JPH0249541B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0249541B2
JPH0249541B2 JP59263564A JP26356484A JPH0249541B2 JP H0249541 B2 JPH0249541 B2 JP H0249541B2 JP 59263564 A JP59263564 A JP 59263564A JP 26356484 A JP26356484 A JP 26356484A JP H0249541 B2 JPH0249541 B2 JP H0249541B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
case
electrode
plate
metal base
external electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59263564A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61140158A (ja
Inventor
Yoshio Takagi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP59263564A priority Critical patent/JPS61140158A/ja
Publication of JPS61140158A publication Critical patent/JPS61140158A/ja
Publication of JPH0249541B2 publication Critical patent/JPH0249541B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に関し、特に電子機器
などに使用される電力用半導体モジユールの小形
化、高密度化に関するものである。
〔従来の技術〕
近年、電子機器の発展は著しく、その小形軽量
化が急速に進んでいる。これらの基をなくすの
は、半導体装置の小形化及び信頼性の向上であ
る。この中でも特にこの種半導体装置の、トラン
ジスタの高耐圧化、同電流化に伴う電力用半導体
装置への応用が活発になつており、小形軽量化を
図つた電力用半導体モジユールの分野へのトラン
ジスタの適用も多くなつてきている。
第４図は従来のよく知られているトランジスタ
モジユールの回路を示し、図中太線で示した部分
は主回路部分に相当し、これらは大電流を流す必
要がある箇所である。Ｑ１，Ｑ２は電力用ダーリ
ントントランジスタ、Ｂ１，Ｂ２は該電力用トラ
ンジスタＱ１，Ｑ２のベース入力端子、Ｃはトラ
ンジスタＱ１のコレクタ電極端子、CEはトラン
ジスタＱ１のエミツタ電極端子であり、トランジ
スタＱ２のコレクタ電極端子である。Ｅはトラン
ジスタＱ２のエミツタ電極端子である。
第５図は従来の半導体装置、即ちトランジスタ
モジユールの組立途中の平面図であり、金属ベー
ス板１上にアルミナ材などからなる絶縁基板（セ
ラミツク基板）２を、その上に銅電極板３を、そ
の上にはモリブデン板６に予めハンダ付けしたト
ランジスタチツプ７と銅ブロツク８に予めハンダ
付けしたダイオードチツプ９及び絶縁基板（端子
用セラミツク基板）４，５を載せその上に外部電
極端子１０〜１２と、予めスピードアツプダイオ
ード１５をハンダ付けした外部電極端子１３，１
４を同時にハンダ付けする。
その後、アルミニウムワイヤによりアルミニウ
ム超音波ボンデイング（図示せず）を行ない、第
６図のように外部電極端子１０〜１４を垂直に曲
げる。その後第７図ｂの側面図のように金属ベー
ス板１にケース１６を接着剤で接着し、オーブン
の中に入れキユアをした後、シリコンゲルをアル
ミニウムワイヤがかくれるまで入れキユアを行な
う。その後エポキシ樹脂を入れ第７図ａに示すフ
タ１７をかぶせてキユアを行なう。
〔発明が解決しようとする問題点〕 しかるに従来の装置は、外部電極端子１０〜１
４をハンダ付けする場合においては外部電極端子
１０〜１４の位置決めに治具を必要としたり、ア
ルミニウムワイヤボンデイング後外部電極端子１
０〜１４を垂直に曲げる場合、アルミニウムワイ
ヤがあるため非常に曲げにくく、またケース接
着、フタ取付け等組立てにおいて多くの工数を必
要とする等の欠点があつた。
この発明は上記の従来の欠点を解消するために
なされたもので、外部電極端子の位置決めを容易
にでき、さらには組立工数を減少できる半導体装
置を得ることを目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、その上に順次絶
縁基板、電極板、及びモリブデン板にハンダ付け
された半導体チツプがハンダ付けされた金属ベー
ス板と、下方から外部電極端子がインサートされ
たケースとを備え、該ケースを上記金属ベース板
にはめ込み両者間に樹脂を封止してなるものであ
る。
〔作用〕
この発明においては、上記金属ベース板に上記
ケースをはめ込むことにより自動的に外部電極端
子の位置決めができるから、組立において多くの
治具を必要とせず、またケース、金属ベース板、
外部電極端子が一体化されているから、組立工数
を大幅に減少できる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の
外部電極インサートケースの斜視図、第２図はこ
れと一体化して形成された金属ベース板の斜視
図、第３図ａは上記外部電極インサートケースの
平面図、第３図ｂはその側面図である。
第１図において、１８は外部電極インサートケ
ース、１０〜１４は該ケース１８に取付けられた
外部電極端子であり、各々コレクタ電極、コレク
タ・第一エミツタ電極、第２エミツタ電極、第１
ベース電極、第２ベース電極となつており、これ
らは上記ケース１８の下方からこれに垂直にイン
サートされて成形されている。１９は最終組立時
にゲル及び樹脂を注入する注入口である。
第２図において、第５，６図と同一符号は同一
又は相当部分を示し、１０ｃはコレクタ電極、１
１ｃはコレクタ電極、１１ｅは第１エミツタ電
極、１２ｅは第２エミツタ電極、１３ｂは第１ベ
ース電極、１４ｂは第２ベース電極である。
次に、上記半導体装置の組立てについて説明す
る。第２図はトランジスタモジユールの場合を示
し、金属ベース板１上の絶縁基板２を置く位置に
は、予めフラツクス入りハンダ板又はクリーム状
のハンダをハンダ印刷しておく。絶縁基板２にも
同様にその上の銅電極板３を置く位置には、予め
ハンダを付けておく。さらに銅電極板３も同様に
端子用セラミツク基板４，５、モリブデン板６、
銅ブロツク８及びコレクタ電極１０ｃ，１１ｃを
置く位置には予めハンダを付けておく。なお、ト
ランジスタチツプ７はモリブデン板６に、ダイオ
ードチツプ９は銅ブロツク８に予めそれぞれ水素
炉により高温ハンダでハンダ付けしておく。端子
用セラミツク基板４，５には、第１エミツタ電極
１１ｅ、第２エミツタ電極１２ｅ、第１ベース電
極１３ｂ及び第２ベース電極１４ｂを置く位置に
予めハンダを付けておく。なお、第１ベース電極
１３ｂ、第２ベース電極１４ｂには、予め中温ハ
ンダによりスピードアツプダイオードチツプ１５
を付けておく。
上記のように予め低温のフラツクス入りハンダ
板又は低温クリームハンダをハンダ印刷したもの
を第２図のように載せてホツトプレート又はリフ
ロー炉に流してハンダ付けをする。そしてその
後、外部電極インサートケース１８の金属ベース
板１の周辺に相当する所を接着剤をコートし外部
電極端子１０〜１４の先端に低温のクリームハン
ダをデイスペンサーを使用しハンダ塗布を行な
い、第２図において組立てたものの上に第１図の
ケースをかぶせてホツトプレート上で数分間置
き、外部電極のハンダ付けとケースの接着を行な
う。その後、第３図ａのゲル注入口１９よりデイ
スペンサーによりゲルを注入しキユアを行なう。
次にデイスペンサーによりエポキシ樹脂を注入し
てキユアを行なう。
このように本実施例を装置では、下方から外部
電極端子がインサートされたケースと金属ベース
板を一体化するようにしたので、金属ベース板に
ケースをはめ込むことにより外部電極端子の位置
決めを治具によらず自動的にでき、また上記端子
はケースと垂直にインサートされているので、該
端子を曲げる必要がなく、さらにケースと金属ベ
ース板が一体化しているため大幅に組立工数を減
少できる。
なお、上記実施例ではトランジスタモジユール
の場合を説明したが、ダイオードモジユール、サ
イリスタモジユール、そしてそれらの混合モジユ
ールを組立てる場合においても上記実施例で用い
た外部電極インサートケースを用いることができ
るのはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、下方から外
部電極端子がインサートされたケースと金属ベー
ス板を一体化して半導体装置を形成するようにし
たので、ケース接着、フタ取付け、端子曲げ等の
組立工数を減少でき、また組立時における複雑な
治工具等を必要としないため、安価にモジユール
が製作できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置
のケースの斜視図、第２図は本実施例装置の金属
ベース板の斜視図、第３図ａは上記ケースの平面
図、第３図ｂはその側面図、第４図は本半導体装
置に使用したトランジスタモジユールの回路図、
第５図は従来の半導体装置の組立途中の平面図、
第６図はその斜視図、第７図ａ，ｂは従来装置の
フタ、ケースの各々の側面図である。 １……金属ベース板、２……絶縁基板、３……
銅電極板、６……モリブデン板、７……半導体チ
ツプ、１０〜１４……外部電極端子、１８……ケ
ース。なお図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ その上に絶縁基板がハンダ付けされ、該絶縁
    基板上に電極板がハンダ付けされ、該電極板上に
    モリブデン板にハンダ付けされた半導体チツプが
    ハンダ付けされた金属ベース板と、下方から外部
    電極端子がインサートされたケースとを備え、上
    記ケースを上記金属ベース板にはめ込み両者間に
    樹脂を封止してなることを特徴とする半導体装
    置。
JP59263564A 1984-12-12 1984-12-12 半導体装置 Granted JPS61140158A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59263564A JPS61140158A (ja) 1984-12-12 1984-12-12 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59263564A JPS61140158A (ja) 1984-12-12 1984-12-12 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61140158A JPS61140158A (ja) 1986-06-27
JPH0249541B2 true JPH0249541B2 (ja) 1990-10-30

Family

ID=17391295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59263564A Granted JPS61140158A (ja) 1984-12-12 1984-12-12 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61140158A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01179440A (ja) * 1988-01-07 1989-07-17 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61140158A (ja) 1986-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07240497A (ja) パワー半導体モジュールおよびそれに使用する絶縁金属基板
US4970576A (en) Power semiconductor module and method for producing the module
JPS62202548A (ja) 半導体装置
JPH07153907A (ja) 電力用半導体モジュール
JPH0249541B2 (ja)
JPS60157243A (ja) 半導体装置
JP3619708B2 (ja) パワー半導体モジュール
JPH0661372A (ja) ハイブリッドｉｃ
KR100244826B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
JPH0278265A (ja) リードフレームおよびそのリードフレームを使用した複合半導体装置
JPH05226575A (ja) 半導体装置
JP7322369B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2975782B2 (ja) 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材
JP2721790B2 (ja) 半導体装置の封止方法
JP2879503B2 (ja) 面実装型電子回路装置
JPS615535A (ja) 半導体装置
JPH0122260Y2 (ja)
JPH02154457A (ja) 半導体装置
JPH0458189B2 (ja)
JPS63250164A (ja) ハイパワ−用混成集積回路基板とその集積回路
JPH0340440A (ja) 樹脂封止型混成集積回路及びその製造方法
JPH0451488Y2 (ja)
JP2539144Y2 (ja) 半導体モジュール
JPH0442942Y2 (ja)
JPH06291433A (ja) 混成集積回路