JPS63269553A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS63269553A JPS63269553A JP62105255A JP10525587A JPS63269553A JP S63269553 A JPS63269553 A JP S63269553A JP 62105255 A JP62105255 A JP 62105255A JP 10525587 A JP10525587 A JP 10525587A JP S63269553 A JPS63269553 A JP S63269553A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- sidewall
- container
- resin molded
- soldered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は樹脂封止型半導体装置、特に樹脂を注入する
容器内に、半導体チップを収納する樹脂封止型半導体装
置に関するものである。
容器内に、半導体チップを収納する樹脂封止型半導体装
置に関するものである。
従来、容器内に半導体チップを収納し、樹脂を注入した
樹脂封止型半導体装置においては、この半導体チップの
制御用回路部品および保護用の回路部品も同時に収納さ
れることが多く、これらの回路部品を半田付けなどによ
り電気的、機械的に結合したのち、樹脂封止して外力に
よって損傷することのないように組み上げていた。
樹脂封止型半導体装置においては、この半導体チップの
制御用回路部品および保護用の回路部品も同時に収納さ
れることが多く、これらの回路部品を半田付けなどによ
り電気的、機械的に結合したのち、樹脂封止して外力に
よって損傷することのないように組み上げていた。
たとえば、第2図に示す従来の樹脂封止型半導体装置に
おいては、1は底部放熱板、2は側壁樹脂成形品、3は
樹脂であり、航記底部放熱板1と側壁樹脂成形品2を一
体にした容器内部に前記樹脂を注入するようになってい
る。4は外部電極、5は回路部品、6は半導体チップ、
7はこの半導体チップ6のリード線で、このリード線7
および前記外部電極4を通して外部との電気的に接続す
るように構成しである。8は絶縁基板で、この絶縁基板
8、側壁樹脂成形品2および樹脂3は、外部との電気的
絶縁を行なうようになっている。
おいては、1は底部放熱板、2は側壁樹脂成形品、3は
樹脂であり、航記底部放熱板1と側壁樹脂成形品2を一
体にした容器内部に前記樹脂を注入するようになってい
る。4は外部電極、5は回路部品、6は半導体チップ、
7はこの半導体チップ6のリード線で、このリード線7
および前記外部電極4を通して外部との電気的に接続す
るように構成しである。8は絶縁基板で、この絶縁基板
8、側壁樹脂成形品2および樹脂3は、外部との電気的
絶縁を行なうようになっている。
つぎに動作について説明する。半導体チップ6は電流の
制御に用いることが多く、その制御および保護のために
回路部品5を使用する。リード線7および外部電極4を
通して外部との電気的接続を行なう。樹脂3、側壁樹脂
成形品2および絶縁基板8は、外部との電気的絶縁を行
なうと同時に外力からの内部保護の働きをしている。半
導体チップ6は動作時には熱を発生し、この熱を効率よ
く放熱しないと半導体チップ6の破壊につながることが
あるので、熱伝導性のよい絶縁基板8を使用し、底部放
熱板lにも熱伝導のよい金属を使用している。
制御に用いることが多く、その制御および保護のために
回路部品5を使用する。リード線7および外部電極4を
通して外部との電気的接続を行なう。樹脂3、側壁樹脂
成形品2および絶縁基板8は、外部との電気的絶縁を行
なうと同時に外力からの内部保護の働きをしている。半
導体チップ6は動作時には熱を発生し、この熱を効率よ
く放熱しないと半導体チップ6の破壊につながることが
あるので、熱伝導性のよい絶縁基板8を使用し、底部放
熱板lにも熱伝導のよい金属を使用している。
また、回路部品5と半導体チップ6、リード線7、絶縁
基板8.底部放熱板1、外部電極4の間の接続を、半田
付けなどにより行ない、このため電気炉による−・括自
動半田付けと、手半田付けとを併用することが一般的で
あった。
基板8.底部放熱板1、外部電極4の間の接続を、半田
付けなどにより行ない、このため電気炉による−・括自
動半田付けと、手半田付けとを併用することが一般的で
あった。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、従来の樹脂封止型半導体装置にあっては
、回路部品などは熱に弱くて、電気炉などでの一括自動
半田付けのできにくいものがあり、これらは手半田付け
をしなければならなかった。このとき、半田付は部分が
容器内の奥深い位置になり作業しにくく、また手半田付
けの作業により、既に一括半田付けの完成した個所も再
溶解して半11付は不良となってしまうことがあるなど
の問題点があった。
、回路部品などは熱に弱くて、電気炉などでの一括自動
半田付けのできにくいものがあり、これらは手半田付け
をしなければならなかった。このとき、半田付は部分が
容器内の奥深い位置になり作業しにくく、また手半田付
けの作業により、既に一括半田付けの完成した個所も再
溶解して半11付は不良となってしまうことがあるなど
の問題点があった。
この発明は、以上のような問題点を解消するためになさ
れたもので、一括半田付けした後で、追加部品を手半田
付けすることが容易であると同時に、一括半田付は部の
再溶解も右きず、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を
得ることを目的としている。
れたもので、一括半田付けした後で、追加部品を手半田
付けすることが容易であると同時に、一括半田付は部の
再溶解も右きず、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を
得ることを目的としている。
(問題点を解決するための手段)
このため、この発明に係る樹脂封止型半導体装置におい
ては、側壁樹脂成形品と一体成形している外部電極を、
側壁の下部の絶縁基板の近くと、側壁の上部の樹脂表面
近くの容器内部に出すようにしたものである。
ては、側壁樹脂成形品と一体成形している外部電極を、
側壁の下部の絶縁基板の近くと、側壁の上部の樹脂表面
近くの容器内部に出すようにしたものである。
以上のような構成により、この発明における樹脂封止型
半導体装置では、側壁の下部から容器内に出rいる外部
電極の端部は、電気炉などによる一括半田付けのときに
使用され、また側壁の上部から容器内に出てい番外部電
極のもう一方の端部は、手半田付けによる回路部品の取
り付は部として使用することにより、半田付は作業が容
易になり、半田付は部分から再溶解することがなく、信
頼性の高い製品を得ることができる。
半導体装置では、側壁の下部から容器内に出rいる外部
電極の端部は、電気炉などによる一括半田付けのときに
使用され、また側壁の上部から容器内に出てい番外部電
極のもう一方の端部は、手半田付けによる回路部品の取
り付は部として使用することにより、半田付は作業が容
易になり、半田付は部分から再溶解することがなく、信
頼性の高い製品を得ることができる。
以下、この発明の一実施例を図に基づいて説明する。
第1図はこの発明の実施例における断面図である。前出
従来装置第2図におけると同一(相当)構成要素は同一
符号で表わし、説明の重複をさける。
従来装置第2図におけると同一(相当)構成要素は同一
符号で表わし、説明の重複をさける。
図において、外部電極4と側壁樹脂成形品2を一体とし
て容器を形成している。4aは側壁の上部から外部電極
4を前記容器内に突き出した外部電極の上方の端部、4
bは側壁の下部から外部電極4を前記容器内に突き出し
た外部電極の下方の端部である。
て容器を形成している。4aは側壁の上部から外部電極
4を前記容器内に突き出した外部電極の上方の端部、4
bは側壁の下部から外部電極4を前記容器内に突き出し
た外部電極の下方の端部である。
前記外部電極の下方の端部4bと半導体チップ6、リー
ド線7は絶縁基板8の上面に接してあり、絶縁基板8の
下面には底部放熱板1が接している。
ド線7は絶縁基板8の上面に接してあり、絶縁基板8の
下面には底部放熱板1が接している。
また、外部電極の上方の端部4aには回路部品5のリー
ド部を取り付け、そののち樹脂3を注型することにより
、電気的に絶縁すると同時に機械的に保持するような構
成となっている。
ド部を取り付け、そののち樹脂3を注型することにより
、電気的に絶縁すると同時に機械的に保持するような構
成となっている。
つぎにこの発明の作用について説明する。
まず、最初に熱に剥い回路部品を除く、半導体チップ6
、リード線7、絶縁基板8、底部放熱板lおよび側壁樹
脂成形品2の下部から突き出した外部電極の端部4bを
電気炉などで一括半田付けする。この半田付けには、ク
リーム半田を使用し、炉で半田付けを行なうのが一般的
である。そののち、側壁樹脂成形品2の上部から突き出
した外部電極の端部4aに、熱に弱い回路部品5を手半
田付けするのであるが、容器の上面に近い個所であるの
で、作業が非常に筒学であると同時に、前工程で行なっ
た一括半tn付は個所への彫りもほとんどなく、信頼性
の高い製品を提供できる。
、リード線7、絶縁基板8、底部放熱板lおよび側壁樹
脂成形品2の下部から突き出した外部電極の端部4bを
電気炉などで一括半田付けする。この半田付けには、ク
リーム半田を使用し、炉で半田付けを行なうのが一般的
である。そののち、側壁樹脂成形品2の上部から突き出
した外部電極の端部4aに、熱に弱い回路部品5を手半
田付けするのであるが、容器の上面に近い個所であるの
で、作業が非常に筒学であると同時に、前工程で行なっ
た一括半tn付は個所への彫りもほとんどなく、信頼性
の高い製品を提供できる。
この発明の一実施例によれば、外部電極を側壁樹脂成形
品と一体成形し、同一電極板を側壁樹脂而の異なった2
個所容器内部に突き出して構成したことにより、半[口
付は作業を容易にでき、前工程で半田付けした部分を再
溶解することもなく、信頼性の高い製品を安価に得られ
る樹脂封止型半導体装置を提供することができるという
効果がある。
品と一体成形し、同一電極板を側壁樹脂而の異なった2
個所容器内部に突き出して構成したことにより、半[口
付は作業を容易にでき、前工程で半田付けした部分を再
溶解することもなく、信頼性の高い製品を安価に得られ
る樹脂封止型半導体装置を提供することができるという
効果がある。
(他の実施例)
なお、この発明の一実施例では、側壁樹脂成形品の樹脂
面から2個所外部電極が突き出している場合について説
明したが、3個所以上であってもよく、同様の効果を奏
する。
面から2個所外部電極が突き出している場合について説
明したが、3個所以上であってもよく、同様の効果を奏
する。
(発明の効果)
以上に、説明してきたように、この発明によれば側壁樹
脂成形品と一体成形した外部電極を側壁樹脂面の2個所
以上から容器内部に突き出すように構成したので、半田
付は作業が容易になり、前工程の半田付は部分が再溶解
することもなく、安価な信頼性の高い製品が得られると
いう効果を有する。
脂成形品と一体成形した外部電極を側壁樹脂面の2個所
以上から容器内部に突き出すように構成したので、半田
付は作業が容易になり、前工程の半田付は部分が再溶解
することもなく、安価な信頼性の高い製品が得られると
いう効果を有する。
第1図はこの発明の一実施例による樹脂封止型半導体装
置を示す断面図、第2図は従来の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図である。 図中、1は底部放熱板、2は側壁樹脂成形品、3は樹脂
、4は外部電極、4aは外部電極の−E方の端部、4b
は外部電極の下方の端部、6は半導体チップである。 なお、各図中、同一符号は同一部分または相当部分を示
す。
置を示す断面図、第2図は従来の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図である。 図中、1は底部放熱板、2は側壁樹脂成形品、3は樹脂
、4は外部電極、4aは外部電極の−E方の端部、4b
は外部電極の下方の端部、6は半導体チップである。 なお、各図中、同一符号は同一部分または相当部分を示
す。
Claims (1)
- 樹脂を注入する、底部放熱板と側壁樹脂成形品を一体に
した容器内部に、半導体チップを収納するものにおいて
、外部電極を側壁樹脂成形品と一体成形したもので、前
記外部電極の同一電極板を側壁樹脂成形品の樹脂面の異
なった2個所以上から、容器内部に突き出して構成した
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62105255A JPS63269553A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62105255A JPS63269553A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63269553A true JPS63269553A (ja) | 1988-11-07 |
Family
ID=14402543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62105255A Pending JPS63269553A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63269553A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002033438A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Denso Corp | 樹脂封入型回路装置 |
JP2008028167A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Denso Corp | 樹脂封入型回路装置 |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP62105255A patent/JPS63269553A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002033438A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Denso Corp | 樹脂封入型回路装置 |
JP2008028167A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Denso Corp | 樹脂封入型回路装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101505551B1 (ko) | 온도 감지소자가 장착된 반도체 파워 모듈 패키지 및 그제조방법 | |
JP3233507B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6665926B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US20100065950A1 (en) | Leaded semiconductor power module with direct bonding and double sided cooling | |
JP2008199022A (ja) | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 | |
JPH07240497A (ja) | パワー半導体モジュールおよびそれに使用する絶縁金属基板 | |
US4807018A (en) | Method and package for dissipating heat generated by an integrated circuit chip | |
JPH03225854A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
US11362008B2 (en) | Power semiconductor module embedded in a mold compounded with an opening | |
JPS63306651A (ja) | 電力用半導体装置とその製造方法 | |
US5063434A (en) | Plastic molded type power semiconductor device | |
US20200381327A1 (en) | Semiconductor device | |
JP3619708B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JPS63269553A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2001332664A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100244826B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
EP4123696A2 (en) | Power module | |
KR102378171B1 (ko) | 커플드 반도체 패키지 | |
JPH0196952A (ja) | 気密封止チツプキヤリア | |
JP2008172120A (ja) | パワーモジュール | |
KR20220113142A (ko) | 패키지형 전력 반도체 장치 | |
JP3314610B2 (ja) | 半導体装置およびその組立方法 | |
JPH11150208A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
JPH0247109B2 (ja) | Jushifushigatamojuuru | |
JP2512289B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |