子、 ５・・外部回路の接合手段、６・・・
シリコン樹脂、７・・エポキシ樹脂Ａ・・・谷折部、Ｂ
・・・山折部
Claims (1)
- 放熱板と組み合わせた樹脂ケース内のパターン配線上
の接合部に一端をはんだ接合し、他端を樹脂ケースから
突出させた金属板の端子を樹脂ケース内に樹脂を封入し
て固定させた半導体装置において、金属板端子が板厚方
向の山折と谷折の位置を異なった位置にした形状である
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140364A JPH07120738B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140364A JPH07120738B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432256A true JPH0432256A (ja) | 1992-02-04 |
| JPH07120738B2 JPH07120738B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=15267108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2140364A Expired - Lifetime JPH07120738B2 (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120738B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6262474B1 (en) | 1998-06-01 | 2001-07-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104058A (ja) * | 1985-06-04 | 1987-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS62202548A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS63318147A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH0213745U (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-29 |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP2140364A patent/JPH07120738B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104058A (ja) * | 1985-06-04 | 1987-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS62202548A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS63318147A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH0213745U (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-29 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6262474B1 (en) | 1998-06-01 | 2001-07-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07120738B2 (ja) | 1995-12-20 |
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